JPS63116340A - ガス放電パネルの誘電体層材料 - Google Patents
ガス放電パネルの誘電体層材料Info
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- JPS63116340A JPS63116340A JP61263130A JP26313086A JPS63116340A JP S63116340 A JPS63116340 A JP S63116340A JP 61263130 A JP61263130 A JP 61263130A JP 26313086 A JP26313086 A JP 26313086A JP S63116340 A JPS63116340 A JP S63116340A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は容量マトリクス部によって、多くの電極のなか
からアドレスすべき電極を選択駆動したり、維持波形を
印加したりするガス放電パネルにおいて、容量マｌ−Ｉ
Ｊクス部を形成する電極間の誘電体層に、高誘電率材料
を混入して誘電率を増大せしめ、容量電極の間隙を広く
とれるようにして容量結合部の信頼性の向上を図るよう
にしたものである。
からアドレスすべき電極を選択駆動したり、維持波形を
印加したりするガス放電パネルにおいて、容量マｌ−Ｉ
Ｊクス部を形成する電極間の誘電体層に、高誘電率材料
を混入して誘電率を増大せしめ、容量電極の間隙を広く
とれるようにして容量結合部の信頼性の向上を図るよう
にしたものである。
本発明は、情報を表示するためのガス放電パネルの電極
選択部に結合容量を付与する誘電体材料の改良に関する
ものである。
選択部に結合容量を付与する誘電体材料の改良に関する
ものである。
本発明を適用するガス放電パネルは、特開昭６０−７９
６４１および特開昭６１−６１３４１などで開示されて
いるように、たとえば第３図および第４図に示す構造を
持っている。
６４１および特開昭６１−６１３４１などで開示されて
いるように、たとえば第３図および第４図に示す構造を
持っている。
二枚の基板２１．３２の上の複数平行電極２５．３０を
誘電体層３１および保護層３２で覆ってなる加工された
基板を、電極が互いに交差対向するように微少間隙を隔
てて合わせ、該基板２１．３２の周囲をガス封止し、放
電ガスを封入した一般的な交流駆動ガス放電パネルの、
その基板の延長面上に、表示電極選択機能を持った容量
マトリクスデバイスＤ１゜Ｄ２を作りつけたものを本発
明者らは既に前記特開昭６０−７９６４１などで開示し
ている。
誘電体層３１および保護層３２で覆ってなる加工された
基板を、電極が互いに交差対向するように微少間隙を隔
てて合わせ、該基板２１．３２の周囲をガス封止し、放
電ガスを封入した一般的な交流駆動ガス放電パネルの、
その基板の延長面上に、表示電極選択機能を持った容量
マトリクスデバイスＤ１゜Ｄ２を作りつけたものを本発
明者らは既に前記特開昭６０−７９６４１などで開示し
ている。
上記第３図および第４図において、容量マトリクスデバ
イスＤｉ、Ｄ２の４つずつの共通駆動電極（２３−１〜
２３−４および２４−１〜２４−４）は、それぞれ図示
しない４個ずつの独立な駆動素子に接続され、表示に必
要な信号波形をパネルに送っている。
イスＤｉ、Ｄ２の４つずつの共通駆動電極（２３−１〜
２３−４および２４−１〜２４−４）は、それぞれ図示
しない４個ずつの独立な駆動素子に接続され、表示に必
要な信号波形をパネルに送っている。
共通駆動電極（２３−１〜２３−４および２４−１〜２
４−４）と複数の表示電極２５とは、端部２５ａ、 ２
５ｂなどでそれぞれ一定の静電容量Ｃ１，Ｃ２で結合し
ている。
４−４）と複数の表示電極２５とは、端部２５ａ、 ２
５ｂなどでそれぞれ一定の静電容量Ｃ１，Ｃ２で結合し
ている。
複数の表示電極２５は、一方の共通駆動電極（２３−１
〜２３−４）からはｖｌなるパルス電圧を、他方の共通
駆動電極（２４−１〜２４−４）からはＶ２なるパルス
電圧を受けている。これらからの表示電極への誘導電圧
ｖ３が、表示電極２５の動作を定める。すなわち誘導電
圧ｖ３の近似的大きさは、回路理論により次の大きさを
持つと計算されている。
