JPS63114979A - 金属表面に金属被膜を形成する方法 - Google Patents

金属表面に金属被膜を形成する方法

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JPS63114979A
JPS63114979A JP62120863A JP12086387A JPS63114979A JP S63114979 A JPS63114979 A JP S63114979A JP 62120863 A JP62120863 A JP 62120863A JP 12086387 A JP12086387 A JP 12086387A JP S63114979 A JPS63114979 A JP S63114979A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基体金属の表面に他の金属の被膜を形成する
ための方法に関するものである。一般に電子回路等を形
成する場合、回路パターンを描いた基板の露出した基体
金属表面に、半田合金等の接合用金属の被膜を形成し、
所望の回路部品を当該金属被膜の上に載置し、これを加
熱して前記金属被膜を熔融し、基体金属と回路部品とを
接合することが行われている。本発明は特にこのような
回路基板の基体金属の表面に半田等の接合用金属の被膜
を形成するための新規な方法に関するものである。
従来の技術 従来前述のような回路基板の基体金属表面に金属半田の
被膜を形成するには、通常ペースト状半田が使用されて
いる。
ペースト状半田は、半田合金の粉末とフラックスとを、
粘度調整用のミネラルスピリット等の高沸点溶剤に分散
し、一定の粘度を有するペースト状としたものである。
而してこのペースト状半田を使用して基板の基体表面に
金属半田の被膜を形成するには、ペースト状半田をスク
リーン印刷又はディスペンサーで、電子部品搭載基板上
に所定の形状に塗布し、これを加熱して前記半田合金の
粉末を熔融させ、フラックスの補助作用の下で、前記熔
融半田合金を基板の基体金属表面に付着させて被膜を形
成している。
ペースト状半田を加熱すると、前記半田合金の粉末粒子
が熔融し、前記フラックスによって熔融半田粒子の表面
の酸化物が還元されて純半田熔融粒子となると共に、基
体金属表面も還元されて清浄な表面を形成する。而して
熔融半田粒子の凝集力と、半田粒子の基体金属に対する
濡れ性とにより、基体表面に金属半田の被膜が形成され
るのである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら前記ペースト状半田においては、そのペー
スト中における半田合金は、フラックスや溶剤とは分離
された遊離の金属粒子であり、その粒子は微細なもので
あるとは言っても、フラックスや溶剤と均一な組成物を
構成しているものではない。半田合金の粒子を小さくす
る試みがなされてはいるが、現在では10μ程度が限界
とされている。
一方近年電子回路の集積度が高くなり、基板上の回路パ
ターンも細い線で高密度に構成されるようになっている
。最近では、百〜数百μ程度の線を同程度の間隔で描い
て回路パターンを構成するようにもなっており、それに
伴って当該基板上にペースト状半田を供給する場合にお
いても、回路パターンの高密度化に伴い、極めて高精度
で供給する必要がある。従ってスクリーン印刷でペース
ト状半田を供給する場合においては、よりメツシュの細
かいスクリーンを使用しなければならず、またディスペ
ンサーを使用する場合においても、より細い吐出穴径の
ものを使用する必要が生じてきている。
然るに、前述のようにペースト状半田中に半田合金の固
体粉末粒子が含まれているので、これをスクリーン印刷
やディスペンサーにより基板上に供給する際、半田合金
の粒子の大きさを事実上無視することができなくなって
