JPS6292229A - Magnetic recording body and its production - Google Patents

Magnetic recording body and its production

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JPS6292229A
JPS6292229A JP23422285A JP23422285A JPS6292229A JP S6292229 A JPS6292229 A JP S6292229A JP 23422285 A JP23422285 A JP 23422285A JP 23422285 A JP23422285 A JP 23422285A JP S6292229 A JPS6292229 A JP S6292229A
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Japan
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magnetic
film
magnetic film
plating
coercive force
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Tetsuya Aisaka
哲彌 逢坂
Fumio Goto
文男 後藤
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Waseda University
NEC Corp
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Waseda University
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To enable high-density recording by continuously increasing the coercive force of a magnetic film formed on a substrate from the bottom surface of the magnetic film to its surface. CONSTITUTION:The coercive force of the magnetic film is continuously increased from the bottom surface of the magnetic film to the surface of the magnetic film. The magnetic film is incorporated with at least Co or Co and Ni and further, preferably, with at least one kind between P and B. In addition to the incorporation, at least one kind selected from Re, Mn and W is preferably incorporated into the magnetic thin film. Consequently,the reversal of recording magnetization can be generated at the lower part of the magnetic film even with a feeble magnetic field, and the magnetic recording body having an excellent overwriting characteristic and appropriate for high-density recording can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁気ディスク装置、フロッピディスク装置、
磁気テープ装置、磁気カード装量、磁気ドラム装置等の
磁気記録装置に用いられる磁気記録体およびその製造方
法に関するものである口(従来技術) 磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に
おいては、基体上に形成された磁気記録媒体(磁性膜)
K磁気ヘッドによって長手方向または垂直方向に磁化す
ることしてより記録を行なっ      1ている。近
年、磁気記録装置の高密度化の要G組C対して、磁気ヘ
ッドのギャップ長の減少が図られ、磁気記憶媒体として
は長手記録においては保磁力(He)の増大が図られつ
つある。垂直記録においては、媒体の垂直異方性を増大
する必要があるが、垂直異方性の増大には保磁力の増大
を伴うことが多いOしかるに保磁力の値は、磁気ヘッド
の記録磁界の強度により制限を受ける。すなわち、磁気
ヘッドのギャップ近傍の記録磁場はヘッド面から垂直方
向に離れるに従って減少するため、磁性膜の保磁力の値
によっては磁性膜の下部においては記録磁化反転がされ
なくなる。特に狭ギャップ長の磁気ヘッドを用いた場合
記録磁場の到達範囲が狭くなるためオーバーライド(重
ね書き)特性の劣化が著しい。このため、ヘッドに近い
部分、すなわち磁性膜上層部に高保磁力の磁性膜を設け
、磁性膜下層部には微弱なヘッド磁場でも記録磁化反転
が起きるような比較的低保磁力の磁性膜を設けることに
より、高密度記録に適する磁気記録d体とすることが考
えられる口 磁性gは、塗布法、スパッタ法、蒸着法、めっき法など
によって作製される0無電解めっき法では、通常磁性膜
厚の増大とともにその保磁力の値は減少する(例えばジ
ャーナルオプエレクトロケミカルンサエティ、(Jou
rnal  of Filectrochemical
 5ociety、 Vol。116 、 Now 2
 、 p188 。
Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a magnetic disk device, a floppy disk device,
Related to magnetic recording bodies used in magnetic recording devices such as magnetic tape devices, magnetic card loading devices, magnetic drum devices, etc., and methods for manufacturing the same (prior art) In magnetic recording devices such as magnetic disk devices, magnetic tape devices, etc. , magnetic recording medium (magnetic film) formed on a substrate
Recording is performed by magnetizing in the longitudinal or perpendicular direction using a K magnetic head. In recent years, efforts have been made to reduce the gap length of magnetic heads and increase the coercive force (He) in longitudinal recording of magnetic recording media in order to meet the requirements for high-density G groups in magnetic recording devices. In perpendicular recording, it is necessary to increase the perpendicular anisotropy of the medium, but increasing perpendicular anisotropy is often accompanied by an increase in coercive force. However, the value of coercive force depends on the recording magnetic field of the magnetic head. Limited by strength. That is, since the recording magnetic field in the vicinity of the gap of the magnetic head decreases as it moves away from the head surface in the perpendicular direction, recording magnetization reversal will not occur in the lower part of the magnetic film depending on the value of the coercive force of the magnetic film. In particular, when a magnetic head with a narrow gap length is used, the reachable range of the recording magnetic field becomes narrow, resulting in significant deterioration of override (overwriting) characteristics. For this reason, a magnetic film with a high coercive force is provided in the part close to the head, that is, in the upper layer of the magnetic film, and a magnetic film with a relatively low coercive force is provided in the lower layer of the magnetic film so that recording magnetization reversal occurs even in a weak head magnetic field. Therefore, the magnetic field g, which is considered to be a magnetic recording body suitable for high-density recording, is 0. In electroless plating methods, which are produced by coating methods, sputtering methods, vapor deposition methods, plating methods, etc., the magnetic film thickness is usually small. The value of coercive force decreases with the increase of
RNA of Filectrochemical
5ociety, Vol. 116, Now 2
, p188.

1969))o無″!!L解りつき法により上層部に高
保磁力の磁性めっき層をもち、下層部に低保磁力の磁性
めっき層をもった積層構造の磁性膜を得る方法の先例と
しては、特公昭44−2888(積層板磁気データ装置
)が知られている。
1969)) oNo''!!L As a precedent for obtaining a magnetic film with a laminated structure having a high coercive force magnetic plating layer in the upper layer and a low coercive force magnetic plating layer in the lower layer by the unraveling method, , Japanese Patent Publication No. 44-2888 (Laminated Plate Magnetic Data Device) is known.

(発明が解決しようとする問題点) 磁性膜は、塗布法、スッパッタ法、蒸着法、めっき法な
どζζよって作製されるが、保磁力が磁性膜の底面から
磁性膜の表面に向かって連続的に増大している磁性膜を
得ることは容易でない。塗布法では下層から上層まで一
様な保磁力の磁性膜となる。スパッタ法、蒸着法では、
磁性膜の成長中に外部から膜成長に影響を与えて保磁刃
金制御することも可能ではあるがその操作は極めて複雑
かつ微妙なものとなる。無に7tsめりき法では、通常
磁性giL厚の増大とともにその保磁力の値は減少した
磁性膜が得られる。この様な磁性膜を使用した磁気記録
体では、高記録密度用途の狭ギヤツプ長ヘッドを用いて
記録する場合、磁気ヘッドのギャップ近傍の記録磁場は
ヘッド面から垂直方向に離れるに従って急速に減少する
ため、磁性膜の表面から底面にいくにしたがって記録磁
化反転が困難となジオ−パーライト特性が著しく劣化す
る。また磁性膜上層部では高記録密度に対応する狭い磁
化遷移領域が得られるが、下層部にいくにしたがって記
録が困難となり磁化遷移幅が広がって磁性膜全体として
は高密度記録に適さなり磁気記録媒体となる。
(Problems to be Solved by the Invention) Magnetic films are manufactured by ζζ methods such as coating, sputtering, vapor deposition, and plating, but the coercive force is continuous from the bottom of the magnetic film to the surface of the magnetic film. It is not easy to obtain magnetic films that are increasing in size. The coating method results in a magnetic film with a uniform coercive force from the bottom layer to the top layer. In sputtering and vapor deposition methods,
Although it is possible to control the coercive blade by externally influencing the film growth during the growth of the magnetic film, the operation is extremely complicated and delicate. The blank 7ts-plating method usually yields a magnetic film whose coercive force value decreases as the magnetic giL thickness increases. In a magnetic recording medium using such a magnetic film, when recording is performed using a narrow gap length head for high recording density applications, the recording magnetic field near the gap of the magnetic head rapidly decreases as it moves away from the head surface in the perpendicular direction. Therefore, the geo-perlite characteristics, in which recording magnetization reversal becomes difficult, deteriorate significantly from the surface to the bottom of the magnetic film. In addition, in the upper layer of the magnetic film, a narrow magnetization transition region corresponding to high recording density is obtained, but as you go to the lower layer, recording becomes difficult and the magnetization transition width widens, making the magnetic film as a whole unsuitable for high-density recording. Become a medium.

