JPS63102417A - 電圧降下の小さい集積双安定電子切換装置 - Google Patents
電圧降下の小さい集積双安定電子切換装置Info
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- JPS63102417A JPS63102417A JP62253441A JP25344187A JPS63102417A JP S63102417 A JPS63102417 A JP S63102417A JP 62253441 A JP62253441 A JP 62253441A JP 25344187 A JP25344187 A JP 25344187A JP S63102417 A JPS63102417 A JP S63102417A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 101100484954 Arabidopsis thaliana VQ20 gene Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は中程度の電力範囲即ち約１０八〜５０＾の電力
範囲で、スイッチング操作のときの電圧降下が小さい集
積双安定電子切換装置に係る。この切換装置は単一電子
素子の形態である。
範囲で、スイッチング操作のときの電圧降下が小さい集
積双安定電子切換装置に係る。この切換装置は単一電子
素子の形態である。
本発明は、航空機゛、ヘリコプタ−１衛星のごとき振動
性環境及びその他の陸上手段及び海上手段中での反動（
ｒｅｂｏｕｎｄ）のない高速スイッチングが必要なすべ
ての分野で使用される。
性環境及びその他の陸上手段及び海上手段中での反動（
ｒｅｂｏｕｎｄ）のない高速スイッチングが必要なすべ
ての分野で使用される。
本発明は、単一方向性及び両方向性の双安定電子切換装
置に係る。第１のタイプの公知の切換装置は電気機械的
継電器から構成される。これらの継電器には、単安定継
電器及び双安定継電器の双方の形態がある。双安定継電
器は単安定継電器と違って、エルネギ消費を伴うことな
く状態維持が可能である。電気機械的継電器は電力レベ
ルの高低スイッチングを行なうか又はインバータとして
機能し得る。
置に係る。第１のタイプの公知の切換装置は電気機械的
継電器から構成される。これらの継電器には、単安定継
電器及び双安定継電器の双方の形態がある。双安定継電
器は単安定継電器と違って、エルネギ消費を伴うことな
く状態維持が可能である。電気機械的継電器は電力レベ
ルの高低スイッチングを行なうか又はインバータとして
機能し得る。
電気機械的継電器はスイッチング速度が遅いのでその使
用はある種の用途に限定される。更に、加速に敏感な軸
をもつので航空機又は衛星中での使用は難しい。又、多
くの電気機械的継電器はスイッチングのときに反動が生
じる。
用はある種の用途に限定される。更に、加速に敏感な軸
をもつので航空機又は衛星中での使用は難しい。又、多
くの電気機械的継電器はスイッチングのときに反動が生
じる。
第２のタイプの公知の切換装置は静的切換装置の形邪で
ある。電気機械的継電器と違って静的継電器は高いスイ
ッチング速度をもち加速に敏感でなく従って振動の影響
を受けない。その結果として反動がない。
ある。電気機械的継電器と違って静的継電器は高いスイ
ッチング速度をもち加速に敏感でなく従って振動の影響
を受けない。その結果として反動がない。
２つのタイプの静的切換装置、即ち直流ｄ、ｃ、用静的
用型的継電器ａ、ｃ、用静的用型的継電器在する。
用型的継電器ａ、ｃ、用静的用型的継電器在する。
直流用静的継電器は、双安定適性がなく、回路の端子で
約１．５ｖ〜２ｖの大きい電圧降下を生じる。
約１．５ｖ〜２ｖの大きい電圧降下を生じる。
交流用静的継電器は直流中では再遮断ができないので交
流でしか使用できない。
流でしか使用できない。
静的継電器は特に以下の文献に記載されている。
（、）フランス特許公開第２５６７３４０号。記載の継
電器は単安定のものだけで、充電はスイッチを構成する
ＭＯＳパワートランジスタのトレインだけに行なわれる
（即ち、トランジスタはｄ、ｃ、低電位のみを遮断する
）。更に、ＭＯＳ Ｉ−ランジスタの導電性抵抗器Ｒｏ
ｎに分路が付加されるので電圧降下が大きい。
電器は単安定のものだけで、充電はスイッチを構成する
ＭＯＳパワートランジスタのトレインだけに行なわれる
（即ち、トランジスタはｄ、ｃ、低電位のみを遮断する
）。更に、ＭＯＳ Ｉ−ランジスタの導電性抵抗器Ｒｏ
ｎに分路が付加されるので電圧降下が大きい。
（ｂ）欧州特許公開第０１６４７７０号。この装置では
制御信号を切換装置に供給する手段とスイッチを形成す
るトランジスタとの間に電気絶縁がない。この装置は単
安定で単一方向性であり補助電源を必要とする。最後に
、充電は必ずトランジスタのエミッタで行なわれ電圧降
下が大きい。
制御信号を切換装置に供給する手段とスイッチを形成す
るトランジスタとの間に電気絶縁がない。この装置は単
安定で単一方向性であり補助電源を必要とする。最後に
、充電は必ずトランジスタのエミッタで行なわれ電圧降
下が大きい。
（ｃ）欧州特許公開第０１６５１２１号。この文献は単
安定静的切換装置用制御デバイスを記載している。制ｆ
ｌ（ｃｏｎｔｒｏｌ）部と動作（ｕｓｅ）部との間の絶
縁に変圧器を用いるので装置が大形化する。またある種
の形態では動作部に対しては補助電源か必要になる。
安定静的切換装置用制御デバイスを記載している。制ｆ
ｌ（ｃｏｎｔｒｏｌ）部と動作（ｕｓｅ）部との間の絶
縁に変圧器を用いるので装置が大形化する。またある種
の形態では動作部に対しては補助電源か必要になる。
（ｄ）欧州特許第０１６６３９０号。この文献は単安定
でａ、ｃ。
でａ、ｃ。
てしか機能せず制御部と動作部との間に絶縁がない装置
を記載している。更に、この装置では電圧降下が大きい
。
を記載している。更に、この装置では電圧降下が大きい
。
（ｅ）米国特許第４５７１５１３号、米国特許第４５５
３１５１号、米国特許第４５５１６４３号及び米国特許
第４５４２３９６号。
３１５１号、米国特許第４５５１６４３号及び米国特許
第４５４２３９６号。
これらの文献は、制御部と動作部とが完全には絶縁され
ないスイッチ構造、又はサイリスタもしくはオプトサイ
リスタをスイッチとして使用する装置を記載している。
ないスイッチ構造、又はサイリスタもしくはオプトサイ
リスタをスイッチとして使用する装置を記載している。
オプトサイリスタ使用の場合、ｄ、ｃ 、での再遮断が
不可能なので切換装置はａ、ｃ、でしか使用できない。
不可能なので切換装置はａ、ｃ、でしか使用できない。
更に、装置の端子で電圧降下が大きい。
本発明の目的は特に、公知の静的又は電気機械的切換装
置の欠点を除去することである。本発明の目的はまた、
電気機械的切換装置の利点、特に端子での低電圧降下と
、静的切換装置の利点、特に高速スイッチング及び振動
不惑受性とを結合することである。
置の欠点を除去することである。本発明の目的はまた、
電気機械的切換装置の利点、特に端子での低電圧降下と
、静的切換装置の利点、特に高速スイッチング及び振動
不惑受性とを結合することである。
より詳細には、本発明の目的は、少なくとも１つのＭＯ
Ｓパワートランジスタを組み込んだ少なくとも２つの端
子をもつスイッチと、「１」設定用入力と「０」設定用
入力とスイッチの少なくとも１つのＭＯＳパワートラン
ジスタのゲートに接続された少なくとも１つの制御出力
とをもつ双安定フリップフロップから成るＭＯＳテクノ
