JPS63103988A - Testing device for semiconductor integrated circuit - Google Patents
Testing device for semiconductor integrated circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路のテストを容易に実施するた
めの半導体集積回路試験装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit testing device for easily testing semiconductor integrated circuits.
従来、同期回路に関するレベルセンシイテイプスキャン
デザイン(以下LSSDと略記する)は2つの設計手法
により構成されている。そのうちの1つのレベルセンシ
イテイブはAC特性のバラツキを正常にするもので、多
相クロックを用いたラッチ回路よりなる。また、他の1
つのスキャンデザインはLSI内の記憶素子(この場合
う・ソチと考える)に対して外部端子から任意の値を設
定したり、あるいは結果を観測することができるように
ラッチを直列シフトレジスタで構成した設計手法よりな
る。Conventionally, level sensitive tape scan design (hereinafter abbreviated as LSSD) for synchronous circuits has been constructed using two design methods. One of them, level sensitive, normalizes variations in AC characteristics, and consists of a latch circuit using a multiphase clock. Also, another one
In the two scan designs, the latch is configured with a serial shift register so that an arbitrary value can be set from an external terminal to a memory element within the LSI (in this case, it is considered to be a memory element), or the result can be observed. Consists of design methods.
第2図は従来の半導体集積回路試験装置を示すブロック
図であり、図において、1はプライマリ入力、2はシフ
トイン端子、3はクロ・ツクA、4はクロックB、5は
システムクロック、6はシフトレジスタ構成のラッチ回
路(以下SRLと略記する)、7はシフトモード、8は
テスト単位、9はテストパターン発生器、10は比較器
でテストを実施しようとする回路をランチを利用するこ
とで、テスト単位とし、順序回路に分割することができ
る。FIG. 2 is a block diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit testing device. In the figure, 1 is a primary input, 2 is a shift-in terminal, 3 is a clock A, 4 is a clock B, 5 is a system clock, and 6 is a shift-in terminal. is a latch circuit having a shift register configuration (hereinafter abbreviated as SRL), 7 is a shift mode, 8 is a test unit, 9 is a test pattern generator, and 10 is a comparator, and the circuit to be tested uses the launch. It can be used as a test unit and divided into sequential circuits.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
先ずプライマリ入力1に初期値を設定する。そして、5
RL6のモードをシフトモード7によって切換え、次い
でシフトイン端子2からテストパターンを設定していく
。そのうち、クロックA4、クロックB5の順番にシフ
トクロックを入力して5RL6に値を設定していく。そ
して、5RL6の動作モードをシフトモードからノーマ
ルモードに切換え、システムクロック5を入力して5R
L6にデータを取込む。再び、5RL6のモードをノー
マルモードからシフトモードに切換え、クロックB5、
クロックA4のシフトクロックを順に入力し、5RL6
の値を取出す。このようにして得られたデータと期待出
力値とを比較することでテスト単位8が故障しているか
どうかを判断する。First, an initial value is set for primary input 1. And 5
The mode of RL6 is switched by shift mode 7, and then a test pattern is set from shift-in terminal 2. Among them, the shift clocks are inputted in the order of clock A4 and clock B5, and values are set in 5RL6. Then, switch the operating mode of 5RL6 from shift mode to normal mode, input system clock 5, and
Import data into L6. Switch the mode of 5RL6 from normal mode to shift mode again, and clock B5,
Input the shift clock of clock A4 in order, 5RL6
Get the value of. By comparing the data thus obtained with the expected output value, it is determined whether the test unit 8 is out of order.
