JPS63107117A - Baking apparatus - Google Patents
Baking apparatusInfo
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- JPS63107117A JPS63107117A JP25171586A JP25171586A JPS63107117A JP S63107117 A JPS63107117 A JP S63107117A JP 25171586 A JP25171586 A JP 25171586A JP 25171586 A JP25171586 A JP 25171586A JP S63107117 A JPS63107117 A JP S63107117A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ベーク装置に適用して有効な技術に関するも
ので、たとえば、半導体ウエノ１の加熱処理に用いられ
るベーク装置に利用して特に有効な技術に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is effective when applied to a baking device, and is particularly effective when applied to, for example, a baking device used for heat treatment of a semiconductor wafer 1. It is related to technology.
半導体ウェハ（以下、単に「ウエノ＼」という）の処理
、たとえばホトレジスト処理について記載されている例
として、株式会社工業調査会、昭和６０年１１月２０日
発行「電子材料１９８５年別冊、超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック」Ｐ８９〜Ｐ９４がある。ここには、レ
ジスト塗布装置に付帯して、ウェハ表面の水分を除去す
るためのベーク装置機構について写真等により説明され
ている。An example of a description of the processing of semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as "Ueno\"), such as photoresist processing, is given in "Electronic Materials 1985 Special Edition, VLSI Manufacturing," published by Kogyo Chosenkai Co., Ltd., November 20, 1985.・Testing Equipment Guidebook" P89-P94. Here, a baking device mechanism attached to the resist coating device for removing moisture from the wafer surface is explained using photographs and the like.
本発明者は、上記ウェハ等の水分除去に用いられるベー
ク装置機構について検討した。以下は、公知とされた技
術ではないが、本発明者によって検討された技術であり
、その概要は次の通りである。The present inventor studied a baking device mechanism used for removing moisture from the above-mentioned wafers, etc. Although the following is not a publicly known technique, it is a technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.
すなわち、レジスト塗布工程では、レジスト材塗布前に
ウェハ表面の水分を除去する目的で２００℃程度の加熱
による第１のベーク処理が行われ、レジスト材の塗布後
に有機溶剤を除去するために１００℃前後の加熱による
第２のベーク処理が行われる。さらに露光現像処理後に
は、ポストベークと呼ばれる１２０℃程度の加熱による
第３のべ−ク処理も行われる。このように、複数回のベ
ーク処理を通じてレジスト塗布工程が進められていくわ
けであるが、このようなベーク処理に際しては、ホット
プレートと呼ばれる加熱面上にウェハを載置してウェハ
表面を所定温度に加熱する技術が知られている。That is, in the resist coating process, a first baking process is performed by heating at about 200°C to remove moisture on the wafer surface before applying the resist material, and after applying the resist material, a first baking process is performed at 100°C to remove the organic solvent. A second baking process is performed with back and forth heating. Furthermore, after the exposure and development process, a third baking process called post-baking is performed by heating at about 120 DEG C. In this way, the resist coating process progresses through multiple bake treatments. During these bake treatments, the wafer is placed on a heating surface called a hot plate and the wafer surface is heated to a predetermined temperature. The technology of heating is known.
ところが、上記の加熱機構構造にあっては、加熱面であ
るプレート表面の汚染がウェハの歩留りに大きく影響す
ることが本発明者によって見い出された。However, in the above-described heating mechanism structure, the inventors have found that contamination of the plate surface, which is the heating surface, greatly affects the yield of wafers.
すなわち、上記プレート面は複数回のベーク工程を繰り
返すうちにウェハの表面の処理液等が付着したり、ある
いはシリコン片等の微小異物が付着することが多い。こ
のようにプレート面に付着された異物は、後続のウェハ
のベーク処理を行った際に、後続処理のウェハの裏面に
再付着し、裏面に異物の付着されたまま当該ウェハはカ
ートリッジ等に収容されることになる。ここで、このカ
ートリッジが水平挿入型である場合には、上記ウェハの
裏面に付着された異物が下方に位置するウェハの回路形
成面上に落下し、ウニハネ良の原因となるのである。That is, as the baking process is repeated a plurality of times, processing liquid from the wafer surface often adheres to the plate surface, or minute foreign matter such as silicon pieces often adhere to the plate surface. The foreign matter that has adhered to the plate surface re-adheres to the back side of the subsequent wafer when the subsequent wafer is baked, and the wafer is stored in a cartridge etc. with the foreign matter attached to the back side. will be done. If this cartridge is of the horizontal insertion type, foreign matter adhering to the back surface of the wafer falls onto the circuit forming surface of the wafer located below, causing a splash problem.
