JPS629770A - ベ−パ−リフロ−装置 - Google Patents
ベ−パ−リフロ−装置Info
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- JPS629770A JPS629770A JP15042485A JP15042485A JPS629770A JP S629770 A JPS629770 A JP S629770A JP 15042485 A JP15042485 A JP 15042485A JP 15042485 A JP15042485 A JP 15042485A JP S629770 A JPS629770 A JP S629770A
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- tank
- reflow
- conduit
- upstream
- Prior art date
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
- B23K1/015—Vapour-condensation soldering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特殊な蒸気の凝縮熱を利用してはんだ付けを
行なう、ペーノ＃ −リフ ａ−装置に関する。
行なう、ペーノ＃ −リフ ａ−装置に関する。
本発明は連続処理型のペーパーリフ０−装置において、
基板及び電子部品を上流側導管内、もしくは予熱タンク
内で気化潜熱を利用して予熱することによって、ぺ−１
９−リフロー装置の本来の特長を損うことなく、電子部
品に対する熱衝撃を緩和するようにしたものである。
基板及び電子部品を上流側導管内、もしくは予熱タンク
内で気化潜熱を利用して予熱することによって、ぺ−１
９−リフロー装置の本来の特長を損うことなく、電子部
品に対する熱衝撃を緩和するようにしたものである。
最近の電子装置の小形化の要望に応えて、ＩＣ／Ｃ／グ
ツケージラット化、抵抗器及びコンデンサ等のチップ化
など、高密度実装に適するように、電子部品の小形化が
急速に進展している。
ツケージラット化、抵抗器及びコンデンサ等のチップ化
など、高密度実装に適するように、電子部品の小形化が
急速に進展している。
この電子部品の小形化に対応して、電子部品を実装する
ためのはんだ付は技術としては、従来の浸漬はんだ付け
に代わって、リフロー（Ｒ・ｆｌｏｗ）はんだ付けが用
いられるようになった。
ためのはんだ付は技術としては、従来の浸漬はんだ付け
に代わって、リフロー（Ｒ・ｆｌｏｗ）はんだ付けが用
いられるようになった。
リフローはんだ付けは、被接合部品に予めはんだをプリ
コートするか、またはクリーム状などの適当な形状のは
んだを供給し、位置決めした後、熱のみもしくは熱及び
圧力を用いて、はんだ付けを行なうものであシ、その熱
源としては、ジュール熱、赤外線、気化潜熱などがある
。
コートするか、またはクリーム状などの適当な形状のは
んだを供給し、位置決めした後、熱のみもしくは熱及び
圧力を用いて、はんだ付けを行なうものであシ、その熱
源としては、ジュール熱、赤外線、気化潜熱などがある
。
このうち、ジュール熱によるリフローでは、形状の異な
る部品をはんだ付けする場合、ジュール熱を発生させる
九めのヒータチップの交換が必要である。また、赤外練
和よるリフローでは、比較的大形の部品と小形の部品と
が混在する場合、大形部品及び小形部品の双方に適切な
はんだ付は条件（ヒータ温度等）の設定が困難である。
る部品をはんだ付けする場合、ジュール熱を発生させる
九めのヒータチップの交換が必要である。また、赤外練
和よるリフローでは、比較的大形の部品と小形の部品と
が混在する場合、大形部品及び小形部品の双方に適切な
はんだ付は条件（ヒータ温度等）の設定が困難である。
更に、基板の投入間隔や個々の基板の熱容量に応じてヒ