くる。スクリーン印刷により供給する場合においては、
半田合金の粉末粒子がスクリーンに目詰まりを生じさせ
、半田合金を所定の形状に均一に印刷して供給すること
が困難である。また半田粉末とスクリーンとの摩擦によ
り、マスクに傷をつけたり破損したりすることがあり、
スクリーンの寿命が短いものとなっている。
またディスペンサーを使用する場合においても、細い吐
出穴に半田粉末が詰まり、詰まった半田粉末がそれに続
くペーストを濾過して、フラックスや溶剤のみを吐出す
ることがあり、半田合金の粉末を均一に含むペーストと
して吐出することが極めて困難である。
また前述のように、熔融半田の粒子同士の凝集力と被着
金属に対する濡れ性とによって被着金属間の接合を行う
が、個々の熔融半田粒子の表面張力は大きいものであっ
て、全ての半田粒子を接合に寄与させることは困難であ
り、接合に寄与しない半田粒子が基板状に残留し、これ
らは回路の間を短絡させる可能性がある。
特に先に述べたように集積度の高い電子回路においては
、回路を構成する線の間隔が半田粒子の径にはゾ匹敵す
る大きさになり、単一の半田粒子によっても簡単に短絡
が生じ、直ちに致命的な欠陥を生じることになり兼ねな
い。このような事態を避けるために、接合完了後に当該
電子回路を有機溶剤で洗浄して残存半田粒子を除去する
ことが行われるが、それでも完全に除去することは困難
である。
半田合金の粉末粒子の径をさらに小さいものとすること
によりこれらの問題点は多少は改善されるが、高価にな
ると共に、熔融半田の粒子が安定なものとなって凝集が
起りにくくなり、必ずしも好ましいものと言えない。
さらに基板上の金属被膜を形成する部分以外の部分をレ
ジスト剤でマスクし、所定の部分のみに半田被膜を形成
すると共に、不要の部分に半田が付着するのを防止し、
回路が短絡するのを防止することも行われているが、こ
の場合においても半田被膜を形成すべき部分の大きさが
個々の半田粒子の大きさに匹敵するものとなるので、所
定の部分に確実に半田粒子を供給して、充分に膜厚の大
きな半田金属被膜を形成することは極めて困難である。
さらにマスクした基板を熔融半田浴に浸漬して金属被膜
を形成することも行われているが、これも微細なパター
ンに従って確実に被膜を形成するのは困難である。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、被膜
を構成すべき金属を有機カルボン酸に対して化学的に結
合させ、これを有機溶剤に溶解することにより均一な組
成の溶液となし、基体金属を当該溶液に浸漬することに
より当該基体金属の表面に半田金属を析出させ、半田粒
子の大きさを考慮することなく精密なパターンに従って
基体金属表面に容易に金属被膜を形成することを可能に
し、さらに被膜形成後における残存半田粒子による電子
回路の短絡を防止することを目的とするものである。
問題点を解決する手段 而して本発明は、有機カルボン酸の金属塩を高沸点溶剤
に溶解してなる溶液に、加熱下に、前記金属塩を構成す
る金属よりもイオン化傾向の大きい金属を浸漬し、当該
金属の表面に前記金属塩を構成する金属を析出せしめる
ことを特徴とするものである。
本発明において使用する溶液の溶質は、有機成分として
の有機カルボン酸中のカルボキシル基を、金属の塩とし
たものである。
有機カルボン酸としては各種のものを使用することがで
きる。例えばロジン又はその誘導体、ステアリン酸、オ
レイン酸、ネオデカン酸、セバシン酸、フマル酸等の脂
肪族カルボン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、
トリメリット酸、ピロメリット酸等の芳香族カルボン酸
、ナフテン酸等を使用することができる。また−塩基性
の酸の他、二塩基性又は三塩基性以上の多塩基性の酸を
も使用することができる。ただし、その有機カルボン酸
