JPS63102328U - - Google Patents

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JPS63102328U
JPS63102328U JP19673786U JP19673786U JPS63102328U JP S63102328 U JPS63102328 U JP S63102328U JP 19673786 U JP19673786 U JP 19673786U JP 19673786 U JP19673786 U JP 19673786U JP S63102328 U JPS63102328 U JP S63102328U
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JP
Japan
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diode
transistor
capacitor
emitter
end electrode
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Application number
JP19673786U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例の回路図、第2図Aお
よびBは、それぞれ第1図示の回路におけるベー
ス電流波形およびコレクタ電流波形を示す図、第
3図はパワートランジスタを示す図、第4図Aお
よびBはそれぞれパワートランジスタのベース電
流波形およびコレクタ電流波形を示す図、第5図
は従来のスイツチング回路図、第6図AおよびB
はそれぞれ第5図示の回路におけるベース電流波
形およびコレクタ電流波形を示す図、第7図はベ
ース電流IBとコレクタ電流の立上り時間ton
の関係を示す特性図である。 1…パワートランジスタ、C…コンデンサ、R
e…抵抗、D1,D2…ダイオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. トランジスタのベースにアノード側が接続され
    るよう第1のダイオードが接続されており、該第
    1のダイオードのカソード側にコンデンサの一端
    電極が接続され、該コンデンサの他端電極が前記
    トランジスタのエミツタに抵抗を介して接続され
    、かつ該抵抗と並列にアノード側が前記トランジ
    スタのエミツタ側となるよう第2のダイオードが
    接続されていることを特徴とする半導体回路。
JP19673786U 1986-12-23 1986-12-23 Pending JPS63102328U (ja)

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JP19673786U JPS63102328U (ja) 1986-12-23 1986-12-23

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JP19673786U JPS63102328U (ja) 1986-12-23 1986-12-23

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JPS63102328U true JPS63102328U (ja) 1988-07-04

Family

ID=31155821

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JP19673786U Pending JPS63102328U (ja) 1986-12-23 1986-12-23

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