JPS6310452A - Ion implantation equipment - Google Patents

Ion implantation equipment

Info

Publication number
JPS6310452A
JPS6310452A JP15385886A JP15385886A JPS6310452A JP S6310452 A JPS6310452 A JP S6310452A JP 15385886 A JP15385886 A JP 15385886A JP 15385886 A JP15385886 A JP 15385886A JP S6310452 A JPS6310452 A JP S6310452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ion implantation
letter
preliminary vacuum
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15385886A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0773040B2 (en
Inventor
Noriaki Nakamura
中村 法朗
Toshiyuki Kawaji
河治 利幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TERU BARIAN KK
Tokyo Electron Ltd
Tel Varian Ltd
Original Assignee
TERU BARIAN KK
Tokyo Electron Ltd
Tel Varian Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TERU BARIAN KK, Tokyo Electron Ltd, Tel Varian Ltd filed Critical TERU BARIAN KK
Priority to JP61153858A priority Critical patent/JPH0773040B2/en
Publication of JPS6310452A publication Critical patent/JPS6310452A/en
Publication of JPH0773040B2 publication Critical patent/JPH0773040B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To make it easy to take an action after the work is terminated for a while or when a trouble takes place by providing a display device indicating the position of a wafer in an ion implantation room and in a preliminary vacuum room. CONSTITUTION:After a wafer orientation flat alignment device 10 detects the edge of a wafer W and puts it in a definite position, an another wafer transferring device 7 receives the positioned wafer W from the said alignment device 10. Then the letter 'l' on a display lamp 41e goes off and the letter 'l' appears on a display lamp 41f. Further, the wafer transferring device 7 rotates by right angle and proceeds so as to carry the wafer W into a preliminary vacuum room 11 through the outer gate 13, and when the lock of the said vacuum room 11 is completed, the letter 'l' on the display lamp 41f goes off and the letter 'l' appears on a display lamp 41c. Thereafter, depending upon the movement of the wafer W, the letter 'l' moves on the display lamps successibly, and at last when the wafer W is carried on the platen 36 and an ion implantation is completed, the letter 'l' on the display lamp turns to the letter 'L'.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はイオン注入室内および予備真空室内にあるウェ
ハの位置を表示するようにしたイオン注入装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to an ion implantation apparatus that displays the position of a wafer within an ion implantation chamber and a preliminary vacuum chamber.

(従来の技術) イオン注入装置においては、周知のように、ウェハは大
気中から予備真空室を介してイオン)↑入室に搬入され
、イオン注入後に再び予備真空室を介して大気中に搬出
される。
(Prior art) As is well known, in an ion implantation system, a wafer is transported from the atmosphere through a preliminary vacuum chamber into a chamber where ions are implanted, and after ion implantation, the wafer is transported back into the atmosphere through a preliminary vacuum chamber. Ru.

この種のイオン注入装置としては、従来からウェハの自
重を利用してウェハを移動させる装置が知られている。
As this type of ion implantation apparatus, an apparatus that moves a wafer by utilizing the weight of the wafer has been known.

このイオン注入装置は、大気中から予備真空室を介して
イオン注入室に至るウェハの傾斜案内機構と、このイオ
ン注入室から別の予備真空室を介して大気中に至る別の
傾斜案内機構とを有し、ウェハの自重を利用してウェハ
を傾斜案内機構により順次下方に移動させ、イオン注入
処理を行うものである。
This ion implantation apparatus includes a tilting guide mechanism for the wafer from the atmosphere to the ion implantation chamber via a pre-vacuum chamber, and another tilt guide mechanism leading from the ion implantation chamber to the atmosphere via another pre-vacuum chamber. The wafer is sequentially moved downward by a tilt guide mechanism using the wafer's own weight to perform ion implantation processing.

このイオン注入装置はウェハの自重を利用するので駆動
装置が不要であるという利点を有するが、作業性が悪い
という難点があった。
This ion implantation device utilizes the weight of the wafer, so it has the advantage of not requiring a driving device, but it has the disadvantage of poor workability.