ータ温度等を制御して、各基板の温度上昇率を一定に保
ち、どの基板も同一の条件ではんだ付けが行なわれるよ
うにすることが必要である。
ータ温度等を制御して、各基板の温度上昇率を一定に保
ち、どの基板も同一の条件ではんだ付けが行なわれるよ
うにすることが必要である。
これに対して、気化潜熱によるリフローでは、特殊な液
体の蒸気の凝縮熱を利用するものであるから、被接合部
品の形状等にあまシ関係なく、全体が均一に熱せられる
ため、形状の異なる多数の部品を均一に同時に接合する
ことができる。伝熱用の特殊な液体には、例えば、フル
オリネーテツド・へイドロカーがン（Ｆ１ｕｏｒｌｎａ
ｔ＠ｄ Ｈｙｄｒｏ Ｃａｒｂｏｎ）（フッ素化炭化水
素、以下ＦＨＣと略称する）、就中、米国３Ｍ社の製品
であるＦＣ−７０が広く用いられている。このＦＣ−７
０の沸点は２１５℃であって、融点が１８３℃の共晶は
んだ（錫６３％ 、鉛３７％ ＞や、共晶はんだに近い
組成（錫６０％ 、鉛４０係）のはんだのりフローに好
適である。
体の蒸気の凝縮熱を利用するものであるから、被接合部
品の形状等にあまシ関係なく、全体が均一に熱せられる
ため、形状の異なる多数の部品を均一に同時に接合する
ことができる。伝熱用の特殊な液体には、例えば、フル
オリネーテツド・へイドロカーがン（Ｆ１ｕｏｒｌｎａ
ｔ＠ｄ Ｈｙｄｒｏ Ｃａｒｂｏｎ）（フッ素化炭化水
素、以下ＦＨＣと略称する）、就中、米国３Ｍ社の製品
であるＦＣ−７０が広く用いられている。このＦＣ−７
０の沸点は２１５℃であって、融点が１８３℃の共晶は
んだ（錫６３％ 、鉛３７％ ＞や、共晶はんだに近い
組成（錫６０％ 、鉛４０係）のはんだのりフローに好
適である。
まず、第４図及び第５図を参照しながら、従来のべ−ｉ
！ −リフロー装置について説明する。
！ −リフロー装置について説明する。
従来のべ−ｔ４−リフ０−装置の構成例を第４図に示す
。この従来装置は、例えば、雑誌「電子材料Ｊ １９８
４年９月号（昭和５９年９月１日株式会社工業調査会発
行）の第８８〜９０頁に記載されている。
。この従来装置は、例えば、雑誌「電子材料Ｊ １９８
４年９月号（昭和５９年９月１日株式会社工業調査会発
行）の第８８〜９０頁に記載されている。
第４図において、０℃はりフロータンクであって、伝熱
媒体となるＦＨＣがその下部に貯溜される。タン久（ロ
）内のＦＨＣはヒータ（２）で加熱されて沸騰液ＢＬと
なり、タンクα℃の上部に配設された冷却コイル（至）
との間に飽和蒸気Ｖが充満する。この飽和蒸気Ｖの中へ
、多種多様の電子部品を積載した基板ＰＢが、コンベヤ
α４によって、上流側導管内を通って搬入されると、室
温の電子部品及び基板の表面に飽和蒸気Ｖが凝縮する。
媒体となるＦＨＣがその下部に貯溜される。タン久（ロ
）内のＦＨＣはヒータ（２）で加熱されて沸騰液ＢＬと
なり、タンクα℃の上部に配設された冷却コイル（至）
との間に飽和蒸気Ｖが充満する。この飽和蒸気Ｖの中へ
、多種多様の電子部品を積載した基板ＰＢが、コンベヤ
α４によって、上流側導管内を通って搬入されると、室
温の電子部品及び基板の表面に飽和蒸気Ｖが凝縮する。
このとき放出される気化潜熱によって、基板及び電子部
品の温度が、第５図に示すように、室温からＦＨＣの沸
点（２１５℃）−ｉ！で上昇し、予め供給されていたク
リームはんだが溶融して、電子部品と基板とのはんだ付
けが行なわれる。コンベアα◆が所定の速度で走行して
、基板ＰＲがタンクＣ１ηから下流側導管αＱを通って
搬出され、飽和蒸気Ｖの外に出ると、基板及び電子部品
の温度が低下し、はんだが固化して、はんだ付けが完了
する。
品の温度が、第５図に示すように、室温からＦＨＣの沸
点（２１５℃）−ｉ！で上昇し、予め供給されていたク
リームはんだが溶融して、電子部品と基板とのはんだ付
けが行なわれる。コンベアα◆が所定の速度で走行して
、基板ＰＲがタンクＣ１ηから下流側導管αＱを通って
搬出され、飽和蒸気Ｖの外に出ると、基板及び電子部品
の温度が低下し、はんだが固化して、はんだ付けが完了