〜２３−４）からはｖｌなるパルス電圧を、他方の共通
駆動電極（２４−１〜２４−４）からはＶ２なるパルス
電圧を受けている。これらからの表示電極への誘導電圧
ｖ３が、表示電極２５の動作を定める。すなわち誘導電
圧ｖ３の近似的大きさは、回路理論により次の大きさを
持つと計算されている。
Ｖ３＝ （ＣＩＶ１＋Ｃ２Ｖ２） ／Ｃ１＋Ｃ２−・・
・−−−−−−（１）この弐が示すところを述べると、
仮に Ｃ１＝Ｃ２と近似して、一つの表示電極２５には
、■ 共通駆動電極２３−１と共通駆動電極２４−１と
が共にゼロでないパルス電圧ＶＬＶ２をもっているとき
、一つの表示電極２５にはｍ＋Ｖ２） ／２の大きさの
電圧が誘起され、 ■ 二つの共通駆動電極２３−１と２４−１のうち、−
方だけにパルス電圧ｖ１あるいはｖ２が印加されると、
一つの表示電極２５には、ｖ１／２あるいはＶ２／２と
言う約半分の高さのパルス電圧が誘起され、■ 双方の
共通駆動電極ともＶｌ、Ｖ２がゼロのときは一つの表示
電極２５にはゼロのパルス電圧が誘起されることを示し
ている。
・−−−−−−（１）この弐が示すところを述べると、
仮に Ｃ１＝Ｃ２と近似して、一つの表示電極２５には
、■ 共通駆動電極２３−１と共通駆動電極２４−１と
が共にゼロでないパルス電圧ＶＬＶ２をもっているとき
、一つの表示電極２５にはｍ＋Ｖ２） ／２の大きさの
電圧が誘起され、 ■ 二つの共通駆動電極２３−１と２４−１のうち、−
方だけにパルス電圧ｖ１あるいはｖ２が印加されると、
一つの表示電極２５には、ｖ１／２あるいはＶ２／２と
言う約半分の高さのパルス電圧が誘起され、■ 双方の
共通駆動電極ともＶｌ、Ｖ２がゼロのときは一つの表示
電極２５にはゼロのパルス電圧が誘起されることを示し
ている。
該容量マトリクスデバイスＩｌｌ、 Ｄ２には同時に一
つずつのアドレスパルスが供給されているため、そのパ
ルスは容量マトリクスデバイスＤＩ、 ０２での結合容
量Ｃ１，Ｃ２によって、複数の表示電極２５のうち選択
すべき一つの表示電極２５に選択パルス（ν１＋Ｖ２）
／２が誘起されるのである。
つずつのアドレスパルスが供給されているため、そのパ
ルスは容量マトリクスデバイスＤＩ、 ０２での結合容
量Ｃ１，Ｃ２によって、複数の表示電極２５のうち選択
すべき一つの表示電極２５に選択パルス（ν１＋Ｖ２）
／２が誘起されるのである。
その他の電極には同時に０１部あるいはＤ２部の一方の
みからのパルスが現れるか、パルスの現れない状態とな
り、表示セルの状態を変える電圧高さに達せず非選択動
作となる。
みからのパルスが現れるか、パルスの現れない状態とな
り、表示セルの状態を変える電圧高さに達せず非選択動
作となる。
このとき対向する基板３２には全電極が同時にアドレス
され、容量マトリクスで選択された前記対向基板２１上
の一電極の選択パルス電圧と相呼応して、該電極上の全
セルが状態変化（書込み、消去。
され、容量マトリクスで選択された前記対向基板２１上
の一電極の選択パルス電圧と相呼応して、該電極上の全
セルが状態変化（書込み、消去。
維持各動作の）可能なパルス電圧を得ることとなる。
上記動作を行う容量マトリクスパネルにおいて、容量マ
トリクスの誘電体層として、従来は酸化鉛ＰｂＯを主と
する低融点ガラスを使用していた。
トリクスの誘電体層として、従来は酸化鉛ＰｂＯを主と
する低融点ガラスを使用していた。
上記容量マトリクスを構成する誘電体層、ｐｂ。
を主とする低融点ガラスでは、誘電率が充分大きくない
ため、パネルの大きさによって異なるが、コンデンサを
形成する電極面積として数平方ミリ以上の面積と、数ミ
クロン程度以下の接近した電極間隔を必要としている。
ため、パネルの大きさによって異なるが、コンデンサを
形成する電極面積として数平方ミリ以上の面積と、数ミ
クロン程度以下の接近した電極間隔を必要としている。
コンデンサ電極の面積が広く、間隙が狭いと、誘電体層
の製作技術、電極の接触、電流リーク。
の製作技術、電極の接触、電流リーク。
絶縁破壊など、信頼性に劣ることとなるのは良く知られ
ている。
ている。
したがって、間隙はそのままとした場合、できるだけ電
極面積を小さくしても必要な静電容量が得られるように
したい。あるいは逆に電極面積を同じとして、誘電体層