このような問題を解消するため、イオン注入室内のイオ
ンビーム照射位置に配置されたプラテンをはさんで2個
の予備真空室を設け、一方の予備真空T内にウェハを挿
入し、この予備真空室からウェハをインブラント位置の
プラテンまで移動させ、次いでイオン注入の終了したウ
ェハを他方の予備真空室を介して取り出すようにしたイ
オン注入装置も提案されている。
In order to solve this problem, two preliminary vacuum chambers are provided sandwiching the platen located at the ion beam irradiation position in the ion implantation chamber, and the wafer is inserted into one of the preliminary vacuum T. An ion implantation apparatus has also been proposed in which a wafer is moved from a chamber to a platen at an implant position, and then the wafer after ion implantation is taken out via the other preliminary vacuum chamber.

しかしながらこのようなイオン注入装置では、例えばイ
オン注入作業を一旦中断して再開するような場合やトラ
ブル発生の際、イオン注入室内および予備真空室内にあ
るウェハの位置を直ちに知ることができないため、作業
に不便を来していた。
However, with such ion implantation equipment, for example, when ion implantation work is temporarily interrupted and resumed, or when trouble occurs, it is not possible to immediately know the position of the wafer in the ion implantation chamber and preliminary vacuum chamber. was causing inconvenience.

(発明が解決しようとする問題点) 上述したように、従来のイオン注入装置では、イオン注
入装置内におけるウェハの位置が不明なため一旦作業を
中断した後作業を再開する場合やトラブル発生の際作業
に不便を来していた。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in conventional ion implanters, the position of the wafer in the ion implanter is unknown, so it is difficult to restart the work after suspending the work, or when trouble occurs. It was causing inconvenience to my work.

本発明はこのような従来の難点を解消すべくなされたも
ので、イオン注入室内におけるウェハの位置を表示する
ことにより、このような不便を解消したイオン注入装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve these conventional problems, and it is an object of the present invention to provide an ion implantation apparatus that eliminates these inconveniences by displaying the position of the wafer within the ion implantation chamber.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明のイオン注入装置は、イオン注入室と、
このイオン注入室内のイオンビーム照射位置に配置され
たプラテンと、前記イオン注入室のウェハ挿入部に設け
られた予備真空室と、この予備真空室と前記プラテン間
でウェハを移動させるウェハ移動装置とを少なくとも有
するイオン注入装置において、前記イオン注入室内およ
び予備真空室内にあるウェハの位置を表示する表示装置
を設けたことを特徴としている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the ion implantation apparatus of the present invention includes an ion implantation chamber,
a platen disposed at the ion beam irradiation position in the ion implantation chamber; a preliminary vacuum chamber provided in the wafer insertion portion of the ion implantation chamber; and a wafer moving device for moving the wafer between the preliminary vacuum chamber and the platen. The ion implantation apparatus includes at least a display device that displays the position of the wafer within the ion implantation chamber and the preliminary vacuum chamber.

なお上記の装置はイオン注入室内や予備真空室内におけ
るウェハの位置に限らず、例えば、大気中でウェハを移
動させるウェハ転送装置や位置決め装置等のウェハの位
置や、ウェハがインブラント前のものか、あるいはイン
ブラント後のものであるか等も併せて表示させることが
できる。
Note that the above equipment is not limited to the position of the wafer in the ion implantation chamber or preliminary vacuum chamber, but also the position of the wafer, such as a wafer transfer device or positioning device that moves the wafer in the atmosphere, or whether the wafer is before implantation. , or whether it is after implantation can also be displayed.

(作用) 本発明のイオン注入装置は、イオン注入室内や予備真空
室内にあるウェハの位置を表示させるようにしたので、
イオン注入室内や予備真空室内のウェハの位置を容易に
知ることができ、したがって作業を一旦中断した後やト
ラブル発生の際の対処が容易になる。
(Function) The ion implantation apparatus of the present invention displays the position of the wafer in the ion implantation chamber and the preliminary vacuum chamber.
The position of the wafer in the ion implantation chamber or the pre-vacuum chamber can be easily known, making it easier to deal with problems after work has been temporarily interrupted.

(実施例) 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの実施例のイオン注入!装置のウェハオリエ
ンテーション・フラット・アライメント装置近傍の外観
を示すもので、ウェハ・カセット載置台1.2には、そ
れぞれウェハ・カセット3(一方は図示を省略)が置か
れ、このウェハ・カセット3の内部には複数枚のウェハ
Wが収納されている。
Figure 1 shows the ion implantation of this example! This figure shows the appearance of the vicinity of the wafer orientation flat alignment device. Wafer cassettes 3 (one not shown) are placed on each of the wafer cassette mounting tables 1 and 2. A plurality of wafers W are stored inside.

