JPH051384A - Electroless plating bath - Google Patents

Electroless plating bath

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JPH051384A
JPH051384A JP17592991A JP17592991A JPH051384A JP H051384 A JPH051384 A JP H051384A JP 17592991 A JP17592991 A JP 17592991A JP 17592991 A JP17592991 A JP 17592991A JP H051384 A JPH051384 A JP H051384A
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JP
Japan
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acid
mol
film
plating bath
electroless plating
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Application number
JP17592991A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumio Goto
文男 後藤
Takehiko Yamamoto
武彦 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH051384A publication Critical patent/JPH051384A/en
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Abstract

PURPOSE:To stably form a semihard magnetic film having large saturation magnetization and coersive force by plating with high productivity by using this electroless plating bath. CONSTITUTION:The citrate group and malate group as the complexing agent for a metal ion are added to an aq. soln. contg. cobalt ion as the metal ion and the dimethylamine borane or diethylamine borane as the reducing agent for the metal ion as the additive to obtain the electroless plating bath.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、垂直記録に用いる磁気
記録媒体の下地層などのセミハ―ド磁性膜を作製するた
めの無電解めっき浴に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroless plating bath for producing a semi-hard magnetic film such as an underlayer of a magnetic recording medium used for perpendicular recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テ
―プ装置などの磁気記録装置においては、磁気記録媒体
の長手方向に磁化することにより記録を行ってきたが、
この方式では記録密度の増加に伴って媒体内の反磁界が
増大して残留磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著し
く減少するという欠点が存在する。このため記録密度が
増加するほど反磁界が小さくなり、高密度記録が可能な
垂直記録方式と、この垂直記録に適した磁気記録媒体と
して膜厚に垂直な方向に磁化容易なCoCrスパッタ膜
が提案されている(特開昭52−134706号公
報)。このような垂直記録を効率良く行うため、2層構
造磁性膜を有する磁気記録体が提案されている(特公昭
58−91号公報)。2層構造磁性膜は垂直磁気記録層
(磁気記録媒体)と、低保磁力の下地層からなり、この
下地層は垂直磁気記録層の裏面の磁極を打ち消す作用を
するため減磁作用が減少し、再生出力の増大を図ること
ができる。2層構造磁性膜の下地層としては、主として
スパッタ法によるFeNi膜(パ―マロイ)、MoFe
Ni膜(モリブデンパ―マロイ)、CoZr膜、CoZ
rNb膜などの軟磁性膜が使用される。しかし、垂直磁
気記録層(磁気記録媒体)の下地層として軟磁性膜を用
いる場合、再生出力は向上するが、低保磁力のため磁壁
移動が起こりやすく、ノイズが発生しやすい。このため
軟磁性膜のかわりにコバルトまたはコバルト−ニッケル
合金のセミハ―ド磁性膜を使用することが提案されてい
る(特開平2−18710号公報)。そしてこのセミハ
―ド磁性膜の保磁力は、30 Oeより小さいとスパイ
クノイズの原因となり、300 Oeより大きいと下地
層への記録が難しくなるため(裏面の磁極を打ち消す作
用が減じるため)、30〜300 Oeの範囲であるこ
とが好ましいとされている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a magnetic recording device such as a general magnetic disk device or a magnetic tape device, recording has been performed by magnetizing in the longitudinal direction of a magnetic recording medium.
In this method, there is a drawback that the demagnetizing field in the medium increases with the increase of the recording density, the residual magnetization is attenuated and rotated, and the reproduction output is significantly reduced. Therefore, the demagnetizing field becomes smaller as the recording density increases, and a perpendicular recording method that enables high-density recording and a CoCr sputtered film that is easy to magnetize in the direction perpendicular to the film thickness are proposed as a magnetic recording medium suitable for this perpendicular recording. (Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-134706). In order to efficiently perform such perpendicular recording, a magnetic recording body having a two-layer magnetic film has been proposed (Japanese Patent Publication No. 58-91). The two-layer magnetic film is composed of a perpendicular magnetic recording layer (magnetic recording medium) and an underlayer having a low coercive force. This underlayer acts to cancel the magnetic pole on the back surface of the perpendicular magnetic recording layer, so that the demagnetizing action is reduced. It is possible to increase the reproduction output. The underlying layer of the two-layer magnetic film is mainly a FeNi film (permalloy) by sputtering, MoFe
Ni film (molybdenum permalloy), CoZr film, CoZ
A soft magnetic film such as rNb film is used. However, when a soft magnetic film is used as an underlayer of the perpendicular magnetic recording layer (magnetic recording medium), the reproduction output is improved, but the domain wall movement is likely to occur due to the low coercive force, and noise is likely to occur. For this reason, it has been proposed to use a semi-hard magnetic film of cobalt or cobalt-nickel alloy instead of the soft magnetic film (JP-A-2-18710). If the coercive force of this semi-hard magnetic film is smaller than 30 Oe, it causes spike noise, and if it is larger than 300 Oe, recording on the underlayer becomes difficult (because the effect of canceling the magnetic pole on the back surface is reduced). It is said that it is preferably in the range of up to 300 Oe.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このような下地層は、
スパッタ、蒸着、イオンプレ―ティングなどの乾式成膜
法によって作製されており、この場合、真空系内で行う
ため量産性に問題がある。このため、製造上の問題点を
改善して量産性に優れた無電解めっき法により作製され
た下地層の適用が検討されている。これには、無電解N
iFePめっき膜、無電解NiPめっき膜、無電解Ni
WPめっき膜などが適用されているが、このうち飽和磁
化が400emu/ccと比較的大きいNiFeP膜を
使用した場合に最も大きな再生出力が得られる(アイ・
イ―・イ―・イ―・トランザクション・オン・マグネチ
ックス(IEEE Transaction on Magnetics)第Mag−
23巻,第2356〜2358頁,1987年)。しか
し、これらの無電解めっき膜の保磁力は20 Oe以下
の軟磁性膜であるため、前述のノイズの問題を有してい
る。NiFeP膜を得るめっき浴としては、金属表面技
術協会第65回講演大会要旨集,第138〜139頁,
1983年に鉄イオンの供給源として鉄ミョウバンを用
いたNiFePめっき浴や、東北大学科学計測研究所報
告,第33巻,第1〜13頁,1984年に、鉄イオン
の供給源としてモ―ル塩を用いたNiFePめっき浴の
例が挙げられている。しかし、浴条件を変化させてもこ
れらのNiFeP膜の保磁力は、30 Oeを越えるこ
とはできなかった。
Such a base layer is
It is produced by a dry film forming method such as sputtering, vapor deposition, and ion plating. In this case, there is a problem in mass productivity because it is performed in a vacuum system. Therefore, application of an underlayer formed by an electroless plating method that is excellent in mass productivity by improving manufacturing problems is being studied. This includes electroless N
iFeP plated film, electroless NiP plated film, electroless Ni
The WP plating film and the like are applied, but the largest reproduction output can be obtained when the NiFeP film having a relatively large saturation magnetization of 400 emu / cc is used.
IEEE Transaction on Magnetics No. Mag-
23, pp. 2356-2358, 1987). However, since the coercive force of these electroless plated films is a soft magnetic film of 20 Oe or less, it has the above-mentioned problem of noise. As a plating bath for obtaining a NiFeP film, the Metal Surface Technology Association, 65th Lecture Meeting, Proceedings, 138-139,
In 1983, a NiFeP plating bath using iron alum as a source of iron ions, and Tohoku University Institute of Scientific Measurement, Vol. 33, pp. 1-13, 1984, was used as a source of iron ions. An example of a NiFeP plating bath using salt is given. However, the coercive force of these NiFeP films could not exceed 30 Oe even if the bath conditions were changed.