厚をより大きくとって電極の接触、電流リーク１絶縁破
壊などのトラブルから開放されたいとの要望がある。
極面積を小さくしても必要な静電容量が得られるように
したい。あるいは逆に電極面積を同じとして、誘電体層
厚をより大きくとって電極の接触、電流リーク１絶縁破
壊などのトラブルから開放されたいとの要望がある。
そこで本発明では、結合容量を形成する誘電体層の誘電
率を高め、必要な静電容量を得るのに、より小さな電極
面積あるいはより大きな電極間隙とを取り得る誘電率の
大きな、耐圧が同等以上の物質を使用する。
率を高め、必要な静電容量を得るのに、より小さな電極
面積あるいはより大きな電極間隙とを取り得る誘電率の
大きな、耐圧が同等以上の物質を使用する。
それにはチタン酸バリウムＢａＴｉ０ｔという高誘電率
物質を在来のｐｂｏを主体とした誘電体層に５〜４０％
混合するのが本パネルの他の動作に悪い影響を与えずに
良いことを本発明者等は見い出した。
物質を在来のｐｂｏを主体とした誘電体層に５〜４０％
混合するのが本パネルの他の動作に悪い影響を与えずに
良いことを本発明者等は見い出した。
第５図にチタン酸バリウムＢａＴｉ０：＋をＰｂＯを主
とする低融点ガラスに混合した場合の得られるコンデン
サ容量の変化割合を示す。
とする低融点ガラスに混合した場合の得られるコンデン
サ容量の変化割合を示す。
上記チタン酸バリウムの他に酸化チタンＴｉＯ□。
チタン酸ストスンチウム５ｒＴｉ０３＋ あるいは化学
式のみを記すが、５ｂＳＩ、 ＰｂＺｒ０＊などを誘電
率の大きさの不足する誘電体層に混入するのが見掛けの
誘電率を高め、耐圧、寿命などの点からよいことを本発
明者らは見いだした。
式のみを記すが、５ｂＳＩ、 ＰｂＺｒ０＊などを誘電
率の大きさの不足する誘電体層に混入するのが見掛けの
誘電率を高め、耐圧、寿命などの点からよいことを本発
明者らは見いだした。
このようにすると、在来のＰｂＯを主とする誘電体層に
、高誘電率物質が混合されて、見掛は上の誘電率が大き
くなるように作用し、容量マトリクスを構成するコンデ
ンサが確実に小さな電極面積か、あるいは大きい電極間
隔で実現でき、電極の接触、電極間電流リーク、絶縁破
壊など、信頼性に劣る要因が取り除かれる。
、高誘電率物質が混合されて、見掛は上の誘電率が大き
くなるように作用し、容量マトリクスを構成するコンデ
ンサが確実に小さな電極面積か、あるいは大きい電極間
隔で実現でき、電極の接触、電極間電流リーク、絶縁破
壊など、信頼性に劣る要因が取り除かれる。
第１図は本発明の１実施例を示す。第１図において、１
はガラス基板、２は一層目容量形成電極（表示電極）、
３は本発明の高誘電率材料層、４は二層目容量形成電極
〔共通駆動電極（２３〜１〜２３−４および２４−１〜
２４−４） ）である。
はガラス基板、２は一層目容量形成電極（表示電極）、
３は本発明の高誘電率材料層、４は二層目容量形成電極
〔共通駆動電極（２３〜１〜２３−４および２４−１〜
２４−４） ）である。
第１図のように容量部を形成すると、電極間２と４の間
に高誘電率材料層３が介在するため、容量形成電極２．
４がもつ容量は、従来の低融点材料を誘電体層としても
つものに比べて平均誘電率の比だけ大きな静電容量を持
つこととなる。
に高誘電率材料層３が介在するため、容量形成電極２．
４がもつ容量は、従来の低融点材料を誘電体層としても
つものに比べて平均誘電率の比だけ大きな静電容量を持
つこととなる。
その状態を説明するデータが第５図である。これは従来
の誘電体層材料、ｐｂｏを主とする低融点ガラスに、本
発明の高誘電率材料の一つ、チタン酸バリウムを混入し
ていき、その割合を横軸にとり、縦軸に形成コンデンサ
の容量比をとったものである。
の誘電体層材料、ｐｂｏを主とする低融点ガラスに、本
発明の高誘電率材料の一つ、チタン酸バリウムを混入し
ていき、その割合を横軸にとり、縦軸に形成コンデンサ
の容量比をとったものである。
この第５図によるとチタン酸バリウム約２７％の混入で
、電極の面積、間隔は同じとして約２倍の静電容量を得
ることがわかる。
、電極の面積、間隔は同じとして約２倍の静電容量を得
ることがわかる。
またチタン酸バリウムを混入した誘電体層の耐圧は、Ｐ
ｂＯを主とする低融点ガラスの耐圧と同等以上あること