このウェハ・カセット3内のウェハWは、昇降装置4.
5およびウェハ転送装置6.7により、所定の位置から
ウェハWを取り出し、あるいはイオン注入済みのウェハ
Wを所定の位置に収納できるようになっている。
The wafer W in this wafer cassette 3 is moved by a lifting device 4.
5 and wafer transfer device 6.7, it is possible to take out a wafer W from a predetermined position, or to store a wafer W having undergone ion implantation in a predetermined position.

ウェハ転送装置6.7は、回転可能でかつ進退自在のウ
ェハ保持部8.9を有し、ウェハ・カセット3との間で
ウェハWの授受を行う。なおウェハ保持部8.9は、ウ
ェハ・カセットとのウェハWの授受の他に、ウェハオリ
エンテーション・フラット・アライメント装置10およ
び予備真空室11.12との間でもウェハWの授受を行
う。
The wafer transfer device 6.7 has a wafer holder 8.9 that is rotatable and movable back and forth, and transfers wafers W to and from the wafer cassette 3. The wafer holding section 8.9 not only transfers the wafer W to and from the wafer cassette, but also transfers the wafer W to and from the wafer orientation/flat alignment device 10 and the preliminary vacuum chamber 11.12.

ウェハオリエンテーション・フラット・アライメント装
置10は、ウェハ転送装置6または7から受けたウェハ
Wのエツジを検出してウェハWを所定位置とする。
The wafer orientation flat alignment device 10 detects the edge of the wafer W received from the wafer transfer device 6 or 7 and positions the wafer W at a predetermined position.

そしてウェハ転送装置6.7は、第2図に示ずように、
ウェハ搭載面6aに形成された吸引溝6bとこの吸引溝
6bから真空ポンプに至る吸引通路6Cとを有しており
、吸引溝6bにウェハWが搭載されると、圧力スイッチ
6dに吸引通路6C内の圧力変化が検知されてウェハW
の搭載が検出されるようになっている。
And the wafer transfer device 6.7, as shown in FIG.
It has a suction groove 6b formed in the wafer mounting surface 6a and a suction passage 6C leading from the suction groove 6b to the vacuum pump. When the wafer W is mounted in the suction groove 6b, the suction passage 6C is connected to the pressure switch 6d. The pressure change inside the wafer W is detected.
installation is now detected.

またウェハオリエンテーション・フラット・アライメン
ト装置10は、第3図に示すように、縁部に○リング1
0aを有しかつ真空ポンプと吸引通路10bで連結され
たカップ状をなしており、開口部にウェハWが搭載され
ると、圧力スイッチ10cに吸引通路10b内の圧力変
化が検知されてウェハWの搭載が検出されるようになっ
ている。
Further, the wafer orientation/flat alignment device 10 has a ○ ring 1 at the edge, as shown in FIG.
0a and has a cup shape connected to a vacuum pump and a suction passage 10b, and when a wafer W is mounted in the opening, a pressure change in the suction passage 10b is detected by the pressure switch 10c, and the wafer W is installation is now detected.

第4図において、ウェハ挟持搬送装置21は、図で左側
方向からウェハWを保持する挟持部材21aと、右側方
向からウェハWを保持する挟持部材21k)とを有して
いる。そして挟持部材21aは2本の腕21a−1およ
び21a−2を有し、他の挟持部材21bも2本の腕2
1b−1および21b−2を有し、これらの挟持部材2
1a、21bは、それぞれ同期して図で左右方向に駆動
される。
In FIG. 4, the wafer holding and transporting device 21 includes a holding member 21a that holds the wafer W from the left side in the figure, and a holding member 21k that holds the wafer W from the right side. The clamping member 21a has two arms 21a-1 and 21a-2, and the other clamping member 21b also has two arms 21a-1 and 21a-2.
1b-1 and 21b-2, and these holding members 2
1a and 21b are each driven synchronously in the left and right directions in the figure.

このウェハ挟持搬送装置は、各ウェハ挟持部材により、
第4図の右側のウェハW1を中央のイオン注入部に移送
するとともに、破線で示したように中央のウェハW2を
左側の位置に移動させる。
This wafer clamping and transporting device uses each wafer clamping member to
The wafer W1 on the right side of FIG. 4 is transferred to the central ion implantation section, and the central wafer W2 is moved to the left position as indicated by the broken line.

