JPH02228479A - Electroless plating bath - Google Patents

Electroless plating bath

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Publication number
JPH02228479A
JPH02228479A JP4886589A JP4886589A JPH02228479A JP H02228479 A JPH02228479 A JP H02228479A JP 4886589 A JP4886589 A JP 4886589A JP 4886589 A JP4886589 A JP 4886589A JP H02228479 A JPH02228479 A JP H02228479A
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JP
Japan
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acid
plating bath
mol
magnetic
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP4886589A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Aisaka
哲彌 逢坂
Fumio Goto
文男 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Waseda University
NEC Corp
Original Assignee
Waseda University
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH02228479A publication Critical patent/JPH02228479A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a plating bath capable of stably forming a magnetic film having excellent characteristics as a vertical recording medium by incorporating glicolate group as a complexing agent into an aq. soln. contg. the respective ions Of Co, Ni, Re and a reducing agent. CONSTITUTION:An electroless plating bath incorporates at least Co ion, Ni ion and Re ion as a metallic ion, a reducing agent of the metallic ion as an additive and a complexing agent contg. at least glycolate group. As glycolate group of the complexing agent, glycolic acid or the soluble salt thereof is utilized in a range within about 0.001-3mol/l. Thereby the need for utilizing the specific complexing agent such as tartronic acid is eliminated and maintenance of the plating bath is made easy. This plating bath is ordinarily utilized in a range within 3-14.5pH.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁気記録体の膜厚方向の磁化によって記録を
行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録体(磁性膜
)を作製するめつき浴に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a plating bath for producing a magnetic recording body (magnetic film) used for so-called perpendicular recording, in which recording is performed by magnetization in the film thickness direction of a magnetic recording body. It is something.

(従来の技術) 従来、短波長になるほど反磁界が小さくなり、高密度記
録が可能な垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適
した磁気記録媒体として膜面に垂直な方向に磁化容易軸
をもつCoCrスパッタ膜が提案されている。その後こ
のような垂直記録媒体として、CoCrスパッタ膜のほ
かに、スパッタ、蒸着などの乾式成膜法によるCoM、
 CoCrM(Mは第3元素)などのCo合金膜、Fe
合金膜、Os添加フェライト膜、Baフェライト膜など
が開発されてきたが、これらの膜を乾式成膜法によって
作製する場合、真空系内で行なうため量産性に問題があ
る。
(Conventional technology) A perpendicular recording method has been proposed in which the demagnetizing field becomes smaller as the wavelength becomes shorter, allowing for higher density recording. A CoCr sputtered film has been proposed. Later, as such perpendicular recording media, in addition to CoCr sputtered films, CoM, which was formed by dry film formation methods such as sputtering and vapor deposition,
Co alloy films such as CoCrM (M is the third element), Fe
An alloy film, an Os-added ferrite film, a Ba ferrite film, etc. have been developed, but when these films are produced by a dry film forming method, there is a problem in mass productivity because the film is formed in a vacuum system.

このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法により、垂直記録媒体を作製する方
法が開発されている。この方法に用いるめっき浴には、
無電解CoMnPめっき浴(特開昭57−140869
号公報)、無電解CoNiMnPめっき浴(特開昭58
−058267号公報)、無電解CoNiMnRePめ
っき浴(特開昭60−103181号公報)、無電解C
oN1RePめっき浴(特開昭61−003316号公
報)が見出されている。
For this reason, a method has been developed for manufacturing perpendicular recording media using an electroless plating method that improves these manufacturing problems and is excellent in mass production. The plating bath used in this method includes:
Electroless CoMnP plating bath (JP-A-57-140869
Publication No.), electroless CoNiMnP plating bath (JP-A-58
-058267), electroless CoNiMnReP plating bath (JP-A-60-103181), electroless C
An oN1ReP plating bath (Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-003316) has been discovered.