ロジイ制御回路と、該制御回路に給電する集積電源と、
各々が電気スイッチング制御信号を受信し該信号を制御
回路の１つの入力に伝送すべく機能し且つ切換装置の電
気絶縁を確保する２つの光結合器とを含むことを特徴と
する集積双安定電子切換装置を提供することである。
Ｓパワートランジスタを組み込んだ少なくとも２つの端
子をもつスイッチと、「１」設定用入力と「０」設定用
入力とスイッチの少なくとも１つのＭＯＳパワートラン
ジスタのゲートに接続された少なくとも１つの制御出力
とをもつ双安定フリップフロップから成るＭＯＳテクノ
ロジイ制御回路と、該制御回路に給電する集積電源と、
各々が電気スイッチング制御信号を受信し該信号を制御
回路の１つの入力に伝送すべく機能し且つ切換装置の電
気絶縁を確保する２つの光結合器とを含むことを特徴と
する集積双安定電子切換装置を提供することである。
好適具体例によれば、切換装置は、羊−ＭＯＳパワート
ランジスタを含み、該トランジスタのドレイン及びソー
スかスイッチの端子を構成し、一方の光結合器がスイッ
チを開状態にスイッチングし他方の光結合器かスイッチ
を開状態にスイッチングする。この切換装置は開閉型双
安定ｄ、ｃ 、切換装置である。
ランジスタを含み、該トランジスタのドレイン及びソー
スかスイッチの端子を構成し、一方の光結合器がスイッ
チを開状態にスイッチングし他方の光結合器かスイッチ
を開状態にスイッチングする。この切換装置は開閉型双
安定ｄ、ｃ 、切換装置である。
第１の好適具体例によれば、前記双安定切換装置が第°
２のＭＯＳパワートランジスタを含み、これらのトラン
ジスタが共通ソース及び接合ゲートをもち、これらのト
ランジスタのドレインがスイッチの端子を構成している
。この切換装置は両方向性であり従ってａ、ｅ、信号に
使用できる。
２のＭＯＳパワートランジスタを含み、これらのトラン
ジスタが共通ソース及び接合ゲートをもち、これらのト
ランジスタのドレインがスイッチの端子を構成している
。この切換装置は両方向性であり従ってａ、ｅ、信号に
使用できる。
第２の好適具体例によれば、切換装置は２つのＭＯＳパ
ワートランジスタを含み、該トランジスタのソースが共
通でスイッチの端子を構成し、直列ダイオードを備えた
該トランジスタのドレインはスイッチの静端子（ｒｅｓ
ｔ ｔｅｒｍｉｎａｌ）と動端子（ｕ＋ｏｒｋｉｎＦｉ
ｔｅｒｍｉｎａｌ）とを構成し、２つの光結合器は夫々
、静状態のスイッチからのスイッチング信号及び動状態
のスイッチからのスイッチング信号を伝送し、制御回路
が２つのＭＯＳトランジスタのゲートに相補的な信号を
伝送するための２つの制御出力をもつ。
ワートランジスタを含み、該トランジスタのソースが共
通でスイッチの端子を構成し、直列ダイオードを備えた
該トランジスタのドレインはスイッチの静端子（ｒｅｓ
ｔ ｔｅｒｍｉｎａｌ）と動端子（ｕ＋ｏｒｋｉｎＦｉ
ｔｅｒｍｉｎａｌ）とを構成し、２つの光結合器は夫々
、静状態のスイッチからのスイッチング信号及び動状態
のスイッチからのスイッチング信号を伝送し、制御回路
が２つのＭＯＳトランジスタのゲートに相補的な信号を
伝送するための２つの制御出力をもつ。
本発明の双安定切換装置の各具体例において、集積電源
は例えばバッテリー又はコンデンサから構成され得る。
は例えばバッテリー又はコンデンサから構成され得る。
コンデンサの場合、コンデンサ再充電手段が配備される
。
。
本発明の利点は、本発明の開閉型単一方向性切換装置は
スイッチ端子間にダイオードブリッジを付加することに
よって該切換装置を両方向性切換装置に変形し得ること
である。
スイッチ端子間にダイオードブリッジを付加することに
よって該切換装置を両方向性切換装置に変形し得ること
である。
添付図面に示す非限定具体例に基づく以下の記載より本
発明の特徴及び利点がより十分に理解されよう。
発明の特徴及び利点がより十分に理解されよう。
第１図は静−動量双安定切換装置の全体構造を示す。こ
の切換装置は、共通端子Ｃと、靜端子Ｒと、動端子Ｔと
、スイッチを静状態Ｒから動状ＲＴにスイッチングする
制御回路４と、スイッチを動状ｆｉＴから静状態Ｒにス
イッチングする制御回路６とを含む。
の切換装置は、共通端子Ｃと、靜端子Ｒと、動端子Ｔと
、スイッチを静状態Ｒから動状ＲＴにスイッチングする
制御回路４と、スイッチを動状ｆｉＴから静状態Ｒにス
イッチングする制御回路６とを含む。
本発明は、ｄ、ｃ、、ｉＬ、ｅ、、単一方向性及び両方
向性の開閉型及び静−動量の双安定切換装置に係る。
向性の開閉型及び静−動量の双安定切換装置に係る。
本発明の開閉型切換装置の種々の具体例を第２図及び第
４図に基づいて以下に説明する。
４図に基づいて以下に説明する。
第２図は電子素子の形態のｄ、ｃ、単一方向性開閉型双
安定切換装置の概略図である。この切換装置は、ＭＯＳ
パワートランジスタ８から成るスイッチとトランジスタ
８を制御する制御回路１０と制御回路１０に給電する電
源１２と２つの光結合器１４．１６とを含み、各光結合
器は切り替え即ちスイッチング制御信号を伝送して切換
装置とスイッチング制御信号発生回路との間の電気絶縁
を確保する。
安定切換装置の概略図である。この切換装置は、ＭＯＳ
パワートランジスタ８から成るスイッチとトランジスタ
８を制御する制御回路１０と制御回路１０に給電する電
源１２と２つの光結合器１４．１６とを含み、各光結合
器は切り替え即ちスイッチング制御信号を伝送して切換
装置とスイッチング制御信号発生回路との間の電気絶縁
を確保する。
光結合器１４．１６の各々は、受信した電気スイッチン
グ信号に対応する光信号を発生するホトダイオードと該
光信号によって制御されるホトトランジスタとを含む。
グ信号に対応する光信号を発生するホトダイオードと該
光信号によって制御されるホトトランジスタとを含む。
ホトトランジスタのコレクタは電源１２の正極に接続さ
れ、ホトトランジスタのエミッタは負荷インピーダンス
２２．２４の一端に接続され、該インピーダンスの他端
は電源の負極に接続されている。
れ、ホトトランジスタのエミッタは負荷インピーダンス
２２．２４の一端に接続され、該インピーダンスの他端
は電源の負極に接続されている。
スイッチ端子はＭＯＳ トランジスタ８のドレインとソ
ースとから成る。トランジスタの導通状態の抵抗Ｒｏｎ
は極めて小さい。従って切換装置の端子間の電圧降下は
極めて小さい。
ースとから成る。トランジスタの導通状態の抵抗Ｒｏｎ
は極めて小さい。従って切換装置の端子間の電圧降下は
極めて小さい。
電力消費量を節約するために制御回路ｌＯは好ましくは
ＭＯＳ又はＣＭＯＳ回路である。この場合、１０年以上
の耐用寿命をもち５Ｘ １０”回を一上回るスイッチン
グ回数をもつ小バッテリーを使用することが可能である
。該制御回路は双安定フリップフロップから成る。これ
は図示のごと〈従来同様の構造であり２つのＮＯＲゲー
ト１８．２０をもつ回路から構成される。
ＭＯＳ又はＣＭＯＳ回路である。この場合、１０年以上
の耐用寿命をもち５Ｘ １０”回を一上回るスイッチン
グ回数をもつ小バッテリーを使用することが可能である
。該制御回路は双安定フリップフロップから成る。これ
は図示のごと〈従来同様の構造であり２つのＮＯＲゲー
ト１８．２０をもつ回路から構成される。
この制御回路は、光結合器の一方によって伝送された信
号を記憶し従って光結合器に与えられたスイッチング信
号の消滅後にＭＯＳ ｔ−ランジスタ８の状悪を維持し
得る。
号を記憶し従って光結合器に与えられたスイッチング信
号の消滅後にＭＯＳ ｔ−ランジスタ８の状悪を維持し
得る。
第２図の切換装置は単一方向性であるが、これを両方向