する。
なお、飽和蒸気Ｖの流失を防止するため、両導管（至）
、αＱはりフロータンクαｌ■に設けた冷却コイルＣ１
？） 、 ａｓによってそれぞれ冷却され、凝集し几Ｆ
ＨＣはタンクα℃内に還流される。
、αＱはりフロータンクαｌ■に設けた冷却コイルＣ１
？） 、 ａｓによってそれぞれ冷却され、凝集し几Ｆ
ＨＣはタンクα℃内に還流される。
冷却コイルα力に囲まれた導管四の内部においては、Ｆ
ＨＣの蒸気と既に凝縮したＦＨＣとが混在しておシ、蒸
気密度はタンク（ロ）から遠ざかる程低くなるので、搬
入された基板が蒸気の凝縮熱によって加熱される度合は
タンクα力に近付く程大きくなる。
ＨＣの蒸気と既に凝縮したＦＨＣとが混在しておシ、蒸
気密度はタンク（ロ）から遠ざかる程低くなるので、搬
入された基板が蒸気の凝縮熱によって加熱される度合は
タンクα力に近付く程大きくなる。
従って、導管（至）の内部の等価温度は、冷却コイルα
ηの搬入側の端部からタンク（Ｌｌ）までの冷却部で室
温からＦＨＣの沸点（２１５℃）まで、単調に上昇する
と着像すことができる。
ηの搬入側の端部からタンク（Ｌｌ）までの冷却部で室
温からＦＨＣの沸点（２１５℃）まで、単調に上昇する
と着像すことができる。
上述ノようなペーパ４−リフローによれば、気化潜熱を
利用するため、基板の熱容量やその投入間隔が一様でな
くても、基板の加熱温度は制御操作なしに一定に浸るゆ
で、自動化が容易であり、量産に適している。
利用するため、基板の熱容量やその投入間隔が一様でな
くても、基板の加熱温度は制御操作なしに一定に浸るゆ
で、自動化が容易であり、量産に適している。
ところが、従来の４−／１−リフロー装置では、基板及
び電子部品が飽和蒸気Ｖの中にはいると、第５図に示す
ように、基板及び電子部品の温度が室温からＦＨＣの沸
点まで短時間に上昇してしまい、基板及び電子部品に対
する熱衝撃（サーマルショック）が大きく、特にＩＣの
リードフレームとモールド／？ツケージの附近にクラッ
クが発生し、ＩＣが損傷するという問題があった。
び電子部品が飽和蒸気Ｖの中にはいると、第５図に示す
ように、基板及び電子部品の温度が室温からＦＨＣの沸
点まで短時間に上昇してしまい、基板及び電子部品に対
する熱衝撃（サーマルショック）が大きく、特にＩＣの
リードフレームとモールド／？ツケージの附近にクラッ
クが発生し、ＩＣが損傷するという問題があった。
また、コンベヤα４の速度を遅くすれば、熱衝撃は緩和
されるが、電子部品が高温の飽和蒸気Ｖの中に滞留する
時間が長くなり、部品、特にＩＣの損傷が多く々るとい
う問題があった。
されるが、電子部品が高温の飽和蒸気Ｖの中に滞留する
時間が長くなり、部品、特にＩＣの損傷が多く々るとい
う問題があった。
上述のような問題点を解決するために、第６図に示すよ
うに、第４図の従来のべ一ノ々−リフロー装置の上流側
導管（至）の中間に予熱部α呻を設け、第７図に示すよ
うに、基板（及び電子部品）の温度上昇を緩かにすると
共に、高温蒸気中の滞留時間を延長しないペーパーリフ
０−装置が提案されている。
うに、第４図の従来のべ一ノ々−リフロー装置の上流側
導管（至）の中間に予熱部α呻を設け、第７図に示すよ
うに、基板（及び電子部品）の温度上昇を緩かにすると
共に、高温蒸気中の滞留時間を延長しないペーパーリフ
０−装置が提案されている。
しかしながら、第６図のべ一ノｆ−リフロー装置では、
予熱部α傷にヒータ（１）を用いているため、基板の熱
容量に応じてヒータ（１）の温度を制御すること、基板
の投入間隔を一定にすることなどが必要となり、ペーパ
−リフ０−装置本来の特長である取扱いの容易さが失わ
れるという問題があった。
予熱部α傷にヒータ（１）を用いているため、基板の熱
容量に応じてヒータ（１）の温度を制御すること、基板
の投入間隔を一定にすることなどが必要となり、ペーパ
−リフ０−装置本来の特長である取扱いの容易さが失わ
れるという問題があった。