ウェハW+は、第5図に示すように、レシーブカップ3
1a上に載置され、このレシーブカップ31aは、第6
図に示すように上昇して予(1g真空室11とイオン注
入室33間の気密保持を目的とするインナーゲーt−3
4aの上に設けられている。
The wafer W+ is placed in the receive cup 3 as shown in FIG.
1a, and this receive cup 31a is placed on the sixth receiving cup 31a.
As shown in the figure, the inner gate t-3 whose purpose is to maintain airtightness between the 1g vacuum chamber 11 and the ion implantation chamber 33
4a.

なお予備真空室12側のレシーブカップ31bも同様に
構成され、同様の動作を行う。
Note that the receive cup 31b on the side of the preliminary vacuum chamber 12 is similarly configured and operates in the same manner.

また第7図に示すように、予備真空室11には、レシー
ブカップ31a上のウェハWを直接または他の部材の動
きから間接的に検出するウェハ検出器が設けられている
Further, as shown in FIG. 7, the preliminary vacuum chamber 11 is provided with a wafer detector that detects the wafer W on the receive cup 31a directly or indirectly from the movement of other members.

第7図はインナーゲート34aが開じられた状態を示す
もので、中央に穴りの形成されたレシーブカップ31a
は透明アクリル樹脂板11aを介してインナーゲート3
4a上に載置されており、またインナーゲート34aに
は、レシーブカップ31aの穴りを介してウェハW上で
照射、受光両軸が交わるようにLEDI l bとフォ
トトランジスタ11cとが取付けられている。したがっ
てレシーブカップ31a上にウェハWがあることをフォ
トトランジスタ11Cの出力から検知できる。
FIG. 7 shows a state in which the inner gate 34a is opened, and a receiving cup 31a with a hole formed in the center is shown.
is connected to the inner gate 3 via the transparent acrylic resin plate 11a.
Furthermore, an LED Ib and a phototransistor 11c are mounted on the inner gate 34a so that the axes of irradiation and light reception intersect on the wafer W through the hole in the receive cup 31a. There is. Therefore, the presence of the wafer W on the receive cup 31a can be detected from the output of the phototransistor 11C.

なおこのウェハ検出器は予備真空室12にも設けられて
いる。
Note that this wafer detector is also provided in the preliminary vacuum chamber 12.

37はプラテン36が90”回転してウェハW2にイオ
ン注入を行う際、ウェハW2を固定する押え部材である
Reference numeral 37 denotes a holding member that fixes the wafer W2 when the platen 36 rotates 90'' to implant ions into the wafer W2.

そしてこのイオン注入装置の操作盤上には、第8図に示
すような、ウェハ検出器とウェハ挟持搬送装置等の動き
によりウェハの状態を表示する6個の表示灯418〜4
1fが設けられている。
On the operation panel of this ion implantation device, there are six indicator lights 418 to 4 that display the state of the wafer according to the movement of the wafer detector, wafer holding and conveying device, etc., as shown in FIG.
1f is provided.

ここで6個の表示灯418〜41fはそれぞれ点灯時ウ
ェハが次のポジションにあることを示している。
Here, each of the six indicator lights 418 to 41f indicates that the wafer is in the next position when lit.

41a・・・・・・予備真空室11 41b・・・・・・プラテン36 41c・・・・・・予備真空室12 41d・・・・・・ウェハ転送装置6 41e・・・・・・ウェハオリエンテーション・フラッ
ト・アライメント装置10 41f・・・・・・ウェハ転送装置7 また表示の小文字のl、rはインブラント前、大文字の
り、Rはインブラント後の、それぞれ左(L、I)また
は右(R,r)のウェハ・カセットからのウェハである
ことを示している。
41a... Preliminary vacuum chamber 11 41b... Platen 36 41c... Preliminary vacuum chamber 12 41d... Wafer transfer device 6 41e... Wafer Orientation flat alignment device 10 41f...Wafer transfer device 7 In addition, the lowercase letters l and r in the display are before imbunt, the capital letter glue, and R are after imblunt, respectively left (L, I) or right This indicates that the wafer is from the wafer cassette (R, r).

次に本発明の装置における動作について説明する。Next, the operation of the apparatus of the present invention will be explained.