性切換装置として設計することも可能である。
性切換装置として設計することも可能である。
例えば第３図は、第２図の単一方向性切換装置に基づい
て設計された両方向性切換装置を示す。
て設計された両方向性切換装置を示す。
第３図の切換装置は第２図の切換装置と同じ素子を含む
。また、第２のＭＯＳパワートランジスタ２６をもち、
そのソースはＭＯＳトランジスタ８のソースに接続され
ている。これらのＭＯＳトランジスタのゲー１〜は接合
され制御回路１０の出力に接続されている。２つのＭＯ
Ｓ トランジスタのドレインは切換装置の端子を形成す
る。
。また、第２のＭＯＳパワートランジスタ２６をもち、
そのソースはＭＯＳトランジスタ８のソースに接続され
ている。これらのＭＯＳトランジスタのゲー１〜は接合
され制御回路１０の出力に接続されている。２つのＭＯ
Ｓ トランジスタのドレインは切換装置の端子を形成す
る。
切換装置を通過する信号は小さい電圧降下を生じる。Ｍ
ＯＳトランジスタ８からＭＯＳ トランジスタ２６の方
向で切換装置を通過する信号の場合、この電圧降下は主
としてＭＯＳトランジスタ２６の寄生ダイオードに起因
する。信号がトランジスタ２６からトランジスタ８に通
過するときも等しい電圧降下が生じ、これはＭＯＳトラ
ンジスタ８の寄生ダイオードに起因する。最後に、２つ
のＭＯＳ トランジスタが開のとき切換装置の端子に対
向する２つの寄生ダイオードが残り電流が両方向で遮断
される。
ＯＳトランジスタ８からＭＯＳ トランジスタ２６の方
向で切換装置を通過する信号の場合、この電圧降下は主
としてＭＯＳトランジスタ２６の寄生ダイオードに起因
する。信号がトランジスタ２６からトランジスタ８に通
過するときも等しい電圧降下が生じ、これはＭＯＳトラ
ンジスタ８の寄生ダイオードに起因する。最後に、２つ
のＭＯＳ トランジスタが開のとき切換装置の端子に対
向する２つの寄生ダイオードが残り電流が両方向で遮断
される。
上記では第２図及び第３図に基づいて本発明の開閉型切
換装置を説明した。
換装置を説明した。
本発明はまた、静−動型切換装置に応用し得る。
例えば、第４図及び第５図はかかる切換装置の具体例を
示す。第４図に示す双安定切換装置は単一方向性ｄ、ｃ
、型−である。この切換装置は、２つのＭＯＳパワート
ランジスタ８Ｒ，８Ｔと該ＭＯＳパワートランジスタの
制御回路１０と制御回路用電源１２と２つの光結合器１
４．１６とを含む。
示す。第４図に示す双安定切換装置は単一方向性ｄ、ｃ
、型−である。この切換装置は、２つのＭＯＳパワート
ランジスタ８Ｒ，８Ｔと該ＭＯＳパワートランジスタの
制御回路１０と制御回路用電源１２と２つの光結合器１
４．１６とを含む。
トランジスタ８Ｒ，８Ｔのソースは互いに接続されスイ
ッチの共通点Ｃを構成している。更に、ダイオード２８
Ｒ、２８Ｔが備えられており、これらのダイオードのカ
ソードは夫々、トランジスタ８Ｒ，８Ｔのドレインに接
続され、アノードは夫々、スイッチの静端子Ｒと動端子
Ｔとを構成している。
ッチの共通点Ｃを構成している。更に、ダイオード２８
Ｒ、２８Ｔが備えられており、これらのダイオードのカ
ソードは夫々、トランジスタ８Ｒ，８Ｔのドレインに接
続され、アノードは夫々、スイッチの静端子Ｒと動端子
Ｔとを構成している。
トランジスタ８Ｒ，８Ｔのゲートは制御回路１０によっ
て与えられる相補的信号を受信する。制御回路１０は光
結合器１４．１６によって伝送される信号を受信する２
つの制御入力Ｒ，Ｓをもつ。光結合器は夫々、受信した
電気スイッチング制御信号に対応する光信号を供給する
ホトダイオードとホトトランジスタとを含む。ホトトラ
ンジスタは高値抵抗又はインピーダンス２２．２４と直
列に接続されており、アセンブリが電源１２の端子に接
続されている。
て与えられる相補的信号を受信する。制御回路１０は光
結合器１４．１６によって伝送される信号を受信する２
つの制御入力Ｒ，Ｓをもつ。光結合器は夫々、受信した
電気スイッチング制御信号に対応する光信号を供給する
ホトダイオードとホトトランジスタとを含む。ホトトラ
ンジスタは高値抵抗又はインピーダンス２２．２４と直
列に接続されており、アセンブリが電源１２の端子に接
続されている。
制御回路１０はＯリセット入力Ｒと１リセット人力Ｓと
２つの端子ｄ、Ｑとを含む。該２つの端子は夫々トラン
ジスタ８Ｔ及び８Ｒのゲートに接続され相補的信号を供
給する。
２つの端子ｄ、Ｑとを含む。該２つの端子は夫々トラン
ジスタ８Ｔ及び８Ｒのゲートに接続され相補的信号を供
給する。
制御回路は例えば、第３図の制御回路と同様の双安定フ
リップフロップを形成する２つのＮＯＲゲート１８．２
０から構成される。２つの制御回路の唯一の違いは、第
４図の切換装置においてはゲート１８．２０の各々の出
力が使用されることである。
リップフロップを形成する２つのＮＯＲゲート１８．２
０から構成される。２つの制御回路の唯一の違いは、第
４図の切換装置においてはゲート１８．２０の各々の出
力が使用されることである。
第４図の静−動型双安定切換装置は単一方向性で直流用
である。この切換装置は第２図に基づいて設計された第
３図の切換装置と同様の構造原理に従って両方向性切換
装置となるように変形することが可能である。この変形
によれば、２つのアセンブリを並列配置し一方の「通過
（ｇｏ）」が他方の「停止（ｓｔｏｐ）Ｊと同時に生じ
るか又はその逆が生じるように設計されている。
である。この切換装置は第２図に基づいて設計された第
３図の切換装置と同様の構造原理に従って両方向性切換
装置となるように変形することが可能である。この変形
によれば、２つのアセンブリを並列配置し一方の「通過
（ｇｏ）」が他方の「停止（ｓｔｏｐ）Ｊと同時に生じ
るか又はその逆が生じるように設計されている。
例えば第５図は、第３図の切換装置に基づく両方向性双
安定切換装置を示す。この切換装置は実質的に等しい２
つの部分から成り、一方が動機能に対応し他方が静機能
に対応する。動機能を実行する部分は第３図の切換装置
に等しく、ＭＯＳトランジスタ８Ｔ、２６Ｔのドレイン
が夫々、切換装置の動端子Ｔ及び共通端子Ｃを構成する
。
安定切換装置を示す。この切換装置は実質的に等しい２
つの部分から成り、一方が動機能に対応し他方が静機能
に対応する。動機能を実行する部分は第３図の切換装置
に等しく、ＭＯＳトランジスタ８Ｔ、２６Ｔのドレイン
が夫々、切換装置の動端子Ｔ及び共通端子Ｃを構成する
。
静機能を実行する部分は動機能を実行する部分に基つく
が、制御手段１０の入力Ｒ及びＳに対する光結合器１４
．１６の接続が反転即ち逆転している。これらの静部分
の光結合器は、動部分の対応する光結合器に並列に接続
されている。
が、制御手段１０の入力Ｒ及びＳに対する光結合器１４
．１６の接続が反転即ち逆転している。これらの静部分
の光結合器は、動部分の対応する光結合器に並列に接続
されている。
従って各部分の光結合器１６に与えられた「停止」制御
命令は、動部分の制御回路１０の入力Ｒと静部分の制御
回路１０の入力Ｓとを励起し、トランジスタ８Ｔ、２６
Ｔを遮断しトランジスタ８Ｒ，２６ＲＱ導通させる。
命令は、動部分の制御回路１０の入力Ｒと静部分の制御
回路１０の入力Ｓとを励起し、トランジスタ８Ｔ、２６
Ｔを遮断しトランジスタ８Ｒ，２６ＲＱ導通させる。
逆に、各部分の光結合器１６に与えられた「通過Ｊ制御
命令は、動部分の制御回路１０の入力Ｓと静部分の制御
回路１０の入力Ｒとを励起し、トランジスタ８Ｔ、２６
Ｔを導通させトランジスタ８Ｒ，２６Ｒを遮断する。
命令は、動部分の制御回路１０の入力Ｓと静部分の制御
