JPS63118628A - Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor - Google Patents
Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はウェハプロセスにおける半導体圧力センサの
ブリッジ回路調整方法に関し、さらに詳細にいえば、カ
テーテル先端に取り付けられる医療用の半導体圧力セン
サに代表される半導体圧力センサのブリッジ回路調整方
法に関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor in a wafer process. The present invention relates to a bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor.
〈従来の技術、および発明が解決しようとする問題点〉
半導体圧力センサは、シリコン等の半導体結晶に機械的
応力が加わると、ピエゾ抵抗効果により大きな抵抗値変
化をすることに着目して開発されたものであり、一般的
にはシリコン単結晶体の表面層に歪ゲージ抵抗体を拡散
形成し、この歪ゲージ抵抗体４つでホイーストンブリッ
ジを組み、エツチングによりシリコン単結晶体の裏面に
凹部を形成し、薄い部分をダイアフラムとし、表面の適
所に電極を配置したものである。そして、半導体圧力セ
ンサに圧力が加わった場合に、ダイアフラムが変形し、
歪ゲージ抵抗体の抵抗値がピエゾ抵抗効果により、大き
く変化し、圧力に比例したブリッジ出力を得ることがで
きる。<Prior art and problems to be solved by the invention> Semiconductor pressure sensors were developed with the focus on the fact that when mechanical stress is applied to a semiconductor crystal such as silicon, the resistance value changes significantly due to the piezoresistive effect. Generally, a strain gauge resistor is diffused into the surface layer of a silicon single crystal, a Wheatstone bridge is assembled with four strain gauge resistors, and a recess is formed on the back side of the silicon single crystal by etching. The thin part is used as a diaphragm, and electrodes are placed at appropriate locations on the surface. When pressure is applied to the semiconductor pressure sensor, the diaphragm deforms,
The resistance value of the strain gauge resistor changes greatly due to the piezoresistance effect, making it possible to obtain a bridge output proportional to pressure.
上記の半導体圧力センサは非常に小さく、特に医療用に
おいては、カテーテルの先端に複数個の半導体圧力セン
サを取り付け、体内に挿入することから、温度補償回路
及び圧力感度補償回路等の周辺回路を組み込んだもので
も、１チツプの１辺が１ ｍｍ程度以下の小さいものに
する必要がある。The above-mentioned semiconductor pressure sensors are very small, and in medical applications in particular, multiple semiconductor pressure sensors are attached to the tip of a catheter and inserted into the body, so peripheral circuits such as a temperature compensation circuit and a pressure sensitivity compensation circuit are incorporated. Even if it is a chip, it needs to be small, with each side of one chip being about 1 mm or less.
上記の歪ゲージ抵抗体及び拡散低抗体を形成する時に発
生する各抵抗素子の抵抗値の不均一、及びエツチングプ
ロセスにおいてダイアフラムを形成するときに発生する
ダイアフラムの厚さの不均一により半導体圧力センサの
特性にバラツキが生じる。Semiconductor pressure sensors are Variations in characteristics occur.
しかし、上述の如く半導体圧力センサが非常に小さく、
実際に圧力を加えた状態において電気的特性を測定し、
ブリッジ回路の抵抗バランスを調整することは非常に困
難である為、現状では、圧力を加えた状態での測定を省
略し、ブリッジ回路−の電気的特性のみ測定し、一定許
容範囲を越えるものは、不良品として破棄されていた。However, as mentioned above, semiconductor pressure sensors are very small;
Measure the electrical characteristics under actual pressure,
It is very difficult to adjust the resistance balance of the bridge circuit, so currently we omit measurements under pressure and only measure the electrical characteristics of the bridge circuit, and we do not measure anything that exceeds a certain tolerance range. , and was discarded as a defective product.
従って、歩留まりが悪いという問題点がある上に、実際
に加えられる圧力に対するダイアフラムの変形する度合
いが測定されてないため、電気的測定のみでは、信頼性
に問題がある。Therefore, there is a problem that the yield is low, and the degree of deformation of the diaphragm with respect to the pressure actually applied is not measured, so there is a problem in reliability with only electrical measurement.
〈発明の目的〉
この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり
、現実に使用される状態に近似した状態における半導体
圧力センサの出力に基づき、ブリッジ回路の出力バラン
スの調整を行い、歩留まりを良くする半導体圧力センサ
のブリッジ回路調整方法を提供することを目的としてい
る。<Purpose of the Invention> The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to adjust the output balance of a bridge circuit based on the output of a semiconductor pressure sensor in a state approximating the state in which it is actually used. The present invention aims to provide a bridge circuit adjustment method for semiconductor pressure sensors that improves yield.