また、１９８３年１０月５日に米国オフ１イオ州シンシ
ナティ市で開催されたソサイエテイ・フォー・ジ・アド
パンスメント・オツ・マテリアル・アンド・プロセス・
エンジニア １Ｊンク（８０ＣＩＫＴＹ ＦＯＲＴＨＥ
ＡＤＶＡＮＣＥＭＥＮＴ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬ
ＡＮＤ ＰＲＯＣＥＳＳＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ ）
＋７）年次大会の論文集の第３８〜４０頁には、第８図
に示すような、パッチ型の２重ぺｐ４−リフロー装置が
記載されている。
ナティ市で開催されたソサイエテイ・フォー・ジ・アド
パンスメント・オツ・マテリアル・アンド・プロセス・
エンジニア １Ｊンク（８０ＣＩＫＴＹ ＦＯＲＴＨＥ
ＡＤＶＡＮＣＥＭＥＮＴ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬ
ＡＮＤ ＰＲＯＣＥＳＳＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ ）
＋７）年次大会の論文集の第３８〜４０頁には、第８図
に示すような、パッチ型の２重ぺｐ４−リフロー装置が
記載されている。
第８図の装置においては、深い開放タンク四の下部に溜
められたＦＨＣ及びこれよシ沸点の低い液（例えば冷媒
用の３クロロ３フルオロエタン等）との混合液がヒータ
（イ）で加熱されて沸騰液ＢＬとなシ、タンク？やの内
部には、下層にＦＨＣの飽和蒸気■が満たされ、その上
に低沸点の液の蒸気Ｖ、の層が形成される。エレベータ
に）と移送機構（ハ）とによって、タンク？）の上に設
けられたハウジング（ハ）の窓（ハ）から搬入された基
板ＰＢがＦＨＣの飽和蒸気Ｖの中に運ばれる。冷却コイ
ルに）、（至）は２層の蒸気Ｖ及びＶの高さを制限する
。
められたＦＨＣ及びこれよシ沸点の低い液（例えば冷媒
用の３クロロ３フルオロエタン等）との混合液がヒータ
（イ）で加熱されて沸騰液ＢＬとなシ、タンク？やの内
部には、下層にＦＨＣの飽和蒸気■が満たされ、その上
に低沸点の液の蒸気Ｖ、の層が形成される。エレベータ
に）と移送機構（ハ）とによって、タンク？）の上に設
けられたハウジング（ハ）の窓（ハ）から搬入された基
板ＰＢがＦＨＣの飽和蒸気Ｖの中に運ばれる。冷却コイ
ルに）、（至）は２層の蒸気Ｖ及びＶの高さを制限する
。
上層の蒸気Ｖ、は８５〜１０７℃程度に過熱されている
ので、エレベータ翰に積載された基板ＰＢをとの上層の
蒸気Ｖの中に適宜時間滞留させてから、下層のＦＨＣの
飽和蒸気Ｖの中に入れるようにすれば、基板ＰＲ及び電
子部品に対する熱衝撃を緩和することができる。
ので、エレベータ翰に積載された基板ＰＢをとの上層の
蒸気Ｖの中に適宜時間滞留させてから、下層のＦＨＣの
飽和蒸気Ｖの中に入れるようにすれば、基板ＰＲ及び電
子部品に対する熱衝撃を緩和することができる。
しかしながら、第８図の２重ベーパーリフロー装置は、
パッチ型であって、量産品の処理には適さないという問
題があつ九。
パッチ型であって、量産品の処理には適さないという問
題があつ九。
かかる点に鑑み、本発明の目的は、本来の取扱いの容易
さ及びｔ量適性を保ちながら、電子部品の熱衝撃を緩和
したペーパーリフ０−装置を提供するところにある。
さ及びｔ量適性を保ちながら、電子部品の熱衝撃を緩和
したペーパーリフ０−装置を提供するところにある。
第１の本発明は、所要温度の飽和蒸気Ｖを貯溜するリフ
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクＣ１，）内に搬入し、搬出するコンベヤ（ロ
）、（ハ）と、す７０一タンクα℃の上流側及び下流側
に、コンベヤに）、（ハ）をそれぞれ囲繞するように配
設された上流側導管（ト）及び下流側導管０Ｑとヲ有す
るぺ一／＃−リフロー装置において、コンペヤ（財）、
（ハ）を上流側導管（６）内のりフロータンクα箇の近