【0004】また、無電解めっき法では飽和磁化が14
00emu/cc程度(NiFeP膜の約3.5倍の
値)と大きいCoB膜が作製可能であり、より出力増大
効果が期待される。しかし、酒石酸を錯化剤とする従来
の無電解CoBめっき浴から得られるめっき膜は軟磁性
膜であり、保磁力は数Oe以下(代表的な値としては
1.9 Oe)と小さい(日本応用磁気学会学術講演概
要集,第483頁,1989年)。本発明の目的は、こ
のような従来の問題を改善して、30Oe以上の保磁力
を有し、飽和磁化が大きいCoB合金からなるセミハ―
ド磁性膜を安定に作製し得る無電解めっき浴を提供する
ことにある。
In the electroless plating method, the saturation magnetization is 14
A CoB film as large as about 00 emu / cc (a value about 3.5 times that of the NiFeP film) can be produced, and a further output increasing effect is expected. However, the plating film obtained from the conventional electroless CoB plating bath using tartaric acid as a complexing agent is a soft magnetic film, and its coercive force is as small as several Oe or less (typically 1.9 Oe) (Japan). Applied Magnetics Society Academic Lectures, 483, 1989). An object of the present invention is to improve the conventional problems as described above, and to make a semi-hard alloy made of CoB alloy having a coercive force of 30 Oe or more and a large saturation magnetization.
An object of the present invention is to provide an electroless plating bath capable of stably producing a demagnetic film.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、金属イオンと
してコバルトイオンを含み、添加剤として少なくとも前
記金属イオンの還元剤としてのジメチルアミンボランま
たはジエチルアミンボランを含む水溶液であって、金属
イオンの錯化剤としてクエン酸基およびリンゴ酸基を含
むことを特徴とする無電解めっき浴である。本発明にお
いて用いられる無電解めっき浴の主要成分としては、金
属イオンとしてコバルトイオン、前記金属イオンの還元
剤としてジメチルアミンボランまたはジエチルアミンボ
ラン、前記金属イオンの錯化剤としてクエン酸基および
リンゴ酸基を含むが、本発明の目的、効果を損なわない
範囲において、pH緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、
ピンホ―ル防止剤、界面活性剤等の添加剤を用いること
ができる。
The present invention is an aqueous solution containing cobalt ions as metal ions and at least dimethylamine borane or diethylamine borane as a reducing agent for the metal ions as an additive. The electroless plating bath is characterized by containing a citric acid group and a malic acid group as an agent. The main components of the electroless plating bath used in the present invention include cobalt ions as metal ions, dimethylamine borane or diethylamine borane as a reducing agent for the metal ions, and citric acid groups and malic acid groups as complexing agents for the metal ions. However, the purpose of the present invention, as long as the effect is not impaired, pH buffer, brightener, smoothing agent, stimulant,
Additives such as pinhole inhibitors and surfactants can be used.