従来の半導体集積回路試験装置は以上のように構成され
ているので、半導体集積回路をLSSDでテストする場
合、5RL6に値を設定している間に、テスト単位8に
データが送り込まれ、テスト単位8内のラッチの内部状
態が変化する恐れがあるために、同期型回路ではテスト
単位8内のラッチのクロックを制御することで防止して
いるが、非同期型回路では同様のことが行えないのみな
らずテスト単位8から5RL6に出力を取出す場合もタ
イミングがとれないなどの問題点があった。Conventional semiconductor integrated circuit test equipment is configured as described above, so when testing a semiconductor integrated circuit with an LSSD, data is sent to the test unit 8 while a value is set in 5RL6, and the test unit Since there is a risk that the internal state of the latch in test unit 8 may change, synchronous circuits prevent this by controlling the clock of the latch in test unit 8, but the same cannot be done with asynchronous circuits. Moreover, there were problems such as the timing not being able to be obtained when outputting from the test unit 8 to 5RL6.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体集積回路をLSSDでテスト可能とし
た半導体集積回路試験装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit testing device capable of testing a semiconductor integrated circuit using an LSSD.
この発明に係る半導体集積回路試験装置は、非同期型回
路をスキャンデザインによりテストするためにテスト単
位の前段に備えたANDゲートと、シフトレジスタ構成
のラッチ回路のクロックの前段に備えられ、上記テスト
単位からの出力を観測する2入力イクスクルーシプノア
ゲートとよりなるものである。A semiconductor integrated circuit testing device according to the present invention includes an AND gate provided at the front stage of a test unit and a clock stage of a latch circuit having a shift register configuration, in order to test an asynchronous circuit by scan design, and the test unit It consists of a two-input exclusive gate that observes the output from the gate.
この発明における半導体集積回路試験装置はテスト単位
の前段にANDゲートを配することにより記憶素子のデ
ータが不用意に書き変ることを防止すると共に、上記テ
スト単位がらの出力を観測する場合に、シフトレジスタ
構成のラッチ回路の前段にイクスクルーシブノアゲート
を配して上記テスト単位からのデータが出力されたとき
に観測を行えるようにする。The semiconductor integrated circuit testing device according to the present invention prevents the data in the memory element from being changed inadvertently by disposing an AND gate in the front stage of the test unit, and also prevents the data in the memory element from being changed inadvertently. An exclusive NOR gate is placed before a latch circuit having a register configuration so that observation can be performed when data from the test unit is output.
以下この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例を示子ブロック図で、第1
図中第2図と同一構成部分には同一符号を付してその説
明を省略する。図において、11はテストをする回路で
あるテスト単位、12はラッチ、13は入力ANDゲー
トで、この2入力ANDゲ−ト13 ニハソ(7)一方
の入カニANDIll′4′a線14が接続されている
。15は出力側の5RL6のクロック入力端子に配され
た2入力イクスクルーシブノア回路(以下XNORゲー
トと略記する)で、このXNORゲート15の入力には
上記テスト単位11からの出力と出力側の5RL6から
の出力とが入力されるように構成されている。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
Components in the figure that are the same as those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. In the figure, 11 is a test unit which is a circuit to test, 12 is a latch, and 13 is an input AND gate. has been done. 15 is a 2-input exclusive NOR circuit (hereinafter abbreviated as XNOR gate) arranged at the clock input terminal of 5RL6 on the output side. It is configured such that the output from 5RL6 is input.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
従来の試験装置では非同期型回路をLSSDでテストす
る場合にラッチのデータが5RL6に信号を貯えている
間にテスト単位中のラッチのデータを書換えてしまう可
能性があったが、実施例の試験装置ではテスト単位11
中のラッチ12の前段にANDゲート13が配され、こ
のANDゲート13を制御する配線により、ラッチ12
のクロックを制御するようにしたので、データがラッチ
12に送られてきてもANDゲート13はオンしないか
ら不用意にデータが流入しないことになる。With conventional test equipment, when testing an asynchronous circuit with LSSD, there was a possibility that the latch data in the test unit would be rewritten while the latch data was storing the signal in 5RL6. In the device, test unit 11
An AND gate 13 is arranged before the latch 12 in the middle, and the wiring that controls the AND gate 13 connects the latch 12.
Since the AND gate 13 is not turned on even when data is sent to the latch 12, data does not inadvertently flow in.
