JPS6297154A - Production of photomagnetic recording medium - Google Patents

Production of photomagnetic recording medium

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Publication number
JPS6297154A
JPS6297154A JP23800185A JP23800185A JPS6297154A JP S6297154 A JPS6297154 A JP S6297154A JP 23800185 A JP23800185 A JP 23800185A JP 23800185 A JP23800185 A JP 23800185A JP S6297154 A JPS6297154 A JP S6297154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target material
sputtering target
recording medium
rare earth
tbfeco
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23800185A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Uchida
清 内田
Hideji Kawabata
川端 秀次
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6297154A publication Critical patent/JPS6297154A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To produce a photomagnetic recording medium having a uniform compsn. distribution and coercive force distribution by changing the compsn. ratio of the rare earth metal and transition metal of a sputtering target material consisting of a rare earth transition metal alloy. CONSTITUTION:The sputtering target material 12 is densely disposed with square doughnut-shaped TbFeCo alloys 1 on the concentrical circle and is adhered into a rear plate 2. The compsn. ratios of Tb, Fe and Co in the respective alloy are different. A substrate 6 is mounted on a substrate holder 3 and the inside of a vacuum vessel 4 is evacuated by a vacuum evacuation device 11. Gaseous Ar is introduced into the vessel 4. A voltage is impressed by a hihg- frequency power source 9 or Dc power source 10 to a cathode electrode holder 8. Since a magnetic field is generated by an N pole magnet 14 and S pole magnet 13, magnetron discharge is generated on the sputtering target material 12 and the material 12 is released by sputtering, by which the thin TbFeCo magnetic film is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光等を利用した熱磁気的記録消去及び
磁気光学的再生を行う光磁気記録媒体の製造方法に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium that performs thermomagnetic recording erasure and magneto-optical reproduction using laser light or the like.

従来の技術 近年、高密度、大容量、高速アクセスといった特徴を備
えた光記録媒体の研究開発が多く行われている。
BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, much research and development has been conducted on optical recording media that have features such as high density, large capacity, and high speed access.

中でも情報の書き換えが可能な光磁気記録媒体は、文字
情報や画像情報のファイルメモリ、書き換え可能なビデ
オディスクやコンパクトディスク、コンピュータ外部メ
モリ等の応用が考えらnl特に有望視されている。
Among them, rewritable magneto-optical recording media are considered to be particularly promising for applications such as file memories for text and image information, rewritable video discs and compact discs, and computer external memories.

現在、GdFe 、 GdTbFe 、 TbFeCo
 、 GdCo等の希土類遷移金属合金が材料検討の中
心となっており、真空蒸着法やスパッタリング法等によ
り作製さnている(例えば、特開昭56−126907
号公報)。
Currently, GdFe, GdTbFe, TbFeCo
, Rare-earth transition metal alloys such as GdCo are the focus of material studies, and are fabricated by vacuum evaporation methods, sputtering methods, etc. (for example, JP-A-56-126907
Publication No.).

従来、光磁気記録媒体は、希土類金属と遷移金属を独立
の蒸発源として用いた二元蒸着法や、遷移金属板上に希
土類金属の小片を置いた複合ターゲツト材によるスパッ
タリング法により作製されていた。しかし、これらの製
造方法は蒸発源や複合ターゲツト材の安定性が悪く、量
産性やコストの点で問題を有していた。
Conventionally, magneto-optical recording media have been produced by binary evaporation using rare earth metals and transition metals as independent evaporation sources, or by sputtering using a composite target material in which small pieces of rare earth metal are placed on a transition metal plate. . However, these manufacturing methods have problems in terms of mass productivity and cost due to poor stability of the evaporation source and composite target material.

最近、これらの問題点を解決する方法として希土類金属
と遷移金属を合金化したターゲツト材が開発され、量産
化、コストの点で見通しが立ちつつある。
Recently, as a method to solve these problems, a target material made by alloying rare earth metals and transition metals has been developed, and prospects for mass production and cost are increasing.

発明が解決しようとする問題点 希土類金属と遷移金属の合金は、それぞれの金属を微粉
末化し、その粉末を均一に混ぜ合わせ、固めるという手
法で作製される。従って合金ターゲット中の組成偏析は
ほとんど見られず、均一な合金ターゲツト材ができる。
Problems to be Solved by the Invention Alloys of rare earth metals and transition metals are produced by pulverizing each metal, uniformly mixing the powders, and solidifying them. Therefore, almost no compositional segregation is observed in the alloy target, and a uniform alloy target material can be obtained.

しかし、希土類金属と遷移金属を合金化したターゲツト
材をスパッタリングした場合、希土類金属の元素と遷移
金属の元素のそれぞnのスノくツタ放出角度依存性が異
なるため、希土類遷移金属合金ターゲツト材にて作製さ
れた光磁気記録媒体は組成分布を有したものとなる。
However, when sputtering a target material made of an alloy of rare earth metals and transition metals, the dependence of the release angle of the rare earth metal elements and the transition metal elements is different. The magneto-optical recording medium produced by this method has a composition distribution.

この状況を図面を用いて説明する。第6図はマグネトロ
ンスパッタ装置のカンード電極の概略図である。第6図
において、12は円板状のTbFeC。
This situation will be explained using drawings. FIG. 6 is a schematic diagram of a canned electrode of a magnetron sputtering device. In FIG. 6, 12 is a disk-shaped TbFeC.

合金スパッタリングターゲット材、13は円柱状のS極
磁石、14は角型ドーナツ状のN極磁石である。
An alloy sputtering target material, 13 is a cylindrical S-pole magnet, and 14 is a square donut-shaped N-pole magnet.

組成の偏析がo、1at%以下の円板状TbFeC。Disc-shaped TbFeC with compositional segregation of o, 1 at% or less.

合金スパッタリングターゲット材を、第6図に示した構
成のカンード電極に組み込み、マグネトロン放電を行う
と、第5図中のTbFeCo合金スパッタリングターゲ
ット材表面に斜線で示した領域がイオン衝突面となり、
この表面からTbFeCoがスパッタリング放出される
When the alloy sputtering target material is assembled into a cand electrode having the configuration shown in FIG. 6 and magnetron discharge is performed, the area indicated by diagonal lines on the surface of the TbFeCo alloy sputtering target material in FIG. 5 becomes an ion collision surface.
TbFeCo is sputtered and released from this surface.

この放出さnたTbFeCoをターゲツト材の上に設置
された基板上に付着堆積させ、TbFeCo膜を作製し
た。
This released TbFeCo was deposited on a substrate placed on a target material to produce a TbFeCo film.

第6図にこのTbFeCo膜のTb組成分布を示す。FIG. 6 shows the Tb composition distribution of this TbFeCo film.

第6図において縦軸はTbの組成比、横軸は円板状Tb
FeCo合金スパッタリングターゲット材の円板中心軸
と基板面の交点を中心とした時の基板上の半径位置を示
している。
In Figure 6, the vertical axis is the composition ratio of Tb, and the horizontal axis is the disk-shaped Tb.
It shows the radial position on the substrate when the center is the intersection of the disk center axis of the FeCo alloy sputtering target material and the substrate surface.

例えば、文献「マグネティック プロパティズオブ ア
モルファス アロイ フィルムス オンFeウィズ G
d 、 Tb 、Dy 、Ho  オアErJ((Ma
gnetic Properties of Amor
phousAl、fl、oy FLlms of Fe
 with Gd 、Tb 、Dy 、H。
For example, the literature "Magnetic Properties of Amorphous Alloy Films on Fe with G
d, Tb, Dy, Ho or ErJ ((Ma
gnetic Properties of Amor
phousAl, fl, oy FLlms of Fe
with Gd, Tb, Dy, H.

or Er) Y 、Miura 、 N 、 Ima
mura 、 T 、Kobayashi 。
or Er) Y, Miura, N, Ima
Mura, T., Kobayashi.