く問題点を解決する為の手段〉
上記の目的を達成するための、この発明の半導体圧力セ
ンサのブリッジ回路調整方法は、ダイアフラム型半導体
圧力センサの拡散プロセスにおいて歪ゲージ抵抗体と該
歪ゲージ抵抗体を接続する拡散低抗体とからなるブリッ
ジ回路の主要部を形成し、配線プロセスにおいて上記拡
散低抗体から所定間隔毎に電気良導体からなる配線を引
き出し、該電気良導体からなる各配線の端部に共通して
接続される電極を設けておき、テストプロセスにおいて
ダイアフラムの裏面を真空吸引し、仮想的にダイアフラ
ムの表面側から圧力を加えた状態を作りだし、上記ブリ
ッジ回路を利用して、ダイアフラムの表面側から半導体
圧力センサの圧力感度を測定し、この測定された圧力感
度に基づき、上記電気良導体からなる複数本の配線の内
、少なくとも１本を残して他の配線を切断し、拡散低抗
体の抵抗値を調整してブリッジ回路の出力バランスを調
整するものである。Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, a method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor of the present invention includes a strain gauge resistor and a strain gauge resistor in a diffusion process of a diaphragm type semiconductor pressure sensor. In the wiring process, wires made of a good electrical conductor are drawn out at predetermined intervals from the diffused low antibody, and at the ends of each wire made of the good electrical conductor. A commonly connected electrode is provided, and during the test process, a vacuum is applied to the back side of the diaphragm, creating a virtual state where pressure is applied from the front side of the diaphragm, and using the bridge circuit described above, the surface of the diaphragm is The pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor is measured from the side, and based on the measured pressure sensitivity, at least one of the plurality of wirings made of the above-mentioned good electrical conductor is cut, and the other wirings are cut, and the other wirings are cut. The output balance of the bridge circuit is adjusted by adjusting the resistance value.
く作用〉
以上の半導体圧力センサのブリッジ回路調整方法であれ
ば、テストプロセスにおいて、ダイアフラムの裏面側か
ら真空吸引することにより、ダイアフラムが負圧を受け
て変形し、ダイアフラムの変形に応じてダイアフラム上
に形成されたブリッジ回路の主要部である歪ゲージ抵抗
体の抵抗値が、ピエゾ抵抗効果により変化し、上記ブリ
ッジ回路の出力変化を半導体圧力センサの表面に形成さ
れた電極を利用して測定することができる。In the above method for adjusting the bridge circuit of a semiconductor pressure sensor, the diaphragm deforms under negative pressure by applying vacuum from the back side of the diaphragm during the test process, and the diaphragm is deformed in response to the deformation of the diaphragm. The resistance value of the strain gauge resistor, which is the main part of the bridge circuit formed in the sensor, changes due to the piezoresistance effect, and the change in the output of the bridge circuit is measured using an electrode formed on the surface of the semiconductor pressure sensor. be able to.
そして、拡散低抗体から所定間隔毎に配線を引き出すこ
とにより、段階的に抵抗値を設定することができるので
、上記測定された圧力感度に基づき、少なくとも１本の
配線を選択して残すことにより拡散低抗体を分配するこ
とができるので、抵抗値の調整を簡単に行うことことが
できる。Then, by pulling out wiring from the diffused low antibody at predetermined intervals, the resistance value can be set in stages, so by selecting and leaving at least one wiring based on the measured pressure sensitivity, Since the diffused low antibody can be distributed, the resistance value can be easily adjusted.
従って、圧力を加えた状態におけるブリッジ回路の抵抗
バランスの調整を行い、ウェハのダイシングをする前に
半導体圧力センサのブリッジ回路の調整を容易にするこ
とができる。Therefore, the resistance balance of the bridge circuit under pressure can be adjusted, and the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor can be easily adjusted before wafer dicing.
〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。<Example> Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing examples.