回路１０の入力Ｒとを励起し、トランジスタ８Ｔ、２６
Ｔを導通させトランジスタ８Ｒ，２６Ｒを遮断する。
第２図から第５図に示す切換装置はノ１イブ１ルノド素
子の形態で作成された集積切換装置である。
子の形態で作成された集積切換装置である。
第２図から第５図の切換装置を製造するために例えば以
下の素子を使用し得る。
下の素子を使用し得る。
−Ｔｅｘａｓ ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＴＩＬ １５
５又はｆｌｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｃｌのＩＩＰＣＬ
２５０３又は［ｓｏｃｏｍのｌ５１１７１１タイプの
光結合器１４，１６、 −Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｒ
）ＣＤ ４００１ ＢＣＮ又はＭｏｔｏｒｏｌａのＭＣ
１４００１ＵＢ＾１スはＭＣＩ４００１ ＣＡＬタイプ
のＮＯＲゲートから形成されたＣＭＯＳ制御回路１０、
−Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒの
ＩＲＦ ０５０又はＩＲＦ１５０又は５ｉｌｉｃｏｎｉ
ｘのＳＭＭ ７ＯＮＯ５タイプのＭＯＳノ（ワートラン
ジスタ、 一５ａｆｔのＬＭ ２４２５又はＣａｔａｌｙｓｔ Ｒ
ｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏ−ｒａｔｉｏｎの１１６２
０タイプ又はμＰｏｗｅｒｃｅ ｌ ｌ ８３５タイプ
のリチウム蓄電池から成る電源１２、 −１２ＭΩ抵抗２２，２４゜ これらの素子を適当に選択及び配置することによって２
５ Ｘ ２５ Ｘ １５ｍｍ＋以下の寸法に小型化でき
るハイブリッド素子の形態の双安定切換装置が得られる
。
５又はｆｌｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｃｌのＩＩＰＣＬ
２５０３又は［ｓｏｃｏｍのｌ５１１７１１タイプの
光結合器１４，１６、 −Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｒ
）ＣＤ ４００１ ＢＣＮ又はＭｏｔｏｒｏｌａのＭＣ
１４００１ＵＢ＾１スはＭＣＩ４００１ ＣＡＬタイプ
のＮＯＲゲートから形成されたＣＭＯＳ制御回路１０、
−Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒの
ＩＲＦ ０５０又はＩＲＦ１５０又は５ｉｌｉｃｏｎｉ
ｘのＳＭＭ ７ＯＮＯ５タイプのＭＯＳノ（ワートラン
ジスタ、 一５ａｆｔのＬＭ ２４２５又はＣａｔａｌｙｓｔ Ｒ
ｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏ−ｒａｔｉｏｎの１１６２
０タイプ又はμＰｏｗｅｒｃｅ ｌ ｌ ８３５タイプ
のリチウム蓄電池から成る電源１２、 −１２ＭΩ抵抗２２，２４゜ これらの素子を適当に選択及び配置することによって２
５ Ｘ ２５ Ｘ １５ｍｍ＋以下の寸法に小型化でき
るハイブリッド素子の形態の双安定切換装置が得られる
。
本発明の切換装置の性能は主として、ＭＯＳパワー ト
ランジスタ即ちスイッチの形態で使用されるトランジス
タと制御回路の電源との選択に依存する。ＭＯＳパワー
トランジスタは用途に応じて、即ち高電圧又は低電圧の
信号を高電流又は低電流で遮断する必要があるか否かに
よって選択されねばならない。電源に関しては、端子間
の電圧が高いと高電流の場合でもスイッチの端子で電圧
降下が小さい。電源がバッテリーから成るときは、該バ
ッテリーのキャパシタンスが耐用寿命とスイッチング動
作の回数とを決定する。
ランジスタ即ちスイッチの形態で使用されるトランジス
タと制御回路の電源との選択に依存する。ＭＯＳパワー
トランジスタは用途に応じて、即ち高電圧又は低電圧の
信号を高電流又は低電流で遮断する必要があるか否かに
よって選択されねばならない。電源に関しては、端子間
の電圧が高いと高電流の場合でもスイッチの端子で電圧
降下が小さい。電源がバッテリーから成るときは、該バ
ッテリーのキャパシタンスが耐用寿命とスイッチング動
作の回数とを決定する。
本発明の直流用切換装置の性能特性を２５℃で測定した
。スイッチング電流Ｉが１０への場合、ＭＯＳトランジ
スタのピーク電流が３０八で電源が６ｖバツテリーから
成るとき、ＭＯＳトランジスタの端子で測定された電圧
降下は０．６５Ｖである。ＭＯＳトランジスタのピーク
電流が１６０八で電源がＩＯＶバッテリーから成るとき
、電圧降下の測定値は０．４Ｖである。
。スイッチング電流Ｉが１０への場合、ＭＯＳトランジ
スタのピーク電流が３０八で電源が６ｖバツテリーから
成るとき、ＭＯＳトランジスタの端子で測定された電圧
降下は０．６５Ｖである。ＭＯＳトランジスタのピーク
電流が１６０八で電源がＩＯＶバッテリーから成るとき
、電圧降下の測定値は０．４Ｖである。
スイッチング電流が大きく切換装置の端子の電圧降下が
臨界パラメータのとき、複数のＭＯＳパワートランジス
タを並列配置することが可能である。
臨界パラメータのとき、複数のＭＯＳパワートランジス
タを並列配置することが可能である。
本発明の切換装置のその他の特性値を以下に示す。
−スイッチング遅延＜３０Ｔ秒、
一抵抗増加時間≦１０μ秒、
一端子の最大電圧１００ｖ、
一動作温度−５５℃〜＋１２５℃、
−振動に対する軸の感受性無し、
一制御部と動作部との間の絶縁ビーク３５００Ｖ、−制
御電流５ｍ＾から、 一双安定素子内の制御信号の最小持続時間０．５μ秒、 一動作範囲は、ＭＯＳパワートランジスタの関数として
数ミリボルト、数マイクロアンペアから数百ポルｌ−１
５０アンペア未溝の広い範囲に及ぶ。
御電流５ｍ＾から、 一双安定素子内の制御信号の最小持続時間０．５μ秒、 一動作範囲は、ＭＯＳパワートランジスタの関数として
数ミリボルト、数マイクロアンペアから数百ポルｌ−１
５０アンペア未溝の広い範囲に及ぶ。
本発明の切換装置の寿命は電源に依存する。本発明の双
安定切換装置が２５℃で使用される場合、固定消費量は
約２１＾でスイッチング中の消費量はスイッチング時間
に対して０．５μ八である。
安定切換装置が２５℃で使用される場合、固定消費量は
約２１＾でスイッチング中の消費量はスイッチング時間
に対して０．５μ八である。
２００ｍＡＩＩバッテリーから成り毎年２％の老化損を
もつ電源は１０年間で約１０ｇ回のスイッチングが可能
であり、この間にバッテリーのキャパシタンスが半分し
か消耗しない。同じ消費量及び老化損の値をもつ５０ｍ
ＡＨのバッテリーの場合、スイッチング回数は約３００
Ｘ １０”回である。
もつ電源は１０年間で約１０ｇ回のスイッチングが可能
であり、この間にバッテリーのキャパシタンスが半分し
か消耗しない。同じ消費量及び老化損の値をもつ５０ｍ
ＡＨのバッテリーの場合、スイッチング回数は約３００
Ｘ １０”回である。
第２図から第５図に示す本発明の双安定切換装置におい
て、制御回路１０の電源１２はバッテリーがら成り、該
バッテリーはいくつかの用途では特に寸法に関する欠点
が生じる。この問題は、任意の給電ラインで充電できる
コンデンサをバッテリーに代替して用いることによって
解決できる。
て、制御回路１０の電源１２はバッテリーがら成り、該
バッテリーはいくつかの用途では特に寸法に関する欠点
が生じる。この問題は、任意の給電ラインで充電できる
コンデンサをバッテリーに代替して用いることによって
解決できる。
第６図は再充電可能コンデンサを含む電源１２をもつ本