A、0kada and Y、Kushiro  1 
、Appj!、Physics4(1978)1208
)に示されているように、希土類遷移金属合金よりなる
光磁気記録媒体はその磁気的な性質、すなわち飽和磁化
、保磁力、キュリ一温度等が希土類金属と遷移金属の組
成比に依存して変化する。特に保磁力はこの組成比に非
常に敏感で、組成比のわずかな違いで保磁力が大きく変
化する。このため、第6図に示したTb組成分布を有す
る場合、その保磁力は第7図に示した分布となる。第7
図において縦軸は保磁力、横軸は基板上の半径位置であ
り、第6図と同様である0 光磁気記録媒体において、記録、消去時の磁気バイサス
値やレーザパワーの値が上記の磁気的な性質に依存する
ため、合金ターゲツト材により作製さ扛た光磁気記録媒
体が組成分布を有すると、記録、消去条件の設定が非常
に難しくなる。
A, 0kada and Y, Kushiro 1
, Appj! , Physics 4 (1978) 1208
), the magnetic properties of a magneto-optical recording medium made of a rare earth-transition metal alloy, such as saturation magnetization, coercive force, Curie temperature, etc., depend on the composition ratio of rare earth metals and transition metals. Change. In particular, the coercive force is very sensitive to this composition ratio, and a slight difference in the composition ratio can cause a large change in the coercive force. Therefore, when the Tb composition distribution shown in FIG. 6 is obtained, the coercive force becomes the distribution shown in FIG. 7. 7th
In the figure, the vertical axis is the coercive force, and the horizontal axis is the radial position on the substrate, which is the same as in Figure 6.0 In a magneto-optical recording medium, the magnetic bias value and laser power value during recording and erasing are Therefore, if a magneto-optical recording medium made from an alloy target material has a compositional distribution, it becomes very difficult to set recording and erasing conditions.

本発明は、上記問題点に鑑み、光磁気記録媒体の組成分
布を無くし、磁気的な性質の分布が少い光磁気記録媒体
を作製できる製造方法を提供するものである。
In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a manufacturing method that eliminates the composition distribution of a magneto-optical recording medium and can produce a magneto-optical recording medium with a small distribution of magnetic properties.

問題点を解決するための手段 この問題を解決するために本発明の光磁気記録媒体の製
造方法は、組成比が半径方向に変化している円板状希土
類遷移金属合金ターゲツト材をスパッタリング装置のカ
ンード電極に用いた構成となっている。
Means for Solving the Problem In order to solve this problem, the method for manufacturing a magneto-optical recording medium of the present invention uses a sputtering device to prepare a disc-shaped rare earth transition metal alloy target material whose composition ratio changes in the radial direction. The structure is used for canned electrodes.

作  用 この構成によって、希土類金属と遷移金属のスパッタ放
出の角度依存性を、希土類金属と遷移金属のスパッタ粒
子数の差で緩和するという効果によって、組成比の分布
が少なく、保磁力の均一性が確保された光磁気記録媒体
全作製できるものである。
Function: With this configuration, the angular dependence of sputtered emission of rare earth metals and transition metals is alleviated by the difference in the number of sputtered particles of rare earth metals and transition metals, resulting in a small distribution of composition ratio and uniformity of coercive force. It is possible to manufacture all magneto-optical recording media with guaranteed properties.

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第1図は本発明の一実施例におけるスパッタリン
グターゲット材の要部断面斜視図である。
EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a main part of a sputtering target material in an embodiment of the present invention.

第1図において、1は均一な組成比有する角型ドーナツ
形状TbFeCo合金、2は裏板である。角型ドーナツ
形状のTbFeCo合金1は、同心円上に密に配置され
、裏板2上に接着されており、それぞれTb、Fe、C
oの組成比が異なる。
In FIG. 1, 1 is a square donut-shaped TbFeCo alloy having a uniform composition ratio, and 2 is a back plate. Square donut-shaped TbFeCo alloys 1 are densely arranged on concentric circles and bonded on the back plate 2, and are made of Tb, Fe, and C, respectively.
The composition ratio of o is different.

第2図は、マグネトロンスパッタリング装置の断面概略
図である。第2図において、3は基板ホルダー、4は真
空槽、5はArガス供給装置、6は基板、7はシャッタ
ー、8はカンード電極ホルダー、9は高周波電源、10
は直流電源、11は真空排気装置である。なお12は円
板状TbFeC。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the magnetron sputtering apparatus. In FIG. 2, 3 is a substrate holder, 4 is a vacuum chamber, 5 is an Ar gas supply device, 6 is a substrate, 7 is a shutter, 8 is a canned electrode holder, 9 is a high frequency power source, 10
1 is a DC power supply, and 11 is a vacuum exhaust device. Note that 12 is a disc-shaped TbFeC.