一般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、媒体
の異方性エネルギーをKu、膜固有の垂直異方性エネル
ギーをに上、形状異方性エネルギーを2nMs2(Ms
は飽和磁化)としたとき、Kl > 2nMs2あるい
は、Ku=にニー2.、Ms2〉0の関係があることで
ある。(これは、媒体の垂直異方性磁界Hkと反磁界の
最大値4□Msとの間にHk > 4nMsの関係があ
るということと同様である。)垂直記録媒体においては
必ずしもこの条件を満たす必要はないが、Kuあるいは
Hkが大きな値をもつほど媒体特性として好ましいとい
える。
In general, the conditions for easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface are: the anisotropy energy of the medium is Ku, the perpendicular anisotropy energy specific to the film is above, and the shape anisotropy energy is 2nMs2 (Ms2).
is the saturation magnetization), then Kl > 2nMs2 or Ku = 2. , Ms2>0. (This is similar to the relationship Hk > 4nMs between the perpendicular anisotropy magnetic field Hk of the medium and the maximum value of the demagnetizing field 4□Ms.) This condition is not necessarily satisfied in perpendicular recording media. Although it is not necessary, it can be said that the larger the value of Ku or Hk is, the more preferable it is as a medium characteristic.

一方、大きな再生出力を得るためにはMs値を大きくす
ることが望ましい。すなわちアイ・イー・イー・イート
ランザクションオンマグネチックス(IEEETran
saction on Magnetics)第Mag
−18巻、第2号、第769〜771頁によれば、Ms
 < (3/4rr)He(Heは媒体の保磁力)の条
件下において再生出力値はMsに比例するとされている
On the other hand, in order to obtain a large reproduction output, it is desirable to increase the Ms value. That is, IEEE Transaction on Magnetics (IEEETran).
saction on Magnetics) No.Mag
- According to Volume 18, No. 2, Pages 769-771, Ms.
It is said that under the condition of <(3/4rr)He (He is the coercive force of the medium), the reproduction output value is proportional to Ms.

また前記文献においてMs≧(3/4rt)Heの場合
、再生出力はHeに比例するとされている。再生出力を
大きくするにはHcを大きくする必要があるが、Heの
値は使用する磁気ヘッドの種類または記録条件によって
制限を受ける。従ってHcに関しては要求される記録密
度および出力に応じて適する値を選択しうろことが望ま
しい。
Further, in the above-mentioned literature, it is said that when Ms≧(3/4rt)He, the reproduction output is proportional to He. In order to increase the reproduction output, it is necessary to increase Hc, but the value of He is limited by the type of magnetic head used or the recording conditions. Therefore, it is desirable to select an appropriate value for Hc depending on the required recording density and output.

(発明が解決しようとする課題) 前記の無電解CoMnPめっき浴や無電解CoNiMn
Pめっき浴を用いることによりhcpco六方晶のC軸
が基板に垂直配向した磁性膜が得られるが、このように
して得られた磁性膜はMsの低下が少なく 4nMsの
値が大きくなり、垂直記録体として好ましくなかった。
(Problem to be solved by the invention) The electroless CoMnP plating bath and electroless CoNiMn
By using a P plating bath, a magnetic film in which the C axis of the hcpco hexagonal crystal is oriented perpendicular to the substrate can be obtained, but the magnetic film obtained in this way has a small decrease in Ms and a large value of 4 nMs, making it possible to perform perpendicular recording. I didn't like it physically.

