JPS63108202A

JPS63108202A - 微少隙間の測定方法及びその測定装置

Info

Publication number: JPS63108202A
Application number: JP25373886A
Authority: JP
Inventors: Hiroo Ukita; 宏生浮田; Yoshimasa Katagiri; 祥雅片桐; Tomoyuki Toshima; 戸島　知之
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1986-10-27
Filing date: 1986-10-27
Publication date: 1988-05-13
Anticipated expiration: 2010-11-13
Also published as: JPH07104135B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、半導体レーザの複合共振作用を利用して、簡
便且つ高精度に静的及び動的な微少隙間を測定する方法
及び装置に関する。

〈従来の技術とその問題点〉ミクロン程度の微少隙間の測定法として従来提案されて
いる方法には、（１）　　白色光を微少隙間内で干渉させて生ずる干渉
色による方法、（２）単色光による干渉光の強度を測定する方法、（３）Ｒ電容量による方法、等がある。（１）は簡便なので広く利用されているが、
無彩色となる０、２μｍ以下の隙間測定や、動的な隙間
変動の測定が困難である。（２）は空間的コヒーレンシ
ーの高いレーザ光を利用するので、光量の空間的不均一
の影響を除去するための微少スポット集光光学系、反射
光分離光学系、光検出器等、光学系が大形、Ｗ、雑にな
る欠点がある。（３）は被測定物体が金属であることが
必要でかつ空間分解能が低いという欠点がある。またい
ずれの方法も基準点（隙間が零になる点）を決めるため
被測定物体の一部を接触させなければならないという欠
点がある。

本発明は上記従来技術に鑑み、非接触で基準点を設定で
き、静的微少隙間だけでなく動的微少隙間をきわめて簡
便な光学構成で測定できろ方法および装置を提供するこ
とを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉本願の第１の発明は、半導体レーザの出射光の半波長の
振幅幅で該半導体レーザ若しくは反射体を強制振動させ
た状態で、前記半導体レーザの一方の出力端面からの出
射光を前記反射体で反射させて帰還させ、該半導体レー
ザの他方の出力端面からの光出力を検出して、該光出力
から該半導体レーザの一方の出力端面と該反射体との間
の微少隙間を測定することを特徴とする微少隙間の測定
方法である。

また、本願の第２の発明は、反射体に対して一方の出力
端面を対向させた半導体レーザと、前記反射体若しくは
前記半導体レーザを該半導体レーザの出射光の半波長の
振幅幅で強制振動させる加振器と、前記半導体レーザの
他方の出力端面からの光出力を検出する光検出器と、前
記光出力から前記半導体レーザの一方の出力端面と前記
反射体との間の微少隙間を算出する演算装置とを備えた
ことを特徴とする微少隙間の測定装置である。

また、本願の第３の発明は、実効的共振器長が長い部分
と短い部分とを各々光軸に対して平行で且つ光軸に対し
て垂直な方向に周期的に配した共振器を有する半導体レ
ーザを用い、該半導体レーザの一方の出力端面からの出
射光を反射体で反射させて帰還させ、該半導体レーザの
他方の出力端面からの光出力を検出して、該光出力から
該半導体レーザの一方の出力端面と前記反射体との間の
微少隙間を測定する乙とを特徴とする微少隙間の測定方
法である。

また、本願の第４の発明は、実効的共振器長が長い部分
と短い部分とを各々光軸に対して平行で且つ光軸に対し
て垂直な方向に周期的に配した共振型を有して、反射体
に対して一方の出力端面を対向させた半導体レーザと、
前記半導体レーザの他方の出力端面からの光出力を検出
する光検出器と、前記光出力から前記半導体レーザの一
方の出力端面と前記反射体との間の微少隙間を算出する
演算装置とを備えたことを特徴とする微少隙間の測定装
置である。

すなわち、本願の発明の主要原理は、第１図に示すよう
に半導体レーザ１の一方の出力端面４からの出射光５が
出力端面４から隔離配置された反射体６（被測定物体）
で反射されてこの反射光７が上記半導体レーザ１に帰還
し、そのときの他方の出力端面２の側の光出力８を光検
出器３で検知することにより、半導体レーザ１と反射体
６の微少隙間りを測定することを特徴とするものである
。尚、第１の発明と第２の発明とでは、反射光（帰還光
）７と半導体レーザ内部光９とが干渉して測定を阻害す
るので、さらに上記半導体レーザ１あるいは反射体６を
振幅幅λ／２（λは波長）の強制振動をさせた場合の各
振動周期内の光出力の最大値とその時の振動位相から微
少隙間を測定することを特徴としている。