無電解めっき法により上層部に高保磁力の磁性めっき層
をもち、下層部に低保磁力の磁性めっき層をもった積層
構造の磁性膜を得るには、特公昭44−2888によれ
ば以下の手順で行なわれる。すなわち、基体を塩化バラ
ジュウム溶液pdc1.0.55 g/l!、 11c
z s me/l: )に1分間浸漬したのち、無電解
コバルトめっき液(次亜リン酸とコバルトイオンなどか
らなる溶液)Kpfr要の時間浸漬する。
According to Japanese Patent Publication No. 44-2888, in order to obtain a magnetic film with a laminated structure having a magnetic plating layer with high coercive force in the upper layer and a magnetic plating layer with low coercive force in the lower layer by electroless plating, the following steps are required. It is done in steps. That is, the substrate was treated with a baladium chloride solution pdc1.0.55 g/l! , 11c
z s me/l: ) for 1 minute, and then immersed in an electroless cobalt plating solution (a solution consisting of hypophosphorous acid, cobalt ions, etc.) Kpfr for the required time.

この2工程を繰り返すことによって、コバルト皮膜とバ
ラジニウム皮膜との積層膜を形成し、その保磁力は全磁
気層の厚さと共に増大する析出物を生ずるとしている0
しかし、著者らの追試によれば、目的とする特性の皮膜
を得るには塩化バラジ為つム溶液の管理状態(濃度、作
製後の1経過時間等)、塩化パラジュクム溶液への処理
条件(温度、時間。
By repeating these two steps, a laminated film of a cobalt film and a varadinium film is formed, and the coercive force of the film is said to produce precipitates that increase with the thickness of the total magnetic layer.
However, according to additional experiments by the authors, in order to obtain a film with the desired characteristics, the management conditions of the parajucum chloride solution (concentration, 1 elapsed time after preparation, etc.) and the processing conditions for the parajucum chloride solution (temperature) ,time.

揺動等)などの条件範囲が狭く、極めて再現性に乏しか
りた口しかもバラジ為つム処理とコバルトめっき処理を
繰り返すために作製プロセスが複雑になシ、全磁気層の
厚さが薄い場合には適用が困難である。また、この様な
方法では、膜厚方向に関して段階的に保磁力の値が変化
するが、その変化が不連続的であるために記録再生時に
再生波形の歪み、ビットエラーなどの問題を生じるおそ
れがある。
The range of conditions such as vibration (oscillation, etc.) was narrow, and reproducibility was extremely poor.Furthermore, the fabrication process was complicated by repeating the bulk treatment and cobalt plating, and the total thickness of the magnetic layer was thin. is difficult to apply. In addition, with this method, the value of coercive force changes stepwise in the film thickness direction, but since the change is discontinuous, there is a risk of problems such as distortion of reproduced waveforms and bit errors during recording and reproduction. There is.

本発明の目的は、従来の問題を改善して、磁性膜の保磁
力が磁性膜の底面から磁性膜の表面に向かって連続的に
増大している磁気記録体と、これを安定に作製するだめ
の製造方法を提供することにある。
The purpose of the present invention is to improve the conventional problems and to provide a magnetic recording medium in which the coercive force of the magnetic film increases continuously from the bottom surface of the magnetic film toward the surface of the magnetic film, and to stably produce the same. The purpose of this invention is to provide a method for producing rice cakes.

(問題点を解決するだめの手段) 本発明による磁気記録体は、基体上に形成された磁性膜
からなシ、前記磁性膜の保磁力が磁性膜の底面から磁性
膜の表面に向かって連続的に増大していることを特徴と
している。
(Means for Solving the Problems) The magnetic recording body according to the present invention includes a magnetic film formed on a substrate, and the coercive force of the magnetic film is continuous from the bottom surface of the magnetic film toward the surface of the magnetic film. It is characterized by an increasing number of people.

本発明による磁気記録体の製造方法としては、金属イオ
ンとして少なくともコバルトイオンまたはコバルトイオ
ンおよびニッケルイオンを含み、添加剤として少なくと
も前記金属イオンの還元剤、前記金属イオンの錯化剤を
含む水溶液において、前記金属イオンの錯化剤として少
なくともマロン酸基を含み、前記マロン酸基が0.0 
O1mat/l以上0.7mn1/l以下の濃度範囲で
添加されている溶液を用いて無電解めっき法により磁性
膜を形成することを特徴としている。
The method for producing a magnetic recording medium according to the present invention includes an aqueous solution containing at least cobalt ions or cobalt ions and nickel ions as metal ions, and at least a reducing agent for the metal ions and a complexing agent for the metal ions as additives. At least a malonic acid group is included as a complexing agent for the metal ion, and the malonic acid group is 0.0
The method is characterized in that a magnetic film is formed by electroless plating using a solution added in a concentration range of O1 mat/l or more and 0.7 mn1/l or less.

本発明の磁気記録体において用いられる磁性膜は、少な
くともCoまたはCoおよびNiを含有し、さらにP、
  Bから選ばれた少なくとも1池を含有し、あるいは
さらにRe、 Mn、 Wから選ばれた少なくとも1棟
を含有した磁性薄膜である。本発明において用いられる
磁性膜のその他の成分としでは。
The magnetic film used in the magnetic recording body of the present invention contains at least Co or Co and Ni, and further contains P,
The magnetic thin film contains at least one structure selected from B, or further contains at least one structure selected from Re, Mn, and W. Other components of the magnetic film used in the present invention.

Be、Mg、 A4 au g S r g Fe g
 Sr HYg Zr 、Nb2 Cd g In e
Sb、 Ta、 Ir、 Hg、 Tl、 Nb、 G
d、 Tb、 Ti、 V、 Cr。
Be, Mg, A4 au g S r g Fe g
Sr HYg Zr , Nb2 Cd g In e
Sb, Ta, Ir, Hg, Tl, Nb, G
d, Tb, Ti, V, Cr.

Cu、 Zn、 Oa、 Oe、 Mo、 ah、pd
、 Ag、 Au、 pt、 Sn。
Cu, Zn, Oa, Oe, Mo, ah, pd
, Ag, Au, pt, Sn.