【0006】コバルトイオンは、コバルトの硫酸塩、塩
化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解
することによって供給される。コバルトイオンの濃度
は、0.0003〜1.1mol/lの範囲が用いられ
るが、好ましくは0.02〜0.3mol/lの範囲で
ある。本発明において用いられる金属イオンとしては、
コバルトを主成分とするが、少量のNi,Fe,Be,
Mg,Al,Ru,Si,Co,Sr,Y,Zn,Z
r,Nb,Cd,In,Sb,Ta,Ir,Hg,T
l,Nb,Gd,Tb,Ti,V,Cr,Cu,Ga,
Ge,Mn,W,Mo,Rh,Pd,Ag,Au,P
t,Sn,Te,Ba,Ce,Sm,Os,Pb,R
e,Bi等のイオンを本発明の効果を損なわない範囲で
含んでいてもよい。還元剤としては、ジメチルアミンボ
ランまたはジエチルアミンボランないしはこれらの誘導
体が、0.0001〜0.5mol/l、好ましくは
0.01〜0.1mol/lの範囲で用いられる。
Cobalt ions are supplied by dissolving a soluble salt of cobalt sulfate, chloride or acetate in an electroless plating bath. The cobalt ion concentration is in the range of 0.0003 to 1.1 mol / l, preferably 0.02 to 0.3 mol / l. The metal ions used in the present invention include:
Cobalt is the main component, but a small amount of Ni, Fe, Be,
Mg, Al, Ru, Si, Co, Sr, Y, Zn, Z
r, Nb, Cd, In, Sb, Ta, Ir, Hg, T
l, Nb, Gd, Tb, Ti, V, Cr, Cu, Ga,
Ge, Mn, W, Mo, Rh, Pd, Ag, Au, P
t, Sn, Te, Ba, Ce, Sm, Os, Pb, R
Ions such as e and Bi may be contained in a range that does not impair the effects of the present invention. As the reducing agent, dimethylamine borane or diethylamine borane or a derivative thereof is used in the range of 0.0001 to 0.5 mol / l, preferably 0.01 to 0.1 mol / l.