く作　　　用〉半導体レーザ１の出力端面２、出力端面４および反射体
６は以上に述べたようにいわゆる複合共振系を構成して
いるので、半導体レーザのＩＬ特性（光出力対電流特性
）は半導体レーザと反射体とのスペーシング（微少隙間
）により第２図のように変化する。つまりレーザ発振し
きい値！いは、出力端面４の反射率をＲ７、反射体の反
射率をＲｆ、スペーシングをｈ１空間での光伝播定数を
ｋ（＝２π／λ）、光結合効率（反射光の半導体レーザ
出射口への帰還率）をｌとすれば、反射体のないときの
レーザ発振しきい値をＩｔｈ（０）として、Ｉい■Ｉい（０）・（１−（１−Ｒ１）禮Ｔ〜（２ｋｈ
））　　（１）で表される。【例えば、未松安＠：半導
体レーザと光Ｓ積回路、ｐ、　２５５　、オーム社、昭
和５９）なお、レーザ光は拡散して広がるのでスペーシ
ングｈが大きい程、ｌは小さくなる。

従って駆動バイアス電流Ｉを一定にすれば光出力のピー
ク値は第３図のように変化する。

尚、以上第２図及び第３図では、簡単化のため（１）式
の余弦項（位相変化分）を無視して説明した。

現在市販されている通常の半導体レーザでは帰還光７と
半導体レーザ内部光９が干渉するのでスペーシングｈが
これら光の半波長（λ／２）を周期として光出力は第４
図のように変化する。これは］１）式の余弦項に対応し
ている。つまり第３図は第４図のピーク値を接続した曲
線（破線で示す）に対応する。

この光出力のピーク値Ｖｐ、ｆの逆数はスペーシングｈ
に対し、第５図に示すように、１／Ｖｐ、　ｆ＝ａ（Ｉ
）ｈ＋ｂ（Ｉ）　　　　　　　（２）で示すような直線
関係になるが、駆動バイアス電流Ｉに応じてその勾配と
縦軸切片が異なる。なお、ａ（１１は駆動バイアス電流
■に依って決まる本測定系の感度を表す定数になる。

従って、あらかじめａ　（Ｉ）およびｂ　ｍを測定して
おけば（２）式より、位相変化分を無視した場合のスペ
ーシング（微少隙間）ｈを測定できる訳である。位相変
化分については、上記半導体レーザ１あるいは反射体６
を振幅幅λ／２（λは波長）で強制振動させた場合、各
振動周期内で光出力が最大値となる振動位相から測定で
きる。

く実　施　例〉本願の発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

第６図及び第７図は第１の実施例に係る図面であり、こ
の実施例は磁気ディスクのスライダーの浮上量測定に適
用した例である。図中に示すスライダー１１は、ディス
ク媒体１２（反射体）の半径方向へ高速移動可能な支持
アーム１３に支持され、スライダー１１と支持アーム１
３との間にはディスク媒体１２の垂直方向へ振幅幅λ／
２以上で強制振動させるための例えばＰＺＴ素子１４、
加圧バネ１５が介装され、これらによってスライダー１
１はディスク媒体面に近接浮上する。尚、１６はディス
ク媒体の走行方向、１７は空気流の方向である。

このスライダー１１には半導体レーザ１と光検出器３が
設置されている。半導体レーザ１は端子１９により駆動
バイアス電流を注入され、一方の出力端面から出射光５
を発生する。また他方の端面からの光出力は光検出器３
で受光され、端子２０を通じて光電流を発生する。なお
２１は共通端子である。また、２３は磁気回路の一部で
スライダーとともに記録再生ギャップ２４を形成する。

第８図及び第９図は第２の実施例に係る図面である。こ
の実施例では、ディスク媒体１２の垂直方向へ振幅幅λ
／２以上で強制振動させろための例えばＰＺＴ素子１４
がスライダー１１に取りつけられており半導体レーザ１
と光検出器３を直接加振する。