傍において上流側と下流側とに分割し、下流側コンベヤ
（ハ）を所定速度で走行させると共に、上流側コンベヤ
■を所定速度よりも遅い速度で走行させるようにしたべ
一ノ譬−リフロー装置である。
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクＣ１，）内に搬入し、搬出するコンベヤ（ロ
）、（ハ）と、す７０一タンクα℃の上流側及び下流側
に、コンベヤに）、（ハ）をそれぞれ囲繞するように配
設された上流側導管（ト）及び下流側導管０Ｑとヲ有す
るぺ一／＃−リフロー装置において、コンペヤ（財）、
（ハ）を上流側導管（６）内のりフロータンクα箇の近
傍において上流側と下流側とに分割し、下流側コンベヤ
（ハ）を所定速度で走行させると共に、上流側コンベヤ
■を所定速度よりも遅い速度で走行させるようにしたべ
一ノ譬−リフロー装置である。
第２の本発明は、所要温度の飽和蒸気Ｖを貯溜するリフ
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクα力内に搬入し、搬出するコンベヤα→と、
リフロータンク（Ｌｌ）の上流側及び下流側に、コンベ
ヤα４をそれぞれ囲繞するように配設された上流側導管
（２）及び下流側導管αＱとを有するペー／４’ −リ
フ０−装置において、上流側導管（至）のりフロータン
クロ乃寄シに延長部に）を設けたペーパーリフ０−装置
である。
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクα力内に搬入し、搬出するコンベヤα→と、
リフロータンク（Ｌｌ）の上流側及び下流側に、コンベ
ヤα４をそれぞれ囲繞するように配設された上流側導管
（２）及び下流側導管αＱとを有するペー／４’ −リ
フ０−装置において、上流側導管（至）のりフロータン
クロ乃寄シに延長部に）を設けたペーパーリフ０−装置
である。
第３の本発明は、所要温度の飽和蒸気Ｖを貯溜するリフ
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクα珍内に搬入し、搬出するコンベヤα◆と、
リフロータンクαηの上流側及び下流側に、コンベヤα
◆をそれぞれ囲繞するように配設された上流側導管μｓ
及び下流側導管αＱとを有するベーパーリフロー装置に
おいて、所要温度よシ低温の飽和蒸気Ｖ、を貯溜する予
熱タンク０］）をリフロータンクα力の上流側に設けた
べ一ノ臂−°リフロー装置である。
ロータンクα力と、電子部品を積載した基板ＰＲをリフ
ロータンクα珍内に搬入し、搬出するコンベヤα◆と、
リフロータンクαηの上流側及び下流側に、コンベヤα
◆をそれぞれ囲繞するように配設された上流側導管μｓ
及び下流側導管αＱとを有するベーパーリフロー装置に
おいて、所要温度よシ低温の飽和蒸気Ｖ、を貯溜する予
熱タンク０］）をリフロータンクα力の上流側に設けた
べ一ノ臂−°リフロー装置である。
かかる構成によれば、基［ＰＢ及び電子部品は上流側導
管（イ）内、もしくは予熱タンク０η内で気化潜熱によ
り予熱された後でリフロータンクｃＡｎ内に搬入され、
電子部品に対する熱衝撃が緩和される。
管（イ）内、もしくは予熱タンク０η内で気化潜熱によ
り予熱された後でリフロータンクｃＡｎ内に搬入され、
電子部品に対する熱衝撃が緩和される。
以下、第１図を参照しながら、第１の本発明によるペー
パ−リフ０−装置の一実鶏例について説明する。
パ−リフ０−装置の一実鶏例について説明する。
第１の本発明の一実施例の構成を第１図に示す。
この第１図において、第４図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。
符号を付して重複説明を省略する。
第１図において、■及び（ハ）はそれぞれ上流側及び下
流側のコンベヤであって、上流側のコンベア（２）の終
端（２７ｆ）とこれに近接する下流側のコンベヤ（至）
の始端（２８ｍ）とが上流側導管（イ）内でタンクα℃