合金スパッタリングターゲット材、13は円柱状のS極
磁石、14は角型ドーナツ状のN極磁石であり、第6図
と同様である0 以下に、光磁気記録媒体の作製方法について述べる。充
分清浄にさnた基板6を基板ホルダー3に装着し、真空
槽4内を真空排気装置11にて排気する。Arガス供給
装置5にて真空槽4内にArガスを導入する。高周波電
源9又は直流電源1゜にて、カンード電極ホルダー8に
電圧を印加する。
Alloy sputtering target material, 13 is a cylindrical south pole magnet, 14 is a square donut shaped north pole magnet, which is the same as that shown in FIG. 6. The method for manufacturing the magneto-optical recording medium will be described below. The sufficiently cleaned substrate 6 is mounted on the substrate holder 3, and the inside of the vacuum chamber 4 is evacuated by the vacuum evacuation device 11. Ar gas is introduced into the vacuum chamber 4 using the Ar gas supply device 5 . A voltage is applied to the canned electrode holder 8 using a high frequency power supply 9 or a DC power supply of 1°.

これによりスパッタリングターゲット材12上に電界が
発生する。また、N極磁石14及びS極磁石13により
磁界が生じているため、スパッタリングターゲット材1
2上にマグネトロン放電が生じ、スパッタリングターゲ
ット材12がスパッタリングが放出される。
This generates an electric field on the sputtering target material 12. In addition, since a magnetic field is generated by the N-pole magnet 14 and the S-pole magnet 13, the sputtering target material 1
A magnetron discharge occurs on the sputtering target material 12, and the sputtering target material 12 is sputtered.

第1図に示したTbFeCo合金スパッタリングターゲ
ット材を用いて、上述したスパッタリング放出を行う。
The above-described sputtering emission is performed using the TbFeCo alloy sputtering target material shown in FIG.

シャッター7を閉じ所定時間ブリスパッタリングを行い
、その後、シャッター7を開は基板θ上にTbFeCo
磁性薄膜を作製する。
The shutter 7 is closed to perform bliss sputtering for a predetermined time, and then the shutter 7 is opened to deposit TbFeCo on the substrate θ.
Fabricate a magnetic thin film.

第3図は、第1図に示した本発明の一実施例におけるT
bFeCo 合金スパッタリングターゲット材のTb組
成分布を示している。第3図において縦軸はTb組成比
、横軸はスパッタリングターゲット材の半径位置である
FIG. 3 shows T in one embodiment of the present invention shown in FIG.
b shows the Tb composition distribution of the FeCo alloy sputtering target material. In FIG. 3, the vertical axis represents the Tb composition ratio, and the horizontal axis represents the radial position of the sputtering target material.

第3図に示した組成分布特性を有するTbF ec。TbFec has the composition distribution characteristics shown in FIG.

合金スパッタリングターゲット材を第2図に示したマグ
ネトロンスパッタ装置のスパッタリングターゲット材1
2として使用し、上記の手法を用いて光磁気記録媒体で
あるTbFeCo磁性薄膜を作製した。第4図に本発明
の一実施例におけるTbFeCo合金スパッタリングタ
ーゲット材を使用して作製したTbFeCo磁性薄膜の
保磁力分布を示す。第4図において縦軸は保磁力、横軸
は基板半径位置であり、これらは従来例の第7図と同様
である。
Sputtering target material 1 for a magnetron sputtering device showing an alloy sputtering target material in FIG.
2, and a TbFeCo magnetic thin film, which is a magneto-optical recording medium, was produced using the above method. FIG. 4 shows the coercive force distribution of a TbFeCo magnetic thin film produced using a TbFeCo alloy sputtering target material in one embodiment of the present invention. In FIG. 4, the vertical axis is the coercive force, and the horizontal axis is the substrate radial position, which are the same as in FIG. 7 of the conventional example.

以上のように本実施例によれば、組成がわずかに異なる
角型ドーナツ形状のFbFeCo 合金を組み合わせ、
スパッタリングターゲット材の半径方向に組成分布を持
たせることにより、組成及び保磁力が均一である光磁気
記録媒体を製造することができる。
As described above, according to this example, square donut-shaped FbFeCo alloys with slightly different compositions are combined,
By providing a composition distribution in the radial direction of the sputtering target material, a magneto-optical recording medium having a uniform composition and coercive force can be manufactured.

なお、本実施例ではスパッタリングターゲット材の材質
をT b F e Co合金としたが、スパッタリング
ターゲット材の材質は、GdTbFe、TbDyFe等
、希土類金属と遷移金属を主成分とする合金であれば本
実施例と同様の効果が得られる。
In this example, the material of the sputtering target material was a T b Fe Co alloy, but the material of the sputtering target material may be any alloy whose main components are rare earth metals and transition metals, such as GdTbFe or TbDyFe. The same effect as in the example can be obtained.