’re、 Ba、 Ce、 Sm、 Os、 Pb、 
Bi 等が本発明の効果に影響を与えない範囲で含まれ
ていてもよい。めっき膜中にはこれらの元素のほか、添
加剤の種類によりてはC,N、 O,S、 As、 N
a、 K、 F、 C1,Ca等の非金属が含有される
ことがある0磁性膜厚は0.05〜5μmの範囲が用い
られるが、高密度記録用には015μm以下が好ましい
0 磁性膜を形成する基体としては、通常アルミ合金、銅、
黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられる
が、適当な活性化処理によシガラス、樹脂等の非金属基
板ないしは金属と非金属の複合材料からなる基板にも適
用できるO本発明の主要な目的は、基体上に形成された
磁性膜の保磁力が磁性膜の底面から磁性膜の表面に向か
って連続的に増大している磁気記録体を提供することに
ある。従って、揮々の用途に用いるだめに磁性膜の上下
の層について種々の材質の付加的層を加えた構成の磁気
記録体に対しても本発明を適用し得ることは明らかであ
る。この様な構成の磁気記録体としては例えば、良好な
研磨性と極少欠陥面を得るため基体を無電解めっき法、
4気めっき法、蒸着法、スッパタ法等によって作製さレ
タニッケルーリン、ニッケルー銅−リン、銅、スズ、銅
−スズ等の層や陽極酸化法によって作製されたアルマイ
ト層などの中間)f!で被覆したもの、欠陥減少の目的
で中間層を多層化したもの、磁性膜の磁気特性を制御す
る目的で磁性膜の下にクロム、モリブデン、チタン、金
、銀、白金、パラジウム等の下地層やパラジウム、スズ
−パラジウム、金等の前処理層を形成したもの、垂直磁
気記録において記録再生感度を高めるため磁性膜の下に
軟磁性層を形成したもの、耐候性、耐久性を与えるため
に磁性膜の上に保誦層、潤滑層を形成(7たものなどが
挙げられる0 本発明の製造方法において用いられるl#cm解めっき
浴の主要成分としては、金属イオンとして少なくともコ
バルトイオンまたはコバルトイオンおよびニッケルイオ
ンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオンの還
元剤、前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液において、
前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロン酸基を
含むが、本発明の目的、効果を損なわない範囲において
、pi(緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール
防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いられることがある
're, Ba, Ce, Sm, Os, Pb,
Bi and the like may be included within a range that does not affect the effects of the present invention. In addition to these elements, the plating film also contains C, N, O, S, As, and N depending on the type of additive.
The thickness of the magnetic film, which may contain non-metals such as a, K, F, C1, and Ca, is in the range of 0.05 to 5 μm, but is preferably 0.15 μm or less for high-density recording. The base material used to form the usually aluminum alloy, copper,
Although metal substrates such as brass, phosphor bronze, iron, and titanium are used, the present invention can also be applied to non-metal substrates such as glass and resin, or substrates made of composite materials of metal and non-metal, through appropriate activation treatment. The main purpose of the present invention is to provide a magnetic recording medium in which the coercive force of a magnetic film formed on a substrate increases continuously from the bottom of the magnetic film to the surface of the magnetic film. Therefore, it is clear that the present invention can also be applied to magnetic recording bodies having a structure in which additional layers of various materials are added to the upper and lower layers of the magnetic film for use in various applications. For magnetic recording bodies with such a structure, for example, the substrate can be formed by electroless plating, in order to obtain good polishability and a surface with minimal defects.
Intermediate layers such as reta nickel-phosphorus, nickel-copper-phosphorus, copper, tin, copper-tin, etc. layers fabricated by 4-layer plating, vapor deposition, sputtering, etc., and alumite layers fabricated by anodic oxidation) f! Those coated with chromium, molybdenum, titanium, gold, silver, platinum, palladium, etc. under the magnetic film for the purpose of controlling the magnetic properties of the magnetic film. Those with a pre-treatment layer of , palladium, tin-palladium, gold, etc., those with a soft magnetic layer formed under the magnetic film to increase the recording and reproducing sensitivity in perpendicular magnetic recording, and those with a soft magnetic layer formed under the magnetic film to provide weather resistance and durability. A protective layer and a lubricating layer are formed on the magnetic film (7) The main components of the l#cm plating bath used in the manufacturing method of the present invention include at least cobalt ions or cobalt as metal ions. In an aqueous solution containing ions and nickel ions and containing at least a reducing agent for the metal ions and a complexing agent for the metal ions as additives,
Although at least a malonic acid group is included as a complexing agent for the metal ion, pi (buffer, brightener, smoothing agent, stimulant, anti-pinhole agent, surfactant, Additives such as these may be used.

コバルトイオン、ニッケルイオンハ、コバルトまたはニ
ッケルの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電
解めっき浴中に溶解することによって供給される。コバ
ルトイオンの濃度は、 0.005〜1mo//zの範
囲が用いられるが、好ましくは0.01〜0.18 m
o I/lの範囲であるロニッケルイオンの濃度は、 
 0.001〜1moJ//’の範囲が用いられるが、
好ましくは0.003〜0.15 +nob々の範囲で
ある。本発明において用いられる金属イオンとじては、
Co4たばNiを主成分とするが、 Re、 Mn、W
から選ばれた少なくとも1種を含有していてもよい。
Cobalt ions, nickel ions, and soluble salts of cobalt or nickel, such as sulfates, chlorides, acetates, are dissolved in the electroless plating bath. The concentration of cobalt ions used is in the range of 0.005 to 1 mo//z, preferably 0.01 to 0.18 m
o The concentration of nickel ions in the range of I/l is
A range of 0.001 to 1 moJ//' is used,
Preferably it is in the range of 0.003 to 0.15 +nob. The metal ions used in the present invention include:
Co4TabaNi is the main component, but Re, Mn, W
It may contain at least one selected from the following.

レニウムイオンは過レニウム酸カリ、過レニウム酸アン
モニウムなどの可溶性塩によって供給され、m度として
は、0.0001〜0.2 mat/lの範囲が用すら
れるが、好1しくけ0.001〜0.05 mol/l
の範囲である〇マンガンイオンはマンガンの硫酸塩、塩
化塩、酢酸塩などの可溶性塩によって供給され、濃度と
しては、0.001〜1 mat/lの範囲が用込られ
るが、好ましくは0.01〜0.05 mol/lの範
囲である。 タングステンについてはタングステン酸イ
オンが用いられることが多く、タングステン酸ナトリウ
ム、タングステン酸カリなどのタングステン酸の可溶性
塩によって供給され、濃度としては% 0.003〜1
 mat/lの範囲が用いられるが、好ましくは0.0
05〜0.2moぴlの範囲である。また、少量の、B
e、Mg、A/、  几11.St、Fe、Sr、Y、
Zr、Nb、Cds  In。
Rhenium ions are supplied by soluble salts such as potassium perrhenate and ammonium perrhenate, and the m degree used is in the range of 0.0001 to 0.2 mat/l, preferably 0.001 ~0.05 mol/l
The manganese ion is supplied by a soluble salt such as manganese sulfate, chloride, acetate, etc., and the concentration range is from 0.001 to 1 mat/l, but preferably 0.001 to 1 mat/l. It is in the range of 01 to 0.05 mol/l. For tungsten, tungstate ions are often used and are supplied by soluble salts of tungstate such as sodium tungstate and potassium tungstate, with concentrations ranging from 0.003 to 1%.
mat/l range is used, preferably 0.0
It is in the range of 0.05 to 0.2 mopil. Also, a small amount of B
e, Mg, A/, 几11. St, Fe, Sr, Y,
Zr, Nb, Cds In.

8b、 ’I”a、 Ir、 Hg、 Tl、 Nb、
 Gd、 Tb、 Ti、 V、Cr、 Cu。
8b, 'I''a, Ir, Hg, Tl, Nb,
Gd, Tb, Ti, V, Cr, Cu.

Zng Ga、Ge、Mo、几り、Pd Ag、Au、
Pt、an、TetBa、 Ce、 am、 Os、 
Pb、 Bi ’4(Dイオンが含まれていてもよく、
これらのイオンはそれぞれの可溶性塩によって供給され
る。
Zng Ga, Ge, Mo, 几り, Pd Ag, Au,
Pt, an, TetBa, Ce, am, Os,
Pb, Bi'4 (may contain D ions,
These ions are supplied by their respective soluble salts.

還元剤として#−i、%次亜リン酸塩、水素化はう素化
合物、ヒドラジン、ジメチルアミンボランおよびこれら
の誘導体の1種まだは2種以上が、0.01〜0.8 
mol/l 、好ましくは0.05〜0.3 mat/
lの範囲で用いられる。
As a reducing agent, one or more of #-i, % hypophosphite, hydrogenated boronate compound, hydrazine, dimethylamine borane, and their derivatives are used in a range of 0.01 to 0.8
mol/l, preferably 0.05-0.3 mat/
It is used in the range of l.