また、テスト単位11からの出力を観測する場合は、5
RL6に予め期待出力の反転を入力しておき、5RL6
のクロックの前段にXNORゲート15を配すると共に
、このXNORゲート15の一方の入力にはテスト単位
11からの出力が、他方の入力には5RL6からの出力
が入力されているので、テスト単位11からの出力が期
待値になったときに5RL6の値を期待出力値に書換え
て観測ができる。よって、仮りにテスト単位11内に故
障が発生し、期待出力が出力されない場合でも5RL6
の値が書換わらないため、故障の検出が可能である。Also, when observing the output from test unit 11, 5
Input the inversion of the expected output into RL6 in advance, and then
An XNOR gate 15 is arranged before the clock of the test unit 11, and one input of the XNOR gate 15 receives the output from the test unit 11, and the other input receives the output from the 5RL6. When the output from 5RL6 reaches the expected value, observation can be made by rewriting the value of 5RL6 to the expected output value. Therefore, even if a failure occurs in the test unit 11 and the expected output is not output, 5RL6
Since the value of is not rewritten, it is possible to detect a failure.
以上のようにこの発明によれば半導体集積回路試験装置
を非同期回路をスキャンデザインによりテストするため
にテスト単位の前段に備えられたANDゲートと、シフ
トレジスタ構成のラッチ回路のクロックの前段に備えら
れ、上記テスト単位からの出力を観測する2入力イクス
クルーシブノアゲートとより構成したので、非同期型の
半導体集積回路をLSSDでテストすることが可能とな
り、よってテストが容易に行え、製品の信頼性が向上し
、テストコストの低価格化が可能で開発期間を短縮する
ことができるなどの効果が得られる。As described above, according to the present invention, in order to test an asynchronous circuit using a scan design, a semiconductor integrated circuit testing device has an AND gate provided in the front stage of a test unit, and a clock gate in a latch circuit having a shift register configuration. Since it is configured with a 2-input exclusive NOR gate that observes the output from the test unit, it is possible to test asynchronous semiconductor integrated circuits with LSSD, making testing easier and improving product reliability. The benefits include improved performance, lower test costs, and a shorter development period.
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路試験
装置を示すブロック図、第2図は従来の半導体集積回路
試験装置の一例を示すプロ・ツタ図である。
6はラッチ回路(SRL) 、11はテスト単位、12
はラッチ、13はANDゲート、15は2入力イクスク
ルーシプノアゲート。
なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
第1図
2=シフトイン塙子
6:5RL
11ニアスト単1に
12:う、+
13:2入力ANDケ゛−ト
14:AND制御隷
15:2入力XNOR’7′−ト
第2図FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit testing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a professional diagram showing an example of a conventional semiconductor integrated circuit testing device. 6 is a latch circuit (SRL), 11 is a test unit, 12
is a latch, 13 is an AND gate, and 15 is a 2-input exclusive gate. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts. Fig. 1 2 = Shift-in block 6: 5RL 11 nearest single to 12: U, + 13: 2 input AND gate 14: AND control slave 15: 2 input XNOR '7'-to Fig. 2
Claims (1)
性を期待値と比較するようにした半導体集積回路試験装
置において、非同期型回路をスキャンデザインによりテ
ストするために上記テスト単位の前段に該テスト単位中
の記憶素子の値を不用意に変化させない2入力ANDゲ
ートを備え、かつシフトレジスタ構成のラッチ回路のク
ロックの前段に上記テスト単位からの出力を観測する2
入力イクスクルーシブノアゲートを備えたことを特徴と
する半導体集積回路試験装置。In a semiconductor integrated circuit testing device that applies an input signal to a test unit and compares the correctness of the response output with an expected value, the test is performed before the test unit in order to test an asynchronous circuit using scan design. 2, which is equipped with a two-input AND gate that prevents the value of the memory element in the unit from changing inadvertently, and which observes the output from the test unit before the clock of a latch circuit having a shift register configuration.
A semiconductor integrated circuit testing device characterized by being equipped with an input exclusive NOR gate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61249211A JPS63103988A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Testing device for semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61249211A JPS63103988A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Testing device for semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63103988A true JPS63103988A (en) | 1988-05-09 |
Family
ID=17189564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61249211A Pending JPS63103988A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Testing device for semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63103988A (en) |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61249211A patent/JPS63103988A/en active Pending
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