第１図は、この発明の半導体圧力センサのブリッジ回路
調整方法を示す概略平面図、第２図は、半導体圧力セン
サの概略横断面図を示し、半導体圧力センサ（１）は、
全体の厚さは略４００μ口の非常に小さいものであり、
ｎ−型シリコン単結晶からなる基板（２）の表面に数に
Ωのｐ−型歪ゲージ抵抗体（３ａ） （３ｂ） （３ｃ
） （３ｄ）を形成し、そして、１０２Ω櫨オーダのｐ
＋拡散低抗体（４）により上記歪ゲージ抵抗体４つを直
列に配線するとともに、基板（２）の表面上の周囲に延
設し、この延設された拡散低抗体（４）上にＡＱパッド
（５ａ） （５ｂ） （５ｃ） （５ｄ）（５ｅ）を形
成している。そして、シリコン単結晶体（２）の裏面に
凹部（６）を形成し、薄い部分（厚さが１０〜３０μｍ
）をダイアフラム口としている。FIG. 1 is a schematic plan view showing a bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor.
The overall thickness is very small, approximately 400μ.
P-type strain gauge resistors (3a) (3b) (3c) of several Ω are mounted on the surface of a substrate (2) made of n-type silicon single crystal.
) (3d), and p of the order of 102Ω
+ The four strain gauge resistors are wired in series using the diffusion low antibody (4), and are also extended around the surface of the substrate (2), and the AQ is connected on the extended diffusion low antibody (4). Pads (5a) (5b) (5c) (5d) (5e) are formed. Then, a recess (6) is formed on the back surface of the silicon single crystal (2), and a thin part (thickness of 10 to 30 μm) is formed on the back surface of the silicon single crystal (2).
) is the diaphragm opening.
以上公知の半導体圧力センサ（１）に加えて、さらにＡ
Ｑパッド（８）を設け、ＩＶパッド（５ｅ）と歪ゲージ
抵抗体（３ｄ）の間を配線する拡散低抗体（４）から所
定間隔毎に電気良導体（具体的には、ＡＱ１金、銀、銅
等）からなる配線（９）・・・を引き出し、上記全配線
（９）・・・の端部をＡＱパッド［８）に接続する。In addition to the above known semiconductor pressure sensor (1),
A Q pad (8) is provided, and a good electrical conductor (specifically, AQ1 gold, silver, Wires (9) made of copper, etc.) are pulled out, and the ends of all the wires (9) are connected to the AQ pad [8].
そして、ＡＱバッド（８］と（５ｅ）を接続し、ＡＱパ
ッド（８）（５ｅ）とＡＱバッド（５Ｃ）間に電圧を加
え、ＡＱパッド（５ｂ）とＪＶバッド（５ｄ）間から出
力を取り出す。即ち、ブリッジ回路を構成している（第
５図参照）。上記ブリッジ回路の出力バランスの調整は
、配線１９）・・・の内、−本を残して他の配線をレー
ザビームにより切断し、ＡＱパッド（５ａ）とＪＶパッ
ド（８）との間の抵抗値の調整をすることによって行わ
れる。Then, connect AQ pad (8) and (5e), apply voltage between AQ pad (8) (5e) and AQ pad (5C), and output from between AQ pad (5b) and JV pad (5d). In other words, it constitutes a bridge circuit (see Figure 5).The output balance of the bridge circuit is adjusted by cutting the remaining wires (19) with a laser beam, leaving only the - wire. This is done by adjusting the resistance value between the AQ pad (5a) and the JV pad (8).
尚、拡散低抗体（４）から配線（９）を引き出す間隔は
、抵抗体の抵抗特性（Ω−ｍ）に応じて設定されるもの
であり、抵抗特性がリニアであれば、等間隔にするのが
好ましい。Note that the intervals at which the wiring (9) is drawn out from the diffused low antibody (4) are set according to the resistance characteristics (Ω-m) of the resistor, and if the resistance characteristics are linear, they should be equally spaced. is preferable.
第３図は、半導体圧力センサの圧力感度を測定する１例
を示す概略断面図であり、（１０）は、ウェハステージ
台であり、ステンレス、合成樹脂等の板材（１１）上に
軟質性合成樹脂（具体的には、スチレン、ブタジェン、
あるいはシリコンゴム等）からなる厚さ１０μｍオーダ
の真空洩れ防止用の封止材（１２）を有し、そして、ウ
ェハステージ台（１０）の適所に上記半導体圧力センサ
（１）の凹部（６）を真空吸引するための貫通孔（１３
）を少なくとも１つ設けている。上記の貫通孔（１３）
の上に、半導体圧力センサ〔１）の四部（６）を位置さ
せ、半導体圧力センサ（１）の表面に設けたＡＱパッド
（５ａ） （５ｅ）とＡＱパッド（５ｃ） （ブリッジ
入力端子間）、及びＡＱパッド（５ｂ）とＡＱパッド（
５ｄ） （ブリッジ出力端子間）に測定用プローブ（１
４）を接触させている。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one example of measuring the pressure sensitivity of a semiconductor pressure sensor, and (10) is a wafer stage base, which is made of soft synthetic resin on a plate material (11) made of stainless steel, synthetic resin, etc. Resins (specifically styrene, butadiene,
The sealing material (12) for preventing vacuum leakage is on the order of 10 μm in thickness (or silicone rubber, etc.), and the recess (6) of the semiconductor pressure sensor (1) is provided at an appropriate location on the wafer stage table (10). Through hole (13) for vacuum suction
) is provided. The above through hole (13)
The four parts (6) of the semiconductor pressure sensor [1] are placed on top of the AQ pads (5a) (5e) and AQ pads (5c) provided on the surface of the semiconductor pressure sensor (1) (between the bridge input terminals). , and AQ pad (5b) and AQ pad (
5d) Connect the measurement probe (1
4) are in contact with each other.