錯化剤として少なくともマロン酸基が使用される。マロ
ン酸基は、マロン酸またはマロン酸の可溶性塩が0.0
01〜0.7 mol/lの範囲で用いられるが、0.
1〜0.6mol/lの範囲が好ましい。また錯化剤と
してほかに、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸
、グルタル酸;フマル酸、シトラコン酸、グリコール酸
、ジグリコール酸、チオグリコール酸、ピルビン酸、乳
酸、シュウ酸、コハク酸、メルカプトコハク酸、マンデ
ル酸、マロン酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、
リンゴ酸、サリチル酸、酒石酸、タルトロン酸、アスコ
ルビン酸、クエン酸、スルホサリチル酸、安息香酸等の
カルボン酸、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン
、トリエチレンテトシアミン、ピリジン等のアミンおよ
びその誘導体、イミノジ酢酸、イミノジプロピオン酸、
ニトリロトリ酢酸、ニトリロトリプロピオン酸、エチレ
ンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチ
レンジアミンテトラプロピオン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸、アラニン、ザ
ル:”/ 7 、 /< リフ、ノルロイシン、チロシ
ン、システィン、グルタミン酸、グリシン、アスパラギ
ン酸、アスパラギン等のアミノ酸、アロン酸、イトン酸
、ガラクトン酸、グルコン酸、グロン酸、グロン酸、マ
ンノン酸、等のヘキソン酸などの弱酸またはそれらの可
溶性塩の1種または2棟以上の組み合わせが用いられる
ことがある。これらの錯化剤の濃度は、0.02〜2.
Omol/lの範囲が用いらし、 0.1〜Q、9mo
7々の範囲が好ましい。
At least malonic acid groups are used as complexing agents. The malonic acid group has 0.0 malonic acid or a soluble salt of malonic acid.
It is used in the range of 0.01 to 0.7 mol/l, but 0.01 to 0.7 mol/l is used.
A range of 1 to 0.6 mol/l is preferred. In addition, complexing agents include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, glutaric acid; fumaric acid, citraconic acid, glycolic acid, diglycolic acid, thioglycolic acid, pyruvic acid, lactic acid, oxalic acid, and succinic acid. , mercaptosuccinic acid, mandelic acid, malonic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid,
Carboxylic acids such as malic acid, salicylic acid, tartaric acid, tartronic acid, ascorbic acid, citric acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, amines and their derivatives such as ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetocyamine, pyridine, iminodiacetic acid, iminodipropionic acid ,
Aminopolycarboxylic acids such as nitrilotriacetic acid, nitrilotripropionic acid, ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetrapropionic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, alanine, colloid: 7, /< rif, norleucine, tyrosine, cysteine, glutamic acid, One or more of amino acids such as glycine, aspartic acid, asparagine, weak acids such as hexonic acids such as allonic acid, itonic acid, galactonic acid, gluconic acid, gulonic acid, gulonic acid, mannonic acid, etc., or their soluble salts. A combination of these complexing agents may be used at a concentration of 0.02 to 2.
A range of Omol/l is used, 0.1 to Q, 9mol
A range of 7 is preferred.

pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム
、ホウ酸等を用いることが好ましい。
As the pH buffering agent, ammonium salts, carbonates, organic acid salts, etc. are used, and ammonium sulfate, ammonium chloride, boric acid, etc. are preferably used.

濃度範囲は0.01〜3mo17々、好ましくは0.0
3〜1moθtが用いられる。
The concentration range is 0.01 to 3 mo17, preferably 0.0
3 to 1 moθt is used.

pH調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリと
してNaOH,LiOH,KOf(、RbOH,CsO
H。
As a pH adjuster, ammonia or caustic alkali such as NaOH, LiOH, KOf(, RbOH, CsO
H.

FrOH,Be(OH)2. Mcr(OH)ty C
a(OH)2.5r(OH)、。
FrOH, Be(OH)2. Mcr(OH)ty C
a(OH)2.5r(OH),.

B a (OII)t を几a(OH)を等の金属の水
酸化物が、1種または2種以上を組み合わせて用いられ
る。
Metal hydroxides such as Ba(OII)t and a(OH) are used singly or in combination of two or more.

通常、pH調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にpi(調節される。所要の…を上回った場合、…降
下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。P
H範囲は3〜14,5、好ましくは8.5〜11.5の
間で用いられる。
Normally, the plating solution before bath preparation without the addition of a pH adjuster is approximately neutral to acidic, and is adjusted to alkalinity (pi) by adding the above-mentioned hydroxide. Acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and acetic acid are used.P
The H range used is between 3 and 14.5, preferably between 8.5 and 11.5.

(作 用) 磁性膜上層部に高保磁力の磁性膜を設け、磁性膜下層部
には微弱なヘッド磁場でも記録磁化反転が起きるような
比較的低保磁力の磁性膜を設けることによシ、高密度記
録に適する磁気記録媒体とすることが試みられてきだが
、従来の方法では、膜厚方向に関して保磁力の値が変化
するが、その変化が不連続的であるために記録再生時に
再生波形の歪み、ビットエラーなどの問題を生じるおそ
れがあった。このため本発明においては、磁気記録体、
の磁性膜の保磁力を磁性膜の底面から磁性膜の表面に向
かって連続的に増大させることによってこれらの問題を
解決している。このような磁気記録体を得るには、磁性
膜を無電解めっき法によって作製するのが有利である。
(Function) By providing a magnetic film with a high coercive force in the upper layer of the magnetic film and a magnetic film with a relatively low coercive force such that recording magnetization reversal occurs even in a weak head magnetic field in the lower layer of the magnetic film, Attempts have been made to create a magnetic recording medium suitable for high-density recording, but with conventional methods, the value of coercive force changes in the film thickness direction, but because the change is discontinuous, the playback waveform during recording and playback is This may cause problems such as distortion and bit errors. Therefore, in the present invention, a magnetic recording medium,
These problems are solved by continuously increasing the coercive force of the magnetic film from the bottom of the magnetic film toward the surface of the magnetic film. In order to obtain such a magnetic recording body, it is advantageous to produce the magnetic film by electroless plating.

無電解めっきにおいて錯化剤の果たす役割は重要である
。錯化剤は、めっき浴中で金属イオンと錯体を形成しめ
つき反応の進行を制御している。錯化剤と磁気特性の関
係は現在のところ理論的に明らかになっていないが、錯
化剤を選ぶことKよって膜厚とともに保磁力を変化させ
ることが可能でちると考えられる。このため発明者等は
広範囲に各種錯化剤の検討を行なった結果、金属イオン
の錯化剤としてマロン酸基を含むことKよシ、保磁力が
底面から表面に向かって連続的(増大している磁性膜が
得られ、また、その保磁力の膜厚依存性は、マロン酸基
の濃度を選ぶことにより変化し得ることが見いだされた
。本発明は、このような知見を得たことによりもたらさ
れたものである。
Complexing agents play an important role in electroless plating. The complexing agent forms a complex with metal ions in the plating bath and controls the progress of the plating reaction. Although the relationship between the complexing agent and the magnetic properties has not been theoretically clarified at present, it is thought that by selecting the complexing agent, it is possible to change the coercive force along with the film thickness. For this reason, the inventors extensively investigated various complexing agents, and found that the coercive force was continuous (increased) from the bottom to the surface. It was also found that the dependence of the coercive force on the film thickness can be changed by selecting the concentration of malonic acid groups.The present invention is based on the findings obtained. This was brought about by

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。
Next, the present invention will be specifically explained with reference to Examples and Comparative Examples.

(比較例1) アルミ合金基板内径100mm外径210mm  上に
非磁性歯−P層をめっきし、表面を鏡面研磨した後その
上に下記のめっき浴およびめっき条件にて膜厚0.4μ
mのCo−N1−Re−P合金磁性膜を形成した口 めっき浴(1) 硫酸コバルト        0.06  mol/l
硫酸ニッケル        0.08  mat/l
過レニウム酸アンモニウム  0.003 mat71
次亜リン酸ナトリウム    0.2   mol/l
−roン酸ナトリウム     0.85  mat/
l酒石酸ナトリウム      0.25  mat/
lタルトo :/ HO,035mol/lグルコン酸
ナトリウム    Q、2   mat/′l!硫酸ア
ンモニウム0.5   mat/lめりき条件(11 浴温  80度C めっき浴のp)1  9.2(室温にてアンモニア水で
声調節) めっき液の容量  1001 次にこの上に珪V七ツマ−を回転塗布し、190度Cで
数時間焼成して膜厚0.02μmの珪酸重合体を主成分
とする保護膜を形成し、更にこの上に脂肪族炭化水素系
の固体潤滑剤からなる潤滑層を形成し磁気ディスクを作
製した。得られた磁気ディスクをディスクAとする。
(Comparative Example 1) A non-magnetic tooth-P layer was plated on an aluminum alloy substrate with an inner diameter of 100 mm and an outer diameter of 210 mm, and after the surface was mirror-polished, a film thickness of 0.4 μm was applied using the following plating bath and plating conditions.
Cobalt sulfate 0.06 mol/l Cobalt sulfate 0.06 mol/l
Nickel sulfate 0.08 mat/l
Ammonium perrhenate 0.003 mat71
Sodium hypophosphite 0.2 mol/l
-Sodium ronate 0.85 mat/
l Sodium tartrate 0.25 mat/
l tart o :/ HO, 035 mol/l sodium gluconate Q, 2 mat/'l! Ammonium sulfate 0.5 mat/l plating conditions (11 Bath temperature 80 degrees C plating bath p) 1 9.2 (voice adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 1001 Next, on top of this, silicon V - is spin-coated and baked at 190 degrees C for several hours to form a protective film mainly composed of silicic acid polymer with a film thickness of 0.02 μm, and on top of this a protective film consisting of an aliphatic hydrocarbon-based solid lubricant. A magnetic disk was fabricated by forming a lubricating layer. The obtained magnetic disk is referred to as disk A.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第11
図に示す。この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に
垂直方向の保磁力を図中に示した口めっき膜厚0.05
μmのHcは13200eであるが、めっき膜厚の増加
とともに減少しめりき膜厚0.4μmでのHcは790
0eになシ、保磁力が底面から表面に向かって連続的に
減少していた。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is expressed as
As shown in the figure. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.
Hc in μm is 13200e, but it decreases as the plating film thickness increases, and Hc at a plating film thickness of 0.4 μm is 790e.
At 0e, the coercive force decreased continuously from the bottom to the surface.