このためCoNiMnPにReを共析することによりM
sの低下が図られている。このような垂直記録媒体とし
て優れた特性を有する磁性膜を作製するための無電解C
oNiMnPめっき浴については、特開昭60−103
181号公報、特開昭6O−i49785号公報等に示
されている。しかし媒体特性は膜構造および膜組成と密
接な関係があり、これらを制御して媒体特性を再現性良
く得るための多元合金無電解めっき浴を作製することは
困難であった。特に浴中のMnの制御が困難であり、め
っき浴の安定化のためには浴中にMnを使用することな
く、hcpco六方晶のC軸を基板に垂直配向させ、垂
直記録媒体として優れた特性を得ることが要望されてい
た。合金系を単純化し、制御が容易なめっき浴を得るた
め、添加剤、特に錯化剤について検討され、特開昭61
−00316号公報、特開昭61−054028号公報
に見られるようにタルトロン酸を添加した無電解CoN
1RePめっき浴が開発されている。
Therefore, by eutectoiding Re into CoNiMnP, M
The aim is to reduce s. Electroless C to produce a magnetic film with excellent properties as such a perpendicular recording medium
Regarding the oNiMnP plating bath, please refer to JP-A-60-103.
181, Japanese Patent Application Laid-open No. 6O-i49785, etc. However, the medium properties are closely related to the film structure and film composition, and it has been difficult to control these and create a multi-component alloy electroless plating bath that can obtain the medium properties with good reproducibility. In particular, it is difficult to control Mn in the bath, and in order to stabilize the plating bath, the C-axis of the HCPCO hexagonal crystal was oriented perpendicular to the substrate without using Mn in the bath, and it became an excellent perpendicular recording medium. It was desired to obtain the characteristics. In order to simplify the alloy system and obtain a plating bath that is easy to control, additives, especially complexing agents, were investigated, and
Electroless CoN added with tartronic acid as seen in JP-A-00316 and JP-A-61-054028
A 1ReP plating bath has been developed.

しかし、タルトロン酸はC,HとOHが付いたジカルボ
ン酸であるCH(○HXCOOH)2という比較的簡単
な構造でありながら、天然に存在せず合成に頼らなけれ
ばならない。その合成方法は、現在のところ非常に困難
であり、収率が低く安定に供給されないため大きな問題
であった。そのためタルトロン酸は極めて高価である。
However, although tartronic acid has a relatively simple structure of CH(○HXCOOH)2, which is a dicarboxylic acid with C, H, and OH attached, it does not exist naturally and must be synthesized. The synthesis method is currently very difficult, and the low yield and lack of stable supply have been a major problem. Therefore, tartronic acid is extremely expensive.

また、製造過程において純度の高いものが得られにくい
ため、不純物成分によって無電解めっき反応が影響を受
け、磁性膜の膜構造、磁気特性等を劣化させることも大
きな問題であった。このため、タルトロン酸にかえて、
製造が容易で純度の高いものが得られやすい錯化剤を使
用することが求められていた。
In addition, since it is difficult to obtain a highly pure product during the manufacturing process, the electroless plating reaction is affected by impurity components, which causes deterioration of the film structure, magnetic properties, etc. of the magnetic film, which is a major problem. Therefore, instead of tartronic acid,
It has been desired to use a complexing agent that is easy to produce and easily obtains with high purity.

本発明の目的は、従来の問題を改善して、垂直記録媒体
として優れた特性を有する磁性膜を安定かつ容易に作製
するための無電解めっき浴を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an electroless plating bath for stably and easily producing a magnetic film having excellent properties as a perpendicular recording medium by improving the conventional problems.

(課題を解決するための手段) 本発明による無電解めっき浴は、金属イオンとして少な
くともコバルトイオン、ニッケルイオンおよびレニウム
イオンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオン
の還元剤を含む水溶液に、前記金属イオンの錯化剤とし
てグリコール酸基を含むことを特徴としている。
(Means for Solving the Problems) The electroless plating bath according to the present invention contains at least cobalt ions, nickel ions, and rhenium ions as metal ions, and the metal ions are added to an aqueous solution containing at least a reducing agent for the metal ions as an additive. It is characterized by containing a glycolic acid group as an ion complexing agent.