従って加圧バネ１５は支持アーム１３に直接取付けられ
ている。その他は第６図及び第７図と同様である。

第１０図は本発明の測定装置に備えられる演算装置の一
例を表す構成図であり、光検出器３で受光されて端子２
０を通じて入力された光出力からこの演算装置によって
微少隙間（スペーシング）ｈを算出する。図中において
、３１は半導体レーザ駆動回路、３２はプリアンプ、３
３はＰＺＴ駆動回路である。ＰＺＴ駆動回路３３は例え
ば第６図の端子３４に結線されＰＺＴ素子１４をディス
ク媒体１２の垂直方向に振動させる。端子２０からの光
検出ＰＪ３の出力はプリアンプ３２を経てＰＺＴの駆動
周期（被測定物体の動的変動周期の数百倍）に同期し、
各周期内の最大値Ｖｐ、ｆ及びそれに対応する振動位相
θ（Ｍ　Ａ　Ｘ　）をそれぞれ最大値検出回路３５及び
振動位相検出回路３６で検出する。微少隙間算出回路３
７は最大値検出回路３５の出力Ｖｐ、ｆを用い、（２）
式よりｈ　（ＭＡＸ）を算出する。また振動位相検出回
路３７で検出したθ（ＭＡＸ）がらＰＺＴ［動による変
化分△ｈを位相隙間補正回路３８で算出し、減算回路３
９によりｈ＝ｈ　（ＭＡＸ）　−△ｈ　　　　　　　　
　（３＋が測定されろ。

以上の動作を第１１図、第１２図のシュミレーション結
果をもちいて具体的に説明する。

第１１図（ａ＋はＰＺＴ駆動がない場合の実際の微少隙
間ｈ　（Ｓｐａｃｉｎｇ）ｈ　＝　５　”、　１．　ＯＸ６１Ａθ（μｍ　）　　
　　　　　（４１と光出力（ＣＲｓｉｇｎａｌ、複合共
振イ＝号出力）Ｖ＝（ｃｓｏ（２ｋｈ）＋１）／（ａｈ
＋ｂ）　　　ｆ５１とをディスク媒体１２の回転角度に
対して表わしている。ａ、ｂは定数で、実験値を採用し
ｔ二。しかしながら、スペーシングｈ（こより同図ｔｕ
ｔに示すようにＶが変化するので、ｈの測定ができない
。そこで、強制振動を加え、これによってｈの測定を実
現する。第１１図（ｂｌはＰＺＴ駆動素子１４による強
制振動を重畳したもので、ｈ＝５＋繊θ＋（λ／４）繊（２０θ）（６）の場合で
ある。複合共振出力の結果を見やすくするため、加振周
波数を微少隙間りの変動周期の２０倍と小さくしている
。尚、振幅幅はｐｐ値でλ／２になる。

この複合共振信号出力に対し、加振周期の１周期ごとに
最大値を検出した結果が第１２図（ａｌ）Ｖｐ、　ｆ　
テアル。コ（７）Ｖｐ、ｆ；’＋）ら（５）式によりｈ
を算出した結果が第１２図ｆｂ）のｈｐである。一方、
最大値の振動位相からＶｐ、ｆの加振振幅の補正（ＰＺ
Ｔ素子１４の変位分を減じたもの）を行った結果が第１
２図（ｃ）のｂで、本測定法による微少隙間測定結果で
あリ、設定値ｈ０とよく一致することがわかる。

測定精度は加振周波数の増大（サンプリング数の増大）
により高められる。なお、振幅幅がλ／２より小さい場
合には、正確な最大値が求まらない場合があるので、測
定精度が劣化する。

以上述べたように、本測定法によれば極めて簡単な光学
構成により、微少隙間を瞬時に測定できる。なお、ｈ≦
λ／２の場合には強制振動を行わず、複合共振信号出力
Ｖに対するｈは（５）式の分母をｂとして（ｈ　＝　０
　）　、（５１式の余弦項から算出する。

尚、上記した第１及び第２の実施例では半導体レーザ１
を強制振動させたが、ディスク媒体（反射体）１２を強
制振動させるようにしても良い。

第１３図及び第１４図は第３の実施例に係る図面である
。この実施例の特徴は、光検出器３が半導体レーザ１と
同一基板上に絶縁溝４０を介して作成されている点であ
る。４１は半導体レーザ基板、４２は活性層、４３ば半
導体レーザ電極、４４は光検出器電極、４５は共通電極
、４６はストライプ、４７は絶縁石である。

このような構成により、微少隙間測定素子をさらに小形
、軽量化できかつ一体形成により作成されるので信頼性
を向上できる。

第１５図及び第１６図は第４の実施例に係る図面である
。第３の実施例に対するこの実施例の特徴は、半導体レ
ーザ１の反射体６側の出力端面４に反射防止膜５０を形
成したことである。このような反射防止膜５０は例えば
透明誘電体をλ／４の厚さ形成することにより実現され
る。