が判明しているから、本誘電体層が同じ厚さである限り
、耐圧に問題はない。したがって電極間隔を同じとして
、容量マトリクス電極２５ａ、 ２５ｂの面積を、チタ
ン酸バリウム２７％の混入で約半分にすることができた
。
ｂＯを主とする低融点ガラスの耐圧と同等以上あること
が判明しているから、本誘電体層が同じ厚さである限り
、耐圧に問題はない。したがって電極間隔を同じとして
、容量マトリクス電極２５ａ、 ２５ｂの面積を、チタ
ン酸バリウム２７％の混入で約半分にすることができた
。
また青色の酸化コバルトＣｏｚ０３を数％混入すると誘
電体層は目立たなくなるばかりでなく、粘度。
電体層は目立たなくなるばかりでなく、粘度。
付着力、膨張係数などの作業性が良くなり好都合である
。
。
また第２図は本発明の変形例を示すものであり、パネル
外の容量結合部の高誘電率材料層３上に耐エツチング層
５を設けたものである。高誘電率材料層３の材料によっ
ては、二層目容量形成電極４〔共通駆動電極（２３−１
〜２３−４および２４−１〜２４−４）〕をエエツチン
グプロセで形成するときエツチング液に侵されるものが
あり、その場合には木耐エツチング層５を高誘電率材料
層３の上に形成すると高誘電率材料層３が侵されず良い
効果をもたらす。耐エツチング層５としては通常の酸化
シリコンＳｉＯ□を使用することで良い結果が得られる
。
外の容量結合部の高誘電率材料層３上に耐エツチング層
５を設けたものである。高誘電率材料層３の材料によっ
ては、二層目容量形成電極４〔共通駆動電極（２３−１
〜２３−４および２４−１〜２４−４）〕をエエツチン
グプロセで形成するときエツチング液に侵されるものが
あり、その場合には木耐エツチング層５を高誘電率材料
層３の上に形成すると高誘電率材料層３が侵されず良い
効果をもたらす。耐エツチング層５としては通常の酸化
シリコンＳｉＯ□を使用することで良い結果が得られる
。
本発明によれば、表示電極と結合する容量マトリクス部
の容量形成電極２５ａ、 ２５ｂの面積が、使用する誘
電体層の誘電率の大きさが大きいほど、小さくてよいこ
とになる。すなわち、同じ誘電体層厚さで使用した本発
明のチタン酸バリウム約２７％を持つ高誘電率材料層３
と、従来のｐｂｏを主とした誘電率材料層と比べて約２
倍、本発明の高誘電率材料層３の誘電率が大きいから、
その電極面積は従来のものに比べて２の電極面積で良い
ことになる。
の容量形成電極２５ａ、 ２５ｂの面積が、使用する誘
電体層の誘電率の大きさが大きいほど、小さくてよいこ
とになる。すなわち、同じ誘電体層厚さで使用した本発
明のチタン酸バリウム約２７％を持つ高誘電率材料層３
と、従来のｐｂｏを主とした誘電率材料層と比べて約２
倍、本発明の高誘電率材料層３の誘電率が大きいから、
その電極面積は従来のものに比べて２の電極面積で良い
ことになる。
このように面積が小さくてよいコンデンサでは、該静電
容量を形成する電極同志の接触、電極間電流リーク、絶
縁破壊など、信頬性に劣る要因が大いに減少し、製作が
非常に容易となる。
容量を形成する電極同志の接触、電極間電流リーク、絶
縁破壊など、信頬性に劣る要因が大いに減少し、製作が
非常に容易となる。
第１図は本発明の結合容量部分断面図、第２図は本発明
のもう一つの実施例として結合容量部分断面を示す図、 第３図は本発明を適用する従来のパネル断面図、第４図
は本発明を適用する従来パネル平面図、第５図は本発明
の高誘電率材料による実測データである。 第１図、第２図において、 １は基板、 ２は一層目容量形成電極（表示電極）、３は高誘電率材
料層、 ４は二層目容量形成電極〔共通駆動電極（２３−１〜２
３−４および２４−１〜２４−４） ］、５は耐エツチ
ング層である。 条！Ｉ：、萌の詫住思１部勺断面図 第１図 滓ヌト日月０もう−フＱ尖鵡１坊り 第２図 、李４をＢ目と」１月１ろ雀Ｅ坪ミクノぐネｌしぼ斤面
図第３図 才４屯日月乞赴ずうづＬ來４ぐキｌし坪１）田第４図
のもう一つの実施例として結合容量部分断面を示す図、 第３図は本発明を適用する従来のパネル断面図、第４図
は本発明を適用する従来パネル平面図、第５図は本発明
の高誘電率材料による実測データである。 第１図、第２図において、 １は基板、 ２は一層目容量形成電極（表示電極）、３は高誘電率材