尚、ウェハステージ台（１０）の貫通孔（１３）の上に
半導体圧力センサ（１）の凹部（６）を位置させるには
、ウェハステージ台（１０）と測定プローブ（１４〉を
固定しておいて、ウェハ（１５）を移動させ、或はウエ
ノ１（１５）を固定しておいて、ウェハステージ台（ｌ
Ｏ）及び測定プローブ（１４）を移動させればよい。Note that in order to position the recess (6) of the semiconductor pressure sensor (1) above the through hole (13) of the wafer stage (10), the wafer stage (10) and measurement probe (14) must be fixed. Then, move the wafer (15) or fix the wafer 1 (15) and place it on the wafer stage table (l).
O) and the measurement probe (14) may be moved.
上記の如く、ウェハ（１５）をウェハステージ台（１０
）上に載置し、貫通孔（１３）を利用して真空吸引すれ
ば、ウェハステージ台（１ｏ）上の封止材がシリコン結
晶体［２）とウェハステージ台（１０）との接合部から
の真空洩れを防止し、半導体圧力センサ（１］の凹部（
６）に表面から加えた圧力に対応した負圧を発生させて
、ダイアフラム（７）が表面側から圧力を受けた場合と
同様に変形する。As mentioned above, the wafer (15) is placed on the wafer stage table (10).
), and if vacuum is applied using the through hole (13), the sealing material on the wafer stage table (1o) will close to the joint between the silicon crystal body [2] and the wafer stage table (10). This prevents vacuum leakage from the recess (1) of the semiconductor pressure sensor (1).
6) generates a negative pressure corresponding to the pressure applied from the surface, and the diaphragm (7) deforms in the same way as when pressure is applied from the surface side.
第４図は、上記ダイアフラム口が変形した状態の簡略図
を示し、第５図に示すブリッジ回路を構成する４つの歪
ゲージ抵抗体（３ａ） （３ｂ） （３ｃ） （３ｄ）
の内、ダイアフラム（′７）の中央部に拡散された歪ゲ
ージ抵抗体（３ａ） （３ｃ）は、ダイアフラム（′Ｔ
）の変形にともなって圧縮され、ダイアフラム（７１の
周辺部に拡散された歪ゲージ抵抗体（３ｂ） （３ｄ）
は、ダイアフラム］７）の変形にともなって伸張される
。FIG. 4 shows a simplified diagram of the diaphragm opening in a deformed state, and shows four strain gauge resistors (3a) (3b) (3c) (3d) constituting the bridge circuit shown in FIG.
Among them, the strain gauge resistors (3a) (3c) diffused in the center of the diaphragm ('T)
) is compressed as the diaphragm (71) deforms, and the strain gauge resistor (3b) (3d) is diffused around the diaphragm (71).
is expanded as the diaphragm]7) is deformed.
上記の歪ゲージ抵抗体として、圧縮応力に比例して抵抗
値が増加するものを利用し、歪ゲージ抵抗体（３ａ）
（３ｂ） （３ｃ） （３ｄ）の抵抗値をそれぞれ、Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とすると、ダイアプラム口の変形
にともなって、Ｒ２、Ｒ４は増加し、Ｒ１、Ｒ３は減少
する。As the strain gauge resistor described above, a strain gauge resistor (3a) whose resistance value increases in proportion to compressive stress is used.
The resistance values of (3b), (3c), and (3d) are R
1, R2, R3, and R4, R2 and R4 increase and R1 and R3 decrease as the diaphragm opening deforms.