【0007】錯化剤としてのクエン酸基は、クエン酸ま
たはクエン酸ナトリウム、クエン酸カリウムなどの可溶
性塩によって供給される。これらは、0.001〜1m
ol/lの範囲で用いられるが、0.01〜0.3mo
l/lの範囲が好ましい。錯化剤としてのリンゴ酸基
は、リンゴ酸またはリンゴ酸ナトリウム、リンゴ酸カリ
ウムなどの可溶性塩によって供給される。これらは、
0.001〜2mol/lの範囲で用いられるが、0.
05〜1.2mol/lの範囲が好ましい。また錯化剤
としてほかに、ギ酸,酢酸,プロピオン酸,酪酸,イソ
酪酸,吉草酸,イソ吉草酸,シュウ酸,グルタル酸,マ
レイン酸,酒石酸,フマル酸,シトラコン酸,イタコン
酸,トリカルバリル酸,コハク酸,マロン酸,グリコ―
ル酸,チオグリコ―ル酸,乳酸,β−ヒドロキシプロピ
オン酸,ピルビン酸,オキサル酢酸,ジグリコ―ル酸,
チオジグリコ―ル酸,メルカプトコハク酸,ジメルカプ
トコハク酸,安息香酸,マンデル酸,フタル酸,サリチ
ル酸,アスコルビン酸,スルホサリチル酸,トロポロ
ン,3−メチルトロポロン,タイロン等のカルボン酸、
エチレンジアミン,ジエチレントリアミン,トリエチレ
ンテトラアミン,ピリジン等のアミンおよびその誘導
体、イミノジ酢酸,イミノジプロピオン酸,ニトリロト
リ酢酸,ニトリロトリプロピオン酸,エチレンジアミン
ジ酢酸,エチレンジアミンテトラ酢酸,エチレンジアミ
ンテトラプロピオン酸,ジエチレントリアミンペンタ酢
酸等のアミノポリカルボン酸、アラニン,ザルコシン,
バリン,ノルロイシン,チロシン,システイン,グルタ
ミン酸,グリシン,アスパラギン酸,アスパラギン,ヒ
スチジン等のアミノ酸、グルコン酸,アロン酸,イドン
酸,ガラクトン酸,グロン酸,タロン酸,マンノン酸等
のヘキソン酸、ピロリン酸などの弱酸またはそれらの可
溶性塩の1種または2種以上の組み合わせを本発明の効
果を損なわない範囲で用いてもよい。
The citric acid group as a complexing agent is supplied by citric acid or a soluble salt such as sodium citrate or potassium citrate. These are 0.001-1m
Used in the range of ol / l, 0.01-0.3mo
A range of 1 / l is preferred. The malic acid group as a complexing agent is supplied by malic acid or a soluble salt such as sodium malate, potassium malate and the like. They are,
It is used in the range of 0.001 to 2 mol / l, but 0.
The range of 05-1.2 mol / l is preferable. Other complexing agents include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, oxalic acid, glutaric acid, maleic acid, tartaric acid, fumaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarballylic acid. , Succinic acid, malonic acid, glyco-
Acid, thioglycolic acid, lactic acid, β-hydroxypropionic acid, pyruvic acid, oxalacetic acid, diglycolic acid,
Carboxylic acids such as thiodiglycolic acid, mercaptosuccinic acid, dimercaptosuccinic acid, benzoic acid, mandelic acid, phthalic acid, salicylic acid, ascorbic acid, sulfosalicylic acid, tropolone, 3-methyltropolone, tyrone, etc.
Amine and its derivatives such as ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetraamine, pyridine, iminodiacetic acid, iminodipropionic acid, nitrilotriacetic acid, nitrilotripropionic acid, ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetrapropionic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, etc. Aminopolycarboxylic acid, alanine, sarcosine,
Amino acids such as valine, norleucine, tyrosine, cysteine, glutamic acid, glycine, aspartic acid, asparagine, and histidine, hexonic acid such as gluconic acid, alloic acid, idonic acid, galactonic acid, gulonic acid, taronic acid, and mannonic acid, pyrophosphoric acid, etc. One or a combination of two or more of the weak acids or their soluble salts may be used within a range that does not impair the effects of the present invention.

【0008】pH緩衝剤としては、硫酸アンモニウム,
塩化アンモニウムなどのアンモニウム塩、ホウ酸などが
使用される。濃度範囲は0.001〜2mol/l、好
ましくは0.03〜0.7mol/lが用いられる。p
H調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリとし
てNaOH,LiOH,KOH,RbOH,CsOH,
FrOH,Be(OH)2,Mg(OH)2,Ca(O
H)2,Sr(OH)2,Ba(OH)2,Ra(OH)2
等の金属の水酸化物が、1種または2種以上を組み合わ
せて用いられる。またアンモニアと苛性アルカリを併用
することも行われる。通常、pH調節剤を加えない建浴
前のめっき液はほぼ中性ないし酸性域にあり、前記水酸
化物を加えてアルカリ性にpH調節される。所要のpH
を上回った場合、pH降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸
等の酸が用いられる。pH範囲は4〜13、好ましくは
7.5〜11の間で用いられる。
As the pH buffer, ammonium sulfate,
Ammonium salts such as ammonium chloride and boric acid are used. The concentration range is 0.001 to 2 mol / l, preferably 0.03 to 0.7 mol / l. p
As the H regulator, ammonia, caustic alkali such as NaOH, LiOH, KOH, RbOH, CsOH,
FrOH, Be (OH) 2 , Mg (OH) 2 , Ca (O
H) 2 , Sr (OH) 2 , Ba (OH) 2 , Ra (OH) 2
Hydroxides of metals such as the above are used alone or in combination of two or more. It is also possible to use ammonia and caustic together. Usually, the plating solution before adding a bath without adding a pH adjuster is in a neutral or acidic region, and the pH is adjusted to alkaline by adding the hydroxide. Required pH
When it exceeds the above, acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and acetic acid are used for pH reduction. The pH range used is between 4 and 13, preferably between 7.5 and 11.