料層、 ４は二層目容量形成電極〔共通駆動電極（２３−１〜２
３−４および２４−１〜２４−４） ］、５は耐エツチ
ング層である。 条！Ｉ：、萌の詫住思１部勺断面図 第１図 滓ヌト日月０もう−フＱ尖鵡１坊り 第２図 、李４をＢ目と」１月１ろ雀Ｅ坪ミクノぐネｌしぼ斤面
図第３図 才４屯日月乞赴ずうづＬ來４ぐキｌし坪１）田第４図
Claims (5)
- （１）パネル周辺部に複数の表示電極と駆動電圧供給線
束との容量結合部を有するガス放電パネルにおいて、 前記表示電極を被覆してその端部と前記駆動電圧供給線
束との間に結合容量を付与する低融点ガラスの誘電体層
に、高誘電率材料を混入したことを特徴とするガス放電
パネルの誘電体層材料。 - （２）上記高誘電率材料として、チタン酸バリウムを、
５〜４０％混入したことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のガス放電パネルの誘電体層材料。 - （３）上記高誘電率材料を混入した低融点ガラス材料に
さらに金属酸化物を混入したことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のガス放電パネルの誘電体層材料
。 - （４）上記金属酸化物として酸化コバルトを使用し、そ
の割合が１〜１０％であることを特徴とする特許請求の
範囲第（３）項記載のガス放電パネルの誘電体層材料。 - （５）上記高誘電率材料を混入した誘電体層の上に、耐
エッチング層を形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載のガス放電パネルの誘電体層材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263130A JPS63116340A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ガス放電パネルの誘電体層材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263130A JPS63116340A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ガス放電パネルの誘電体層材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116340A true JPS63116340A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17385232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61263130A Pending JPS63116340A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ガス放電パネルの誘電体層材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63116340A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057914A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | オムロン株式会社 | 厚膜コンデンサ用誘電体ペ−ストの製造方法 |
| JPS6161341A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61263130A patent/JPS63116340A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057914A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | オムロン株式会社 | 厚膜コンデンサ用誘電体ペ−ストの製造方法 |
| JPS6161341A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
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