この結果、光出力（複合共振信号出力）Ｖｐ、ｆは第１
６図に実線で示すように、反射防止膜のない破線に比べ
大幅に増大する。つまり測定感度を格段に向上できるの
で、微少隙間測定感度、精度を向上できろ利点がある。

第１７図〜第２１図は、実効的共振器長が長い部分と短
い部分とが各々光軸に対して平行で、かつ光軸に対して
垂直な方向に周期的に配置された共振器を有する半導体
レーザを用いた、本願発明の実施例に係る図面である。

この半導体レーザ（干渉抑圧半導体レーザ）は、スペー
シングｈのλ／２以下の変動に対し、光出力（複合共振
信号出力）Ｖｐ、ｆが一定になる性質を有する。つまり
（５）式はＶ＝１／（ａｈ＋ｂ）となり余弦項がない。

従って、この干渉抑圧レーザを微少隙間測定装置の光源
に使用すれば、第２１図に示すように演算装置が大幅に
簡素化される（第１０図参照）。つまりＰｚＴ素子１４
による強制振動が不要なので、ＰＺＴ駆動回路３３、端
子３４、最大値検出回路３５、振動位相検出回路３６、
位相隙間補正回路３８、減算回路３９が不要になる訳で
ある。

上記干渉抑圧半導体レーザは本願出願人が既に提案（特
願昭６１−１３４８７６号）したものであり、下記にそ
の例を示す。

第１７図及び第１８図はその一例に係る図面であり、半
導体レーザの反射体６がある側の出力端面４が凹凸面に
なっている。他方の出力端面２は臂開により作成した鏡
面であり、その他の構成は前述した半導体レーザと同一
であり、同一符号を付して説明は省略する。

尚、本例の共振器とは活性層４２のことである。出力端
面４の凹凸面の深さ△ｌを下式（７）％式％とする。ここでλは発振波長、ｎｏ、は活性層４２の実
効屈折率である。例文ばλ＝８３０ｎｍ１ｎ、、、＝　
３，４の場合それぞれ△Ｉ’、＝６１ｎｍ１△ｊ２＝８
７ｎｍとなる。

このような構成になっているので、出力端面４では相隣
れる凹凸部の光路長が異なるため、反射光Ｐ１、出射光
Ｐ０は第１８図に示すように変調されろ。即ち、出力端
面４での反射光をＰ、（Ｒ２）、反射体６からの反射光
が半導体レーザ内にＲ還した分をＰ、（Ｒ３）　とし、
脂＝Ｐ、　（Ｒ２）　＋Ｐ、　（Ｒ，）　　　　・・・
・・（９）とする。熱論ｐ、　（へ）、Ｐ、（Ｒ，、）
は出力端面の相隣れる凹凸部の反射光の和になっている
。

まず（７）式に相当の場合については凹凸部の往復光路
差は（ｉｔ　Ｐ、　（Ｒ２）に対し λ ＝７（１＋２Ｎ）（ｉｉｌ　Ｐ、　（Ｒ３）に対し空気の屈折率を１とす
ると、△ｌの範囲で共振器内部を通る光と空気中を通る
光の光路差となるため、（ｌｉＩｌＰｏに対しては（ｉｉｌの半分であるから、
となる。従って、（ｉ）は凹凸部の往復光路差が＾７異なるので、平均すると相殺して反射光Ｐ。

（Ｒ２）＝’０となる。一方、Ｐ、（Ｒ，）≠０、Ｐ０
≠０である。つまりレーザの出力端面の反射率が零すな
わちＰ、　（Ｒ２）　＝　０なので、反射体６との間隔
りが変動してもＰ、（Ｒ２）とＰ、　（Ｒ，）の干渉が
ないので出力変動を生じない。

次に（８）式に相当の場合については同様にしてＰ、（
Ｒ２）≠０、Ｐ＋（Ｒ３）＝ｏ、Ｐ０≠０となる。この
場合は（７）式の場合とは逆に反射体６からの光がレー
ザ内に帰還し、凹凸面の干渉で相殺されるので実効的に
光帰還誘起ノイズが生じない。尚、本例の実効的共振器
長とは活性層４２の出力端面４，２間の間隔（共振器長
）ｌと実効屈折率ｎ、ｆｆの積で示される。