の近傍に位置するように配設される。その余の構成は第
４図の従来装置と同様である。
流側のコンベヤであって、上流側のコンベア（２）の終
端（２７ｆ）とこれに近接する下流側のコンベヤ（至）
の始端（２８ｍ）とが上流側導管（イ）内でタンクα℃
の近傍に位置するように配設される。その余の構成は第
４図の従来装置と同様である。
下流側のコンベヤ（ハ）は、第４図の従来装置のコンベ
ヤα尋と同様に、基板ＰＲが飽和蒸気Ｖの中に所定時間
滞留するような所定の速度で走行する。一方、上流側の
コンベヤ（ロ）の速度は、この所定速度に比べて、かな
シ低く設定される。
ヤα尋と同様に、基板ＰＲが飽和蒸気Ｖの中に所定時間
滞留するような所定の速度で走行する。一方、上流側の
コンベヤ（ロ）の速度は、この所定速度に比べて、かな
シ低く設定される。
このため、上流側コンベヤ（ロ）に積載された基板ＰＲ
は、前述のように、内部の等価温度が単調に上昇してい
る、上流側導管（６）の冷却部を低速で移送され、基板
ＰＢ及び電子部品の温度は、前出第７図に示すように、
徐々に上昇して熱衝撃が緩和される。基板ＰＢは、タン
クα℃の近傍で、上流側コンベヤ■から下流側コンベヤ
（至）に乗シ移シ、タンクαρ内の飽和蒸気Ｖの中でリ
フロー処理されて、導管（ト）を通って搬出される。
は、前述のように、内部の等価温度が単調に上昇してい
る、上流側導管（６）の冷却部を低速で移送され、基板
ＰＢ及び電子部品の温度は、前出第７図に示すように、
徐々に上昇して熱衝撃が緩和される。基板ＰＢは、タン
クα℃の近傍で、上流側コンベヤ■から下流側コンベヤ
（至）に乗シ移シ、タンクαρ内の飽和蒸気Ｖの中でリ
フロー処理されて、導管（ト）を通って搬出される。
次に、第２図を参照しながら、第２の本発明によるペー
パーリフ０−装置の他の実施例について説明する。
パーリフ０−装置の他の実施例について説明する。
第２の本発明の他の実施例の構成を第２図に示す。この
第２図において、第４図に対応する部分には同一の符号
を付して重複説明を省略する。
第２図において、第４図に対応する部分には同一の符号
を付して重複説明を省略する。
第２図において、搬入側の導管（至）のりフロータンク
αＩ■に延長部−が設けられる。例えば、冷却コイル（
ロ）の他端（１７ａ）が延長部翰上に位置するように、
コイルαηの間隔が拡げられて、延長部−の内部の等価
温度が、冷却コイル（ロ）の搬入側の端部からタンクα
珍までの領域で、室温からＦＨＣの沸点（２１５℃）ま
で単調に上昇するようになされる。
αＩ■に延長部−が設けられる。例えば、冷却コイル（
ロ）の他端（１７ａ）が延長部翰上に位置するように、
コイルαηの間隔が拡げられて、延長部−の内部の等価
温度が、冷却コイル（ロ）の搬入側の端部からタンクα
珍までの領域で、室温からＦＨＣの沸点（２１５℃）ま
で単調に上昇するようになされる。
その余の構成は第４図の従来装置と同様である。
本実施例においては、延長部−を設けて搬入側の温度上
昇領域を延長したので、所定速度で移送される基板及び
電子部品が温度上昇領域の通過に要する時間が延長され
、基板及び電子部品の温度は徐々に上昇して、電子部品
に対する熱衝撃が緩和される。
昇領域を延長したので、所定速度で移送される基板及び
電子部品が温度上昇領域の通過に要する時間が延長され
、基板及び電子部品の温度は徐々に上昇して、電子部品
に対する熱衝撃が緩和される。
次に、第３図を参照しながら、第３の本発明によるベー
パーリフロー装置の更に他の実施例について説明する。
パーリフロー装置の更に他の実施例について説明する。
第３の本発明の更に他の実施例の構成を第３図に示す。
この第３図において、第４図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。
符号を付して重複説明を省略する。
第３図において、０ｅは予熱タンクであって、リフロー
タンクα℃の上流側に設けられ、下部にヒータ０埴を有
すると共に、上部に冷却コイル（至）を有する。両タン
