JPS6311795Y2 - - Google Patents
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- JPS6311795Y2 JPS6311795Y2 JP8203378U JP8203378U JPS6311795Y2 JP S6311795 Y2 JPS6311795 Y2 JP S6311795Y2 JP 8203378 U JP8203378 U JP 8203378U JP 8203378 U JP8203378 U JP 8203378U JP S6311795 Y2 JPS6311795 Y2 JP S6311795Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は垂直偏向回路に関し、とくに偏向ヨー
クに接続された電力増幅器の出力端に印加される
異常が電圧をクランプする回路を具備する垂直偏
向回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a vertical deflection circuit, and more particularly to a vertical deflection circuit comprising a circuit for clamping an abnormal voltage applied to an output terminal of a power amplifier connected to a deflection yoke.
第1図は、回路中のNPNトランジスタ4のエ
ミツタ電位が、コレクタ電位よりも上昇した場
合、その電圧上昇分を、コレクタ電位に固定する
ようにした従来からのクランプ回路を示す図であ
る。すなわち、NPNトランジスタ4のエミツタ
電位上昇分に対し、コレクタ・エミツタ間に定常
状態で、逆バイアスとなるように接続されたダイ
オード5が順方向バイアスされ導通し、それによ
つてエミツタ電位は、コレクタ電位+ダイオード
順方向電圧でクランプされる。しかし、このとき
にダイオード5に流れるクランプ電流は、エミツ
タ電位上昇のエネルギー成分が大きい程増大し、
ダイオード5の電流容量は、それに見合つたもの
にする必要を生ずる。このことは、特に集積回路
化された場合を考えると、ダイオード面積が大き
くなることは、ペレツト面積の増加につながり不
利で、ダイオード5に流れるクランプ電流が、ト
ランジスタ4のエミツタ電流と等しくなるような
場合には、ダイオード2はトランジスタ1と同等
面積を必要とすることになる。 FIG. 1 is a diagram showing a conventional clamp circuit in which when the emitter potential of an NPN transistor 4 in the circuit rises above the collector potential, the voltage increase is fixed at the collector potential. That is, in response to an increase in the emitter potential of the NPN transistor 4, the diode 5, which is connected between the collector and the emitter in a steady state so as to be reverse biased, is forward biased and conducts, so that the emitter potential becomes equal to the collector potential. +Clamped by diode forward voltage. However, the clamp current flowing through the diode 5 at this time increases as the energy component of the rise in emitter potential increases.
The current capacity of the diode 5 needs to be adjusted accordingly. This means that, especially when integrated circuits are considered, increasing the diode area is disadvantageous because it increases the pellet area, and the clamp current flowing through the diode 5 becomes equal to the emitter current of the transistor 4. In this case, diode 2 would require the same area as transistor 1.
第2図は本考案に用いるクランプ回路で、第1
図に示した従来からのクランプ回路と同一機能を
備え、かつ大きなクランプ電流でも、より小さな
面積のダイオードで構成できることを特徴とした
ものである。 Figure 2 shows the clamp circuit used in this invention.
This circuit has the same function as the conventional clamp circuit shown in the figure, and is characterized by the fact that it can be constructed using diodes with a smaller area even with a large clamp current.
すなわち、第1図のクランプ用ダイオード5の
機能をNPNトランジスタ4の逆方向トランジス
タ動作を利用し、クランプ電流を流すもので第3
図にその場合の等価回路図を示す。このときのク
ランプ動作としては、第2図のNPNトランジス
タ4のエミツタ電位が上昇し、コレクタ電位を越
え、コレクタ・エミツタ間の電位関係が反転した
場合に、第3図に示したように、NPNトランジ
スタ4が逆方向トランジスタ動作を開始する。こ
こで、この逆方向トランジスタ4のベース電流ド
ライブ用として、ダイオード5を付加することに
よつて、クランプ電流は第2図における逆方向ト
ランジスタ4のコレクタよりエミツタに流れ、こ
のときの逆方向トランジスタ4のベースドライブ
電流はダイオード5によつて充分供給される。従
つて第3図における出力端子2すなわちトランジ
スタ4のエミツタ電極クランプ電位は、コレクタ
電位+ダイオード5順方向電圧×2となる。本考
案によるクランプ回路では、以上の如くクランプ
電流は、トランジスタ4を流れる為、クランプ用
ダイオード5は、トランジスタ4の逆方向トラン
ジスタの1/hFEのベースドライブ電流のみを流
せばよいことになり、電流容量が減少したことに
よつて、クランプダイオード面積を大幅に削減で
き、集積回路化された場合には、第2図における
トランジスタ4を逆方向hFEが大きくなるような
構造とすることで、ペレツト面積の縮小化に寄与
するものである。 In other words, the function of the clamping diode 5 in FIG.