【0009】[0009]

【作用】無電解めっき膜のめっき粒子は、中心部がCo
リッチとなり、BやPといった混入元素は外側に分布し
て非磁性に近い層をつくり、Coリッチな部分を包み込
む構造をとると考えられている。このような非磁性層が
厚ければCo粒子の磁気的な孤立化が進み、高保磁力が
得られることになる。無電解めっきCoP合金膜では2
〜5%程度ものPを共析させることができるため、10
00 Oeを越える硬質磁性膜が得られる。このほか磁
性めっき膜の磁気特性は結晶構造にも大きく依存する。
無電解めっきCoB合金膜では、B共析量が1%以下と
少なく純Coに近いCoB合金膜となるため、軟磁性膜
が得られやすいとされる。このため、従来、1 Oe程
度ないしはそれ以下といった軟磁性膜の作製を目的に、
CoB合金膜の保磁力をできるだけ小さくすることに努
力が払われてきた。しかし、無電解めっきCoB合金膜
のB共析量が少ないとしても、本発明の目的とするセミ
ハード磁性膜の30〜300 Oe程度の保磁力を得る
ことは作製条件(めっき浴条件)によっては可能ではな
いかと考えられた。このため発明者らは、無電解CoB
めっき浴のめっき浴条件を実験的に広範囲に検討した結
果、錯化剤の種類と組み合わせによって保磁力の増加が
可能であり、クエン酸基とリンゴ酸基を錯化剤に使用す
ることにより飽和磁化の大きいセミハード磁性膜が安定
に得られ、本発明の目的に適用できることを見い出し
た。この詳細なメカニズムは不明であるが、無電解めっ
きの析出反応には浴中添加金属とこれを錯体化する錯化
剤が深く関与しており、クエン酸基とリンゴ酸基が組み
合わされたときセミハード磁性膜を得るに適しためっき
膜構造となるものと考えられる。本発明は、このような
知見を得たことによりもたらされたものである。
[Function] The center of the electroless plated film is Co particles.
It is considered that the element becomes rich, and the mixed elements such as B and P are distributed to the outside to form a layer close to non-magnetic and have a structure that encloses the Co-rich portion. If such a non-magnetic layer is thick, the Co particles are magnetically isolated and a high coercive force is obtained. 2 for electroless CoP alloy film
Since about 5% of P can be co-deposited, 10
A hard magnetic film exceeding 00 Oe can be obtained. In addition, the magnetic characteristics of the magnetic plating film also depend largely on the crystal structure.
In the electroless plated CoB alloy film, the amount of B eutectoid is as small as 1% or less, which is a CoB alloy film close to pure Co, so that a soft magnetic film is easily obtained. Therefore, conventionally, for the purpose of producing a soft magnetic film of about 1 Oe or less,
Efforts have been made to minimize the coercive force of CoB alloy films. However, even if the amount of B eutectoid of the electroless plated CoB alloy film is small, it is possible to obtain the coercive force of about 30 to 300 Oe of the semi-hard magnetic film, which is the object of the present invention, depending on the manufacturing conditions (plating bath conditions). I was wondering. For this reason, the inventors have found that electroless CoB
As a result of extensively experimentally examining the plating bath conditions of the plating bath, it is possible to increase the coercive force depending on the type and combination of complexing agents. Saturation is achieved by using citric acid groups and malic acid groups as complexing agents. It has been found that a semi-hard magnetic film having a large magnetization can be stably obtained and can be applied to the object of the present invention. The detailed mechanism of this is unknown, but the metal addition agent in the bath and the complexing agent that makes it complex are deeply involved in the deposition reaction of electroless plating, and when a citric acid group and a malic acid group are combined. It is considered that the plating film structure is suitable for obtaining a semi-hard magnetic film. The present invention has been brought about by obtaining such knowledge.