(比較例2) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本比較例では下記のめつき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.1μmのCo−P合金磁性膜を形成した。
(Comparative Example 2) A magnetic recording body was produced using the same procedure as Comparative Example 1, but in this comparative example, a Co-P alloy magnetic film with a film thickness of 0.1 μm was formed using the following plating bath and plating conditions. was formed.

めっき浴(2) 塩化コバルト        0.03  mo171
次亜リン酸ナトリウム    0.05  mat/l
クエン酸ナトリウム     0.10  mat/l
塩化アンモニウム      0.3   mol/l
めっき条件(2) 浴 温       80度C めっき浴のpl−18,2(室温にてNaOHで一1調
節) めっき液の容量   1001 得られた磁気ディスクをディスクBとする。
Plating bath (2) Cobalt chloride 0.03 mo171
Sodium hypophosphite 0.05 mat/l
Sodium citrate 0.10 mat/l
Ammonium chloride 0.3 mol/l
Plating conditions (2) Bath temperature 80 degrees C Plating bath pl-18,2 (adjusted with NaOH at room temperature) Plating solution capacity 1001 The obtained magnetic disk is referred to as disk B.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第12
図に示す。この磁性膜は面内異方性を有するため膜面内
の磁磁力を図中に示したOめつき膜厚0.02 μmの
Hcは11400eであるが、めりき膜厚の増加ととも
に減少しめりき膜厚0.18μmでのHcは3600e
になり、保磁力が底面から表面に向かって連続的に減少
していたO (実施例1) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.4μmのCo −Ni −Re−P合金磁性
膜を形成した。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film obtained in this way is expressed as
As shown in the figure. Since this magnetic film has in-plane anisotropy, the magnetic force in the film plane is shown in the figure.Hc for an O-plated film thickness of 0.02 μm is 11400e, but it decreases as the plated film thickness increases. Hc at a film thickness of 0.18 μm is 3600e
(Example 1) A magnetic recording medium was produced using the same procedure as Comparative Example 1, but in this example, the following plating was used. A Co-Ni-Re-P alloy magnetic film with a film thickness of 0.4 μm was formed using the bath and plating conditions.

めっき浴(3) 硫酸コバルト        0.06  mat/l
#C酸ニッケル         0.08  mat
/l過レニウム酸アンモニウム  0.OO3mat7
1次亜リン酸ナトリウム    0.2   mat/
lマロン酸ナトリウム     0.30  mol/
l酒石酸ナトリウム      0.25  mat/
lタルトロン酸         0.035  ma
t/lグルコン酸ナトリウム    0.3   mo
ly々硫酸アンモニウム      0.5   ma
t/lめっき条件(3) 浴 温       80度C めっき浴の−49,2(室温にてアンモニア水でPH調
節) めっき液の容′M    1001 得られた磁気ディスクをディスクCとする。
Plating bath (3) Cobalt sulfate 0.06 mat/l
#C nickel acid 0.08 mat
/l ammonium perrhenate 0. OO3mat7
Sodium hypophosphite 0.2 mat/
l Sodium malonate 0.30 mol/
l Sodium tartrate 0.25 mat/
l tartronic acid 0.035 ma
t/l sodium gluconate 0.3 mo
Ammonium sulfate 0.5 ma
t/l plating conditions (3) Bath temperature 80 degrees C Plating bath -49.2 (pH adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 'M 1001 The obtained magnetic disk is referred to as disk C.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第1図
に示す。この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂
直方向の保磁力を図中に示した。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.

めっき膜厚0.05μmのHcは2900eであるが、
めっき膜厚の増加とともに増加しめっき膜厚0.4μm
でのHcは10500eにな)、保磁力が底面から表面
に向かって連続的に増大している磁性膜が得られた。
Hc for a plating film thickness of 0.05 μm is 2900e,
Plating film thickness increases with increase of plating film thickness: 0.4μm
(Hc was 10,500e), and a magnetic film was obtained in which the coercive force increased continuously from the bottom surface to the surface.

(実施例2) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.4μmのCo−N1−Re−P合金磁性膜を
形成した口 めっき浴(4) 硫酸コバルト       0.06  moびl硫酸
ニッケル       0.08  mol/l過レニ
ウム酸アンモニウム 0.003  mat71次亜リ
ン酸ナトリウム   0.2   mat/lマロン酸
ナトリウム    0.50  ma!/l酒石酸ナト
リウム       0.25  moゎtタルトロン
酸         0.035  mat/lグルコ
ン酸ナトリウム    0.3   mat/l硫酸ア
;/モニウム      0.5   mat/lめっ
き条件(4) 浴 温       80度C めっきMのpi4 9.2  (室温にてアンモニア水
で一調節) めっき液の′8−n     10(D’得られた磁気
ディスクをディスクDとする。
(Example 2) A magnetic recording body was produced in the same manner as in Comparative Example 1, but in this example, a Co-N1-Re- Plating bath in which P alloy magnetic film was formed (4) Cobalt sulfate 0.06 mol Nickel sulfate 0.08 mol/l Ammonium perrhenate 0.003 mat71 Sodium hypophosphite 0.2 mat/l Malonic acid Sodium 0.50 ma! /l Sodium tartrate 0.25 moゎt Tartronic acid 0.035 mat/l Sodium gluconate 0.3 mat/l Sodium sulfate/Monium 0.5 mat/l Plating conditions (4) Bath temperature 80 degrees C Plating M pi4 9.2 (adjusted with ammonia water at room temperature) plating solution '8-n 10 (D') The obtained magnetic disk is referred to as disk D.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第2図
に示す。この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂
直方向の保磁力を図中に示しだ。
FIG. 2 shows the film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.

めっき膜厚0.05μmのHeは5100eであるが、
めっき膜厚の請願とともに増加しめっき膜厚0.3μm
でのI4cは1o000eになる口比較例1および実施
例1,2で示されたように、マロン酸の濃?iと選ぶこ
とにより保磁力の膜厚依存性を変化させることができる
He with a plating film thickness of 0.05 μm is 5100e, but
The plating film thickness increased to 0.3 μm as the plating film thickness was requested.
As shown in Comparative Example 1 and Examples 1 and 2, the I4c of malonic acid is 1o000e. By selecting i, the film thickness dependence of the coercive force can be changed.