発明の双安定切換装置を示す。この双安定切換装置は華
一方向性タイプであり、直流用である。電源１２を除く
切換装置の素子全部が第２図の切換装置と同じである。
発明の双安定切換装置を示す。この双安定切換装置は華
一方向性タイプであり、直流用である。電源１２を除く
切換装置の素子全部が第２図の切換装置と同じである。
第６図の具体例で、電源１２は主コンデンサ３８と副コ
ンデンサ４０とをもつ。主コンデンサ３８の各端子はス
イッチを介して制御回路１０の給電端子に接続されてい
る。スイッチは夫々、Ｐ形ＭＯＳ トランジスタ４２及
びＮ形ＭＯＳ トランジスタ４４から構成されている。
ンデンサ４０とをもつ。主コンデンサ３８の各端子はス
イッチを介して制御回路１０の給電端子に接続されてい
る。スイッチは夫々、Ｐ形ＭＯＳ トランジスタ４２及
びＮ形ＭＯＳ トランジスタ４４から構成されている。
補助コンデンサ４０は制御回路１０の給電端子に直結さ
れている。
れている。
電源１２はまた、４つの光結合器４６．４８，５０．５
２を含む。各光結合器はホトダイオードとホトトランジ
スタとを含み、４つの光結合器のホトダイオードは直列
に接続され切換装置の制御端子に接続されている。従っ
て、切換装置が停止命令又は通過命令のいずれか即ちス
イッチの開又は閉の命令のいずれかを受信すると電流が
ホトダイオードを通過する。このために停止命令及び通
過命令を受信するラインに保護ダイオード５５．５７が
配備されている。ｆｉｆｆｉ＆に、電源１２はツェナー
ダイオード５４を含み、該ツェナーダイオードは主コン
デンサ３８の充電電圧を決定する。
２を含む。各光結合器はホトダイオードとホトトランジ
スタとを含み、４つの光結合器のホトダイオードは直列
に接続され切換装置の制御端子に接続されている。従っ
て、切換装置が停止命令又は通過命令のいずれか即ちス
イッチの開又は閉の命令のいずれかを受信すると電流が
ホトダイオードを通過する。このために停止命令及び通
過命令を受信するラインに保護ダイオード５５．５７が
配備されている。ｆｉｆｆｉ＆に、電源１２はツェナー
ダイオード５４を含み、該ツェナーダイオードは主コン
デンサ３８の充電電圧を決定する。
停止信号又は通過信号のいずれか１つが切換装置に伝送
されると、光結合器４６．４８のホトトランジスタが導
通し、ツェナーダイオードと主コンデンサ３８とを並列
配置する。これにより主コンデンサ３８はツェナーダイ
オードの電圧に充電され得る。
されると、光結合器４６．４８のホトトランジスタが導
通し、ツェナーダイオードと主コンデンサ３８とを並列
配置する。これにより主コンデンサ３８はツェナーダイ
オードの電圧に充電され得る。
この同じ制御信号が光結合器５０．５２を導通させ、該
光結合器はＭＯＳ トランジスタ４２．４４を遮断して
制御回路１０を絶縁し得る。
光結合器はＭＯＳ トランジスタ４２．４４を遮断して
制御回路１０を絶縁し得る。
停止信号又は通過信号の１つが消滅すると、主コンデン
サ３８は充電電圧から絶縁され制御回路１０及び補助コ
ンデンサ４０に接続される。補助コンデンサ４０は主コ
ンデンサ３８の新しい充電中に制御回路に給電を続ける
。
サ３８は充電電圧から絶縁され制御回路１０及び補助コ
ンデンサ４０に接続される。補助コンデンサ４０は主コ
ンデンサ３８の新しい充電中に制御回路に給電を続ける
。
主コンデンサ３８が１００μＦのキャパシタンスをもつ
とき切換装置は８八で約９０分間作動し得る。実験及び
計算によれば、切換装置の動作を確保するためにはコン
デンサに毎時間の補給を行えば十分である。
とき切換装置は８八で約９０分間作動し得る。実験及び
計算によれば、切換装置の動作を確保するためにはコン
デンサに毎時間の補給を行えば十分である。
第６図の電源は例えば以下の素子から構成され得る。
−Ｔｅｘａｓ Ｉｎ５ｔｒｕ＋＋＋ｅｎｔｓ ＴＩＬ
１５５タイプの光結合器４６．４８，５０，５２、 一１００μＦ、ＺＯＶの主コンデンサ３８、−〇、１μ
Ｆ、２０Ｖタイプの補助コンデンサ４０、− ＢＺＸ８
５Ｃタイプの１−１６，２ｖのツェナーダイオード５４
、 −５ｉｌｉｃｏｎｉｘ ＶＱ２０旧タイプノＭｏｓトラ
ンジスタ４２、−５ｉｌｉｃｏｎｉｘ ＶＱＩＯ旧タイ
プノＭｏｓトランジスタ４４、− ＩＮ ４１４８タイ
プのダイオード５５．５７゜変形具体例によれば、電源
はｄ、ｃ、−ｄ、ｃ、コンバータによって給電される主
コンデンサ３８がら成ってもよい、第７図は、かがる電
源１２を備えた単一方向性ｄ、ｃ、双安定切換装置を含
む。電源１２の主コンデンサ３８は制御回路１０の給電
端子に直結している。このコンデンサはｄ、ｃ、−ｄ、
ｃ、コンバータ５９の二次コイルに接続されており、該
コンバータの一次コイルは切換装置から停止制御信号又
は通過制御信号を受信する。
１５５タイプの光結合器４６．４８，５０，５２、 一１００μＦ、ＺＯＶの主コンデンサ３８、−〇、１μ
Ｆ、２０Ｖタイプの補助コンデンサ４０、− ＢＺＸ８
５Ｃタイプの１−１６，２ｖのツェナーダイオード５４
、 −５ｉｌｉｃｏｎｉｘ ＶＱ２０旧タイプノＭｏｓトラ
ンジスタ４２、−５ｉｌｉｃｏｎｉｘ ＶＱＩＯ旧タイ
プノＭｏｓトランジスタ４４、− ＩＮ ４１４８タイ
プのダイオード５５．５７゜変形具体例によれば、電源
はｄ、ｃ、−ｄ、ｃ、コンバータによって給電される主
コンデンサ３８がら成ってもよい、第７図は、かがる電
源１２を備えた単一方向性ｄ、ｃ、双安定切換装置を含
む。電源１２の主コンデンサ３８は制御回路１０の給電
端子に直結している。このコンデンサはｄ、ｃ、−ｄ、
ｃ、コンバータ５９の二次コイルに接続されており、該
コンバータの一次コイルは切換装置から停止制御信号又
は通過制御信号を受信する。
ｄ、ｃ、 −ｄ、ｃ、コンバータはコンデンサ３８の適
正充電時間を確保すべく二次コイルに約２ｍＡを給電す
る必要がある。切換装置の所要保持位置に対応する停止
命令又は通過命令を毎時間与えることによって補充が行
なわれる。長期間使用しなかったときは最初のスイッチ
ング命令をやや長時間維持する必要がある。ｄ、ｃ、−
ｄ、ｃ、コンバータはＲｅａｌ ｉｂｉ Ｉ １−ｔｙ
Ｖ５８９タイプでよい。
正充電時間を確保すべく二次コイルに約２ｍＡを給電す
る必要がある。切換装置の所要保持位置に対応する停止
命令又は通過命令を毎時間与えることによって補充が行
なわれる。長期間使用しなかったときは最初のスイッチ
ング命令をやや長時間維持する必要がある。ｄ、ｃ、−
ｄ、ｃ、コンバータはＲｅａｌ ｉｂｉ Ｉ １−ｔｙ
Ｖ５８９タイプでよい。
第３図及び第５図に基づいて説明した本発明の両方向性
双安定切換装置において、両方向性は相互接続されたソ
ースと接合されたゲー１へとをもつＭＯＳパワートラン
ジスタ対の使用によって得られた。別の具体例では両方
向性を得るために、ｄ、ｃ 。
双安定切換装置において、両方向性は相互接続されたソ
ースと接合されたゲー１へとをもつＭＯＳパワートラン
ジスタ対の使用によって得られた。別の具体例では両方
向性を得るために、ｄ、ｃ 。
双安定切換装置をダイオードブリッジに配備する。
第８ａ図に示す開閉型切換装置１００の場合、両方向性
は、ダイオードブリッジ５８．６０’、６２．６４を付
加することによって得られた。これらのダイオードブリ
ッジの高電位点及び低電位点は夫々、切換装置のスイッ
チを形成するＭＯＳパワートランジスタ８のソース及び
ドレインに接続されている。
は、ダイオードブリッジ５８．６０’、６２．６４を付
加することによって得られた。これらのダイオードブリ
ッジの高電位点及び低電位点は夫々、切換装置のスイッ