【0010】[0010]

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例1 アルミ合金上に、非磁性NiP層をめっきし、表面を鏡
面研磨して基板とした。この基板上に、下記の無電解め
っき浴を用いて膜厚0.05μmのCoB膜を形成し
た。 無電解めっき浴(1)浴組成 硫酸コバルト 0.10 mol/l ジメチルアミンボラン 0.015mol/l 硫酸アンモニウム 0.1 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0〜1.5mol/l クエン酸ナトリウム 0.04 mol/lめっき条件 浴温 70℃ めっき浴のpH 8.0(室温にてアンモ
ニア水でpH調節) リンゴ酸ナトリウム濃度をかえて得られたCoB膜の磁
気特性を振動試料式磁力計を用いて測定した結果を図1
に示す。保磁力(Hc)は、リンゴ酸ナトリウム0mo
l/lの場合、10 Oeと小さい。リンゴ酸ナトリウ
ム濃度とともにHcが増大し、リンゴ酸ナトリウム0.
05mol/lで31 Oeとなり、0.4mol/l
で最大値188 Oeとなる。その後Hcはしだいに減
少し、リンゴ酸ナトリウム1.2mol/lで30 O
eとなった。飽和磁化(Ms)は、リンゴ酸ナトリウム
0mol/lで1395emu/ccであり、リンゴ酸
ナトリウム0.4mol/lで1340emu/ccと
やや減少し、リンゴ酸ナトリウム1.5mol/lで1
400emu/ccの値をとる。このように、1340
emu/cc以上の高い飽和磁化を保ったまま、30〜
188 Oeの保磁力のセミハード磁性膜が得られた。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. Example 1 A nonmagnetic NiP layer was plated on an aluminum alloy and the surface was mirror-polished to obtain a substrate. A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed on this substrate by using the electroless plating bath described below. Electroless plating bath (1) Bath composition cobalt sulfate 0.10 mol / l dimethylamine borane 0.015 mol / l ammonium sulfate 0.1 mol / l sodium malate 0-1.5 mol / l sodium citrate 0.04 mol / l Plating condition Bath temperature 70 ° C. pH of plating bath 8.0 (pH adjustment with ammonia water at room temperature) The magnetic characteristics of the CoB film obtained by changing the sodium malate concentration were measured using a vibrating sample magnetometer. The result is shown in Figure 1.
Shown in. Coercive force (Hc) is sodium malate 0mo
In the case of 1 / l, it is as small as 10 Oe. Hc increased with the concentration of sodium malate, and sodium malate 0.
It becomes 31 Oe at 05 mol / l, 0.4 mol / l
The maximum value is 188 Oe. After that, Hc gradually decreased to 30 O at 1.2 mol / l of sodium malate.
It became e. The saturation magnetization (Ms) was 1395 emu / cc at 0 mol / l sodium malate, decreased slightly to 1340 emu / cc at 0.4 mol / l sodium malate, and was 1 at 1.5 mol / l sodium malate.
It takes a value of 400 emu / cc. Thus, 1340
While maintaining a high saturation magnetization of emu / cc or more,
A semi-hard magnetic film with a coercive force of 188 Oe was obtained.

【0011】実施例2 実施例1と同様にして膜厚0.05μmのCoB膜を形
成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴(2)浴組成 硫酸コバルト 0.10 mol/l ジメチルアミンボラン 0.015mol/l 硫酸アンモニウム 0.1 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.4 mol/l クエン酸ナトリウム 0〜0.4mol/lめっき条件 浴温 70℃ めっき浴のpH 8.0(室温にてアンモ
ニア水でpH調節) クエン酸ナトリウム濃度をかえて得られたCoB膜磁気
特性を測定した結果を図2に示す。Hcは、クエン酸ナ
トリウム0mol/lの場合、1 Oeと小さい。クエ
ン酸ナトリウム濃度とともにHcが増大し、クエン酸ナ
トリウム0.01mol/lで30 Oeとなり、0.
04mol/lで最大値188Oeとなる。その後Hc
はしだいに減少し、クエン酸ナトリウム0.3mol/
lで32Oeとなった。Msは、クエン酸ナトリウム0
〜0.4mol/lの範囲で1340〜1400emu
/ccであった。このように、1340emu/cc以
上の高い飽和磁化を保ったまま、30〜188 Oeの
保磁力のセミハード磁性膜が得られた。
Example 2 A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed in the same manner as in Example 1, but the following electroless plating bath was used in this example. Electroless plating bath (2) bath composition cobalt sulfate 0.10 mol / l dimethylamine borane 0.015 mol / l ammonium sulfate 0.1 mol / l sodium malate 0.4 mol / l sodium citrate 0-0.4 mol / l Plating conditions Bath temperature 70 ° C. pH of plating bath 8.0 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The CoB film magnetic properties obtained by changing the sodium citrate concentration are shown in FIG. Hc is as small as 1 Oe when sodium citrate is 0 mol / l. Hc increased with the sodium citrate concentration, reaching 30 Oe at 0.01 mol / l sodium citrate,
The maximum value is 188 Oe at 04 mol / l. Then Hc
Gradually decreases, sodium citrate 0.3 mol /
It became 32 Oe at l. Ms is sodium citrate 0
1340 to 1400 emu in the range of up to 0.4 mol / l
It was / cc. Thus, a semi-hard magnetic film having a coercive force of 30 to 188 Oe was obtained while maintaining a high saturation magnetization of 1340 emu / cc or more.