本発明の無電解めっき浴の主要成分としては、金属イオ
ンとして少なくともコバルトイオン、ニッケルイオンお
よびレニウムイオンを含み、添加剤として少なくとも前
記金属イオンの還元剤、前記金属イオンの錯化剤を含む
水溶液において、前記金属イオンの錯化剤として少なく
ともグリコール酸基を含むが、本発明の目的、効果を損
なわない範囲において、pH緩衝剤、光沢剤、平滑剤、
励起剤ピンホール防止剤、界面活性剤等の添加剤が用い
られることがある。
The main components of the electroless plating bath of the present invention include at least cobalt ions, nickel ions, and rhenium ions as metal ions, and an aqueous solution containing at least a reducing agent for the metal ions and a complexing agent for the metal ions as additives. , contains at least a glycolic acid group as a complexing agent for the metal ions, but within a range that does not impair the purpose and effect of the present invention, pH buffering agents, brightening agents, smoothing agents,
Additives such as stimulants, anti-pinhole agents, and surfactants may be used.

コバルトイオン、ニッケルイオンは、コバルトまたはニ
ッケルの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電
解めっき浴中に溶解することによって供給される。コバ
ルトイオンの濃度は、0.0005〜1mol/1の範
囲が用いられるが、好ましくは0.005〜0.11m
ol/1の範囲である。ニッケルイオンの濃度は、0.
001〜1mol/1の範囲が用いられるが、好ま1、
<は0.01〜0.17mol/lの範囲である。レニ
ウムイオンは過レニウム酸カリ、過レニウム酸アンモニ
ウムなどの可溶性塩によって供給され、濃度としては、
0.0001〜0.3mol/1の範囲が用いられるが
、好ましくは、0.001〜0−06mol/1の範囲
である。本発明において用いられる金属イオンとしては
、コバルト、ニッケル、レニウムを主成分とするが、少
量の、Be、 Mg、 AI、 Ru、 Si、 Fe
、 Sr、 Y、 Zr、Nb、 Cd、 In、 S
b。
Cobalt ions and nickel ions are supplied by dissolving soluble salts of cobalt or nickel, such as sulfates, chlorides, acetates, in the electroless plating bath. The concentration of cobalt ions used is in the range of 0.0005 to 1 mol/1, preferably 0.005 to 0.11 mol/1.
It is in the range of ol/1. The concentration of nickel ions is 0.
The range of 001 to 1 mol/1 is used, preferably 1,
< is in the range of 0.01 to 0.17 mol/l. Rhenium ions are supplied by soluble salts such as potassium perrhenate and ammonium perrhenate, and the concentration is as follows:
A range of 0.0001 to 0.3 mol/1 is used, preferably a range of 0.001 to 0-06 mol/1. The metal ions used in the present invention are mainly composed of cobalt, nickel, and rhenium, but also include small amounts of Be, Mg, AI, Ru, Si, and Fe.
, Sr, Y, Zr, Nb, Cd, In, S
b.

Ta、 Ir、 Hg、 Tl、 Nb、 Gd、 T
b、 Ti、 V、 Or、 Cu、 Zn、 Ga、
 Ge。
Ta, Ir, Hg, Tl, Nb, Gd, T
b, Ti, V, Or, Cu, Zn, Ga,
Ge.

Mn、 W、 Mo、 Rh、 Pd、 Ag、 Au
、 Pt、 Sn、 Te、 Ba、 Ce、 Sm。
Mn, W, Mo, Rh, Pd, Ag, Au
, Pt, Sn, Te, Ba, Ce, Sm.

Os、 Pb、 Bi等のイオンが含まれていてもよく
、これらのイオンはそれぞれの可溶性塩によって供給さ
れる。
Ions such as Os, Pb, Bi, etc. may be included, and these ions are supplied by their respective soluble salts.

還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化はう素化合物、
ヒドラジン、ジメチルアミンボランおよびこれらの誘導
体の1種または2種以上が、0.004〜0.9mo1
/1、好ましくは0.05〜0.3mol/1の範囲で
用いられる。
As reducing agents, hypophosphites, hydrogenated boron compounds,
One or more of hydrazine, dimethylamine borane, and their derivatives are present in an amount of 0.004 to 0.9 mol
/1, preferably in the range of 0.05 to 0.3 mol/1.