チを形成するＭＯＳパワートランジスタ８のソース及び
ドレインに接続されている。
第８ｂ図は、動−静置の両方向性双安定切換装置を示す
、この切換装置は実質的に等しい２つの部分をもち、一
方は動機能に対応し他方は静機能に対応する。動機能を
実行する部分は第２図の切換装置と同じである。静機能
を実行する部分は動機能を実行する部分に基づき動部分
の光結合器１４゜１６と制御手段１０の入力Ｒ及びＳと
の間の接続を逆にしたものである。これらの光結合器は
動部分の対応する光結合器と並列に接続されている。
、この切換装置は実質的に等しい２つの部分をもち、一
方は動機能に対応し他方は静機能に対応する。動機能を
実行する部分は第２図の切換装置と同じである。静機能
を実行する部分は動機能を実行する部分に基づき動部分
の光結合器１４゜１６と制御手段１０の入力Ｒ及びＳと
の間の接続を逆にしたものである。これらの光結合器は
動部分の対応する光結合器と並列に接続されている。
従って、各部の光結合器１６に与えられた「停止ｊ制御
信号は、動部分の制御回路１ｏの入力Ｒと静部分の制御
回路１０の入力Ｓとを励起しトランジスタ８Ｔを遮断し
トランジスタ８Ｒを導通させる。逆に、各部の光結合器
１６に与えられた「通過」制御信号は、動部分の制御回
路１０の入力Ｓと静部分の制御回路１０の入力Ｒとを励
起しトランジスタ８Ｔを導通させトランジスタ８Ｒを遮
断する。
信号は、動部分の制御回路１ｏの入力Ｒと静部分の制御
回路１０の入力Ｓとを励起しトランジスタ８Ｔを遮断し
トランジスタ８Ｒを導通させる。逆に、各部の光結合器
１６に与えられた「通過」制御信号は、動部分の制御回
路１０の入力Ｓと静部分の制御回路１０の入力Ｒとを励
起しトランジスタ８Ｔを導通させトランジスタ８Ｒを遮
断する。
２つの部の各々において、両方向性はダイオードブリッ
ジによって確保される。トランジスタ８Ｔがダイオード
ブリッジ５８，６０，６２．６４に配置され、該トラン
ジスタのソースはダイオードブリッジの高電位点に接続
され、ドレインは低電位点に接続されている。ダイオー
ドブリッジの２つの他端は切換装置の動端子及び共通端
子に夫々接続されている。同様にして、トランジスタ８
Ｒはダイオードブリッジ６６．６８，７０．７２に配置
され、夫々の高電位点及び低電位点はトランジスタ８Ｒ
のソース及びドレインに夫々接続され、残りの２つの他
端は切換装置の静端子及び共通端子に夫々接続されてい
る。
ジによって確保される。トランジスタ８Ｔがダイオード
ブリッジ５８，６０，６２．６４に配置され、該トラン
ジスタのソースはダイオードブリッジの高電位点に接続
され、ドレインは低電位点に接続されている。ダイオー
ドブリッジの２つの他端は切換装置の動端子及び共通端
子に夫々接続されている。同様にして、トランジスタ８
Ｒはダイオードブリッジ６６．６８，７０．７２に配置
され、夫々の高電位点及び低電位点はトランジスタ８Ｒ
のソース及びドレインに夫々接続され、残りの２つの他
端は切換装置の静端子及び共通端子に夫々接続されてい
る。
ダイオードブリッジは単一方向性切換装置を両方向性切
換装置に容易に変形し得る。しかしながら第８ａ図及び
第８ｂ図の切換装置では第４図及び第７図の切換装置よ
りも切換装置端子の電圧降下が大きいことに注目された
い。この理由は電流がダイオードを１つでなく２つ通過
するためである。従ってダイオードブリッジを組み込ん
だ両方向性切換装置の端子の電圧降下は約１．２ｖであ
る。
換装置に容易に変形し得る。しかしながら第８ａ図及び
第８ｂ図の切換装置では第４図及び第７図の切換装置よ
りも切換装置端子の電圧降下が大きいことに注目された
い。この理由は電流がダイオードを１つでなく２つ通過
するためである。従ってダイオードブリッジを組み込ん
だ両方向性切換装置の端子の電圧降下は約１．２ｖであ
る。
第１図は静−動型双安定切換装置の公知構造の概略図、
第２図は本発明によるｄ、ｃ、用単一方向性開閉型双安
定切換装置の具体例の概略図、第３図は本発明のａ、ｅ
、用又はｄ、ｃ、用の両方向性開閉型双安定切換装置の
具体例の概略図、第４図は本発明のｄ、ｃ、用単一方向
性静−動型双安定切換装置の具体例の概略図、第５図は
本発明のａ、ｅ、用又はｄ、ｃ 。 用両方向性静−動型双安定切換装置の具体例の概略図、
第６図は給電手段がコンデンサとコンデンサ充電手段と
から構成されている本発明の切換装置の具体例の概略図
、第７図はコンデンサ充電手段がｄ、ｃ、−ｄ、ｃ、コ
ンバータから構成された第６図の切換装置の変形具体例
の概略図、第８ａ図及び第８ｂ図は夫々、ダイオードブ
リッジの付加によって両方向性に変形された開閉型及び
静−動量の両方向性切換装置の概略図である。 ４２・・・・・スイッチ、４．６・・・・・・スイッチ
ング制御回路、８・・・・・・トランジスタ、１０・・
・・・・制御回路、１２・・・・・・電源、１４．１６
・・・・・・光結合器、１８．２０・・・・・・ＮＯＲ
ゲート、２２．２４・・・・・・インピーダンス、２６
・・・・・・パワートランジスタ。 ｌ壬止卑争 貿〆お卑ｒ ＦＩＧ、 ４
第２図は本発明によるｄ、ｃ、用単一方向性開閉型双安
定切換装置の具体例の概略図、第３図は本発明のａ、ｅ
、用又はｄ、ｃ、用の両方向性開閉型双安定切換装置の
具体例の概略図、第４図は本発明のｄ、ｃ、用単一方向
性静−動型双安定切換装置の具体例の概略図、第５図は
本発明のａ、ｅ、用又はｄ、ｃ 。 用両方向性静−動型双安定切換装置の具体例の概略図、
第６図は給電手段がコンデンサとコンデンサ充電手段と
から構成されている本発明の切換装置の具体例の概略図
、第７図はコンデンサ充電手段がｄ、ｃ、−ｄ、ｃ、コ
ンバータから構成された第６図の切換装置の変形具体例
の概略図、第８ａ図及び第８ｂ図は夫々、ダイオードブ
リッジの付加によって両方向性に変形された開閉型及び
静−動量の両方向性切換装置の概略図である。 ４２・・・・・スイッチ、４．６・・・・・・スイッチ
ング制御回路、８・・・・・・トランジスタ、１０・・
・・・・制御回路、１２・・・・・・電源、１４．１６
・・・・・・光結合器、１８．２０・・・・・・ＮＯＲ
ゲート、２２．２４・・・・・・インピーダンス、２６
・・・・・・パワートランジスタ。 ｌ壬止卑争 貿〆お卑ｒ ＦＩＧ、 ４
Claims (10)
- （１）少なくとも１つのＭＯＳパワートランジスタを組
み込んだ少なくとも２つの端子をもつスイッチと、「１
」設定用入力と「０」設定用入力とスイッチの少なくと
も１つのＭＯＳパワートランジスタのゲートに接続され
た少なくとも１つの制御出力とをもつ双安定フリップフ
ロップから成るＭＯＳテクノロジイ制御回路と、該回路
に給電する集積電源と、各々が電気スイッチング制御信
号を受信して該信号を制御回路の１つの入力に伝送する
２つの光結合器とを含み、各光結合器が切換装置の電気
絶縁を確保することを特徴とする集積双安定電子切換装
置。 - （２）単一ＭＯＳパワートランジスタを含み、該トラン
ジスタのドレイン及びソースがスイッチの端子を構成し
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
開閉型双安定切換装置。 - （３）ダイオードブリッジを含み、該ダイオードブリッ
ジの高電位点及び低電位点がスイッチの端子に接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の
両方向性双安定切換装置。 - （４）２つのＭＯＳパワートランジスタを含み、該トラ
ンジスタが共通ソースと接合ゲートとをもち、該トラン