第1図において、左側のウェハ転送装置6が左側のウェ
ハ・カセット3側に回転して前進し、所望のウェハWを
取り出すと表示灯41dに“1″の文字が点灯する。次
に、ウェハ転送装置6が180″回転し前進してウェハ
オリエンテーション・フラット・アライメント装211
0にウェハWを渡すと表示灯41dの“1°゛の文字が
消灯し表示灯416に“1″の文字が点灯する。
In FIG. 1, when the left wafer transfer device 6 rotates and advances toward the left wafer cassette 3 and takes out a desired wafer W, the character "1" lights up on the indicator light 41d. Next, the wafer transfer device 6 rotates 180″ and advances to the wafer orientation/flat alignment device 211.
When the wafer W is passed to the terminal 0, the character "1°" on the indicator light 41d goes out and the character "1" lights up on the indicator light 416.

ウェハオリエンテーション・フラット・アライメント装
置10が、ウェハWのエツジを検出し、ウェハWを所定
位置にした後、他方のウェハ転送装置7が、位置決めさ
れたウェハWをウェハオリエンテーション・フラット・
アライメント装@10から受は取ると表示灯41eの“
1”の文字が消灯して表示灯41fに“1″の文字が点
灯する。
After the wafer orientation flat alignment device 10 detects the edge of the wafer W and positions the wafer W in a predetermined position, the other wafer transfer device 7 aligns the positioned wafer W with the wafer orientation flat alignment device 10.
When the receiver is removed from the alignment device @10, the indicator light 41e will turn on.
The character "1" goes out and the character "1" lights up on the indicator light 41f.

ざらにウェハ転送装置7が、90゛回転し前進してウェ
ハWをアウターゲート13を介して予備真空室11に搬
入して予備真空室11のロックが完了すると、表示灯4
1fの+i l uの文字が消灯して表示灯41cに“
1°°の文字が点灯する。以後ウェハWの移動につれて
点灯する表示灯も順に移動するがプラテン36へ移動し
てイオンが注入された後は表示灯の“1″はL″の文字
となる。このイオン注入の行われたウェハWは表示灯の
消灯、点灯を順次繰り返しながら別の予備真空室12か
らアウターゲート14を介してウェハ転送装置6により
搬出され、ウェハ・カセット3内部の所定の位置に収納
される。
Roughly, the wafer transfer device 7 rotates 90 degrees and moves forward to carry the wafer W into the preliminary vacuum chamber 11 through the outer gate 13 and when the locking of the preliminary vacuum chamber 11 is completed, the indicator light 4 is turned on.
The characters +i l u on 1f go out and the indicator light 41c shows “
The character 1°° lights up. Thereafter, as the wafer W moves, the indicator light that lights up also moves in order, but after moving to the platen 36 and implanting ions, the "1" on the indicator light becomes the letter L. The W is carried out from another preliminary vacuum chamber 12 by the wafer transfer device 6 via the outer gate 14 while the indicator light is turned off and on sequentially, and is stored at a predetermined position inside the wafer cassette 3.

なお以上の動作を効率よく行うには、例えばイオン注入
前のウェハWをウェハオリエンテーション・フラット・
アライメント装置10に渡した後、ウェハ・カセット3
に向かう途中で予備真空室12からウェハWを搬出して
ウェハ・カセット3に収納し、このウェハ・カセット3
から次のウェハWを取り出してウェハオリエンテーショ
ン・フラット・アライメント装置10に渡し、以後この
動作を繰り返すようにすればよい。この場合も表示灯は
的確に各ウェハの位置と状態を表示する。
Note that in order to perform the above operations efficiently, for example, the wafer W before ion implantation must be oriented in a wafer orientation flat position.
After passing the wafer cassette 3 to the alignment device 10,
On the way to the wafer cassette 3, the wafer W is taken out from the preliminary vacuum chamber 12 and stored in the wafer cassette 3.
The next wafer W may be taken out from the wafer and transferred to the wafer orientation/flat alignment apparatus 10, and this operation may be repeated thereafter. In this case as well, the indicator lights accurately indicate the position and status of each wafer.