クαη及び０ηは連結導管（至）で連結され、導管（至
）の周囲には冷却コイル（ロ）が設んられる。また、予
熱タンク０］）内には、８０〜１５０℃の沸点を有する
適宜の液体が貯溜される。その余の構成は第４図の従来
装置と同様である。
タンクα℃の上流側に設けられ、下部にヒータ０埴を有
すると共に、上部に冷却コイル（至）を有する。両タン
クαη及び０ηは連結導管（至）で連結され、導管（至
）の周囲には冷却コイル（ロ）が設んられる。また、予
熱タンク０］）内には、８０〜１５０℃の沸点を有する
適宜の液体が貯溜される。その余の構成は第４図の従来
装置と同様である。
り０めの上部の冷却コイル（至）との間に８０〜１５０
℃の温度の飽和蒸気Ｖ、が充満する。コンベヤα４に積
載された基板及び電子部品は、予熱タンクＧ塵内の飽和
蒸気Ｖ、によって、一旦８０〜１５０℃に予熱された後
、リフロータンクα塵内のＦＨＣの飽和蒸気Ｖによって
所要温度の２１５℃に加熱されるので、電子部品に対す
る熱衝撃が緩和される。
℃の温度の飽和蒸気Ｖ、が充満する。コンベヤα４に積
載された基板及び電子部品は、予熱タンクＧ塵内の飽和
蒸気Ｖ、によって、一旦８０〜１５０℃に予熱された後
、リフロータンクα塵内のＦＨＣの飽和蒸気Ｖによって
所要温度の２１５℃に加熱されるので、電子部品に対す
る熱衝撃が緩和される。
以上詳述のように、第１及び第２の本発明によれば、電
子部品の温度が徐々に上昇するようにし、第３の本発明
によれば２段階で上昇するようにしたので、電子部品に
対する熱衝撃を緩和することができる。
子部品の温度が徐々に上昇するようにし、第３の本発明
によれば２段階で上昇するようにしたので、電子部品に
対する熱衝撃を緩和することができる。
また、いずれも熱源には気化潜熱のみを用いているので
、取扱いが容易である。
、取扱いが容易である。
更に、コンベヤを用いて連続的にリフロー処理を行なう
ため、量産に適している。
ため、量産に適している。
第１図は第１の本発明によるペー／ＩＰ−リフロー装置
の一実施例の構成を示す路線断面図、第２図は第２の本
発明によるベーパーリフロー装置の他の実施例の構成を
示す路線断面図、第３図は第３の本発明によるぺ−ｔＪ
？−リフロー装置の更に他の実施例の構成を示す路線断
面図、第４図及び第５図は従来のベーパーリフロー装置
の構成例を示す □路線断面図及びその動作説明の
ための線図、第６図及び第７図は従来のベーパーリフロ
ー装置の他の構成例を示す路線断面図及びその動作説明
のための線図、第８図は従来のベーノ４−リフロー装置
の更に他の構成例を示す路線断面図である。 α刀はりフロータンク、α→、＠、＠はコンベヤ、四、
αＱは導管、四は延長部、Ｇカは予熱タンク、ＰＢは基
板、Ｖ 、 Ｖ、は飽和蒸気である。 同 松隈秀盛
の一実施例の構成を示す路線断面図、第２図は第２の本
発明によるベーパーリフロー装置の他の実施例の構成を
示す路線断面図、第３図は第３の本発明によるぺ−ｔＪ
？−リフロー装置の更に他の実施例の構成を示す路線断
面図、第４図及び第５図は従来のベーパーリフロー装置
の構成例を示す □路線断面図及びその動作説明の
ための線図、第６図及び第７図は従来のベーパーリフロ
ー装置の他の構成例を示す路線断面図及びその動作説明
のための線図、第８図は従来のベーノ４−リフロー装置
の更に他の構成例を示す路線断面図である。 α刀はりフロータンク、α→、＠、＠はコンベヤ、四、
αＱは導管、四は延長部、Ｇカは予熱タンク、ＰＢは基
板、Ｖ 、 Ｖ、は飽和蒸気である。 同 松隈秀盛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所要温度の飽和蒸気を貯溜するリフロータンクと、
電子部品を積載した基板を上記リフロータンク内に搬入
し、搬出するコンベヤと、上記リフロータンクの上流側
及び下流側に、上記コンベヤをそれぞれ囲繞するように
配設された上流側導管及び下流側導管とを有するベーパ