の金属塩が、有機溶剤に溶解し得るものでなければなら
ない。
これらの有機カルボン酸として、特にロジン又はその誘
導体が適当である。当該ロジンとしては、ガムロジン、
トール油ロジン、ウッドロジン等の他、これらのロジン
の主成分であるアビエチン酸、ピマール酸等の純物買を
使用することができる。
またこれらのロジンの誘導体として、不均斉化ロジン、
水素添加ロジンや、マレイン化ロジン又はフマル化ロジ
ン等を使用することもできる。特にマレイン化ロジンや
フマル化ロジンは、ロジンをマレイン化又はフマル化す
ることによりカルボン酸を導入して三塩基性の誘導体と
し、そのロジン誘導体の三つのカルボン酸を金属塩とす
ることにより、金属含有量を矢きくすることができるの
で好ましい。
また本発明における金属塩を構成する金属としては、基
体金属の表面に形成すべき被膜の金属成分に従って導入
する。例えば半田被膜を形成するのであれば、錫と鉛と
を所定の割合で導入すれば良く、また銀被膜を形成する
のであれば、銀を導入することになる。またその他用途
に応じて、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、金等の金属を導入
することも可能である。
有機カルボン酸に対する金属の導入は、これらの有機カ
ルボン酸のアルカリ土類金属の塩を添加し、複分解反応
により有機カルボン酸の金属塩を得ることができる。有
機カルボン酸のアルカリ塩に添加する金属の塩としては
、その金属が賜の場合には塩化第一錫が適当であり、釦
の塩としては、酢酸鉛が適当である。また銀に対しては
硝酸銀が適当である。さらに他の金属を使用する場合に
は、当該金属と比較的強い酸との塩であって、水溶性を
有する塩を使用するのが良い。
また前記有機カルボン酸を加熱して熔融した状態で金属
の酸化物を反応させることにより、前記有機カルボン酸
の金属塩を得る熔融法によることもできる。
半田等のように二種以上の金属の合金の被膜を形成する
場合において、有機カルボン酸にこれら二種以上の金属
を導入する場合には、これらの二種以上の金属を混合し
て導入した混合塩であっても良く、また前記有機カルボ
ン酸に個々の金属を導入した塩をそれぞれ別個に合成し
、これらを所定の割合で混合したものであっても良い。
ただし後者の方が、得られる金属被膜の膜厚が比較的厚
く、接合強度が大きい傾向があり、また用途に応じて金
属の含有の比率の異なるものを自由に調製することがで
きるという利点を有しているので好ましい。
有機カルボン酸の金属塩中に含まれる金属の含有率は、
有機カルボン酸の種類や金属の種類によっても異なるが
、2〜70重量%程度が適当であり、さらに好ましくは
10〜60重量%程度とするのが望ましい。
本発明において、有機カルボン酸の金属塩を溶解するた
めの有機溶剤としては、沸点の高いものが望ましく、例
えばスクアレンや高沸点鉱油等が適している。
また溶液中の成分の比率としては、有機カルボ、ン酸金
属塩中の金属成分の溶液中における濃度が、少なくとも
0.1%以上であることが望ましい。
金属成分の含有率が0.1%未満であっては金属成分の
量が少なく、充分な厚みの金属被膜を形成することがで
きない。
また、溶液中の金属成分の含有率を設定する場合、金属
含有量の比較的高い有機カルボン酸の金属塩を有機溶剤
に比較的稀薄に溶解したものであっても良く、また金属
成分の含有量の比較的低い有機カルボン酸の金属塩を有
機溶剤に比較的濃厚に溶解したものであっても良い。
本発明により基体金属に金属被膜を形成する場合には、
基体金属は有機カルボン酸の金属塩を構成する金属より
も、イオン化傾向の大きいものであることを要する。イ
オン化傾向の小さい基体金属の表面には有機カルボン酸
の金属塩から金属が析出せず、金属被膜を形成すること
ができない。
従って例えば基体金属が銅であって、その表面に半田の
金属被膜を形成する場合には、銅は錫及び鉛よりもイオ