このようなプレート面の汚染に関する対策としては、プ
レートの洗浄等が考えられるが、上記構造のベーク処理
装置では、プレートと加熱部とが一体構造となっている
ために、洗浄液を用いたプレート洗浄が困難であり、ま
た可能であったとしても、装置全体を分解する必要があ
り、その間長時間にわたってベーク処理を中断せざるを
得ない。As a countermeasure against such contamination of the plate surface, cleaning the plate may be considered, but in the baking processing apparatus with the above structure, the plate and the heating section are integrated, so cleaning the plate using a cleaning liquid is not recommended. However, even if it were possible, it would be necessary to disassemble the entire apparatus, and the baking process would have to be interrupted for a long time.
また、所定回数のベーク処理毎にガーゼあるいは脱脂綿
等でプレートの表面を拭くことも考えられるが、このよ
うな拭き取りによる方法では、プレート面に繊維等の異
物が残着してしまい、プレート面の汚染を却って増長さ
せてしまう結果となることもあわせて本発明者によって
見い出された。It is also possible to wipe the surface of the plate with gauze or absorbent cotton after every predetermined number of baking treatments, but this method of wiping leaves foreign matter such as fibers on the plate surface, causing damage to the surface of the plate. The inventors have also discovered that this results in even more contamination.
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的はプレート面の洗浄が容易でプレート面を高清
浄状態で維持できるベーク処理装置を提供することにあ
る。The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to provide a baking device that allows easy cleaning of the plate surface and maintains the plate surface in a highly clean state.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、加熱手段の内設される装置本体と、加熱面を
形成するプレート部とを分離した構造とし、このプレー
ト部と装置本体との着脱を可能にしたものである。That is, the device main body in which the heating means is installed and the plate portion forming the heating surface are separated, and the plate portion and the device main body can be attached and detached.
上記した手段によれば、プレート部を取り外すことによ
り、プレート面の洗浄液処理が可能となるため、プレー
ト面の高清浄化を図ることができる。この結果、ウェハ
裏面に付着した異物が原因となるウニハネ良の発生を防
止することができる。According to the above-mentioned means, by removing the plate portion, the plate surface can be treated with a cleaning liquid, so that the plate surface can be highly cleaned. As a result, it is possible to prevent the occurrence of sea urchin defects caused by foreign matter adhering to the back surface of the wafer.
第１図は本発明の一実施例であるベーク装置を示す断面
図、第２図はこのベーク装置の平面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a baking device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of this baking device.
本実施例のベーク装置ｌはたとえば、レジスト塗布工程
で用いられるウェハベーク装置であり、被処理物として
のウェハ２を２００℃前後で加熱して該ウェハ２の表面
に付着した水分の除去を行うものである。The baking device l of this embodiment is, for example, a wafer baking device used in a resist coating process, and heats a wafer 2 as a processing object at around 200° C. to remove moisture attached to the surface of the wafer 2. It is.
ベーク装置１は、装置本体３とプレート４とを有してお
り、装置本体３はたとえばステンレス合金等により形成
されており、この装置本体３の内部にはブロックヒータ
５と熱電対６とが内設されている。このブロックヒータ
５は、熱電対６による温度検出にもとづいて、外部に設
けられた制御部７により、プレート４の表面が常に所定
の温度条件となるように制御される。The baking device 1 has a device main body 3 and a plate 4. The device main body 3 is made of, for example, a stainless steel alloy, and a block heater 5 and a thermocouple 6 are installed inside the device main body 3. It is set up. The block heater 5 is controlled by an externally provided control section 7 based on temperature detection by a thermocouple 6 so that the surface of the plate 4 always maintains a predetermined temperature condition.