ウェハ・カセット3内部の全部のウェハWに対してイオ
ン注入を完了したところで、別のウェハ・カセット載置
台2上に置いたカセット内のウェハWに耐して上述した
と同様の処理が行われるが、このとき表示灯はr″また
は°′R″を表示して右側のウェハ・カセットが使用さ
れていることを表示する。
Once ion implantation has been completed for all wafers W inside the wafer cassette 3, the same process as described above is performed on the wafers W in the cassette placed on another wafer cassette mounting table 2. However, at this time, the indicator light displays r'' or °'R'' to indicate that the right wafer cassette is being used.

ちなみに第8図の表示装置の表示は、右側のウェハ・カ
セットから供給されたウェハが、イオン未注入の状態で
予備真空室11およびウェハ転送装置6.7にあり、プ
ラテン36にイオン注入済みのウェハがあることを示し
ている。
Incidentally, the display on the display device in FIG. 8 shows that the wafer supplied from the wafer cassette on the right side is in the preliminary vacuum chamber 11 and the wafer transfer device 6.7 without ion implantation, and that the wafer with ion implantation is in the platen 36. It shows that there is a wafer.

[発明の効果] 以上説明したように本発明のイオン注入装置は、インブ
ラントチャンバ内におけるウェハの位置がインブラント
チャンバ外に表示されるので、ウェハの位置を容易に知
ることができ、したがって作業を一旦中断した後やトラ
ブルの際の対処が容易になる。また実施例に示したよう
に、ウェハのインブラント前、または後の情報や、ウェ
ハ・−カセットの情報も表示できるようにすれば、ウェ
ハ転送装置の転送効率をあげるため、ウェハ・カセット
から取り出したウェハをウェハ位置決め装置に渡した後
、イオン注入の済んだウェハを予備真空室から取り出し
てウェハ・カセットに収納するように、動作を複雑にし
てもトラブルの生ずるおそれtよない。
[Effects of the Invention] As explained above, in the ion implantation apparatus of the present invention, the position of the wafer inside the implant chamber is displayed outside the implant chamber, so the position of the wafer can be easily known, and therefore the work This makes it easier to deal with problems once they have been interrupted. In addition, as shown in the example, if it is possible to display information before and after wafer implantation, as well as information on wafers and cassettes, in order to improve the transfer efficiency of the wafer transfer device, There is no risk of trouble even if the operation is complicated, such as by transferring the ion-implanted wafer to the wafer positioning device, then taking out the ion-implanted wafer from the preliminary vacuum chamber and storing it in the wafer cassette.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の正面図、第2図はウェハ転
送装置の断面図、第3図はウェハオリエンテーション・
フラット・アライメント装置の断面図、第4図はイオン
注入室および予備真空室を透視して示す平面図、第5図
および第6図はそれぞれイオン注入室および予備真空室
を透視して示す正面図、第7図は予備真空室■ウェハ検
出器を示す断面図、第8図はウェハの表示装置を示す正
面図である。 1.2・・・・・・ウェハ・カセット載置台、3・・・
・・・ウェハ・カセット、4.5・・・・・・昇降装置
、6.7・・・・・・ウェハ転送装置、8.9・・・・
・・ウェハ保持部、10・・・・・・ウェハオリエンテ
ーション・フラット・アライメント装置、11.12・
・・・・・予備真空室、13.14・・・・・・アウタ
ーグート 第1図 第7図 第3図 第4図 第5図
Fig. 1 is a front view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of a wafer transfer device, and Fig. 3 is a wafer orientation/
A sectional view of the flat alignment device, FIG. 4 is a plan view showing the ion implantation chamber and the preliminary vacuum chamber, and FIGS. 5 and 6 are front views showing the ion implantation chamber and the preliminary vacuum chamber, respectively. , FIG. 7 is a sectional view showing the preliminary vacuum chamber and the wafer detector, and FIG. 8 is a front view showing the wafer display device. 1.2...Wafer cassette mounting table, 3...
... Wafer cassette, 4.5 ... Lifting device, 6.7 ... Wafer transfer device, 8.9 ...
...Wafer holding unit, 10...Wafer orientation flat alignment device, 11.12.
...Preliminary vacuum chamber, 13.14...Outergut Figure 1 Figure 7 Figure 3 Figure 4 Figure 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)イオン注入室と、このイオン注入室内のイオンビ
ーム照射位置に配置されたプラテンと、前記イオン注入
室へのウェハ挿入部に設けられた予備真空室と、この予
備真空室と前記プラテン間でウェハを移動させるウェハ
移動装置とを少なくとも有するイオン注入装置において
、前記イオン注入室内および予備真空室内にあるウェハ
の位置を表示する表示装置を設けたことを特徴とするイ
オン注入装置。
(1) An ion implantation chamber, a platen located at the ion beam irradiation position within the ion implantation chamber, a preliminary vacuum chamber provided at the wafer insertion portion into the ion implantation chamber, and a space between the preliminary vacuum chamber and the platen. What is claimed is: 1. An ion implantation apparatus comprising at least a wafer moving device for moving a wafer in an ion implantation apparatus, characterized in that the ion implantation apparatus is provided with a display device for displaying the position of the wafer within the ion implantation chamber and the preliminary vacuum chamber.
(2)ウェハの位置決めをするウェハ位置決め装置と、
このウェハ位置決め装置とウェハ・カセット間およびこ
の位置決め装置と前記予備真空室間にウェハを移動させ
るウェハ移動装置とを有し、かつ前記ウェハの位置を表
示する表示装置が前記ウェハ位置決め装置とウェハ移動
装置にあるウェハの位置も表示する特許請求の範囲第1
項記載のイオン注入装置。
(2) a wafer positioning device that positions the wafer;
A wafer moving device that moves the wafer between the wafer positioning device and the wafer cassette and between the positioning device and the preliminary vacuum chamber, and a display device that displays the position of the wafer between the wafer positioning device and the wafer moving device. Claim 1 which also indicates the position of the wafer in the apparatus
The ion implantation device described in Section 1.
JP61153858A 1986-06-30 1986-06-30 Ion implanter Expired - Fee Related JPH0773040B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61153858A JPH0773040B2 (en) 1986-06-30 1986-06-30 Ion implanter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61153858A JPH0773040B2 (en) 1986-06-30 1986-06-30 Ion implanter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6310452A true JPS6310452A (en) 1988-01-18
JPH0773040B2 JPH0773040B2 (en) 1995-08-02