【0012】実施例3 実施例1と同様にして膜厚0.05μmのCoB膜を形
成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴(3)浴組成 硫酸コバルト 0.10 mol/l ジメチルアミンボラン 0.015mol/l 硫酸アンモニウム 0.1 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.4 mol/l クエン酸ナトリウム 0.04 mol/lめっき条件 浴温 70℃ めっき浴のpH 10.0(室温にてアンモ
ニア水でpH調節) 得られたCoB膜磁気特性を測定した。Hcは、235
Oeであり、pHを増加させることにより実施例1の
リンゴ酸ナトリウム濃度0.4mol/lの条件で得ら
れたHc=188 Oeより約50 Oe増加した。Ms
は、1345emu/ccであり大きな値を維持してい
た。
Example 3 A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed in the same manner as in Example 1, but the following electroless plating bath was used in this example. Electroless plating bath (3) Bath composition Cobalt sulfate 0.10 mol / l Dimethylamine borane 0.015 mol / l Ammonium sulfate 0.1 mol / l Sodium malate 0.4 mol / l Sodium citrate 0.04 mol / l Plating conditions Bath temperature 70 ° C. pH of plating bath 10.0 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The magnetic properties of the obtained CoB film were measured. Hc is 235
Oe, which was increased by about 50 Oe from Hc = 188 Oe obtained under the condition of sodium malate concentration of 0.4 mol / l of Example 1 by increasing pH. Ms
Was 1345 emu / cc, which was a large value.

【0013】実施例4 実施例1と同様にして膜厚0.05μmのCoB膜を形
成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴(4)浴組成 硫酸コバルト 0.10mol/l ジメチルアミンボラン 0.02mol/l 硫酸アンモニウム 0.1 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.4 mol/l クエン酸ナトリウム 0.04mol/lめっき条件 浴温 70℃ めっき浴のpH 8.0(室温にてアンモニ
ア水でpH調節) 得られたCoB膜磁気特性を測定した。Hcは、242
Oeであり、ジメチルアミンボラン濃度を増加するこ
とにより実施例1のリンゴ酸ナトリウム濃度0.4mo
l/lの条件で得られたHc=188 Oeより約50
Oe増加した。Msは、1343emu/ccであり大
きな値を維持していた。
Example 4 A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed in the same manner as in Example 1, but the following electroless plating bath was used in this example. Electroless plating bath (4) Bath composition Cobalt sulfate 0.10 mol / l Dimethylamine borane 0.02 mol / l Ammonium sulfate 0.1 mol / l Sodium malate 0.4 mol / l Sodium citrate 0.04 mol / l Plating conditions Bath temperature 70 ° C. pH of plating bath 8.0 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The magnetic properties of the obtained CoB film were measured. Hc is 242
Oe, and increasing the dimethylamine borane concentration, the sodium malate concentration of Example 1 was 0.4 mo
About 50 from Hc = 188 Oe obtained under the condition of 1 / l
Oe increased. Ms was 1343 emu / cc and maintained a large value.

【0014】実施例5 実施例1と同様にして膜厚0.05μmのCoB膜を形
成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴(5)浴組成 硫酸コバルト 0.11 mol/l ジメチルアミンボラン 0.02 mol/l 硫酸アンモニウム 0.3 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.45 mol/l クエン酸ナトリウム 0.045mol/lめっき条件 浴温 65℃ めっき浴のpH 10.0(室温にてアンモ
ニア水でpH調節) 得られたCoB膜磁気特性を測定した。Hcは、300
Oeであり、浴条件を選ぶことによりHcが増加し
た。Msは、1340emu/ccであり大きな値を維
持していた。
Example 5 A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed in the same manner as in Example 1. In this example, however, the following electroless plating bath was used. Electroless plating bath (5) Bath composition Cobalt sulfate 0.11 mol / l Dimethylamine borane 0.02 mol / l Ammonium sulfate 0.3 mol / l Sodium malate 0.45 mol / l Sodium citrate 0.045 mol / l Plating conditions Bath temperature 65 ° C. pH of plating bath 10.0 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The magnetic properties of the obtained CoB film were measured. Hc is 300
It was Oe, and Hc increased by selecting bath conditions. Ms was 1340 emu / cc and maintained a large value.