The figure shows an equivalent circuit diagram in that case. At this time, the clamping operation is performed when the emitter potential of the NPN transistor 4 in FIG. 2 rises and exceeds the collector potential, and the potential relationship between the collector and emitter is reversed. Transistor 4 begins reverse transistor operation. By adding a diode 5 to drive the base current of the reverse transistor 4, the clamp current flows from the collector to the emitter of the reverse transistor 4 in FIG. The base drive current of is sufficiently supplied by the diode 5. Therefore, the output terminal 2, that is, the emitter electrode clamping potential of the transistor 4 in FIG. 3 is the collector potential+the forward voltage of the diode 5×2. In the clamp circuit according to the present invention, since the clamp current flows through the transistor 4 as described above, the clamp diode 5 only needs to flow the base drive current of 1/hFE of the reverse direction transistor of the transistor 4, and the current By reducing the capacitance, the area of the clamp diode can be significantly reduced, and when it is integrated into an integrated circuit, the pellet area can be reduced by making the transistor 4 in Fig. 2 have a structure that increases the reverse direction hFE. This contributes to the downsizing of the
本考案によれば、かかるクランプ回路を垂直偏
向回路に用いているので、一安価にかつ集積回路
化に適した垂直偏向回路を得ることができる。 According to the present invention, since such a clamp circuit is used in the vertical deflection circuit, it is possible to obtain a vertical deflection circuit that is inexpensive and suitable for integration into an integrated circuit.
以下、本考案の具体的実施例として、SEPP型
電力出力回路を用いた垂直偏向回路を説明する。 A vertical deflection circuit using an SEPP type power output circuit will be described below as a specific embodiment of the present invention.
第4図はテレビジヨン受像機の垂直偏向出力回
路に本考案によるクランプ回路を応用したもので
あり、入力端子からの鋸歯状波を電圧増巾する前
置増幅器2と、さらにトランジスタ4,8,9,
10,11ダイオード6,7,12から構成され
負荷となる垂直偏向ヨークに対し、充分な鋸歯状
波電流を供給するSEPP型電力増幅回路とから成
り、ブラウン管の垂直走査を行う機能を有する回
路である。 FIG. 4 shows the application of the clamp circuit according to the present invention to the vertical deflection output circuit of a television receiver, which includes a preamplifier 2 for voltage amplifying the sawtooth wave from the input terminal, and further transistors 4, 8, 9,
This circuit consists of an SEPP type power amplifier circuit that supplies a sufficient sawtooth wave current to the vertical deflection yoke, which is composed of 10, 11 diodes 6, 7, and 12 and serves as a load, and has the function of vertically scanning a cathode ray tube. be.
ここで垂直偏向回路としての特性を考えると、
負荷の偏向ヨークに鋸歯状波電流を供給した場
合、その帰線期間の急激な立上りに対して、コイ
ルの自己誘導作用による逆起電力で出力端子には
電源電圧よりも高いフライバツクパルスが発生
し、その大きさは偏向ヨークのインピーダンス及
び偏向電流で決定される。このため、通常出力端
子にはフライバツクパルスをある電圧でクランプ
する為のクランプ回路が付加され、従来回路での
多くは第4図中出力端子と電源の間に破線で接続
されたクランプダイオード13によつて、フライ
バツクパルスを電源電圧付近でクランプさせてい
る。このとき、クランプダイオード13には偏向
電流の最大値に相当するクランプ電流が偏向ヨー
ク15よりVccに向つて流れる為、ダイオード1
3の電流容量は、出力トランジスタ9,11に匹
敵するものとする必要があり、集積回路化された
垂直偏向出力回路で、クランプダイオードを内蔵
するような場合にはそのペレツト面積中でのクラ
ンプダイオードの占有する面積比率が大となり、
ペレツト大型化につながるものである。 Considering the characteristics as a vertical deflection circuit,
When a sawtooth wave current is supplied to the deflection yoke of the load, a flyback pulse higher than the power supply voltage is generated at the output terminal due to the back electromotive force caused by the coil's self-induction due to the sudden rise in the retrace period. However, its size is determined by the impedance of the deflection yoke and the deflection current. For this reason, a clamp circuit for clamping the flyback pulse at a certain voltage is usually added to the output terminal, and in most conventional circuits, a clamp diode 13 is connected between the output terminal and the power supply with a broken line in Fig. 4. This clamps the flyback pulse near the power supply voltage. At this time, since a clamp current corresponding to the maximum value of the deflection current flows through the clamp diode 13 from the deflection yoke 15 toward Vcc, the diode 1
The current capacity of 3 must be comparable to that of the output transistors 9 and 11, and in the case of an integrated vertical deflection output circuit with a built-in clamp diode, the current capacity of the clamp diode in the pellet area must be The area ratio occupied by becomes large,
This leads to larger pellets.