(実施例3) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製;r−行なっ
たが、本実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を
用いて膜厚0.4μmのCo−Ni−几e−Mn−P合
金磁性膜を形成した〇 めっき浴(5) 硫酸コバルト        0.06  mat/l
硫酸ニッケル        0.12  mat/ 
1硫酸マンガン        0.04  mat/
 1過レニウム酸アンモニウム  0.005 mol
/ 1次亜リン酸ナトリウム    0.3  mol
/lマロン酸ナトリウム     Q、3  moe/
l酒石酸ナトリウム      0.2  mol/l
コハク酸ナトリウム     0.3   mat/ 
1硫酸アンモニウム      0.5  mat/l
めっき条件(5) 浴温    80度C めっき浴のμ(9,2(室温にてアンモニア水で…調節
) めっき液の容量    1001 得られた磁気ディスクをディスクEとする。
(Example 3) A magnetic recording medium was prepared in the same manner as in Comparative Example 1; however, in this example, a Co-Ni film with a film thickness of 0.4 μm was prepared using the following plating bath and plating conditions. Plating bath with e-Mn-P alloy magnetic film formed (5) Cobalt sulfate 0.06 mat/l
Nickel sulfate 0.12 mat/
1 Manganese sulfate 0.04 mat/
1 Ammonium perrhenate 0.005 mol
/ Sodium hypophosphite 0.3 mol
/l Sodium malonate Q, 3 moe/
l Sodium tartrate 0.2 mol/l
Sodium succinate 0.3 mat/
Ammonium 1 sulfate 0.5 mat/l
Plating conditions (5) Bath temperature 80 degrees C μ of plating bath (9,2 (adjusted with ammonia water at room temperature) Capacity of plating solution 1001 The obtained magnetic disk is referred to as disk E.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第3図
に示す◎この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂
直方向の保磁力を図中に示した。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. 3. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.

めっき膜厚0.05μmのHcは3700eであるが、
めっき膜厚の増加とともに増加しめっき膜厚0.4μm
でのHcは10100eになシ、保磁力が底面から表面
に向かって連続的に増大している磁性膜が得られた。
Hc of plating film thickness 0.05 μm is 3700e,
Plating film thickness increases with increase of plating film thickness: 0.4μm
Hc was 10100e, and a magnetic film was obtained in which the coercive force increased continuously from the bottom surface to the surface.

(実施例4) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
1本実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.4μmのCo−Ni−へ1n−P合金磁性膜
を形成した。
(Example 4) A magnetic recording medium was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, but in this example, 1n of Co-Ni- was coated with a film thickness of 0.4 μm using the following plating bath and plating conditions. -P alloy magnetic film was formed.

めっき浴(6) 硫酸コバルト        0.045 mat/l
硫61 二yケル        0.01  mat
/l硫酸マンガン        0.03moe71
次亜リン酸ナトリウム    0.2   mat/l
マロ/酸ナトリウム     0.7   mo身tリ
ンゴ酸ナトリウム      0.05  mat/l
硫酸アンモニウム      0.45  mat/l
めっき条件(6) 浴温   80度C めっき浴のpi4 9.5(室温にてアンモニア水で一
1調節) めっき液の容量    1001! 得られた磁気ディスクをディスクFとする。
Plating bath (6) Cobalt sulfate 0.045 mat/l
Sulfur 61 2y Kel 0.01 mat
/l manganese sulfate 0.03moe71
Sodium hypophosphite 0.2 mat/l
Malo/Sodium acid 0.7 Sodium malate 0.05 mat/l
Ammonium sulfate 0.45 mat/l
Plating conditions (6) Bath temperature 80 degrees C Plating bath pi4 9.5 (adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 1001! The obtained magnetic disk is referred to as disk F.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第4図
に示す。この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂
直方向の保磁力を図中忙示しだ。
FIG. 4 shows the film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is clearly shown in the figure.

めっき膜厚0.05μmのHcは5400eであるが、
めりき膜厚の増加とともに増加しめっき膜厚0.4μm
でのHeは9200eになり、保磁力が底面から表面に
向かって連続的に増大している磁性膜が得られたO (実施例5) 比較例1と同様の手1nで磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用
いて膜厚0.4μmのCo−Mn−P合金磁性膜を形成
した。
The Hc of the plating film thickness of 0.05 μm is 5400e, but
Plating film thickness increases with increasing plating film thickness: 0.4μm
He was 9200e, and a magnetic film was obtained in which the coercive force increased continuously from the bottom to the surface. (Example 5) A magnetic recording medium was prepared in the same manner as in Comparative Example 1. However, in this example, a Co--Mn--P alloy magnetic film with a thickness of 0.4 μm was formed using the plating bath and plating conditions described below.

めっき浴(7) 硫酸コバルト        0.06  mat/l
硫酸マンガン        0.04  mat71
次亜リン酸ナトリウム    0.2   mat/l
マロン酸ナトリウム     0.4   mat/l
リンゴ酸ナトリウム      0.4   mol/
l’AE酸アンモニウム      0.4   ma
t/lめっき条件(力 浴 温       8o度C めっき浴のpH9,2(室温忙てアンモニア水でp+(
調節) めっき液の容量    1ooz 得られた磁気ディスクをディスクGとする。
Plating bath (7) Cobalt sulfate 0.06 mat/l
Manganese sulfate 0.04 mat71
Sodium hypophosphite 0.2 mat/l
Sodium malonate 0.4 mat/l
Sodium malate 0.4 mol/
Ammonium l'AE acid 0.4 ma
t/l plating conditions (power bath temperature 8o C plating bath pH 9.2 (at room temperature, ammonia water p+ (
Adjustment) Capacity of plating solution: 1 oz The obtained magnetic disk is referred to as disk G.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第5図
纜示す。この磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂
直方向の保磁力を図中に示した。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.

めりき膜厚0.05μmのHeは5100eであるが、
めりき膜厚の増加とともVr−増加しめりき膜厚0.4
μmでのHcは8500eにな)%保イ6カが底面から
表面に向かって連続的に増大している磁性膜が得られた
0 (実施例6) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.4AmのCo−W−P合金磁性膜を形成した
He with a plated film thickness of 0.05 μm is 5100e, but
As the plated film thickness increases, Vr-increases with plated film thickness 0.4
Hc in μm was 8500e) A magnetic film was obtained in which the % retention force increased continuously from the bottom to the surface (Example 6) Magnetic recording was performed using the same procedure as in Comparative Example 1. In this example, a Co-W-P alloy magnetic film with a film thickness of 0.4 Am was formed using the plating bath and plating conditions described below.

めっき浴(8) 硫(iコバルト        0.1   mat/
lタングステン酸ソーダ    0.18  mo17
1次亜リン酸ナトリウム    0.35  mat/
lマロン酸ナトリウム     0.25mol/lグ
ルコン酸0.6   mat/l 硫酸アンモニウム      0.35mol/lめっ
き条件(8) 浴温   80度C゛ めりき浴のpi4 9.2(室温にてアンモニア水で声
調節) めっき液の容量    1001! 得られた磁気ディスクをディスクHとするOこうして得
られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第6図に示す。こ
の磁性膜は垂直異方性を有するため膜面に垂直方向の保
磁力を図中に示した。
Plating bath (8) Sulfur (i cobalt 0.1 mat/
l Sodium tungstate 0.18 mo17
Sodium hypophosphite 0.35 mat/
l Sodium malonate 0.25 mol/l Gluconic acid 0.6 mat/l Ammonium sulfate 0.35 mol/l Plating conditions (8) Bath temperature 80° C Adjustment) Plating solution capacity 1001! The obtained magnetic disk is referred to as disk H. The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. Since this magnetic film has perpendicular anisotropy, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is shown in the figure.

めっき膜厚0.05μ[nのHcは5800eであるが
、めりき膜厚の増加とともに増加しめっき膜厚0.4μ
mでのHcは?900eになり、保磁力が底面から表面
に向かって連続的に増大している磁性膜が得られたQ (実施例7) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なりたが
、本実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.1μmのCo −Ni−P合金磁性膜を形成
した。
Hc of plating film thickness 0.05μ[n is 5800e, but increases as plating film thickness increases, and plating film thickness 0.4μ
What is Hc at m? 900e, and a magnetic film in which the coercive force increases continuously from the bottom surface to the surface was obtained. In this example, a Co--Ni--P alloy magnetic film with a thickness of 0.1 μm was formed using the plating bath and plating conditions described below.

めっき浴(9) 硫酸コバルト        0.08  mat/l
!硫rfJtニッケル        0.02  m
at/l次亜リン酸ナトリウム    0.15  m
ol/lマロン酸ナトリウム     0.3   m
ol/lグルタミン酸ナトリウム   0.6   m
nl/l硫酸アンモニウム      Q、4   m
nl/lめっき条件(9) 浴温   80度C めっき浴の−9,0(室温にてアンモニア水で声調節) めっき液の容量    100I! 得られた磁気ディスクをディスクIとする。
Plating bath (9) Cobalt sulfate 0.08 mat/l
! sulfur rfJt nickel 0.02 m
at/l sodium hypophosphite 0.15 m
ol/l sodium malonate 0.3 m
ol/l sodium glutamate 0.6 m
nl/l ammonium sulfate Q, 4 m
nl/l plating conditions (9) Bath temperature 80 degrees C Plating bath -9.0 (voice adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 100I! The obtained magnetic disk is referred to as disk I.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第7図
に示す。この磁性膜は面内異方性を有するため膜面内の
保磁力を図中に示した。めっき膜厚0.02μmのHe
は5400eであるが、めりき膜厚の増加とともに増加
しめりき膜厚0.18μmでのHCは9500eになり
、保磁力が底面から表面に向かって連続的に増大してい
る磁性膜が得られた。
FIG. 7 shows the film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained. Since this magnetic film has in-plane anisotropy, the in-plane coercive force is shown in the figure. He with a plating film thickness of 0.02μm
HC is 5400e, but increases as the plated film thickness increases, and at a plated film thickness of 0.18 μm, HC becomes 9500e, and a magnetic film in which the coercive force increases continuously from the bottom to the surface can be obtained. Ta.

(実施例8) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.1μmのCo −Ni −W−P合金磁性膜
を形成した。
(Example 8) A magnetic recording body was produced using the same procedure as in Comparative Example 1, but in this example, Co-Ni-W-P with a film thickness of 0.1 μm was used using the following plating bath and plating conditions. An alloy magnetic film was formed.

めりき浴0α 硫酸コバルト        0.1   ma!/l
硫0二yケル        0.02  mnl/l
タングステン酸ナトリウム  0.04  mat71
次亜リン酸ナトリウム    0.2   mol/l
マロン酸ナトリウム     0.6   mnl/l
グルコン酸ナトリウム    0.2   mnl/l
硫暇アンモニウム      0.5   mnl/l
めりき条件u1 浴 vJA       80度C めっき浴の−19,2(室温にてアンモニア水でp11
調節) めっき腹の容量    1007? 得られた磁気ディスクをディスクJとする。
Meliki bath 0α cobalt sulfate 0.1 ma! /l
Sulfur 02K 0.02 mnl/l
Sodium tungstate 0.04 mat71
Sodium hypophosphite 0.2 mol/l
Sodium malonate 0.6 mnl/l
Sodium gluconate 0.2 ml/l
Sulfuric ammonium 0.5 mnl/l
Plating conditions u1 Bath vJA 80 degrees C Plating bath -19,2 (p11 with ammonia water at room temperature
Adjustment) Capacity of plating belly 1007? The obtained magnetic disk is referred to as disk J.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第8図
に示す。この磁性膜は面内異方性を有するため膜面内の
保磁力を図中に示した0めりき膜厚0.02 timの
Heは4600eであるが、めりき膜厚の増加とともに
増加しめりき膜厚0.18μmでのHeは8100eに
な9、保磁力が底面から表面に向かって連続的に増大し
ている磁性膜がイ41られた。
FIG. 8 shows the film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained. Since this magnetic film has in-plane anisotropy, the coercive force in the film plane is 4600e for a 0-plated film thickness of 0.02 tim shown in the figure, but it increases as the plated film thickness increases. At a film thickness of 0.18 μm, the He value was 8100e9, and a magnetic film in which the coercive force increased continuously from the bottom surface to the surface was obtained.

(実施例9) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.1μmのco−几e−P合金磁性膜を形成し
た。
(Example 9) A magnetic recording medium was produced in the same manner as in Comparative Example 1, but in this example, a co-e-P alloy with a film thickness of 0.1 μm was coated using the following plating bath and plating conditions. A magnetic film was formed.

めっき浴aυ 硫酸コバルト        0.06  mnl/l
過レニウム酸アンモニウム  0.002 mat71
次亜リン酸ナトリウム    0.2   moθtマ
ロン酸ナトリウム     0.3   mnl/l酒
石酸ナトリウム      0.5   m o l/
l硫酸アンモニウム      0.3   mnl/
lめっき条件aυ 浴温    80度C めっき浴のP)1 9.1(室温にてアンモニア水で声
調節) めっき液の容量    1001! 得られた磁気ディスクをディスクにとする。
Plating bath aυ Cobalt sulfate 0.06 mnl/l
Ammonium perrhenate 0.002 mat71
Sodium hypophosphite 0.2 moθt Sodium malonate 0.3 mnl/l Sodium tartrate 0.5 mol/l
l Ammonium sulfate 0.3 ml/
l Plating conditions aυ Bath temperature 80 degrees C Plating bath P) 1 9.1 (voice adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 1001! The obtained magnetic disk is made into a disk.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第7図
に示す口この磁性膜は面内異方性を有するため膜面内の
保磁力を図中に示した。めつき膜厚0.02 μmのH
eは4500eであるが、めりき膜厚の増加とともに増
加しめりき膜厚0.18μmでのHcは7300eにな
シ、保磁力が底面から表面に向かって連続的に増大して
いる磁性膜が得られた〇(実施例10) 比較例1と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用い
て膜厚0.1μmのCo−P合金磁性膜を形成した口 めっき浴a2 硫酸コバルト        0.07  mat71
次亜リン酸ナトリウム    0.25  mat/l
マロン酸ナトリウA      O,001mat/l
酒石酸ナトリウム      0.4   mat/l
硫酸アンモニウム      0.6   moktめ
っき条件cLz 浴温   80度C めっき浴のPH9,0(室温にてアンモニア水で声調節
) めっき液の容量    100I! 得られた磁気ディスクをディスクLとする。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. 7.Since this magnetic film has in-plane anisotropy, the in-plane coercive force is shown in the figure. H with plating film thickness of 0.02 μm
e is 4500e, but Hc increases as the plated film thickness increases, and at a plated film thickness of 0.18 μm, Hc is 7300e. Obtained 〇 (Example 10) A magnetic recording body was produced in the same manner as in Comparative Example 1, but in this example, a Co- Plating bath a2 with P alloy magnetic film formed Cobalt sulfate 0.07 mat71
Sodium hypophosphite 0.25 mat/l
Sodium malonate A O,001mat/l
Sodium tartrate 0.4 mat/l
Ammonium sulfate 0.6 mokt Plating conditions cLz Bath temperature 80 degrees C Plating bath pH 9,0 (adjusted with ammonia water at room temperature) Plating solution volume 100I! The obtained magnetic disk is referred to as disk L.

こうして得られる磁性膜の保磁力の膜厚依存性を第10
図に示す。この磁性膜は面内異方性を有するため膜面内
の保磁力を図中に示した口めっき膜厚0.02μmのH
eは5000eであるが、めっき膜厚の増加とともに増
加しめっき膜厚0.18μmでのHcは6900eにな
シ、保磁力が底面から表面に向かって連続的に増大して
いる磁性膜が得られた。
The film thickness dependence of the coercive force of the magnetic film obtained in this way is expressed as
As shown in the figure. Since this magnetic film has in-plane anisotropy, the coercive force in the film plane is shown in the figure.
e is 5000e, but Hc increases as the plating thickness increases, and at a plating thickness of 0.18 μm, Hc is 6900e, resulting in a magnetic film in which the coercive force increases continuously from the bottom to the surface. It was done.

以上の比較例および実施例で得られた磁気ディスクを下
記の条件で記録再生特性の測定を行なったO 測定条件 使用ヘッド Mn−Zn7エライトヘツドへラドギャッ
プ長 0.3μm ヘッド浮上1k    0.15μm オーバーライド特性は、ディスクA、C1D。
The recording and reproducing characteristics of the magnetic disks obtained in the above comparative examples and examples were measured under the following conditions.Measurement conditions Head used: Mn-Zn7 elite head Rad gap length 0.3 μm Head flying height 1k 0.15 μm Override characteristics are disks A and C1D.

E%F、 G%Hについては、先ず20kFRPIで記
録し、次K 40 kPrtPIで記録した場合の残留
ノイズとしての20kFRPI成分と信号としての40
 kFRPI成分の比として測定した0ディスクB% 
I、J%K。
Regarding E%F and G%H, when first recording at 20kFRPI and then recording at K40kPrtPI, the 20kFRPI component as residual noise and the 40kFRPI component as a signal are recorded.
0 disc B% measured as the ratio of kFRPI components
I, J%K.

Lについては、先ず15 kFRPIで記録し、次に3
0 kFRPIで記録した場合の残留ノイズとしての1
5kFRPI成分と信号としての30 kFRPI成分
の比として測定した。また、各磁気ディスクの限界記録
密度D50  (記録密度の目安として再生出力が孤立
波再生出力の1/2となる記録書itもとめたO ディスクA、C,D%E、F、G%Hについての測定結
果を第1表に示す0 第1表 ディスクA%C,D%E、 F、 G、 Hの
記録再生特性の測定結果 膜厚の増加とともに保磁力の減少するディスク人に比べ
て、膜厚の増加とともに保磁力のlQ+大するディスク
C,D、E、F、G、Hでは記録再生特性が向上した。
For L, first record at 15 kFRPI, then at 3
1 as residual noise when recording at 0 kFRPI
It was measured as the ratio of the 5 kFRPI component to the 30 kFRPI component as a signal. In addition, the limit recording density D50 of each magnetic disk (as a guideline for recording density, we have determined the record that the reproduction output is 1/2 of the solitary wave reproduction output) Table 1 shows the measurement results for disks A%C, D%E, F, G, and H.Compared to disks whose coercive force decreases as the film thickness increases, The recording and reproducing characteristics of disks C, D, E, F, G, and H improved as the film thickness increased and the coercive force increased by lQ+.

また、ディスクB、I、J、に% Lについての測定結
果を第2表に示す0 第2表 ディスクBIJKLの記録再生膜厚の増加とと
もに保磁力の減少するディスクBに比べて、膜厚の増加
とともに保磁力の増大するディスクI% Jl K、L
では記録再生特性が向上した。
Table 2 shows the measurement results for %L on disks B, I, and J. Disk whose coercive force increases with increase I% Jl K, L
The recording and playback characteristics have been improved.

(発明の効果) 以上、比較例および実施例で示されたように、本発明に
よれば、基体上に形成された磁性膜からなる磁気記録体
において、前記磁性膜の保磁力が磁性膜の底面から磁性
膜の表面に向かって連続的に増大している磁気記録体と
することにより、オーバーライド特性に優れた高密度記
録に適する磁気記録体が得られる。また、本発明の磁気
記録体の製造方法に、よれば、金属イオンとして少なく
ともコバルトイオンまたはコバルトイオンおよびニッケ
ルイオンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオ
ンの還元剤、前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液にお
いて、前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロン
酸基を含み、前記マロン酸基が0.001 moφ以上
0.7 mat/l以下の濃度範囲で添加されている無
電解めっき浴を用いることによシ、保磁力が底面から表
面に向かって連続的に増大している磁性膜を安定に得る
ことができる0
(Effects of the Invention) As shown above in the comparative examples and examples, according to the present invention, in a magnetic recording body consisting of a magnetic film formed on a substrate, the coercive force of the magnetic film is By making the magnetic recording body continuously increasing from the bottom surface toward the surface of the magnetic film, a magnetic recording body suitable for high-density recording with excellent override characteristics can be obtained. Further, according to the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, at least cobalt ions or cobalt ions and nickel ions are included as metal ions, and at least a reducing agent for the metal ions and a complexing agent for the metal ions are included as additives. An electroless plating bath is used in which the aqueous solution contains at least a malonic acid group as a complexing agent for the metal ion, and the malonic acid group is added in a concentration range of 0.001 moφ or more and 0.7 mat/l or less. In particular, it is possible to stably obtain a magnetic film in which the coercive force increases continuously from the bottom to the surface.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、第
7図、第8図、第9図および第10図は、それぞれ実施
例1,2.3% 4.5.6.7.8.9および10に
おいて、本発明の磁気記録体の製造方法よシ得られる磁
性膜の保磁力がめつき膜厚とともに変化していく様子を
示す図である。第11図および第12図は、それぞれ比
較例1および2において用いた無電解めっき浴より得ら
れる磁性膜の同様の関係を示す図である。 1(51,1・“、71V ° −弧・   11 ’
;  jh’、      口ご−   、。 \−一 71図 膜厚(、μm) 第3図 膜厚(μm) 0   0、+   0.2   0.3   0.4
  0.5膜、厚(μm) 第5口 0   0.+    0.2   0.3   0.
4   0.5″i7図 升9図 膜厚(μm) 膜厚(μm) 第110 膜厚(pm) 膜厚(μm)
Figures 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 are examples 1 and 2.3%, respectively. 4.5.6.7.8.9 and 10 are diagrams showing how the coercive force of the magnetic film obtained by the method of manufacturing a magnetic recording body of the present invention changes with the plating film thickness. FIG. 11 and FIG. 12 are diagrams showing similar relationships for magnetic films obtained from the electroless plating baths used in Comparative Examples 1 and 2, respectively. 1 (51,1・“, 71V ° − arc・11′
; jh', mouth-to-mouth. Figure 3 Film thickness (μm) 0 0, + 0.2 0.3 0.4
0.5 film, thickness (μm) 5th port 0 0. + 0.2 0.3 0.
4 0.5″i7 Diagram Square 9 Film Thickness (μm) Film Thickness (μm) 110th Film Thickness (pm) Film Thickness (μm)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基本上に形成された磁性膜を備えた磁気記録体に
おいて、前記磁性膜の保磁力が磁性膜の底面から磁性膜
の表面に向かって連続的に増大していることを特徴とす
る磁気記録体。
(1) A magnetic recording body having a magnetic film formed on the base, characterized in that the coercive force of the magnetic film increases continuously from the bottom surface of the magnetic film toward the surface of the magnetic film. magnetic recording medium.
(2)前記磁性膜が、少なくともCoまたはCoおよび
Niを含有し、さらにP、Bから選ばれた少なくとも1
種を含有した磁性薄膜である特許請求の範囲第1項記載
の磁気記録体。
(2) The magnetic film contains at least Co or Co and Ni, and further contains at least one selected from P and B.
The magnetic recording medium according to claim 1, which is a magnetic thin film containing seeds.
(3)前記磁性膜が、少なくともCoまたはCoおよび
Niを含有し、さらにP、Bから選ばれた少なくとも1
種を含有し、さらにRe、Mn、Wから選ばれた少なく
とも1種を含有した磁性薄膜である特許請求の範囲第1
項記載の磁気記録体。
(3) The magnetic film contains at least Co or Co and Ni, and further contains at least one selected from P and B.
Claim 1, which is a magnetic thin film containing seeds and further containing at least one selected from Re, Mn, and W.
Magnetic recording medium described in Section 1.
(4)金属イオンとして少なくともコバルトイオンまた
はコバルトイオンおよびニッケルイオンを含み、添加剤
として少なくとも前記金属イオンの還元剤、前記金属イ
オンの錯化剤を含む水溶液において、前記金属イオンの
錯化剤として少なくともマロン酸基を含み、前記マロン
酸基が0.001mol/l以上0.7mol/l以下
の濃度範囲で添加されている溶液を用いて無電解めっき
法により磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録体
の製造方法。
(4) In an aqueous solution containing at least cobalt ions or cobalt ions and nickel ions as metal ions, and containing at least a reducing agent for the metal ions and a complexing agent for the metal ions as additives, at least as a complexing agent for the metal ions. A magnetic film is formed by electroless plating using a solution containing malonic acid groups and to which the malonic acid groups are added in a concentration range of 0.001 mol/l to 0.7 mol/l. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
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