ン化傾向が小さいので、本発明により基体金属の銅の表
面に直接半田の被膜を形成することはできない。それ故
、予め銅の表面に亜鉛又はアルミニウムのメッキを施し
ておき、その表面に本発明により半田の金属被膜を形成
するのが良い。
本発明により基体金属の表面に金属被膜を形成するには
、加熱下において前記有機カルボン酸の金属塩の有機溶
剤溶液に基体金属を浸漬することにより行う。浸漬時の
温度は金属塩の金属成分の種類や溶剤の沸点によっても
異なるが、溶剤がスクアレンである場合には約250℃
程度が適当である。また浸漬時間は、金属塩の金属成分
や浸漬時の温度によっても異なり、また形成しようとす
る金属被膜の厚みにもよるが、数秒乃至数十分程度であ
る。
作用 本発明により基体金属を有機カルボン酸の金属塩の有機
溶剤溶液に浸漬すると、溶液中の有機カルボン酸の金属
塩が基体金属の表面において分解し、金属を遊離して該
金属が基体金属の表面に析出して合金層を形成し、さら
にその合金層に新たに遊離した金属が合体して金属被膜
を形成するのである。
本発明により基体金属表面に金属被膜が形成される機構
については必ずしも明らかではないが、次のようなプロ
セスによるものと思われる。すなわち、有機カルボン酸
の金属塩が分解する際には、基体金属が触媒作用をし、
それによって基体金属の表面において有機カルボン酸の
金属塩の分解反応が生じ、析出した金属が基体金属中に
溶解して合金層を形成する。さらに金属塩から解離した
金属イオンが基体金属の表面に移行して分解を重ねて金
属を遊離し、合金層の表面に金属被膜層を形成するので
ある。
また金属塩の分解によって生じた有機成分である有機カ
ルボン酸は、フラックスとして作用し、基体金属表面を
還元して金属被膜の形成を促進する。特にロジン又はそ
の誘導体は元来強力なフラックス作用を有しており、有
機カルボン酸成分としてロジン又はその誘導体を使用す
るのが好ましいのである。
発明の効果 本発明によれば、基体金属を所定の溶液に単に浸漬する
だけで金属被膜を形成することができ、操作が極めて簡
単である。しがも被膜を形成する金属成分は、有機成分
である有機カルボン酸に化学的に結合しており、遊離の
金属粒子を含有しない。従ってこれを精密な回路パター
ンを有する回路基板に適用する場合においても、所望の
パターンに従ってレジスト材でマスクした回路基板を直
接溶液に浸漬すれば、微細なパターンに従って確実に被
膜を形成することができ、被膜の欠落や遊離の金属粒子
による短絡等の問題を生じることはない。
また本発明においては、先に述べたように金属塩が基体
金属の表面に移行し、該基体金属表面において分解し、
生じた遊離金属は直ちに金属被膜を形成する。従って操
作の過程において系中に遊離金属の粒子が存在すること
がなく、溶液中の金属成分は全て金属被膜の形成に利用
される。従って溶液中の金属の含有量が少なくても、遊
離の金属は基板上の基体金属の露出した部分のみに集中
してそこに充分な厚みの金属被膜が形成され、極めて効
率が良い。
さらに本発明においては、溶液は均質なものであって遊
離の金属粒子を含まず、また前述のように基体金属が露
出した必要部分のみに金属被膜を形成することができる
ので、電子回路に対する部品の接合の目的だけでなく、
ICやLSI等の製造についても適用可能であり、これ
らにリード線を接合する場合等についても使用すること
が可能である。
実施例 有機カルボン酸の金属塩の調製 実施例1 コンデンサー及び撹拌機を付した内容i11の四つロフ
ラスコに、中国産ガムロジン(酸価169、色調X級、
軟化点78℃>175g、48%か性カリ水溶液63(
]及び水374Qを仕込み、90℃で3時間撹拌しなが
ら鹸化反応を行い、pH10,5、固形分30.5%の
ガムロジンのカリウム塩水溶液を得た。
撹拌機を付した内容M21のビーカーに、先の工程で得
られたガムロジンのカリウム塩水溶液600gと、水8
50gとを仕込み、撹拌しながら稀釈した。一方、内容
量500dのビーカーに塩化第一錫38g、酢酸鉛26
111及び水200gを入れて、撹拌しながら溶解した
。当該金属塩水溶液を前記ガムロジンカリウム塩の稀釈
水溶液に添加し、30℃で1時間複分解反応を行い、脱
水、乾燥して、錫含有率9重量%、鉛含有率5.8重量
%の、ガムロジンの錫・鉛塩を得た。
実施例2 実施例1において、複分解時の塩化第一錫と酢酸鉛とに
代えて、硝酸銀84gを使用した他は実施例1と同様に
操作して、銀含有率21重量%のガムロジンの銀塩を得
た。
実施例3 実施例1において、複分解時の塩化第一錫と酢酸鉛とに
代えて、塩化第二銅42(lを使用した他は実施例1と
同様に操作して、銅含有率14%のガムロジンの銅塩を
得た。
実施例4 実施例1において、中国産ガムロジンに代えてトール油
ロジン(酸価168.5、色調X級、軟化点76°C)
を使用した他は実施例1と同様に操作して、錫含有率8
,8%、鉛含有率5.8%のトール油ロジンの錫・鉛塩
を得た。
実施例5 実施例1において、中国産ガムロジンに代えて不均斉化
ロジン(酸価167.0、色調WG級、軟化点68℃)
を使用した他は実施例1と同様に操作して、錫含有率8
.5%、鉛含有率5.5%の不均斉化ロジンの錫・鉛塩
を得た。
実施例6 コンデンサー、水抜き管、温度計及び撹拌機を付した内
容量500−の四つ目フラスコに、トール油ロジン(酸
価168、色調X級、軟化点76℃)300gを仕込み
、マントルヒーター上で撹拌しながら加熱して熔融した
。熔融後180℃まで冷却し、無水マレイン酸57gを
添加し、190〜200℃で2時間加熱してマレイン化
反応を行い、鹸化価324のマレイン化ロジン350g
を得た。
次に、コンデンサー及び撹拌機を付した内容量11の四
つ目フラスコに、先の工程で得られたマレイン化ロジン
175CI 、48%が性カリ水溶液120g及び水3
18gを加えて、90℃で3時間撹拌しながら鹸化反応
を行い、1)Hlo、3、固形分30%のマレイン化ロ
ジンのカリウム塩水溶液を得た。
撹拌機を付した内容量21のビーカーに、先の工程で得
られたマレイン化ロジンのカリウム塩水溶液600gと
、水850gとを仕込み、撹拌しながら稀釈した。一方
、内容量500m1のビーカーに塩化第一錫69g、酢
酸鉛45(]及び水200gを入れて、撹拌しながら溶
解した。当該金属塩水溶液を前記マレイン化ロジンカリ
ウム塩の稀釈水溶液に添加し、30℃で1時間複分解反
応を行い、脱水、乾燥して、錫含有量17重量%、鉛含
有量12重量%のマレイン化ロジンの錫・鉛塩を得た。
実施例7 水抜き管、コンデンサー、温度計及び撹拌機を付した内
容量11の四つ目フラスコに、中国産ガムロジン(前出
)300gを仕込んで220〜230°Cで熔融させ、
酸化第一錫20.3g及び−酸化鉛13.Ogを添加し
て同温度で3時間反応させ、錫含有量5.5重量%、鉛
含有量3.8重1%の、ガムロジンの錫・鉛塩を得た。
実施例8 実施例7において、酸化第一錫の添加量を10゜0g、
−酸化鉛の添加量を6.5gとした他は実施例7と同様
に操作して、錫含有量2.8重量%、鉛含有量1.8重
1%のガムロジンの錫・鉛塩を得た。
実施例9 実施例7において、酸化第一錫の添加量を0゜55g、
−酸化鉛の添加量を0.4gとした他は実施例7と同様
に操作して、錫含有ff10.55重量%、鉛含有量0
.4重量%のガムロジンの錫・鉛塩を得な。
実施例10 水抜き管、コンデンサー、温度計及び撹拌機を付した内
容fi200mlの四つ目フラスコに、ナフテン酸(酸
価224)125gを仕込んで170〜180℃にまで
昇温し、酸化第一錫10.1g及び−酸化鉛5,99を
添加した後220〜230°Cにまで昇温し、同温度で
3時間反応させ、錫含有率6.3重1%、鉛含有率3.
9重1%の、ナフテン酸の錫・鉛塩を得た。
実施例11 実施例10において、有機カルボン酸としてナフテン酸
に代えてネオデカン酸90gを使用した他は、実施例1
0と同様に操作して、錫含有率8゜4重量%、鉛含有率
5.2重量%のネオデカン酸の錫・鉛塩を得た。
実施例12 実施例10において、有機カルボン酸としてナフテン酸
に代えてステアリン酸142gを使用した他は、実施例
10と同様に操作して、錫含有率5.6重里%、鉛含有
率3.5重量%のステアリン酸の錫・鉛塩を得た。
実施例13 水抜き管、コンデンサー、温度計及び撹拌機を付した内
容!300mlの四つ目フラスコに、安息香M122U
及びキシレン40gを仕込み、撹拌しながら120〜1
30℃にまで昇温して安息香酸をキシレンに溶解し、そ
こへ酸化第一錫20゜2g及び−酸化鉛11゜8gを添
加した後、脱キシレンしながら220〜230℃にまで
昇温して同温度で3時間反応させ、錫含有率11.6重
量%、鉛含有率7.1重量%の安息香酸の錫・鉛塩を得
た。
実施例14 撹拌機を付した内容量21のビーカーに、ナフテン酸く
酸価224)12”l 、48%が性カリ水溶液59C
I及び水1247gを仕込み、30’Cで2時間撹拌し
ながら鹸化反応を行い、pH10。
5、固形分10.2重量%のナフテン酸のカリウム塩水
溶液を得た。
一方、内容1500m(のビーカーに、塩化第一錫38
g、酢酸鉛26g及び水200gを投入して、撹拌しな
がら溶解した。当該金属塩水溶液を前記ナフテン酸カリ
ウム塩の水溶液に添加し、30℃で1時間複分解反応を
行い、脱水、乾燥した後トルエンで抽出し、10mmH
gの減圧下にトルエンを溜去して、錫含有率13.2重
量%、鉛含有率9.2重重%の、ナフテン酸の錫・鉛塩
を得な。
実施例15 撹拌機を付した内容量21のビーカーに、オレインvi
(酸価198)141!;l 、48%か性カリ水溶液
590及び水1406(lを仕込み、30℃で2時間撹
拌しながら鹸化反応を行い、I)H10。
4、固形分10.1重量%のオレイン酸のカリウム塩水
溶液を得た。
一方、内容量500m1のビーカーに、塩化第一錫38
g、酢酸鉛269及び水200(+を投入して、撹拌し
ながら溶解した。当該金属塩水溶液を前記オレイン酸カ
リウム塩の水溶液に添加し、30℃で1時間複分解反応
を行い、脱水、乾燥した後トルエンで抽出し、10mm
Hgの減圧下にトルエンを溜去して、錫含有率12.0
重量%、鉛含有率8.4重1%の、オレイン酸の錫・鉛
塩を得た。
実施例16 実施例15において、複分解時の金属塩として塩化第二
銅42(lを使用した他は実施例15と同様に操作して
、銅含有率10.4重量%のオレイン酸の銅塩を得た。
実施例17 実施例15において、複分解時の金属塩として塩化ニッ
ケルの6水塩62.iを使用した他は実施例15と同様
に操作して、ニッケル含有率9゜1重1%のオレイン酸
のニッケル塩を得た。
実施例18 実施例15において、複分解時の金属塩として硝酸銀8
°5gを使用した他は実施例15と同様に操作して、銀
含有率27.7重景%0オレイン酸の銀塩を得た。
実施例19 撹拌機を付した内容量21のビーカーに、フタル酸10
0(1,48%か性カリ水溶液141g及び水1230
gを仕込み、30℃で2時間撹拌しながら鹸化反応を行
い、pH10,3、固形分10.1重量%のフタル酸の
カリウム塩水溶液を得た。
一方、内容量500m1のビーカーに硝酸銀215g及