Family

ID=15571640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61153858A Expired - Fee Related JPH0773040B2 (en) 1986-06-30 1986-06-30 Ion implanter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0773040B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5434776A (en) * 1977-08-24 1979-03-14 Nec Corp Wafer handling method of ion injector
JPS58106939U (en) * 1982-01-14 1983-07-21 株式会社日立製作所 Sample exchange device for electron beam lithography equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5434776A (en) * 1977-08-24 1979-03-14 Nec Corp Wafer handling method of ion injector
JPS58106939U (en) * 1982-01-14 1983-07-21 株式会社日立製作所 Sample exchange device for electron beam lithography equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0773040B2 (en) 1995-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4674621A (en) Substrate processing apparatus
EP0095370B1 (en) Wafer orientation system
ATE62370T1 (en) DEVICE FOR THE QUASI-CONTINUOUS TREATMENT OF SUBSTRATES.
KR20070007126A (en) Work piece transfer system for an ion beam implanter
JP2004179660A (en) Semiconductor manufacturing system
JPS6310452A (en) Ion implantation equipment
US5503675A (en) Apparatus for applying a mask to and/or removing it from a substrate
KR20130104341A (en) Method of transferring substrate, robot for transferring substrate and substrate treatment system having the same
CN115407432B (en) Vacuum coating system
KR102451923B1 (en) Equipment, method and carrier for coating spectacle lenses
JP2003313653A (en) Vacuum vapor-depositing apparatus
JP2510282B2 (en) Wafer transfer device
US6074164A (en) Method of grasping, aligning and orienting an object
JPH02196441A (en) Wafer conveying apparatus
US20120043712A1 (en) Mechanism and method for aligning a workpiece to a shadow mask
JP2884753B2 (en) Ion processing equipment
JP3127627B2 (en) Semiconductor wafer transfer equipment
JPH10150094A (en) Wafer detector
US6073982A (en) Vacuum assisted assemblage for handling an object
US6073981A (en) Apparatus for aligning and orienting an object
JPH0717151Y2 (en) Wafer holding device
JPH0367451A (en) Ion implanter
JPH0754688B2 (en) Ion implanting apparatus and ion implanting method
JPH0241164B2 (en) BUNSHISENEPITAKISHARUSEICHOSOCHI
JPH10107127A (en) Semiconductor production device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees