JPS6293974A - Thin film transistor array - Google Patents
Thin film transistor arrayInfo
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- JPS6293974A JPS6293974A JP60234269A JP23426985A JPS6293974A JP S6293974 A JPS6293974 A JP S6293974A JP 60234269 A JP60234269 A JP 60234269A JP 23426985 A JP23426985 A JP 23426985A JP S6293974 A JPS6293974 A JP S6293974A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(a)産業上の利用分野
本発明は基板に無色透明なポリイミドフィルムを用い、
曲面化及び大面積化が可能であり、軽層、薄型及び連続
生産が可能な液晶表示パネルにスイッチング素子として
使用される薄膜トランノスタアレイに関する。Detailed description of the invention (a) Industrial application field The present invention uses a colorless and transparent polyimide film as a substrate,
The present invention relates to a thin film transnostar array that is used as a switching element in a liquid crystal display panel that can be curved and have a large area, and can be light-layered, thin, and continuously produced.
(b)従来の技術
近年、液晶表示パネルの一方の基板である透明性基板上
にゲートライン(A:査線)及びドレイライン(信号線
)を多数互に絶縁した状態で直ズさせ、これら各ライン
の交差点に薄膜トランノスタ (以下TPTと略記する
)をスイッチング素子として設け、これを開閉駆動させ
て各交差点ごとに配置された表示電極にイシ号を与え、
この部分の液晶を表示駆動させることにより、テレビ等
の画像表示を行う、いわゆるアクティブマトリクス方式
の液晶表示パネルの開発が行なわれている。(b) Conventional technology In recent years, a large number of gate lines (scanning lines) and drain lines (signal lines) are formed on a transparent substrate, which is one of the substrates of a liquid crystal display panel, and are insulated from each other. A thin film transnostar (hereinafter abbreviated as TPT) is provided as a switching element at the intersection of each line, and this is driven to open and close to give a symbol to the display electrode arranged at each intersection.
A so-called active matrix type liquid crystal display panel, which displays images on a television or the like by driving the liquid crystal in this part, is being developed.
例えば、透明性基板として石英ガラス板を使用し、多結
晶シリコンのTPTを形成した液晶表示駆動用TFTア
レイや、ガラス板を基板とし、アモルファスシリコンの
TPTを形成したTPT7レイが実用化されている。For example, a TFT array for driving a liquid crystal display that uses a quartz glass plate as a transparent substrate and a polycrystalline silicon TPT formed thereon, and a TPT7 array that uses a glass plate as a substrate and forms an amorphous silicon TPT have been put into practical use. .
これらのTPTアレイを使用する液晶表示パネルは、l
!2極i管と比較して、駆動電圧、消費電力、重量及び
小型化などの面で多くのメリットがあり、広範な応泪が
期待される。Liquid crystal display panels using these TPT arrays are l
! Compared to diode i-tubes, it has many advantages in terms of drive voltage, power consumption, weight, and miniaturization, and is expected to be widely popular.
(c)発明が解決しようとする問題点
ところで、これらの石英ガラス板やガラス板を基板とす
るTFTアレイには種々の欠点がある。(c) Problems to be Solved by the Invention Incidentally, TFT arrays using these quartz glass plates or glass plates as substrates have various drawbacks.
即ち、石英ガラスは耐熱性に優れ、しかもコンタミネー
ションの問題が生じにくいという点で有利であるが、反
面、大面積のディスプレイの製作や、一枚の基板への多
面付けによる7オ) +7ソグラフイエ程等の合理化に
よる低コスト化に不可欠である基板の大面積化に対して
は者しいコスト高のI!J題がある。In other words, quartz glass is advantageous in that it has excellent heat resistance and is less likely to cause contamination problems, but on the other hand, it is difficult to manufacture large-area displays or attach multiple surfaces to a single substrate. Increasing the area of the board, which is essential for cost reduction through rationalization of processing, etc., requires extremely high cost I! There is a topic J.
又、ガラス基板は大面積化に対してもコスト的な問題は
ないが、石英ガラスとの共通の欠点として、表面が一般
に平坦であるため、これらのTFTアレイを使用する液
晶表示パネルの表示面ら曲面化が困難であるという問題
を有する。In addition, glass substrates do not have any cost problems when increasing in area, but they have a common drawback with quartz glass: their surfaces are generally flat, so the display surface of liquid crystal display panels that use these TFT arrays is The problem is that it is difficult to curve the surface.
表示面の形状については、外光の反射によるグレアを低
減して見やすさを改良する観点から検討がなされている
。The shape of the display surface has been studied from the viewpoint of improving visibility by reducing glare caused by reflection of external light.
表示面は凸形(陰極線管の表示面など)から平坦形(ガ
ラス基板表示パネルの表示面など)を経て凹形になるに
従って、外光取り込み角が縮小し、服に入射する反射光
が減少する。As the display surface changes from a convex shape (such as the display surface of a cathode ray tube) to a flat shape (such as the display surface of a glass substrate display panel) and then to a concave shape, the angle at which outside light is taken in decreases, and the amount of reflected light that enters clothing decreases. do.
ガラス板などでも無論、技術的には曲面化は可能である
が、平坦なものに比してコスト高であり、又、フォトリ
ングラフィ工程では(諷めて高度な技術が必要とされて
いる。Of course, it is technically possible to curve a glass plate, but it is more expensive than a flat one, and the photolithography process requires highly sophisticated technology. .
そして、表示装置が一般のT、務に広範にマ↑及するに
つれ、疲労防止の観、弘より一層の改序が望まれ、その
構成部品たる薄膜トランジスタアレイにも改良が要求さ
れている。As display devices have become widely used in general applications, further improvements in fatigue prevention are desired, and thin film transistor arrays, which are their constituent parts, are also required to be improved.