ジスタのドレインがスイッチの端子を構成していること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の開閉型双安
定切換装置。 - （５）開状態のスイッチからのスイッチング信号及び閉
状態のスイッチからのスイッチング信号を夫々伝送する
２つの光結合器を含み、制御回路が相補的な２つの出力
をもつことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第４
項に記載の双安定切換装置。 - （６）２つのＭＯＳパワートランジスタを含み、該トラ
ンジスタのソースが共通でスイッチの共通端子を構成し
、該トランジスタのドレインが夫々ダイオードのカソー
ドに接続され、該ダイオードのアノードはスイッチの静
端子と動端子とを構成し、２つの光結合器は夫々、動状
態のスイッチからのスイッチング信号及び静状態のスイ
ッチからのスイッチング信号を伝送し、制御回路が、相
補的な２つの信号をスイッチの２つのＭＯＳトランジス
タのゲートに伝送するための２つの出力をもつことを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の静−動型双安定
切換装置。 - （７）動端子と静端子と共通端子とを備えたスイッチを
含み、該スイッチが第１及び第２のＭＯＳパワートラン
ジスタをもち、各ＭＯＳパワートランジスタ毎に、「１
」設定入力と「０」設定入力と前記ＭＯＳパワートラン
ジスタのゲートに接続された少なくとも１つの制御出力
とをもつ双安定フリップフロップから成るＭＯＳ制御回
路と、前記制御回路に給電する集積電源と、各々が１つ
の電気スイッチング制御信号を受信し制御回路の入力に
各信号を伝送する２つの光結合器と、第１ダイオードブ
リッジと、第２ダイオードブリッジとが備えられており
、各光結合器が切換装置の電気絶縁を確保し、２つのＭ
ＯＳトランジスタに関連する制御回路は同じ電気スイッ
チング制御信号を受信して互いに反対符号の信号を該Ｍ
ＯＳトランジスタのゲートに供給し、前記第１ダイオー
ドブリッジの両端はスイッチの動端子及び共通端子に接
続されその高電位点及び低電位点が夫々第１ＭＯＳパワ
ートランジスタのソース及びドレインに接続され、前記
第２ダイオードブリッジの両端はスイッチの静端子及び
共通端子に夫々接続されその高電位点及び低電位点は夫
々第２ＭＯＳパワートランジスタのソース及びドレイン
に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の静−動型両方向性双安定切換装置。 - （８）動端子と静端子と共通端子とを備えたスイッチを
含み、該スイッチが第１グループの２つのＭＯＳトラン
ジスタと第２グループの２つのＭＯＳトランジスタをも
ち、第１グループのＭＯＳトランジスタは共通ソース及
び接合ゲートをもち、該ＭＯＳトランジスタのドレイン
がスイッチの動端子及び静端子に夫々接続され、第２グ
ループのＭＯＳトランジスタは共通ソース及び接合ゲー
トをもち、該ＭＯＳトランジスタのドレインがスイッチ
の静端子及び共通端子に夫々接続され、各グループのＭ
ＯＳトランジスタ毎に、「１」設定入力と「０」設定入
力と前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続された少な
くとも１つの制御出力とを備えた双安定フリップフロッ
プから成るＭＯＳ制御回路と、前記制御回路に給電する
集積電源と、各々が１つの電気スイッチング制御信号を
受信し制御回路の制御入力に該信号を伝送する２つの光
結合器とが備えられており、各光結合器が切換装置の電
気絶縁を確保し、２つのＭＯＳトランジスタに関連する
制御回路は同じ電気スイッチング制御信号を受信して互
いに反対符号の信号を各グループのＭＯＳトランジスタ
のゲートに供給することを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の静−動型両方向性双安定切換装置。 - （９）電源がバッテリーから形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の切換装置。 - （１０）電源がコンデンサと該コンデンサの再充電手段
とを含み、該再充電手段は光結合器に伝送されたスイッ
チング制御信号によって給電されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の切換装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8614006 | 1986-10-08 | ||
| FR8614006A FR2605161B1 (fr) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | Commutateur electronique a faible chute de tension |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102417A true JPS63102417A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=9339667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62253441A Pending JPS63102417A (ja) | 1986-10-08 | 1987-10-07 | 電圧降下の小さい集積双安定電子切換装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4801821A (ja) |
| EP (1) | EP0265315B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63102417A (ja) |
| AT (1) | ATE67905T1 (ja) |
| CA (1) | CA1275311C (ja) |
| DE (1) | DE3773326D1 (ja) |
| ES (1) | ES2026930T3 (ja) |
| FR (1) | FR2605161B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2627917A1 (fr) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Radiotechnique Compelec | Element de memoire du type maitre-esclave et bascule pour diviseur de frequence par 2 comportant de tels elements de memoire |
| JPH02308575A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Nissan Motor Co Ltd | 光検出セル |
| WO1991001596A1 (en) * | 1989-07-25 | 1991-02-07 | Shah Reza H | Ultrasonic remote controlled switching device |
| US5170059A (en) * | 1990-10-31 | 1992-12-08 | Sullair Corporation | Optically coupled fast turn off load switch drive |