錯化剤としては、グリコール酸やグリコール酸ナトリウ
ム、グリコール酸エチル、グリコール酸メチル、グリコ
ール酸コバルト、グリコール酸ニッケルなどのグリコー
ル酸基が使用される。グリコール酸基は、グリコール酸
またはグリコール酸の可溶性塩が0.001〜3mol
/lの範囲で用いられるが、0.1〜1.75mol/
1の範囲が好ましい。
As the complexing agent, a glycolic acid group such as glycolic acid, sodium glycolate, ethyl glycolate, methyl glycolate, cobalt glycolate, or nickel glycolate is used. The glycolic acid group contains 0.001 to 3 mol of glycolic acid or a soluble salt of glycolic acid.
/l, but 0.1 to 1.75 mol/l
A range of 1 is preferred.

また錯化剤としてほかに、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、リン
ゴ酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン
酸、イタコン酸、トリカルバリル酸、コハク酸、マロン
酸、酒石酸、チオグリコール酸、乳酸、p−ヒドロキシ
プロピオン酸、クエン酸、イソクエン酸、アロイソクエ
ン酸、ピルビン酸、オキサル酢酸、ジグリコール酸、チ
オジグリコール酸、メルカプトコハク酸、ジメルカプト
コハク酸、安息香酸、マンデル酸、フタル酸、サリチル
酸、アスコルビン酸、スルホサリチル酸、トロポロン、
3−メチルトロポロン、タイロン等のカルボン酸、エチ
レンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテ
トラアミン、ピリジン等のアミンおよびその誘導体、イ
ミノジ酢酸、イミノジプロピオン酸、ニトリロトリ酢酸
、ニトリロトリプロピオン酸、エチレンジアミンジ酢酸
、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチレンジアミンテト
ラプロピオン酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等の
アミノポリカルボン酸、アラニン、ザルコシン、バリン
、ノルロイシン、チロシン、システィン、グルタミン酸
、グリシン、アスパラギン酸、アスパラギン、ヒスチジ
ン等のアミノ酸、グルコン酸、アロン酸、イドン酸、ガ
ラクトン酸、グロン酸、グロン酸、マンノン酸等のヘキ
ソン酸、ピロリン酸などの弱酸またはそれらの可溶性塩
の1種または2種以上の組み合わせが用いられることが
ある。これらの錯化剤の濃度は、0.0001〜3.0
mo1/1の範囲が用いられ、0.1〜1.5mol/
1の範囲が好ましい。
In addition to complexing agents, formic acid, acetic acid, propionic acid,
Butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, oxalic acid, malic acid, glutaric acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarballylic acid, succinic acid, malonic acid, tartaric acid, thioglycolic acid, lactic acid , p-hydroxypropionic acid, citric acid, isocitric acid, alloisocitric acid, pyruvic acid, oxalacetic acid, diglycolic acid, thiodiglycolic acid, mercaptosuccinic acid, dimercaptosuccinic acid, benzoic acid, mandelic acid, phthalic acid, salicylic acid, ascorbic acid, sulfosalicylic acid, tropolone,
Carboxylic acids such as 3-methyltropolone and tyron, amines such as ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetraamine, pyridine and their derivatives, iminodiacetic acid, iminodipropionic acid, nitrilotriacetic acid, nitrilotripropionic acid, ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid , aminopolycarboxylic acids such as ethylenediaminetetrapropionic acid and diethylenetriaminepentaacetic acid, amino acids such as alanine, sarcosine, valine, norleucine, tyrosine, cysteine, glutamic acid, glycine, aspartic acid, asparagine, and histidine, gluconic acid, allonic acid, and idonic acid. , hexonic acids such as galactonic acid, gulonic acid, gulonic acid, and mannonic acid, weak acids such as pyrophosphoric acid, or soluble salts thereof, or a combination of two or more thereof may be used. The concentration of these complexing agents is 0.0001 to 3.0
A range of mo1/1 is used, 0.1-1.5 mol/
A range of 1 is preferred.

pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム
、ホウ酸等を用いることが好ましい 濃度範囲は0.0
1〜3mol/1、好ましくは0.03〜1mol/l
が用いられる。
Ammonium salts, carbonates, organic acid salts, etc. are used as pH buffering agents, and ammonium sulfate, ammonium chloride, boric acid, etc. are preferably used.The concentration range is 0.0.
1-3 mol/1, preferably 0.03-1 mol/l
is used.

pH調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカ リ
 と してNaOH,LiOH,KOH,RbOH,C
sOH。
As a pH adjuster, ammonia or caustic alkali such as NaOH, LiOH, KOH, RbOH, C
sOH.

FrOH,Be(OH)2. Mg(OH)2. Ca
(OH)2. Sr(OH)2゜Ba(OH)2. R
a(OH)2等の金属の水酸化物が、1種または2種以
上を組み合わせて用いられる。
FrOH, Be(OH)2. Mg(OH)2. Ca
(OH)2. Sr(OH)2゜Ba(OH)2. R
Metal hydroxides such as a(OH)2 are used alone or in combination of two or more.

通常、pH調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にpH調節される。所要のpHを上回った場合、pH
降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。
Usually, the plating solution before bath preparation without the addition of a pH adjuster is in the approximately neutral to acidic range, and the pH is adjusted to alkaline by adding the above-mentioned hydroxide. If above the required pH, the pH
Acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and acetic acid are used for descent.

pH範囲は3〜14.5、好ましくは7.0〜10.0
の間で用いられる。
pH range is 3-14.5, preferably 7.0-10.0
used between.

本発明で得られる磁性膜の膜厚は0.003〜10pm
の範囲が用いられるが、好ましくは3pm以下が用いら
れ、高密度記録用にはより薄いほうが望ましい。
The thickness of the magnetic film obtained by the present invention is 0.003 to 10 pm.
A thickness of 3 pm or less is preferably used, and a thinner thickness is desirable for high-density recording.

磁性膜を形成する基板としては、通常アルミ合金、銅、
黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられる
が、適当な処理によりガラス、樹脂、セラミック等の非
金属基板ないしは金属と非金属の複合材料からなる基板
等も十分適用が可能である。また、これら基板上にニッ
ケルーリン、ニッケルー銅−リン、ニッケルーモリブデ
ン−リン、ニッケル、タングステン−リン、銅、スズ、
銅−スズ等の層やパーマロイ、コバルト−ジルコン、ニ
ッケルー鉄−リン等の軟磁性層が形成されていてもよい
The substrate on which the magnetic film is formed is usually aluminum alloy, copper,
Metal substrates such as brass, phosphor bronze, iron, titanium, etc. are used, but with appropriate treatment, non-metal substrates such as glass, resin, ceramic, etc., or substrates made of composite materials of metal and non-metal can also be used. . In addition, nickel-phosphorus, nickel-copper-phosphorus, nickel-molybdenum-phosphorus, nickel, tungsten-phosphorus, copper, tin,
A layer of copper-tin, etc., or a soft magnetic layer of permalloy, cobalt-zircon, nickel-iron-phosphorus, etc. may be formed.