装置本体３の上面にはプレート４が装着されており、こ
のプレート４はたとえば厚さ１叩程度の石英板で形成さ
れたものである。A plate 4 is attached to the upper surface of the main body 3 of the apparatus, and the plate 4 is made of, for example, a quartz plate with a thickness of about 1 mm.
上記プレート４の表面には断面り字状のウェハガイド８
が取付けられており、このウェハガイド８とプレート４
とがボルト９等の結合手段によって装置本体３に対して
一体的に固定される構造となっている。On the surface of the plate 4 is a wafer guide 8 having an angular cross-section.
is attached, and this wafer guide 8 and plate 4
and are integrally fixed to the device main body 3 by a coupling means such as a bolt 9.
一方、プレート４の表面には複数の真空吸着孔１０が開
口されており、この真空吸着孔１０は、プレート４およ
び装置本体３を貫通する真空吸引路１１と連通されてい
る。すなわち、この真空吸引孔１０および真空吸引路１
１とを通じて真空吸引を行うことにより、載置されるウ
ェハ２とプレート４との密着性を高めて、効率的なウェ
ハ２の加熱が可能となっている。On the other hand, a plurality of vacuum suction holes 10 are opened in the surface of the plate 4, and the vacuum suction holes 10 are communicated with a vacuum suction path 11 that penetrates the plate 4 and the apparatus main body 3. That is, this vacuum suction hole 10 and vacuum suction path 1
By performing vacuum suction through the plate 1, the adhesion between the wafer 2 placed on the plate 4 and the plate 4 is improved, and the wafer 2 can be heated efficiently.
また、プレート４の表面には、所定形状の収容溝１２が
穿設されており、該収容溝１２には、第１図に示すよう
に搬送治具１３が入り込むようになっている。Further, a housing groove 12 of a predetermined shape is bored in the surface of the plate 4, and a conveyance jig 13 is inserted into the housing groove 12 as shown in FIG.
本実施例での搬送治具１３は、第２図に示すように、リ
ング状のフレーム１３ａから中央方向に向かって一対の
支持爪１３ｂが突出形成された構造を有しており、ウニ
２はこの支持爪１３ｂに支持された状態でプレート４上
に載置され、あるいはプレート４上から次の工程に移送
されるようになっている。As shown in FIG. 2, the transport jig 13 in this embodiment has a structure in which a pair of support claws 13b are formed protruding toward the center from a ring-shaped frame 13a. It is placed on the plate 4 while being supported by the support claws 13b, or is transferred from the plate 4 to the next step.
次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
制御部７の制御によりブロックヒータ５が作動して、プ
レート４の表面が所定温度、たとえば２００℃の加熱状
態となると、搬送治具１３によりウェハ２がプレート４
上に降下され、ウェハガイド８によりその位置を整えら
れて載置される。このとき、搬送治具１３は上記プレー
ト４の収容溝１２に入り込むため、ウェハ２がプレート
４上に載置された状態において搬送治具１３が障害とな
ることはない。When the block heater 5 is activated under the control of the control unit 7 and the surface of the plate 4 is heated to a predetermined temperature, for example, 200°C, the wafer 2 is transferred to the plate 4 by the transfer jig 13.
The wafer is lowered onto the surface, adjusted in position by the wafer guide 8, and placed on the wafer. At this time, since the transport jig 13 enters into the accommodation groove 12 of the plate 4, the transport jig 13 does not become an obstacle when the wafer 2 is placed on the plate 4.
次に、プレート４の表面に設けられた真空吸着孔１０に
よる真空吸着作用によって、ウェハ２はプレート４の表
面に密着状態となる。この状態で、ブロックヒータ５に
よる熱が装置本体３およびプレート４を経てウェハ２に
伝えられ、ウェハ２の表面が所定の加熱状態となる。こ
のような加熱状態の所定時間の継続によってウェハ２の
表面に付着していた水分が蒸発除去される。Next, the wafer 2 is brought into close contact with the surface of the plate 4 by the vacuum suction effect of the vacuum suction holes 10 provided on the surface of the plate 4. In this state, heat from the block heater 5 is transmitted to the wafer 2 via the apparatus main body 3 and the plate 4, and the surface of the wafer 2 is heated to a predetermined state. By continuing this heating state for a predetermined period of time, the moisture adhering to the surface of the wafer 2 is evaporated and removed.