| US5693952A (en) * | 1995-12-18 | 1997-12-02 | Sulzer Intermedics Inc. | Optically controlled high-voltage switch for an implantable defibrillator |
| DE19847812C2 (de) * | 1998-01-15 | 2000-06-08 | Jovan Antula | Elektronisches Lastrelais |
| US6555935B1 (en) * | 2000-05-18 | 2003-04-29 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Apparatus and method for fast FET switching in a digital output device |
| DE10241564B3 (de) * | 2002-09-07 | 2004-01-15 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zur Fehlererkennung in der Datenübertragung zu einer Treiberschaltung |
| AT500434B8 (de) * | 2003-04-02 | 2007-02-15 | Lunatone Ind Elektronik Gmbh | Vorrichtung zur potentialgetrennten ankoppelung an ein zweidraht-feldbussystem |
| US7924082B2 (en) * | 2006-05-26 | 2011-04-12 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driving configuration of a switch |
| EP1860775A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Driving configuration of a switch |
| US8035423B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-10-11 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driving configuration of a switch |
| US7902532B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-03-08 | General Electric Company | Systems and methods involving transducer signals |
| US10523198B1 (en) | 2018-08-19 | 2019-12-31 | Littelfuse, Inc. | Optically isolated latching solid state relay with low on resistance and linear operation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279646A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Toshiba Corp | Light coupling flip-flop circuit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753699B2 (ja) * | 1973-04-19 | 1982-11-15 | ||
| US4603324A (en) * | 1982-09-29 | 1986-07-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tone-pip-signal generator |
| US4603234A (en) * | 1983-04-04 | 1986-07-29 | Gte Lenkurt Incorporated | Switching circuit including current limiting and initializing signal isolation |
| EP0177148A3 (en) * | 1984-08-29 | 1987-06-03 | Unisys Corporation | Power supplies using mosfet devices |
-
1986
- 1986-10-08 FR FR8614006A patent/FR2605161B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-10-05 CA CA000548617A patent/CA1275311C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-06 ES ES198787402215T patent/ES2026930T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-06 EP EP87402215A patent/EP0265315B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-06 DE DE8787402215T patent/DE3773326D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-06 AT AT87402215T patent/ATE67905T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-10-07 JP JP62253441A patent/JPS63102417A/ja active Pending
- 1987-10-08 US US07/106,555 patent/US4801821A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279646A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Toshiba Corp | Light coupling flip-flop circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0265315B1 (fr) | 1991-09-25 |
| FR2605161A1 (fr) | 1988-04-15 |
| EP0265315A1 (fr) | 1988-04-27 |
| ES2026930T3 (es) | 1992-05-16 |
| CA1275311C (en) | 1990-10-16 |
| FR2605161B1 (fr) | 1991-09-13 |
| US4801821A (en) | 1989-01-31 |
| DE3773326D1 (de) | 1991-10-31 |
| ATE67905T1 (de) | 1991-10-15 |
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