【0015】実施例6 実施例1と同様にして膜厚0.05μmのCoB膜を形
成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴(6)浴組成 硫酸コバルト 0.08 mol/l ジエチルアミンボラン 0.017mol/l 硫酸アンモニウム 0.2 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.35 mol/l クエン酸ナトリウム 0.035mol/lめっき条件 浴温 75℃ めっき浴のpH 8.5(室温にてアンモニ
ア水でpH調節) 得られたCoB膜磁気特性を測定した。Hcは、110
Oeであり、Msは、1370emu/ccと大きな
値を維持していた。
Example 6 A CoB film having a thickness of 0.05 μm was formed in the same manner as in Example 1, but the following electroless plating bath was used in this example. Electroless plating bath (6) Bath composition Cobalt sulfate 0.08 mol / l Diethylamine borane 0.017 mol / l Ammonium sulfate 0.2 mol / l Sodium malate 0.35 mol / l Sodium citrate 0.035 mol / l Plating conditions Bath temperature 75 ° C. pH of plating bath 8.5 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The magnetic properties of the obtained CoB film were measured. Hc is 110
Oe and Ms maintained a large value of 1370 emu / cc.

【0016】なお、実施例1〜6ではアルミ合板上に、
非磁性NiP層をめっきした基板を使用したが、無電解
Cuめっき層、電解Cuめっき層、無電解NiCuPめ
っき層、無電解NiSnPめっき層 、無電解NiWP
めっき層、無電解NiWPめっき層などのNiP以外の
めっき層を形成した基板や、銅基板、黄銅基板、適当な
触媒処理をしたプラスチック、ガラスなどの非金属基板
等の基板を用いた場合も同様のセミハード磁性膜の特性
が得られた。また、CoBめっき膜の膜厚も実施例の
0.05μmに限定されることはなく、0.005〜1
0μmの範囲においてセミハード磁性膜の特性を得るこ
とが可能であった。
In Examples 1 to 6, on aluminum plywood,
Although a substrate plated with a non-magnetic NiP layer was used, an electroless Cu plating layer, an electrolytic Cu plating layer, an electroless NiCuP plating layer, an electroless NiSnP plating layer, an electroless NiWP
The same applies when a substrate on which a plating layer other than NiP such as a plating layer or an electroless NiWP plating layer is formed, or a substrate such as a copper substrate, a brass substrate, a plastic that has been subjected to an appropriate catalyst treatment, or a non-metal substrate such as glass is used. The characteristics of the semi-hard magnetic film were obtained. Further, the film thickness of the CoB plating film is not limited to 0.05 μm in the embodiment, but 0.005-1
It was possible to obtain the characteristics of the semi-hard magnetic film in the range of 0 μm.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、飽和磁化が1340〜1400emu/ccと大き
く、保磁力が30〜300 Oeであるセミハード磁性
膜を形成することができる。
As described above, according to the present invention, a semi-hard magnetic film having a large saturation magnetization of 1340 to 1400 emu / cc and a coercive force of 30 to 300 Oe can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の無電解めっき浴により得られるCoB
セミハード磁性膜の一例の保磁力(Hc)および飽和磁
化(Ms)と、めっき浴中のリンゴ酸ナトリウム濃度と
の関係を示す図である。
FIG. 1 is a CoB obtained by the electroless plating bath of the present invention.
It is a figure which shows the relationship between the coercive force (Hc) and saturation magnetization (Ms) of an example of a semi-hard magnetic film, and the sodium malate concentration in a plating bath.

【図2】本発明の無電解めっき浴により得られるCoB
セミハード磁性膜の一例の保磁力(Hc)および飽和磁
化(Ms)と、めっき浴中のクエン酸ナトリウム濃度と
の関係を示す図である。
FIG. 2 CoB obtained by the electroless plating bath of the present invention
It is a figure which shows the relationship between the coercive force (Hc) and saturation magnetization (Ms) of an example of a semi-hard magnetic film, and the sodium citrate concentration in a plating bath.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 金属イオンとしてコバルトイオンを含
み、添加剤として少なくとも前記金属イオンの還元剤と
してのジメチルアミンボランまたはジエチルアミンボラ
ンを含む水溶液であって、金属イオンの錯化剤としてク
エン酸基およびリンゴ酸基を含むことを特徴とする無電
解めっき浴。
1. An aqueous solution containing cobalt ions as metal ions and at least dimethylamine borane or diethylamine borane as a reducing agent for the metal ions as an additive, which is a complexing agent for metal ions. An electroless plating bath, characterized in that it contains a citric acid group and a malic acid group.
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JP2003049280A (en) * 2001-06-01 2003-02-21 Ebara Corp Electroless plating solution and semiconductor device
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