び水200gを入れて、撹拌しながら溶解した。当該硝
酸銀水溶液を前記フタル酸カリウム塩の水溶液に添加し
、30℃で1時間複分解反応を行い、脱水、乾燥した後
トルエンで抽出し、10mmHClの減圧下にトルエン
を溜去して、銀含有率53.5重量%のフタル酸の銀+
!2259を得た。
実施例20 実施例19において、フタル酸に代えてイソフタル酸1
00(]を使川した他は実施例1つと同様に操作して鹸
化反応を行い、I)Hlo、2、固形分10.0重量%
のイソフタル酸カリウム水溶液を得、次いで実施例19
と同様に操作して複分解反応を行い、銀含有率51.5
重量%のイソフタル酸の銀塩230gを得た。
実施例21 セバシン酸100g、48%か性カリ水溶液116g及
び水11710を、実施例1つと同様に操作して鹸化反
応を行い、1)Hlo、1、固形分10.1重量%のセ
バシン酸のカリウム塩水溶液を得、次いで該セバシン酸
カリウム塩水溶液に硝酸銀177gを水200gに溶解
した硝酸銀水溶液を添加して、実施例19と同様に操作
して複分解反応を行い、銀含有率49,8重景%のセバ
シン酸の銀塩195gを得た。
実施例22 フマル酸100g、48%か性カリ水溶液2019及び
水1370(Jを、実施例19と同様に操作して鹸化反
応を行い、1)Hlo、5、固形分10.3重量%のフ
マル酸のカリウム塩水溶液を得、次いで該フマル酸カリ
ウム塩水溶液に硝酸銀308gを水300gに溶解した
硝酸銀水溶液を添加して、実施例19と同様に操作して
複分解反応を行い、銀含有率61.3重景%O7マル酸
の銀塩2759を得た。
実施例23 無水トリメリット酸100g、48%か性カリ水溶液1
83Q及び水1330(7を、実施例19と同様に操作
して鹸化反応を行い、I)Hlo、2、固形分10.1
重量%の無水トリメリット酸のカリウム塩水溶液を得、
次いで該無水トリメリット酸カリウム塩水溶液に、硝酸
銀279gを水270gに溶解した硝酸銀水溶液を添加
して、実施例19と同様に操作して複分解反応を行い、
銀含有率57.5重景%0無水トリメリット酸の銀塩2
46c+を得た。
実施例24 無水ピロメリット酸100(1,48%か性カリ水溶液
214g及び水1400gを、実施例19と同様に操作
して鹸化反応を行い、I)Hlo、4、固形分10.0
重量%の無水ピロメリット酸のカリウム塩水溶液を得、
次いで該無水ピロメリット酸カリウム塩水溶液に、硝酸
銀328gを水300gに溶解した硝酸銀水溶液を添加
して、実施例19と同様に操作して複分解反応を行い、
銀含有率59.8重量%の無水ピロメリット酸の銀塩2
65(]を得た。
実施例25 水抜き管、コンデンサー、温度計及び撹拌機を付した内
容ffi 200 mlの四つ目フラスコに、オレイン
酸1009を仕込んで170〜180℃にまで昇温し、
酸化第一錫3.7g及び−酸化鉛2゜4gを添加した後
220〜230℃にまで昇温し、同温度で3時間反応さ
せ、錫含有率2.9重量%、鉛含有率1゜8重量%の、
オレイン酸の錫・鉛塩を得た。
実施例26 実施例25において、酸化第−錫及び−酸化り)(の添
加量をそれぞれ0.8g及び0.5gとした他は実施例
25と同様に操作し、錫含有率0.61重址%、鉛含有
率0.39重量%のオレイン酸の錫・鉛塩を得た。
溶液の調製 温度計及び撹拌機を付した内容!200m1の四つロフ
ラスコに、スクアレン90g及び先の各実施例で合成さ
れた有機カルボン酸の金属塩を投入し、100°Cで6