しかし、本考案に用いたクランプ回路、すなわ
ちダイオード5と出力トランジスタ9との組合せ
では、帰線期間における出力トランジスタ9の逆
方向性トランジスタのhFEが例えば10を有する
ものとすれば、クランプ用ダイオード5に流れる
電流すなわち逆方向トランジスタ9のベースドラ
イブ電流の最大値は、偏向電流の1/10となり、ク
ランプダイオード5の電流容量は、出力トランジ
スタ9,11の1/10でよいことになつて、集積回
路化された場合でもペレツト縮小化に大きく寄与
し、極めて経済的である。 However, in the clamp circuit used in the present invention, that is, the combination of the diode 5 and the output transistor 9, if the hFE of the reverse direction transistor of the output transistor 9 during the retrace period is, for example, 10, the clamp diode 5 In other words, the maximum value of the base drive current of the reverse direction transistor 9 is 1/10 of the deflection current, and the current capacity of the clamp diode 5 is 1/10 of that of the output transistors 9 and 11. Even when circuitized, it greatly contributes to pellet size reduction and is extremely economical.
なお、厳密にいえば本考案に用いたクランプ回
路においてはクランプ電圧は従来に比較してダイ
オードの順方向電圧だけ高くなるが、実際上問題
にはならない。例えばVcc=12ボルトで回路を駆
動する場合、コイルによつてちがいはあるとはい
え、ビーク値50ボルト程度のフライバツクパルス
が発生するのはごく普通のことであるから、ダイ
オードの順方向電圧程度の差異なクランプ回路の
効果に影響を与えるものではない。 Strictly speaking, in the clamp circuit used in the present invention, the clamp voltage is higher than the conventional one by the forward voltage of the diode, but this does not pose a problem in practice. For example, when driving a circuit with Vcc = 12 volts, although there are differences depending on the coil, it is quite normal for a flyback pulse with a peak value of about 50 volts to occur, so the forward voltage of the diode This does not affect the effectiveness of the clamp circuit to any degree.
第1図は従来方式によるクランプ回路の一実施
例を示した回路図である。第2図は本考案に用い
たクランプ回路の一実施例を示した回路図であ
る。第3図は第2図の電気的等価回路図である。
第4図は本考案に係るテレビジヨン受像機の垂直
偏向出力回路の一実施例を示した回路図である。
1,14,18……コンデンサ、2……前置増
幅器、3……定電流源、4,8,9,10,11
……トランジスタ、4……逆方向性トランジス
タ、5,6,7,12,13……ダイオード、1
6,17……抵抗、+14,18……コンデンサ、
15……偏向ヨーク。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a conventional clamp circuit. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the clamp circuit used in the present invention. FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram of FIG. 2.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of a vertical deflection output circuit for a television receiver according to the present invention. 1, 14, 18... Capacitor, 2... Preamplifier, 3... Constant current source, 4, 8, 9, 10, 11
...Transistor, 4...Reverse direction transistor, 5, 6, 7, 12, 13...Diode, 1
6, 17...Resistor, +14,18...Capacitor,
15...Deflection yoke.
Claims (1)
電力増幅器に電力を供給する電源端子と、前記電
力増幅器の出力端に接続された垂直偏向コイルと
を含み、前記電力増幅器の出力段にはエミツタが
前記出力端に接続され、コレクタが前記電源端子
に接続され、ベースに前記鋸歯状波入力信号を受
ける出力トランジスタを備え、該出力トランジス
タのベース・エミツタ間に該ベース・エミツタ間
PN接合とは逆方向にPN接合ダイオードを接続
したことを特徴とする垂直偏向回路。 The output stage of the power amplifier includes a power amplifier for amplifying a sawtooth input signal, a power supply terminal for supplying power to the power amplifier, and a vertical deflection coil connected to an output terminal of the power amplifier. is connected to the output terminal, the collector is connected to the power supply terminal, the output transistor receives the sawtooth wave input signal at the base, and the base-emitter is connected between the base and emitter of the output transistor.
A vertical deflection circuit characterized by a PN junction diode connected in the opposite direction to the PN junction.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP8203378U JPS6311795Y2 (en) | 1978-06-14 | 1978-06-14 |
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JP8203378U JPS6311795Y2 (en) | 1978-06-14 | 1978-06-14 |
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---|---|
JPS54183270U JPS54183270U (en) | 1979-12-26 |
JPS6311795Y2 true JPS6311795Y2 (en) | 1988-04-06 |
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Family Applications (1)
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JP8203378U Expired JPS6311795Y2 (en) | 1978-06-14 | 1978-06-14 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6311795Y2 (en) |
-
1978
- 1978-06-14 JP JP8203378U patent/JPS6311795Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54183270U (en) | 1979-12-26 |
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