一方、液晶ポケットカラーテレビなど簡便性の求められ
る汎用製品は、液晶表示パネルの特徴が最も発揮される
ものであり、軽量で薄型であると共に、連続生産等によ
る低コスト化が特に求められる。On the other hand, general-purpose products that require simplicity, such as LCD pocket color televisions, make the most of the characteristics of liquid crystal display panels, and are particularly required to be lightweight and thin, as well as to reduce costs through continuous production.
ところで、TFT7ンイの生産においては、ゲート電極
、絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソース電極及1ド
レイン電極等のほとんど総ての製作工程で真空雰囲気で
の処理がなされる。By the way, in the production of the TFT 7, almost all manufacturing steps such as the gate electrode, insulating film, amorphous silicon film, source electrode, and one drain electrode are processed in a vacuum atmosphere.
しかし、基板がガラス板等の短尺の基板では、上記の工
程での連続処理は極めて困難である。However, if the substrate is a short substrate such as a glass plate, continuous processing in the above steps is extremely difficult.
(d)問題点を解決するだめの手段
そこで、本発明者らはガラスを基板とするTFTアレイ
の問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、耐熱性に
優れるポリイミドフィルムであって、しがも無色透明な
ポリイミドフィルムを開発し、これを基板に用いたTF
Tアレイを製作することに成功し、本発明を完成するに
至ったものである。(d) Means for solving the problem The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the problems of TFT arrays using glass as a substrate. Gamo developed a colorless and transparent polyimide film and used it as a substrate for TF.
They succeeded in manufacturing a T-array and completed the present invention.
即ち、本発明は基板上に、液晶を表示駆動させ液晶表示
パネル用TFTアレイ(又は薄膜グイオードアレイ)に
おいて、該基板が一般式で示される繰返しlli位を有
するポリイミドを主成分とするポリイミドフィルムで形
成されていることを特徴とするものである。That is, the present invention provides a TFT array (or thin film diode array) for a liquid crystal display panel on which liquid crystal is driven for display on a substrate, and the substrate is a polyimide film mainly composed of polyimide having repeating lli positions represented by the general formula. It is characterized by being formed of.
以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
本発明において薄膜トランジスタアレイとして1士 其
厨 1− に −デ − ト1r? 陽 ゲ −
卜 1合 l)■復 小道 イ肘層及びソース・
ドレイン電極を設けて成る表示装置であれば特に限定さ
れるものではない。In the present invention, as a thin film transistor array? positive game −
卜 1 cup l)
There is no particular limitation as long as the display device is provided with a drain electrode.
そして、本発明の特徴は、上記基板として無色透明な光
透過性のポリイミドフィルムを採用した点にある。A feature of the present invention is that a colorless and transparent light-transmitting polyimide film is used as the substrate.
そして、この無色透明とは、膜厚50±5μmのポリイ
ミドフィルムに対する可視光線(500n輪)透過率が
70%以上であって、且つ黄色度(イエローネスインヂ
ンクス)が40以下のことをいう。Colorless and transparent means that the visible light (500n ring) transmittance for a polyimide film with a thickness of 50±5 μm is 70% or more, and the yellowness index is 40 or less. .
ポリイミドフィルムは耐熱性であるが、従来無色透明な
ポリイミドフィルムは存在せず、本発明者らの研究の結
果、完成されたものである。Although polyimide film is heat resistant, there has never been a colorless and transparent polyimide film, and this film was completed as a result of research by the present inventors.
本発明に用いる無色透明なポリイミドフィルムは、一般
式
で示される繰返しli位を有rるどリイミドを主成分と
するポリイミドフィルムによって形成される。The colorless and transparent polyimide film used in the present invention is formed of a polyimide film containing as a main component a polyimide having repeated li positions represented by the general formula.
本発明に用いられる無色透明なポリイミドは、一般式(
Ill)
で示されるビフェニルテトラカルボン酸二無水物と一般
式(IV)及び(V)
式(■)、 (V)において、Xl、 X2は式(1)
、(II)に示すとおりである。The colorless and transparent polyimide used in the present invention has the general formula (
Ill) Biphenyltetracarboxylic dianhydride represented by general formulas (IV) and (V) In formulas (■) and (V), Xl and X2 are represented by formula (1)
, as shown in (II).
で表される芳香族ノアミノ化合物との反応によりで得ら
れる。can be obtained by reaction with an aromatic noamino compound represented by
上記ビフェニルテトラカルボン酸二無水物としでは、下
記の3.3 ’、4.4 ’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物と
2.3.3 ′、4 ′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物
とが挙げられる。As the biphenyltetracarboxylic dianhydride, the following 3.3',4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2.3.3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride are used. Can be mentioned.
又、上記メタ位置にアミ7基を有する万Ff 戎ノアミ
ノ化合物のうち、一般式(IV)で表される芳S族2核
体ジアミンの代表例としては下記のらのが挙げられる。Further, among the 10,000Ff ecchinoamino compounds having an amine 7 group at the meta position, the following are representative examples of the aromatic S group dinuclear diamine represented by the general formula (IV).
3.3′−ノアミノノフェニルエーテル3.3′−ノア
ミノジフェニルスルホン393゛−ノアミノノフェニル
チオエーテル3.3′−ジアミノノフェニルメタン
3.3′−ジアミノベンゾフェノン
又、芳香族4核体ノアミンの代表例としては、下記のも
のが挙げられる。3.3'-Noaminonophenyl ether 3.3'-Noaminodiphenylsulfone 393'-Noaminonophenylthioether 3.3'-Diaminonophenylmethane 3.3'-Diaminobenzophenone Also, aromatic tetranuclear substance Representative examples of noamines include the following.
4.4′−ノー(3−アミ/7エ/キシ)ノフェニルス
ルホン
CH。4.4'-No(3-amino/7eth/xy)nophenylsulfone CH.
4.4′−ジー(3−7ミノ7エ/キシ)ジフェニルプ
ロパン
CF。4.4'-di(3-7mino7e/xy)diphenylpropane CF.