本例では、実効屈折率ｎ１．、を一定とし、共振器長ｌ
の変化Δｌによって、実効的共振器長の長い部分と短い
部分とを各々光軸に対して平行で、かつ、光軸に対して
垂直な方向に周期的に配置したこととなる。

上記構成を有する本例の半導体レーザは次の様に作動す
る。即ち、この半導体レーザの電流の流入・流出は上側
ｆａ％４３のストライプ４６と下側型ｉ４５を通して行
われろ。ストライプ４６は上側電極の下の絶縁層４７（
Ｓｉｎ２）により幅が５μｍ程度に形成され電流密度を
高め半導体レーザを発信させる。

第１９図及び第２０図は上記干渉抑圧半導体レーザの他
の一例に係る図面である。本例では、共振器長ｌを一定
として実効屈折率ｎ−１を変化させることにより、実効
的共振器長の異なる部分を活性層４２に設けたものであ
る。

即ち、活性層４２の下面は、光軸に平行な凹凸が周期的
に繰り返される凹凸溝４８となっている。このため、活
性層４２の厚さの異なる部分は、異なる実効屈折率ｎｍ
　ｆ　ｆを有することとなる。ここで、実効屈折率”ａ
　＃　ｆとは、通常バルクの屈折率が、その物質の固有
の物理量であって、その形状やその他の条件によっては
変化しないのに対し、半導体レーザの活性層４゛２のよ
うに光の共振器等として用いられる場合には、その厚さ
や隣接する物質等によって屈折率が異なる値を示すので
、特別な名称を付したのである。凹凸溝４８の深さΔｔ
は、活性［４２の厚い部分と薄い部分とで、実効共振器
長が半波長の奇数倍差が生じるよう選ばれる。例えば、
半導体レーザの共振器長をｉとし、ｋ次の定在波がある
とすると、下式（圃が成り立つ。

そして、実効屈折率が△ｎ１変化し、半波長ずれた場合
には下式用）が成り立つ。（１（０（１１１式から次の
（１乃式が導かれる。

λ △ｎ＝−・・・・・・（Ｉａここで、”ｏｆｆ）Δｎ１なのでｆ７］　（８１式より
Δｎ、を求めると、λ＝８３０　ｎｍ、　　ｌ＝３００
μｍ１ｎ　　＝３．３９の場合には△ｎ＝６９Ｘ１０−
５となる。更に、上記（１１）式におけろ棒に代丸てｎ
、（。

／　２　（ｎ、’、、　−１）を代入し、０１式と組み
合せると（１１１式が導かれる。従って上記例の場合に
は Δｎ、＝　９８　Ｘ　１０−’となる。これらΔｎ１゜
Δｎ２から凹凸溝４８の深さΔｔは第２０図を利用して
求められる。第２０図は上側クラッド層（ｎ、　＝３．
３５０）　、活性層（ｎ２＝　３．５７０　）、下側ク
ラッド層（ｎ３＝　３．３５０　）より成る光導波路の
活性層の厚さと実効屈折率”ｍ４ｆの計算結果である。

図中ｍはＴＥモードの次数を表わし通常ｍ　＝　Ｏであ
る。尚、活性層４２の厚さと実効屈折率ｎ、１．との詳
細な関係については例えば文献ＳＪ、Ｙａｏ　ｅｔ　ａ
ｔ　ｒＧｕｉｄｅｄ−ｗａｖｅ　ｏｐｔｉｃａｌｔｈｉ
ｎ　ｆｉｌｍ　Ｌｕｎｅｂｅｒｇ　１ｅｎｓｅｓ；Ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ａｎｄｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓＪＡｐｐｌｉｅｄ　０ｐｔｉｅｓ、ｖ
ｏｌ　１８　Ｎｏ、　２４　ｐ４０６７、１９７９年を
参照されたい。

本例の半導体レーザは前記の例と同様、反射体間距離変
動による出力変動あるいは光帰還誘起ノイズを抑圧でき
る。即ち、△ｎとして上記のように求めた値△ｎ８．△
ｎ２を使用すると、前記の例において、ΔＩ＝△ｌ又（
よΔｌとしたと同様の効果が得られる。

尚、測定装置に干渉抑圧半導体レーザを用いた場合にあ
っても、第１３図に示したように光検出器３を干渉抑圧
半導体レーザと同一基板上に絶縁溝４０を介して設けた
り、第１５図に示したように反射体６側の出力端面４に
反射防止膜５０を設けたり、或いはこれらを複合的に設
けたりすれば、前述したと同様な効果が得られる。