即ち、Ｒ２の端子間電位Ｖ１叫増加し、Ｒ３の端子間電
位ｖ２は減少する。That is, the potential V1 between the terminals of R2 increases, and the potential V2 between the terminals of R3 decreases.
従って、ダイアフラム（刀の変形に比例してブリッジ出
力、即ち、Ｖ −Ｖ２は増加する。Therefore, the bridge output, ie, V-V2, increases in proportion to the deformation of the diaphragm.
上記ブリッジ出力を、半導体圧力センサ（１）のＡＱパ
ッド（５）を利用して測定プローブ（１４）により測定
を行うことにより、ウェハ（１５）をグイシングする前
に半導体圧力センサー１）の圧力感度のＭ１定を行うこ
とができる。By measuring the bridge output with the measurement probe (14) using the AQ pad (5) of the semiconductor pressure sensor (1), the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor 1) is determined before guising the wafer (15). M1 constant can be performed.
上記のように圧力加えた状態における半導体圧力センサ
の出力を測定し、測定値に僅かでも誤差のある半導体圧
力センサは、測定値に応じて、各拡散低抗体（４）から
所定間隔毎に引き出された配線（９）の内、少なくとも
１本を選択して残し、他の配線をレーザビームにより切
断することにより、抵抗値の調整を簡単に行うことがで
きるので半導体圧力センサをダイシングする前において
、半導体圧力センサのブリッジ回路の出力バランスの調
整を行うことができる。The output of the semiconductor pressure sensor under pressure is measured as described above, and if there is even a slight error in the measured value, the semiconductor pressure sensor is pulled out from each diffused low antibody (4) at predetermined intervals according to the measured value. The resistance value can be easily adjusted by selecting at least one of the wires (9) left and cutting the other wires with a laser beam, so before dicing the semiconductor pressure sensor. , the output balance of the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor can be adjusted.
以上要約すれば、電気的測定は半導体圧力センサ（１）
の表面側から行い、圧力を加えるのは、半導体圧力セン
サ（１）の裏面側から行うことにより、テストプロセス
において半導体圧力センサ（１）の圧力感度の測定を行
っている。そして、この測定において誤差のある半導体
圧力センサは、拡散低抗体（４）から引き出された配線
（９）を切断することにより、拡散低抗体の抵抗値の調
整を行うことが可能となり、ブリッジ回路の出力バラン
スの調整を行うことができる。To summarize the above, electrical measurement is performed using a semiconductor pressure sensor (1).
The pressure is applied from the front side of the semiconductor pressure sensor (1), and the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor (1) is measured in the test process by applying pressure from the back side of the semiconductor pressure sensor (1). Then, for semiconductor pressure sensors that have errors in this measurement, by cutting the wiring (9) drawn out from the diffusion low antibody (4), it is possible to adjust the resistance value of the diffusion low antibody, and the bridge circuit The output balance can be adjusted.
尚、この発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えばＡＱバッド（５ａ）とＡＱパッド（５０）とを
接続し、ＡＱパッド（８］とＡＱパッド（５ｄ）間に電
圧を加えたり、上記ｊＶパッド（５ｅ）と歪ゲージ抵抗
体（３ｄ）間の拡散低抗体（４）のみならず他の拡散低
抗体（４）の抵抗値を調整可能にする等、この発明の要
旨を変更しない範囲内において種々の設計変更を施すこ
とが可能である。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and for example, the AQ pad (5a) and the AQ pad (50) may be connected and a voltage may be applied between the AQ pad (8) and the AQ pad (5d). In addition, the gist of the present invention can be realized by making it possible to adjust the resistance value of not only the diffusion-reducing antibody (4) but also other diffusion-reducing antibodies (4) between the jV pad (5e) and the strain gauge resistor (3d). Various design changes can be made within the same range.
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の半導体圧力センサのブリッジ
回路調整方法によれば、裏面側から仮想的にダイアフラ
ムに圧力を加えた状態を作りだし、現実の使用状態と略
同様な状態において電気的出力を測定を行い、この測定
に基づいて、拡散低抗体の所定間隔毎から引き出された
配線の内、少なくとも１本を残し、他の配線を切断する
ことにより、拡散低抗体の抵抗値を調整して、半導体圧
力センサのブリッジ回路のバランス調整を行うことを可
能にするため、歩留まりを良くすることができるという
特有の効果を奏する。<Effects of the Invention> As described above, according to the bridge circuit adjustment method of a semiconductor pressure sensor of the present invention, a state in which pressure is virtually applied to the diaphragm from the back side is created, and a state substantially similar to the actual usage state is created. Based on this measurement, at least one of the wirings drawn out from each predetermined interval of the diffused low antibody is left and the other wiring is cut, thereby reducing the resistance of the diffused low antibody. Since it is possible to adjust the balance of the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor by adjusting the value, it has the unique effect of improving the yield.