0分間撹拌して溶解した。金属塩の投入量は、溶液中に
おける金属塩の金属成分の含有率が約1.4重量%とな
るように調整した。
なお実施例9.25及び26については、溶液中の金属
含有率がそれぞれ0.2重量%及び0.05重1%とな
るように調整した。
また溶剤について、スクアレンに代えて高沸点鉱油(シ
ェル石油株式会社製、シェルフレックス#371)を使
用し、実施例1及び10の金属塩を溶解したものについ
ても同様に操作して調製した。
基体金属の浸漬 基体金属として、亜鉛、アルミニウム、鉄、ニッケル及
び銅を使用し、これらの金属の板(30mmx30mm
x0.1mm>を250℃に加熱した前記各金属塩の溶
液に60秒間浸漬した。
膜厚測定 浸漬前後の金属板の厚みをマイクロメーターで測定し、
該金属板の片面に付着した金属被膜の厚みを算出した。
試験結果 試験の結果を次の表に示す。表中Oは被膜の厚みが3μ
以上であったことを示す。被膜が3μ以上であれば、そ
の被膜を形成した基体金属同士を重ねて加熱することに
よりその基体金属を接合することが可能である。
また△は被膜が形成されるが、その厚みが3μ未満であ
ったことを示す。このままでは基体金属同士を接合する
ことは困難であるが、浸漬時間を延長することにより被
膜厚みを大きくすることが可能であると考えられる。
×は被膜が生じていないことを示し、浸漬時間を延長し
ても充分な被膜を形成できないと認められる。
短絡試験 ガラス繊維補強エポキシ板の表面に、tmm幅×tom
m長さの線を10本有寸る櫛型パターン二つを、前記線
がo、tmm間隔で交互に平行に配置されるようにプリ
ントして試験基板を調製した。次いで該試験基板のパタ
ーンにニッケルメッキを施し、実施例1及び10の金属
塩のスクアレン溶液(金属含有率1.4重量%)に25
0℃で約30分間浸漬し、前記線の表面に約30μの厚
みの半田被膜を形成した。
比較例として、前記試験基板にペースト状半田をアプリ
ケーターで塗布し、これを加熱して半田を熔融し、前記
線の表面に約30μの厚みの半田被膜を形成した。
而して、各試験基板における線の間隔の部分を顕微鏡で
拡大して、各線の間の短絡の有無を観察した。
その結果、各実施例の金属塩の溶液に浸漬した基板にお
いては、全く線間の短絡箇所は見られず、二つのパター
ン間に通電しても導通は生じながった。
これに対し、比較例のペースト状半田により半田被膜を
形成した基板においては、凝集した半田粒が線間を架橋
しており、極めて多数の短絡箇所が生じていた。また一
部では、数本の線の範囲に亙って、線の部分も間隔の部
分をも含めて、全体にベッタリと半田の膜が形成された
部分が生じていた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 有機カルボン酸の金属塩を高沸点溶剤に溶解してな
    る溶液に、加熱下に、前記金属塩を構成する金属よりも
    イオン化傾向の大きい金属を浸漬し、当該金属の表面に
    前記金属塩を構成する金属を析出せしめることを特徴と
    する、金属表面に金属被膜を形成する方法 2 前記有機カルボン酸が、ロジン又はその誘導体であ
    ることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の金属
    表面に金属皮膜を形成する方法
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