4.4′−ノー(3−アミノフェノキシ)ジフェニルへ
キサフルオロプロパン (以下、r3,3 ′−BA
PFJと略す)
上記芳香族2核体ノアミン及び芳香族4核体ノアミンは
それぞれ単独で用いてもよいし、適宜組み合わせて用い
てもよい。4.4'-no(3-aminophenoxy)diphenylhexafluoropropane (r3,3'-BA
(abbreviated as PFJ) The above-mentioned aromatic dinuclear noamine and aromatic tetranuclear noamine may be used alone or in appropriate combinations.
上記のようなビフェニルテトラカルボン酸二無水物とメ
タ位置にアミ7基を有する芳香族2核本ジアミン及び/
又は芳香族4核体ノアミンとを組み合わせることにより
初めて、上記一般式(1)及び/又は(n)で表される
繰返し単位を主成分とする無色透明なポリイミドが得ら
れるのである。A biphenyltetracarboxylic dianhydride as described above and an aromatic dinuclear diamine having 7 amide groups at the meta position and/or
Alternatively, by combining it with an aromatic tetranuclear noamine, a colorless and transparent polyimide whose main component is a repeating unit represented by the above general formula (1) and/or (n) can be obtained.
ここで主成分とするとは、全体が上記の一般式(r)及
び/又は(II)のみからなる場合も含める趣旨である
。Here, the term "main component" is meant to include cases where the entire composition consists only of the above general formula (r) and/or (II).
この場合、このようにして得られたポリイミドにおいで
、上記一般式(1)で表される繰返し単位及び/又は上
記一般式(II)で表される繰返し単位で示されるポリ
イミドの含有量が多いほど得られるポリイミドフィルム
の無色透明性が高まる。しかしながら、上記の一般式(
1)で表される繰返し単位及び/又は一般式(ff)表
される繰返し単位のポリイミドが、70モル%以上含有
されていれば少なくともこの発明で求める無色透明性が
確保されるのでその範囲内において、上記ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物以外のその他の芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物及び上記メタ位置に7ミノ基を有する
芳香族2核体・4核体ジアミン以外の他のノアミツ化合
物を用いることができる。In this case, the content of the polyimide represented by the repeating unit represented by the above general formula (1) and/or the repeating unit represented by the above general formula (II) is high in the polyimide thus obtained. The colorless transparency of the polyimide film obtained increases as the temperature increases. However, the above general formula (
If the polyimide of the repeating unit represented by 1) and/or the repeating unit represented by the general formula (ff) is contained in an amount of 70 mol% or more, at least the colorless transparency required by this invention is ensured, so it is within that range. In this method, an aromatic tetracarboxylic dianhydride other than the above-mentioned biphenyltetracarboxylic dianhydride and a non-amateur compound other than the aromatic dinuclear/tetranuclear diamine having a 7-mino group at the meta position are used. be able to.
即ち、上記一般式(1)で表される繰返し単位及び/又
は一般式(II)で表される繰返し単位’r表されるポ
リイミドの好ましい範囲は70モル%以上であり、最も
好ましい範囲は95モル%以上である。That is, the preferred range of the polyimide represented by the repeating unit represented by the general formula (1) and/or the repeating unit 'r represented by the general formula (II) is 70 mol% or more, and the most preferred range is 95% by mole or more. It is mol% or more.
上記他の芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3 +4+4−ベンゾフ
エノンテトラカルボン酸二無水物、4゜4′−オキシノ
7タル酸二無水物、4.4−ビス(3,4−ノカルボキ
シ7工/キシ)ジフェニルスルホンニ無水物、2.2−
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロ
プロパンニ無水物、 2,3,6.7−す7タレンテト
ラカルボン酸二無水物、 1.2.5.6−す7タレン
テトラカルボン酸二無水物、 1.4.5.8−す7タ
レンテトラカルボン酸二無水物が挙げられ、これらは単
独で又は併せて用いることができる。Examples of the above-mentioned other aromatic tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3 +4+4-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4゜4'-oxyno7talic dianhydride, 4 .4-bis(3,4-nocarboxy7-/xy)diphenylsulfone dianhydride, 2.2-
Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropanide anhydride, 2,3,6.7-7talentetracarboxylic dianhydride, 1.2.5.6-7talentetracarboxylic acid Examples include dianhydride, 1.4.5.8-su7talentetracarboxylic dianhydride, and these can be used alone or in combination.
また、その他のノアミツ化合物としては、4゜4゛−ノ
アミノジフェニルエーテル、 3.4 ′−ジアミノジ
フェニルエーテル、 4,4゛−ノアミノノフェニルス
ルホン、4.4 ’−ノアミ7ジフェニルIFン、4.
4 ’−ジアミノベンゾ7エ/ン、4.4 ′−E/ア
ミ7ジフエニルプロパン、バラフェニレン77ミン、メ
タフェニレンジアミン、ベンジノン、3.3′−ジメチ
ルベンジノン、4.4′−ジアミノジフェニルチオエー
テル、 3.3’−ジメトキシ−4,4′−ノアミ/ノ
フェニルメタン、3.3′−ツメチル−、i、4 ′−
ノアミ/ノ7工二ルメタン、 2.2−ビス(4−アミ
/フェニル)プロパン、 2,2−ビス(4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]−ヘキサフルオロプロパン
、1.3−ビス(アミノフェノキシ)ベンゼンが挙げら
れ、これらは単独で、もしくは併せて用いることができ
る。In addition, other Noamitsu compounds include 4゜4゛-Noaminodiphenyl ether, 3.4'-diaminodiphenyl ether, 4,4゛-Noaminophenyl sulfone, 4.4'-Noaminodiphenyl IF, 4.
4'-Diaminobenzo7ene, 4.4'-E/ami7diphenylpropane, paraphenylene77mine, metaphenylenediamine, benzinone, 3.3'-dimethylbenzinone, 4.4'-diaminodiphenyl thioether, 3.3'-dimethoxy-4,4'-noami/nophenylmethane, 3.3'-tumethyl-, i,4'-
Noami/No7-Dylmethane, 2,2-bis(4-amino/phenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl]-hexafluoropropane, 1,3-bis(amino) (phenoxy)benzene, which can be used alone or in combination.
本発明に用いる無色透明なポリイミドフィルムは、上記
の芳香族テトラカルボン酸二無水物及びジ゛アミ/化合
物を有機極性溶媒中において、温度80 ’(:以下で
重合させることによりポリイミド11?j駆体溶液をつ
くり、このポリイミド前駆体溶肢を用いて流延、ロール
コーティング等の方法で所望の形状の賦形体を形成し、
この賦形体を空気中又は不活性ゲス中において、温度:
50−350’C1圧カニ常圧もしくは減圧の条件下で
有機極性溶媒を蒸発除去すると同時にポリイミド前駆体
を脱水閉環して得られる。The colorless and transparent polyimide film used in the present invention can be produced by polymerizing the above-mentioned aromatic tetracarboxylic dianhydride and diamide/compound in an organic polar solvent at a temperature of 80' (: A body solution is prepared, and a molded body of a desired shape is formed using a method such as casting or roll coating using this polyimide precursor melt,
This excipient is placed in air or in an inert gas at a temperature of:
It is obtained by evaporating and removing the organic polar solvent under normal pressure or reduced pressure and simultaneously dehydrating and ring-closing the polyimide precursor.
まjこ、上記方法に代えて、上記ポリイミド前駆体をピ
リジンと無水酢酸のベンゼン溶液等を用い、脱溶媒とイ
ミド化を行いポリイミドに[ること等の方法によっても
(:する、二とができる。Alternatively, instead of the above method, the polyimide precursor may be desolventized and imidized using a benzene solution of pyridine and acetic anhydride, etc., and converted into polyimide. can.
−」二記の有機極性溶媒としては、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ノブライム、クレゾール、
ハロゲン化フェノール等が好jΔであるが、特にツメチ
ルアセトアミドが良溶媒で、しかも沸点が極めて低いか
ら好ましい。これらの有機極性溶媒は単独で用いてもよ
いし、或はこれ1こ代えて2種以」二を)重合して用い
ても支障はない。-''2 organic polar solvents include dimethylformamide, dimethylacetamide, noblime, cresol,
Halogenated phenols and the like are preferred, and trimethylacetamide is particularly preferred since it is a good solvent and has an extremely low boiling point. These organic polar solvents may be used alone, or two or more of them may be polymerized and used without any problem.
有機極性溶媒として、上記に例示した各溶ゲLは、沸点
が低いため、加熱による脱水閉環の際に分角τしてその
分解物がポリイミド中に残留して当該ポリイミドが着色
するといった問題を生じないのである。As an organic polar solvent, each of the above-mentioned soluges L has a low boiling point, so when dehydrating and ring-closing by heating, the decomposition product remains in the polyimide and the polyimide becomes colored. It does not occur.
しかしながら、高沸、貞の重合用溶媒、例えばN−メチ
ル−2−ピロリドンを用い、ポリイミド11if駆体合
成後、溶媒置換により、上記例示の好適なi3 vLに
生成ポリイミド前駆体を溶解するようにすれば上記弊害
を排除しうる。この場合、上記例示の好適な溶媒は希釈
溶媒となる。上記ポリイミドフィルムの製造に際しては
、このように、重合溶媒と希釈溶媒とを別種のものにし
、溶vL置換によって生成ポリイミドI前駆体を希釈溶
媒に溶解するようにしてもよいのである。However, using a high-boiling, solid polymerization solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, after synthesizing the polyimide 11if precursor, it is possible to dissolve the produced polyimide precursor in the preferred i3 vL as exemplified above by solvent displacement. This will eliminate the above disadvantages. In this case, the suitable solvent exemplified above is a diluting solvent. In producing the above polyimide film, the polymerization solvent and the diluting solvent may be of different types as described above, and the polyimide I precursor produced may be dissolved in the diluting solvent by dissolution VL substitution.
なお、上記に例示した好適な有機極性溶媒を使用する際
に、この溶媒に、エタ/−ル、トルエン、ベンゼン、キ
ンレン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ニトロベン
ゼン等の溶媒を、ポリイミドフィルムの無色透明性を損
なわない範囲内において一■I′Ilらしくは二種以上
適宜混合して用いてもよい。In addition, when using the suitable organic polar solvents exemplified above, solvents such as ethanol, toluene, benzene, quinolene, dioxane, tetrahydrofuran, and nitrobenzene may be added to this solvent to impair the colorless transparency of the polyimide film. Two or more types may be appropriately mixed and used within the range of 1.I'Il.
」二記のようにして、無色R明なポリイミドフィルムを
製造する際にポリイミド面駆体溶液の対数粘度(N−メ
チル−2−ピロリドン溶媒中0.58/100+nNの
濃度において30℃で測定)が0.3〜5.0の範囲に
なるように調整するのが好ましい。Logarithmic viscosity of the polyimide surface precursor solution (measured at 30°C at a concentration of 0.58/100+nN in N-methyl-2-pyrrolidone solvent) when producing a colorless R-light polyimide film as described in ``2. It is preferable to adjust it so that it is in the range of 0.3 to 5.0.
より好適なのは0.4〜2.0である。この対数粘度が
低すぎると得られるポリイミドフィルムのは成約強度が
低くなるため好ましくない。逆に、対数粘度が高すぎる
とポリイミド前連体′t8液を適当な形状に賦形する際
に流′JAさせに< < ijl業が困難となるため好
ましくない。また、ポリ−(ミド前駆体溶液の濃度も、
作業性等の観点から、5〜30重1%、好ましくは15
−25重量f6に設定することが望ましいのである。More preferred is 0.4 to 2.0. If the logarithmic viscosity is too low, the resulting polyimide film will have a low contract strength, which is not preferable. On the other hand, if the logarithmic viscosity is too high, it becomes difficult to flow the polyimide precursor liquid when shaping it into an appropriate shape, which is not preferable. In addition, the concentration of the poly(mide precursor solution)
From the viewpoint of workability, etc., 5 to 30% by weight, preferably 15
It is desirable to set the weight to -25 weight f6.
なお、−F記灯数粘度は次式で計算されるものであり、
式中の粘度は毛細管粘度計に上り測定されるものである
。In addition, -F written number viscosity is calculated by the following formula,
The viscosity in the formula is measured using a capillary viscometer.
ポリイミド前駆体溶液を用いての無色透明性に優れるボ
リイミ1/フィルムを得るにはプラス板、ステンレス板
等の鏡面に上記ポリイミド前駆体溶液を一定の厚みにな
るように流延し、100〜350℃の温度′C徐々に加
熱して脱水閉環させ、これにポリイミド前駆体をイミド
化することにより行なわれる。ポリイミド前駆体;8液
からのポリイミドフィルム形成にj;ける(i b’l
極性溶媒の除Je及ぴポリイミド前駆体のイミド化のた
めの加熱は、連続して行ってもよく、又これらの工程を
減圧下もしくは不活性ブス雰囲気中で行ってもよい、更
に短時間であれば400℃前後まで最終的に加熱するこ
とにより生成ポリイミドフィルムの特性を向上させるこ
とができる。To obtain a polyimide 1/film with excellent colorless transparency using a polyimide precursor solution, the polyimide precursor solution is cast onto a mirror surface such as a plastic plate or a stainless steel plate to a certain thickness. This is carried out by gradually heating to a temperature of 0.degree. C. to cause dehydration and ring closure, and then imidizing the polyimide precursor. Polyimide precursor; For polyimide film formation from 8 liquids (i b'l
The heating for removing the polar solvent and imidizing the polyimide precursor may be carried out continuously, or these steps may be carried out under reduced pressure or in an inert bath atmosphere. If so, the properties of the resulting polyimide film can be improved by finally heating it to around 400°C.
また、ポリイミドフィルム形成の池の方法は、上記のポ
リイミド前駆体溶液をプラス板上等に流延して100〜
150°Cで30〜120分間加熱乾燥して皮膜を形成
し、この皮膜をピリジンと無水酢酸のベンゼン溶液等に
浸漬して脱溶剤とイミド化反応を行い、上記皮膜をポリ
イミドフィルムとする方法であり、この方法によっても
無色透明なポリイミドフィルムを得ることができる。In addition, Ike's method for forming a polyimide film involves casting the above polyimide precursor solution onto a plastic plate, etc.
A film is formed by heating and drying at 150°C for 30 to 120 minutes, and this film is immersed in a benzene solution of pyridine and acetic anhydride to remove the solvent and undergo an imidization reaction, thereby converting the film into a polyimide film. A colorless and transparent polyimide film can also be obtained by this method.
このようにして得られるポリイミドフィルムはその厚み
を7〜550μm程度に設定することが好ましい。この
厚さが550μmを超えると光の透過率が悪化すると共
に可撓性に欠けて連続的にロール状に巻回するのが困難
となり、つまり生産性に問題が生じるのであり、逆に厚
さが7μu+未満になると充分な機械的強度が得られな
いと共に非晶質シリコン薄膜を堆積する際の温度(25
0℃〜350°C)に耐えることができず、この熱応力
によって基板が変形することがあるから好ましくない。The thickness of the polyimide film thus obtained is preferably set to about 7 to 550 μm. If the thickness exceeds 550 μm, the light transmittance will deteriorate and the flexibility will be lacking, making it difficult to continuously wind the film into a roll, which will cause problems in productivity. If it is less than 7 μu+, sufficient mechanical strength will not be obtained and the temperature (25
It is not preferable because it cannot withstand temperatures (0° C. to 350° C.) and the substrate may be deformed by this thermal stress.
このポリイミドフィルムは、無色透明であって従来のよ
うに黄色ないし黄褐色に着色していないため、比較的厚
膜であっても極めて無色透明性が良好である。This polyimide film is colorless and transparent and is not colored yellow or yellowish brown as in conventional films, so it has extremely good colorless transparency even if it is a relatively thick film.
以上のようにして、ポリイミド前駆体溶液をイミド化し
てポリイミドとする場合において、生成ポリイミドは、
特性の点から対数粘度(97重1%硫酸中0.5.7d
lの濃度で30℃のらとで測定)を0.3〜5.0の範
囲内に設定することが好ましい。最も好ましのは0.4
〜4.0である。In the case where the polyimide precursor solution is imidized to form polyimide as described above, the generated polyimide is
From the point of view of properties, logarithmic viscosity (0.5.7 d in 97 wt 1% sulfuric acid)
(measured at a temperature of 30° C. at a concentration of 1 ml) is preferably set within the range of 0.3 to 5.0. Most preferred is 0.4
~4.0.
このようにして得られたポリイミドフィルムは、従来の
ものとは全く異なり、無色透明であって極めて透明度が
高いものである。The polyimide film obtained in this manner is completely different from conventional films, and is colorless and transparent, and has extremely high transparency.
そして、特に、無色透明性が優れて本発明に用いる基板
に最適なのは一般式(IV)及び(V)で示される芳香
族2核体ノアミン及び芳香族4核体ジアミンにおいて%
x+及びX2がS02であるものを用いたものであ
る。このものを用いて得られたポリイミドフィルムは、
無色透明性が極めて優れているばかりでなく耐熱性にも
著しく優れて熱収縮率が小さいのである。In particular, aromatic dinuclear noamines and aromatic tetranuclear diamines represented by general formulas (IV) and (V) have excellent colorless transparency and are most suitable for the substrate used in the present invention.
In this example, x+ and X2 are S02. The polyimide film obtained using this material is
Not only is it extremely colorless and transparent, but it also has excellent heat resistance and a low heat shrinkage rate.
このようにして得たポリイミドフィルム製基板上にTF
Tアレイを形成する。TF was placed on the polyimide film substrate thus obtained.
Form a T array.
基板上へのTFTアレイの形成は、例えば次の如く行な
われる。Formation of a TFT array on a substrate is performed, for example, as follows.
第1図はスタガ形のTFTアレイ(1)であり、該TF
Tアレイ(1)は以下の如く構成されている。Figure 1 shows a staggered TFT array (1).
T array (1) is configured as follows.
第1図において、基板(2)上に蒸着又はスパッタ法に
よりITO等の透明導電性材料、又はクロム、−[:1
77’テ゛ン、アルミニウム、ニッケル、クロム等の導
電性材料でゲート電極(3)を形成する。In FIG. 1, a transparent conductive material such as ITO or chromium, -[:1
A gate electrode (3) is formed of a conductive material such as 77' metal, aluminum, nickel, or chromium.
次にSiO□、八120.或はSixNyなどの絶縁性
材料で絶縁膜(4)を形成する。Next, SiO□, 8120. Alternatively, the insulating film (4) is formed of an insulating material such as SixNy.
この絶縁膜(・t)の形成には、蒸着法、スパッタ法及
びプラズマCVD法などの方法のなかから適宜選択され
る。To form this insulating film (.t), a method such as a vapor deposition method, a sputtering method, a plasma CVD method, or the like is appropriately selected.
その後、プラズマCVD法及びフォトリングラフィによ
りアモルファスシリコンから成る半導体層(5)を形成
する。Thereafter, a semiconductor layer (5) made of amorphous silicon is formed by plasma CVD and photolithography.
更に、ソース電極とドレイン電極を形成するために蒸着
法で11’ OJr!Iとアルミニウム層等を11を積
し、7オトリングラフイ(こよりソース電極(6)及び
ドレイン電ff1(7)を設ける。Furthermore, in order to form a source electrode and a drain electrode, 11'OJr! I, aluminum layer, etc. are stacked 11 times, and a source electrode (6) and a drain electrode ff1 (7) are provided from this layer.
しかる後、表示部電極を形成するためにITO層を蒸着
又はスパッタ法により11に積し、7オトリングラフイ
により表示部電極を製作し、TFTアレイは完成する。Thereafter, an ITO layer is deposited on 11 by vapor deposition or sputtering to form a display electrode, and the display electrode is fabricated by 7-otolithography to complete the TFT array.
本発明によるTFTアレイの形成においては、上記の各
電極形成用薄膜、アモルファスシリコンrg膜、及び絶
縁膜の層の形成法の選択にあたっては、基板の透明ポリ
イミド基板の耐熱温度(300°C)を考Il!して決
定される。In forming the TFT array according to the present invention, when selecting the method for forming the above-mentioned thin films for forming electrodes, the amorphous silicon RG film, and the insulating film, the heat resistant temperature (300°C) of the transparent polyimide substrate is considered. Thinking! Determined by
又、各薄膜の堆積及び7オトリソグラフイ等によるパタ
ーン加工は、基板をロール状に巻回して連続して処理す
ることができる。Further, the deposition of each thin film and pattern processing by 7 otolithography or the like can be performed continuously by winding the substrate into a roll.
上記のTFTアレイの製作は、断面(部分)が第1図で
示されるスタガ形の構造の1世、第2図で示される如き
、入タガ形、更に、第3図及び第4図で示されるコプラ
ナ形の構造のもの等が含まれる。The above-mentioned TFT array can be fabricated using a staggered structure whose cross section (portion) is shown in FIG. 1, a staggered structure shown in FIG. 2, and a staggered structure shown in FIGS. This includes those with a coplanar structure.
本発明の1膜トランジスタアレイを製造するにあたり、
各薄膜層及び7オトリングラフイ等の工程ではガラス基
板を扱うときと同様に表面を平坦にして各種の処理を行
うことが可能である。又、液晶表示パネルの組立時に湾
曲をらたせなこと°ぐ表示面での適度の曲面化(カマボ
ッ型)を行うことができるため、上述の作業者への反射
光を減少士ることが可能である。In manufacturing the one-film transistor array of the present invention,
In the process of forming each thin film layer, 7-otolithography, etc., it is possible to flatten the surface and perform various treatments in the same manner as when handling a glass substrate. Additionally, since it is possible to create a moderately curved display surface (Kamabot type) by reducing the curvature when assembling the liquid crystal display panel, it is possible to reduce the above-mentioned reflected light to the worker. It is.
(e)作用
プラス機等平坦で、短尺の基板上にTFTを設けtこT
FTアレイでは、液晶表示パネルの製作に用いた場合、
表示面はヅ坦になり、外光取込み角の縮小による反射光
の減少には限度がある。(e) A TFT is installed on a flat, short substrate such as an action-plus machine.
For FT arrays, when used for manufacturing liquid crystal display panels,
The display surface becomes flat, and there is a limit to how much reflected light can be reduced by reducing the external light intake angle.
又、アモルファスシリコン層や各電極形成用薄膜の製作
では、真空雰囲気での処理が行なわれるが、短尺故に低
コスト化に有利な連続生産が困難である。Further, in manufacturing the amorphous silicon layer and the thin films for forming each electrode, processing is performed in a vacuum atmosphere, but because of the short length, continuous production, which is advantageous for cost reduction, is difficult.
本発明による無色;h門なポリイミドフィルムを基板と
するTFTアレイの場合には、液晶のJ【・1の裏面側
の透明導電フィルムと(11み合わせることにより表示
面を適度に湾曲させた液晶表示パネルの製作が可能であ
り、反射危を大幅に減少させることができる作用を有す
る。In the case of a TFT array using a colorless polyimide film as a substrate according to the present invention, the liquid crystal display surface is moderately curved by combining the transparent conductive film on the back side of the liquid crystal J[・1 and (11). It is possible to manufacture display panels and has the effect of significantly reducing the risk of reflection.
又、生産ではほとんど聡′Cの工程で、基板をロール状
にも回して連続で処理でトるメリアFがあるが、特に高
い生産性が求められるアモルファスシリコン薄膜、各電
極形1友用薄膜及び絶縁膜の真空雰囲気での堆積工程で
は、同一チャンバー内にロール状で基板を保持し、連続
して薄膜を形成しうる作用を有する。In addition, in most production processes, there is Melia F, in which the substrate is turned into a roll and processed continuously, but particularly high productivity is required for amorphous silicon thin films, thin films for each electrode type, and one member for each electrode type. In the step of depositing an insulating film in a vacuum atmosphere, the substrate is held in a roll in the same chamber, and thin films can be continuously formed.
又、従来のがラス板等を基板とするTF’Tアレイと同
様に、適当なカラーフィルターと組み会わせることで、
フルカラーの表示1こ使用できるIt用を有する。In addition, similar to the conventional TF'T array that uses a glass plate as a substrate, by combining it with an appropriate color filter,
It has a full color display that can be used for one purpose.
(f)実施例
■無色透明なポリイミドフィルムの製作溶媒としてツメ
チルアセトアミドを用いて、3゜3゛−ン゛アミ7シ7
よニスルアオン1 alo12に対し、3.3’、、i
、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物をI I
Qof!反応させ、ポリイミドj肖駆体の溶液を得た。(f) Example ■ Production of a colorless and transparent polyimide film Using trimethylacetamide as a solvent,
3.3',,i for Yonisluaon1 alo12
, 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride I
Qof! The reaction was carried out to obtain a solution of polyimide J precursor.
この溶液をガラス板上に流延して皮膜を形成し、この皮
膜を熱風乾燥し、最後には300°Cで5時間加熱して
イミド化反応を完全に行い、j7み50μmのポリイミ
ドフィルムを得た。This solution was cast on a glass plate to form a film, this film was dried with hot air, and finally heated at 300°C for 5 hours to complete the imidization reaction, and a 50μm polyimide film was formed. Obtained.
このフィルムの光FA透過率(波v<500 nm1l
は85り5、又表面粗さは両面共に30人、温度は35
0°Cでの熱収縮率2%以下であった。Light FA transmittance of this film (wave v<500 nm1l
The surface roughness is 30 on both sides, and the temperature is 35.
The heat shrinkage rate at 0°C was 2% or less.
■T「Tアレイの製作
実施例
基板(2)として、上記■で得た厚み5()μmの無色
透明なポリイミドフィルムを用いた。(2) Production Example of T'T array As the substrate (2), the colorless and transparent polyimide film obtained in (2) above and having a thickness of 5 () μm was used.
このフィルムの片面に基板温度250 ’Cで蒸着によ
1)J7み2.000人のクロム膜をイ・jしたのち、
フォトリングラフィによりパターン加工してゲート電極
(3)を形成した。After depositing 2,000 chrome films on one side of this film by vapor deposition at a substrate temperature of 250'C,
A gate electrode (3) was formed by patterning using photolithography.
犬にその上に全面に渡って厚み2.000人のシリコン
ナイトライドS i3N 、から成る絶AM!II;!
(4)をプラズマCVD法により設けた。An absolute AM consisting of silicon nitride S i3N with a thickness of 2,000 people over the entire surface! II;!
(4) was provided by plasma CVD method.
ブラでマCVDの条件Ii:、基板温度2 S O”C
1原料ガスとして、水素で10モル%に希釈したシラン
を用い、流量が2008CCM及び100%窒XX10
05CC、圧力I Torr、高周波電力密度I W
att/ c+a2である。Conditions Ii for CVD using a bra: Substrate temperature 2 SO”C
1. Silane diluted to 10 mol% with hydrogen was used as the raw material gas, and the flow rate was 2008 CCM and 100% nitrogen XX10.
05CC, pressure I Torr, high frequency power density I W
att/c+a2.
その後、原料ガスの供給、放電及び基板の加熱を停止し
、l Q O!>6水素を流[2てプラ、[マCVD装
置n内のガスを完全に置換しtこ後、同一のプラズマC
VD装置内で下記の条f+により厚み2+500人の/
ンドーブアモルファスシリコンから成る半導体層(5)
を堆積した。After that, supply of raw material gas, discharge, and heating of the substrate are stopped, and l Q O! >6 Hydrogen flows [2 plasma] After completely replacing the gas in the CVD equipment, the same plasma C
In the VD device, thickness 2 + 500 people /
Semiconductor layer (5) made of undoped amorphous silicon
was deposited.
この条件は、基板温度250’c、Fy、料ガスとして
10モル%1こ希釈したシランを用い、その流htが2
0 +’l S CCM、圧力0,2Torr、高周波
電力密度0 、 I W act/ cn−である。The conditions are as follows: the substrate temperature is 250'C, Fy, silane diluted by 10 mol% is used as the source gas, and the flow ht is 250'C.
0 +'l S CCM, pressure 0.2 Torr, high frequency power density 0, I W act/cn-.
次に71トリングラフイによりトランノスタ形戊領域に
アモルファスシリコンのパターンを形Illした。Next, an amorphous silicon pattern was formed in the trannostar-shaped hollow region using a 71 trinography.
しかる後、スバ・フタ法により厚み3,000人のアル
ミニウム膜を選択的に11ト積し、ソース電極(6)及
びドレイン電極(7)を形成した。Thereafter, 11 aluminum films having a thickness of 3,000 wafers were selectively stacked using the sub-lid method to form a source electrode (6) and a drain electrode (7).
更にスパッタ法により厚み300人のITOlliを選
択的に堆積し、表示用7r1極を形成した。Furthermore, ITOlli was selectively deposited to a thickness of 300 by sputtering to form a 7r1 electrode for display.
スパッタによるアルミニウム膜及びITO膜の111i
積の場合も、基板温度は250°Cを越元ないようにし
た。111i of aluminum film and ITO film by sputtering
In the case of the product as well, the substrate temperature was set not to exceed 250°C.
かくして得られr:、薄膜トランジスタアレイは基板と
して石英がラス板を用いたものと比較して、何ら遜色が
なく、しかも軽量であった。The thus obtained thin film transistor array was comparable in weight to one using a quartz lath plate as a substrate, and was lighter in weight.
(8)発明の効果
本発明のTFTアレイは、その基板に無色透明なポリイ
ミドフィルムを■いることで、可撓性のTFTアレイを
製作するのが可能となり、液晶と裏面側の透明導電膜と
組み合せることで、使用者に対し、凹型の表示面を有す
る反射光を減少した液晶表示パネルの製作ができるので
ある。(8) Effects of the Invention The TFT array of the present invention makes it possible to manufacture a flexible TFT array by using a colorless and transparent polyimide film on its substrate, and the liquid crystal and the transparent conductive film on the back side By combining them, the user can produce a liquid crystal display panel with a concave display surface and reduced reflected light.
又、基板をロール状に巻回した状態で連続して製造工程
にかけられるため、連続生産が可能となり、この結果、
生産コストを大幅に削減できるのである。In addition, since the substrate is rolled into a roll and subjected to the manufacturing process continuously, continuous production is possible.
Production costs can be significantly reduced.
又、軽量、薄型のため、ポータプルな装置への応用に適
した液晶表示用TFTアレイを容易に製造できるなどの
効果を奏するのである。Furthermore, since it is lightweight and thin, it has the advantage that it is possible to easily manufacture a TFT array for liquid crystal display, which is suitable for application to portable devices.
更に、基板、透明導電膜及び液晶等の屑をはさんで互に
張り合わされて成るフィルムを、適度に湾曲した形状の
アクリル樹脂等の成形パネルに重ねて使用することもで
き、極めて有用である。Furthermore, a film made by pasting together scraps such as a substrate, a transparent conductive film, and a liquid crystal can be used by overlaying a suitably curved shaped panel made of acrylic resin, etc., which is extremely useful. .
第1図ないし第4図はそれぞれ本発明を適用しうる薄膜
トランノスタアレイの要部拡大断面図である。
(1)・・・薄膜トランノスタアレイ、(2)・・・基
板、
(3)・・・ デ − ト ?■【 極 、(4)・・
・絶縁膜、
(5)・・・半導体層、
(6)・・・ソース電極、
(7)・・・ドレイン電極。
第1 (支)
4−JL本東
5、−411 第2図
第3図
手続補正書(自発)
昭和61年11月10日1 to 4 are enlarged sectional views of essential parts of a thin film trannostar array to which the present invention can be applied. (1)... Thin film transnostar array, (2)... Substrate, (3)... Data? ■【Koku, (4)...
-Insulating film, (5)...semiconductor layer, (6)...source electrode, (7)...drain electrode. No. 1 (branch) 4-JL Honto 5, -411 Figure 2 Figure 3 Procedure amendment (voluntary) November 10, 1985
Claims (1)
イン電極を基板上に設けて成る薄膜トランジスタアレイ
において、該基板が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼−( I ) 及び/又は ▲数式、化学式、表等があります▼−(II) 〔ただし、式( I )においてX_1はO、SO_2、
CH_2又はCOであり、式(II)において、X_2は
SO_2、C(CH_3)_2又はC(CF_3)_2
である。〕で示される繰返し単位を有するポリイミドを
主成分とするポリイミドフィルムで形成されていること
を特徴とする薄膜トランジスタアレイ。[Claims] In a thin film transistor array in which a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a source/drain electrode are provided on a substrate, the substrate has a general formula▲a mathematical formula, a chemical formula, a table, etc.▼-(I) and/or ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼-(II) [However, in formula (I), X_1 is O, SO_2,
CH_2 or CO, and in formula (II), X_2 is SO_2, C(CH_3)_2 or C(CF_3)_2
It is. ] A thin film transistor array characterized in that it is formed of a polyimide film mainly composed of polyimide having repeating units represented by the following.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60234269A JPS6293974A (en) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | Thin film transistor array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60234269A JPS6293974A (en) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | Thin film transistor array |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6293974A true JPS6293974A (en) | 1987-04-30 |
Family
ID=16968319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60234269A Pending JPS6293974A (en) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | Thin film transistor array |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6293974A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0758665A1 (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polyimides and optical parts obtained by using the same |
JP2003502874A (en) * | 1999-06-21 | 2003-01-21 | ケンブリッジ ユニバーシティ テクニカル サービシズ リミティド | Arrayed polymer for organic TFT |
JP2003531487A (en) * | 2000-04-18 | 2003-10-21 | イー−インク コーポレイション | Process for manufacturing thin film transistor |
US8466469B2 (en) * | 1994-12-27 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having pair of flexible substrates |
JP2016066810A (en) * | 2000-08-25 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacture method of light-emitting device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5230319A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Compensation circuit of digital type gamma |
JPS5621602A (en) * | 1979-07-26 | 1981-02-28 | Ube Ind Ltd | Manufacture of polyimide semipermeable membrane |
JPS6035574A (en) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Ricoh Co Ltd | Substrate for thin film transistor |
-
1985
- 1985-10-19 JP JP60234269A patent/JPS6293974A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5230319A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Compensation circuit of digital type gamma |
JPS5621602A (en) * | 1979-07-26 | 1981-02-28 | Ube Ind Ltd | Manufacture of polyimide semipermeable membrane |
JPS6035574A (en) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Ricoh Co Ltd | Substrate for thin film transistor |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8466469B2 (en) * | 1994-12-27 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having pair of flexible substrates |
EP0758665A1 (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polyimides and optical parts obtained by using the same |
JP2003502874A (en) * | 1999-06-21 | 2003-01-21 | ケンブリッジ ユニバーシティ テクニカル サービシズ リミティド | Arrayed polymer for organic TFT |
JP2003531487A (en) * | 2000-04-18 | 2003-10-21 | イー−インク コーポレイション | Process for manufacturing thin film transistor |
JP2016066810A (en) * | 2000-08-25 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacture method of light-emitting device |
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