ところで、本実施例では装置本体３とウェハ２との間に
石英からなるプレート４が介在しているために、ウェハ
２への加熱効率の低下が考えられるが、本発明者等の実
験によれば、厚さ１順の石英板をプレート４として採用
した場合、このプレート４の影響による温度低下はわず
かに２℃程度であった。したがって、制御部７による温
度設定値を多少高めに設定することでこの温度損失は十
分に補填できる。By the way, in this embodiment, since the plate 4 made of quartz is interposed between the apparatus main body 3 and the wafer 2, it is possible that the efficiency of heating the wafer 2 is reduced, but according to the experiments conducted by the inventors. For example, when a quartz plate of one thickness was used as the plate 4, the temperature drop due to the influence of the plate 4 was only about 2°C. Therefore, this temperature loss can be sufficiently compensated for by setting the temperature set value by the control section 7 to a slightly higher value.
このようにして、ベーク処理が終了した後に、ウェハ２
は再度、搬送治具１３によりプレート４上から移送され
キアリア治具等（図示せず）に収容されて次の工程に移
される。In this way, after the baking process is completed, the wafer 2
is again transferred from above the plate 4 by the transfer jig 13, stored in a Chiaria jig or the like (not shown), and transferred to the next step.
ところで、上記ベーク処理を複数回繰り返すうちに、ウ
ェハ２の表面に付着していた処理液等がプレート４の表
面に落下して、これが異物としてプレート４の表面が汚
染されてくる。By the way, as the above baking process is repeated a plurality of times, the processing liquid and the like adhering to the surface of the wafer 2 fall onto the surface of the plate 4, and the surface of the plate 4 becomes contaminated as foreign matter.
このような場合には、本実施例によれば、ウェハガイド
８を固定しているボルト９を解除するだけで、プレート
４を装置本体３から容易に取り外すことができる。この
ように、プレート４を装置本体３から分離できるため、
プレート４自体を洗浄槽に浸漬させて洗浄することが可
能であり、プレート４０表面に焼き付いた状態で付着さ
れている異物をも除去することが可能となる。このよう
なプレート４の洗浄方法として考えられるものとしては
、純水を用いた超音波洗浄、強酸薬液による洗浄、ある
いは汚染の規模の大きい場合にはプレート表面をエツチ
ングしてもよい。In such a case, according to this embodiment, the plate 4 can be easily removed from the apparatus main body 3 by simply releasing the bolts 9 fixing the wafer guide 8. In this way, since the plate 4 can be separated from the device main body 3,
It is possible to wash the plate 4 itself by immersing it in a washing tank, and it is also possible to remove foreign matter stuck to the surface of the plate 40 in a burnt state. Possible methods for cleaning the plate 4 include ultrasonic cleaning using pure water, cleaning with a strong acid solution, or etching the plate surface if the scale of contamination is large.
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
（１）、プレート４を装置本体３から容易に着脱可能な
構造とすることにより、プレート４の洗浄が可能となる
ため、プレート４の表面を常に高清浄状態で維持するこ
とができ、ウェハ２の裏面への異物の付着による他のウ
ェハの回路形成面の汚染を防止できる。(1) By making the plate 4 easily removable from the apparatus main body 3, the plate 4 can be cleaned, so the surface of the plate 4 can always be maintained in a highly clean state, and the wafer 2 It is possible to prevent contamination of the circuit formation surfaces of other wafers due to foreign matter adhering to the back surface of the wafer.
（２）、上記（１）により、ウェハの歩留りを向上させ
ることができる。(2) According to (1) above, the yield of wafers can be improved.