ーリフロー装置において、 上記コンベヤを上記上流側導管内の上記リフロータンク
の近傍において上流側と下流側とに分割し、 下流側コンベヤを所定速度で走行させると共に、上流側
コンベヤを上記所定速度よりも遅い速度で走行させるよ
うにしたことを特徴とするベーパーリフロー装置。 ２ 所要温度の飽和蒸気を貯溜するリフロータンクと、
電子部品を積載した基板を上記リフロータンク内に搬入
し、搬出するコンベヤと、上記リフロータンクの上流側
及び下流側に、上記コンベヤをそれぞれ囲繞するように
配設された上流側導管及び下流側導管とを有するベーパ
ーリフロー装置において、 上記上流側導管の上記リフロータンク寄りに延長部を設
けたことを特徴とするベーパーリフロー装置。 ３ 所要温度の飽和蒸気を貯溜するリフロータンクと、
電子部品を積載した基板を上記リフロータンク内に搬入
し、搬出するコンベヤと、上記リフロータンクの上流側
及び下流側に、上記コンベヤをそれぞれ囲繞するように
配設された上流側導管及び下流側導管とを有するベーパ
ーリフロー装置において、 上記所要温度より低温の飽和蒸気を貯溜する予熱タンク
を上記リフロータンクの上流側に設けたことを特徴とす
るベーパーリフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15042485A JPS629770A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ベ−パ−リフロ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15042485A JPS629770A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ベ−パ−リフロ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629770A true JPS629770A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15496629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15042485A Pending JPS629770A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ベ−パ−リフロ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151266A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 気相式はんだ付け装置 |
| JPH05318099A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-03 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | ベーパーリフローはんだ付け装置 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15042485A patent/JPS629770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151266A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 気相式はんだ付け装置 |
| JPH05318099A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-03 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | ベーパーリフローはんだ付け装置 |
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