第１図は、この発明の半導体圧力センサのブリッジ回路
調整方法の１実施例を示す概略平面図第２図は、半導体
圧力センサの横断面図、第３図は、半導体圧力センサの
圧力感度を測定する実施例を示す概略断面図、
第４図は１．半導体圧力センサに圧力を加えた状態図、
第５図は、半導体圧力センサの電気的構成を示す電気回
路図。
（１）・・・半導体圧力センサ、（４）・・・拡散低抗
体、口・・・ダイアフラム、（８）・・・ＡＱパッド、
［９）−・・配線、（３ａ） （３ｂ） （３ｃ） （
３ｄ）−歪ゲージ抵抗体、（５ａ） （５ｂ） （５ｃ
） （５ｄ） （５ｅ） ・−ＡＱパッド。
特許出願人 住友電気工業株式会社
第３図
第４図
第５図FIG. 1 is a schematic plan view showing one embodiment of the bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor, and FIG. 3 shows the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor. A schematic cross-sectional view showing an example to be measured, FIG. 4 is 1. Fig. 5 is an electrical circuit diagram showing the electrical configuration of the semiconductor pressure sensor. (1)...Semiconductor pressure sensor, (4)...Diffusion low antibody, Mouth...Diaphragm, (8)...AQ pad,
[9)--Wiring, (3a) (3b) (3c) (
3d) - Strain gauge resistor, (5a) (5b) (5c
) (5d) (5e) -AQ pad. Patent applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd. Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
おいて歪ゲージ抵抗体と該歪ゲージ抵抗体を接続する拡
散抵抗体とからなるブリッジ回路の主要部を形成し、配
線プロセスにおいて上記拡散抵抗体から所定間隔毎に電
気良導体からなる配線を引き出し、該電気良導体からな
る各配線の端部に共通して接続される電極を設けておき
、テストプロセスにおいてダイアフラムの裏面を真空吸
引し、仮想的にダイアフラムの表面側から圧力を加えた
状態を作りだし、上記ブリッジ回路を利用して、ダイア
フラムの表面側から半導体圧力センサの圧力感度を測定
し、この測定された圧力感度に基づき、上記電気良導体
からなる複数本の配線の内、少なくとも１本を残して他
の配線を切断し、拡散低抗体の抵抗値を調整してブリッ
ジ回路の出力バランスを調整する半導体圧力センサのブ
リッジ回路調整方法。1. In the diffusion process of a diaphragm type semiconductor pressure sensor, the main part of a bridge circuit consisting of a strain gauge resistor and a diffused resistor connecting the strain gauge resistor is formed, and in the wiring process, the main part of the bridge circuit is formed at predetermined intervals from the diffused resistor A wire made of a good electrical conductor is pulled out from the top of the diaphragm, and an electrode is provided to be commonly connected to the end of each wire made of a good electrical conductor.During the test process, the back side of the diaphragm is vacuum-sucked, and the front side of the diaphragm is virtually drawn out. Create a state in which pressure is applied from A method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor, in which the output balance of the bridge circuit is adjusted by cutting off at least one of the wirings and adjusting the resistance value of the diffused low antibody.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264747A JPS63118628A (en) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| US07/110,662 US4809536A (en) | 1986-11-06 | 1987-10-20 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| DE8787115916T DE3784009T2 (en) | 1986-11-06 | 1987-10-29 | BRIDGE CIRCUIT ADJUSTMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR PRESSURE TRANSDUCERS. |
| EP87115916A EP0266681B1 (en) | 1986-11-06 | 1987-10-29 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| KR1019870012430A KR910001842B1 (en) | 1986-11-06 | 1987-11-05 | The method of coordination of bridge circuit |
| CA000551253A CA1307939C (en) | 1986-11-06 | 1987-11-06 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor |
| AU80891/87A AU591817B2 (en) | 1986-11-06 | 1987-11-06 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264747A JPS63118628A (en) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
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Family
ID=17407618
Family Applications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPS63118628A (en) |
| CA (1) | CA1307939C (en) |
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1986
- 1986-11-06 JP JP61264747A patent/JPS63118628A/en active Pending
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1987
- 1987-11-06 CA CA000551253A patent/CA1307939C/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1307939C (en) | 1992-09-29 |
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