〈発明の効果〉以上説明したように、本発明では、半導体レーザ端面と
反射体より成る複合共振作用を利用して微少隙間による
光出力を検出するので、（１）微少隙間の静的および動的測定が可能、（２）構
成が極めて簡単で高精度の測定が可能、（３）半導体レ
ーザ照射領域が測定対象となるので空間的分解能が高い
、（４）非金属物体の測定が可能、などの利点がある。また、レーザ内部光と帰還光の位相
ずれによる光出力変動がある場合でも、ＰＺＴ駆動素子
等により半導体レーザあるいは反射体を振幅幅λ／２以
上で強制振動し、各振動周期内の光出力最大値とその時
の振動位相を検知することにより、上記測定が可能であ
る。

これらの利点を有するので、本発明は磁気ディスクや光
ディスクのスライダーの浮上隙間測定に極めて有効であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の測定装置の基本構成図、第２図〜第４
図はそれぞれその原理を説明するグラフ、第５図は複合
共振出力とスペーシングとの関係を表すグラフ、第６図
及び第７図はそれぞれ本発明の第１の実施例に係る測定
装置の構成図、第８図及び第９図はそれぞれ本発明の第
２の実施例に係る測定装置の構成図、第１０図は演算装
置の構成図、第１１図及び第１２図は作動のシュミレー
シ璽ン結果を表すグラフ、第１３図及び第１４図は本発
明の第３の実施例に係る半導体レーザの構成図、第１５
図は本発明の第４の実施例に係る半導体レーザの構成図
、第１６図はその作用を説明するグラフ、第１７図は干
渉抑圧半導体レーザの一例を表す構成図、第１８図はそ
の原理説明図、第１９図は干渉抑圧半導体レーザの他の
例を表す構成図、第２０図はその設定条件を定めるグラ
フ、第２１図は演算装置の構成図である。図面中、１は半導体レーザ、２．４は出力端面、３は光検出器、１４はＰＺＴ素子（加振Ｎ）、３５は最大値検出回路、３６は振動位相検出回路、４０は絶縁溝、５０は反射防止膜、ｈは微少隙間（スペーシング）である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体レーザの出射光の半波長の振幅幅で該半導
体レーザ若しくは反射体を強制振動させた状態で、前記
半導体レーザの一方の出力端面からの出射光を前記反射
体で反射させて帰還させ、該半導体レーザの他方の出力
端面からの光出力を検出して、該光出力から該半導体レ
ーザの一方の出力端面と該反射体との間の微少隙間を測
定することを特徴とする微少隙間の測定方法。
（２）反射体に対して一方の出力端面を対向させた半導
体レーザと、前記反射体若しくは前記半導体レーザを該
半導体レーザの出射光の半波長の振幅幅で強制振動させ
る加振器と、前記半導体レーザの他方の出力端面からの
光出力を検出する光検出器と、前記光出力から前記半導
体レーザの一方の出力端面と前記反射体との間の微少隙
間を算出する演算装置とを備えたことを特徴とする微少
隙間の測定装置。
（３）光検出器は半導体レーザと同一基板上に絶縁溝を
介して設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の微少隙間の測定装置。
（４）半導体レーザの一方の出力端面には反射防止膜が
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第２項
又は第３項記載の微少隙間の測定装置。
（５）実効的共振器長が長い部分と短い部分とを各々光
軸に対して平行で且つ光軸に対して垂直な方向に周期的
に配した共振器を有する半導体レーザを用い、該半導体
レーザの一方の出力端面からの出射光を反射体で反射さ
せて帰還させ、該半導体レーザの他方の出力端面からの
光出力を検出して、該光出力から該半導体レーザの一方
の出力端面と前記反射体との間の微少隙間を測定するこ
とを特徴とする微少隙間の測定方法。
（６）実効的共振器長が長い部分と短い部分とを各々光
軸に対して平行で且つ光軸に対して垂直な方向に周期的
に配した共振器を有して、反射体に対して一方の出力端
面を対向させた半導体レーザと、前記半導体レーザの他
方の出力端面からの光出力を検出する光検出器と、前記
光出力から前記半導体レーザの一方の出力端面と前記反
射体との間の微少隙間を算出する演算装置とを備えたこ
とを特徴とする微少隙間の測定装置。
（７）光検出器は半導体レーザと同一基板上に絶縁溝を
介して設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の微少隙間の測定装置。
（８）半導体レーザの一方の出力端面には反射防止膜が
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第６項
又は第７項記載の微少隙間の測定装置。