（３）、上記（１）によりプレート４のみの交換が容易
となるため、装置寿命を延ばすことができる。(3) Due to the above (1), only the plate 4 can be replaced easily, so that the life of the device can be extended.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、プレート４を
構成する材質としては石英板を用いた場合についてのみ
説明したが、これに限らず、板状に加工されたセラミッ
クあるいはフッ素樹脂等、高清浄度を維持できる材質の
ものであればいかなるものでもよい。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, although we have only explained the case where a quartz plate is used as the material constituting the plate 4, it is not limited to this, but any material that can maintain high cleanliness, such as ceramic processed into a plate shape or fluororesin, may be used. It can be anything.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、半導体装置製造に用いられるウ
ェハのベーク装置に適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、たとえばトランジスタ
あるいはダイオード等の他の電子部品の製造に用いられ
るウェハ、さらには、他の板状物のベークに適用するこ
ともできる。In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to a wafer baking apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, which is the field of use thereof.
The present invention is not limited to this, and can be applied to baking wafers used for manufacturing other electronic components such as transistors or diodes, and furthermore, to baking other plate-shaped materials.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、加熱手段が内設された装置本体と、被処理物
の載置されるプレートａとからなり、このプレート部が
装置本体に対して着脱可能に取付けられたベーク装置構
造とすることによって、プレートの洗浄が可能となり、
プレート表面の高清浄度を維持できるため、ウェハ裏面
の異物の付着を防ぎ、これにともなうウニハネ良の発生
を防止できる。That is, by adopting a baking apparatus structure consisting of an apparatus main body in which a heating means is installed and a plate a on which the object to be processed is placed, this plate part is detachably attached to the apparatus main body. The plate can be washed,
Since a high level of cleanliness on the plate surface can be maintained, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the back surface of the wafer, and to prevent the occurrence of sea urchin splatter caused by this.
第１図は本発明の一実施例であるベーク装置を示す断面
図、
第２図は本実施例のベーク装置の平面図である。
１・・・ベーク装置、２・・・つ・エバ、３・・・装置
本体、４・・・プレート、５・・・ブロックヒータ、６
・・・熱電対、７・・・制御部、８・・・ウェハガイド
、９・・・ボルト、１０・・・真空吸引孔、１１・・・
真空吸引路、１２・・・収容溝、１３・・・搬送治具、
１３ａ・・・フ第 １ （２）
１−公゛−７に！
、＜−７・レート
第 ２ 厘FIG. 1 is a sectional view showing a baking device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the baking device according to this embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Bake device, 2... Eva, 3... Apparatus body, 4... Plate, 5... Block heater, 6
...Thermocouple, 7...Control unit, 8...Wafer guide, 9...Volt, 10...Vacuum suction hole, 11...
Vacuum suction path, 12...Accommodating groove, 13...Transportation jig,
13a...F No. 1 (2) 1-Ko-7! , <-7・Rate 2nd rin
Claims (1)
されるプレート部とからなり、このプレート部が装置本
体に対して着脱可能に取付けられていることを特徴とす
るベーク装置。 ２ 被処理物が半導体ウェハであり、プレート部がボル
ト機構により装置本体に装着される石英板で形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のベー
ク装置。[Claims] 1. Consists of an apparatus main body in which a heating means is installed and a plate section on which the object to be processed is placed, and the plate section is detachably attached to the apparatus main body. Features baking equipment. 2. The baking device according to claim 1, wherein the object to be processed is a semiconductor wafer, and the plate portion is formed of a quartz plate that is attached to the main body of the device by a bolt mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171586A JPS63107117A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Baking apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171586A JPS63107117A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Baking apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107117A true JPS63107117A (en) | 1988-05-12 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP25171586A Pending JPS63107117A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Baking apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107117A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020062575A (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 株式会社不二越 | Coating device |
| JP2021073095A (en) * | 2021-02-09 | 2021-05-13 | 株式会社不二越 | Coating equipment |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25171586A patent/JPS63107117A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020062575A (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 株式会社不二越 | Coating device |
| JP2021073095A (en) * | 2021-02-09 | 2021-05-13 | 株式会社不二越 | Coating equipment |
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