発明の効果 本発明は希土類遷移金属合金スパッタリングターゲット
材の希土類金属と遷移金属の組成比を半径方向に変化さ
せることにより、均一な組成分布及び保磁力分布を有す
る光磁気記録媒体を作ることができ、さらにスパッタリ
ングターゲット材のみを組み変えればよく、従来の光磁
気記録媒体の作製装置を改造する必要がないという効果
を得ることができる優れた光磁気記録媒体の製造方法を
実現できるものである。
Effects of the Invention The present invention makes it possible to produce a magneto-optical recording medium having a uniform composition distribution and coercive force distribution by changing the composition ratio of rare earth metals and transition metals in a rare earth transition metal alloy sputtering target material in the radial direction. Furthermore, it is possible to realize an excellent method for manufacturing a magneto-optical recording medium, which has the effect that only the sputtering target material needs to be changed, and there is no need to modify the conventional manufacturing apparatus for a magneto-optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例におけるスパッタリングター
ゲット材の要部断面斜視図、第2図はマグネトロンスパ
ッタ装置の断面概略図、第3図は第1図に示したスパッ
タリングターゲット材のTb組成分布図、第4図は本発
明の一実施例により作製した光磁気記録媒体TbFeC
o磁性薄膜の保磁力分布図、第6図は従来のマグネトロ
ンスパッタ装置のカソード電極の概略図、第6図は従来
のスパッタリングターゲット材を用いて作製した光磁気
記録媒体TbFeCo磁性薄膜のTb組成分布図、第7
図は従来のスパッタリングターゲット材を用いて作製し
た光磁気記録媒体TbFeCo磁性薄膜の保磁力分布図
である。 1・・・・・・TbFeCo 合金、2・・・・・・裏
板、3 ・・・・基板ホルダー、4・・・・・・真空槽
、6・・・・・・AIガス供給装置、6・・・・・・基
板、7・・・・・・シャッター、8・・・・・・カソー
ド電極ホルダー、9・・・・・・高周波電源、1o・・
・・・・直流電源、11・・・・・・真空排気装置、1
2・・・・・・スパッタリングターゲット材、13・・
・・・・S極磁石、14・・・・・・N極磁石。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名+−
J5FeCo’Fk 第1図     2−.3核 第 2 図 第 6 図 基原+糧仕霊− 第7図 I棲4芹&這
FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a main part of a sputtering target material according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a magnetron sputtering device, and FIG. 3 is a Tb composition distribution of the sputtering target material shown in FIG. 1. FIG. 4 shows a magneto-optical recording medium TbFeC manufactured according to an embodiment of the present invention.
o Coercive force distribution diagram of a magnetic thin film, Figure 6 is a schematic diagram of a cathode electrode of a conventional magnetron sputtering device, Figure 6 is a Tb composition distribution of a magneto-optical recording medium TbFeCo magnetic thin film produced using a conventional sputtering target material Figure, 7th
The figure is a coercive force distribution diagram of a magneto-optical recording medium TbFeCo magnetic thin film produced using a conventional sputtering target material. 1... TbFeCo alloy, 2... Back plate, 3... Substrate holder, 4... Vacuum chamber, 6... AI gas supply device, 6...Substrate, 7...Shutter, 8...Cathode electrode holder, 9...High frequency power supply, 1o...
...DC power supply, 11... Vacuum exhaust device, 1
2...Sputtering target material, 13...
...S pole magnet, 14...N pole magnet. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person +-
J5FeCo'Fk Figure 1 2-. 3 cores 2nd figure 6 figure base + feeding spirit - figure 7 I life 4 Seri & crawl

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 希土類金属と遷移金属の元素をそれぞれ1種類以上含み
、その組成比が半径位置に依存する円板状スパッタリン
グターゲット材を使用することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。
1. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, comprising using a disc-shaped sputtering target material containing one or more rare earth metals and one or more transition metal elements, the composition ratio of which depends on the radial position.
JP23800185A 1985-10-24 1985-10-24 Production of photomagnetic recording medium Pending JPS6297154A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307267A (en) * 1987-06-04 1988-12-14 Toshiba Corp Sputtering target and its production

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5558370A (en) * 1978-10-20 1980-05-01 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Electrode for sputtering target

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