(作用) 垂直記録媒体を作製するためのめっき浴として、無電解
CoNiMnRePめっき浴よりも浴系の単純化された
無電解CoN1RePめっき浴のほうが好ましい。Mn
を使用することなく、hcpco六方晶ののC軸を基板
に垂直配向させ、垂直記録媒体として優れた特性を得る
ため従来はタルトロン酸という特殊な錯化剤が使用され
ていた。これは、タルトロン酸がCoのC軸垂直配向の
ための好ましい錯体状態を維持する上で重要な役割を果
たしていたと考えられている。しかし、錯化剤と析出合
金膜の配向性の関係が明らかとなっていないため、本発
明に至るまでに、実験的に広範囲に鋭意検討した結果、
各種の錯化剤の中でグリコール酸基がこの目的に適用で
きることを見出した。現在のところ錯化剤と膜構造・磁
気特性との関係が理論的に明らかになっていないため、
グリコール酸基の作用を十分説明するに至らない。しか
し、発明者等が好適浴を発見した後に結果から考察して
みると、グリコール酸HOCH2COOHは、磁性膜の
Co結晶を垂直配向させる作用のあるタルトロン酸CH
(OH)(COOH)2における1つのC0OHがHに
変わったのみであって構造が近く、OH基とC0OH基
をともに有するカルボン酸であるという構造的な特質が
本作用に起因しているのではないかと推察される。
(Function) As a plating bath for producing a perpendicular recording medium, an electroless CoN1ReP plating bath with a simplified bath system is preferable to an electroless CoNiMnReP plating bath. Mn
Conventionally, a special complexing agent called tartronic acid has been used to align the C-axis of the hexagonal hexagonal crystal of HCPCO perpendicularly to the substrate and obtain excellent properties as a perpendicular recording medium without using a hexagonal crystal. It is believed that tartronic acid played an important role in maintaining a favorable complex state for vertical orientation of the C axis of Co. However, since the relationship between the complexing agent and the orientation of the precipitated alloy film is not clear, as a result of extensive experimental studies leading up to the present invention,
We have found that among various complexing agents, glycolic acid groups are applicable for this purpose. At present, the relationship between complexing agents and film structure/magnetic properties is not theoretically clarified.
The effect of the glycolic acid group cannot be fully explained. However, after the inventors discovered a suitable bath and considered the results, it was found that glycolic acid HOCH2COOH is similar to tartronic acid CH, which has the effect of vertically aligning the Co crystals of the magnetic film.
This effect is caused by the structural characteristics of (OH)(COOH)2, in which only one C0OH is changed to H, and the structure is similar, and it is a carboxylic acid that has both an OH group and a C0OH group. It is speculated that this is the case.

本発明は、このような知見を得たことによりもたらされ
たものである。
The present invention was brought about by obtaining such knowledge.

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。
Next, the present invention will be specifically explained with reference to Examples and Comparative Examples.

(実施例1) アルミ合金基板上に非磁性N1−P層をめっきし、表面
を鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜
厚2μmのCoNlReP合金磁性膜を形成した。
(Example 1) A nonmagnetic N1-P layer was plated on an aluminum alloy substrate, and the surface was mirror-polished, and then a 2 μm thick CoNlReP alloy magnetic film was formed thereon using the following plating bath.

めっき浴(1) 浴組成 硫酸コバルト        0.06  mol/1
硫酸ニッケル        0.08  mol/1
過レニウム酸アンモニウム  0.003 moシ1次
亜リン酸ナトリウム    0.2  moν1硫酸ア
ンモニウム      0.5  mol/1マロン酸
ナトリウム     0.75  mol/1酒石酸ナ
トリウム      0.2  mol/1グリコール
酸        0.8  mol/1めっき条件 浴温、80°C めっき浴のpH8,7(室温にてアンモニア水′″C″
、pH調節)こうして得られた磁性膜の典型的なMHル
ープを第1図に示す。図において、この磁性膜のループ
は、垂直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜
特有の形状であることがわかる。また、第1図より飽和
磁化Ms値は426emu/cc、保磁力Hcは、膜面
内方向で7750e、垂直方向で8040eであった。
Plating bath (1) Bath composition Cobalt sulfate 0.06 mol/1
Nickel sulfate 0.08 mol/1
Ammonium perrhenate 0.003 mov1 Sodium hypophosphite 0.2 mov1 Ammonium sulfate 0.5 mol/1 Sodium malonate 0.75 mol/1 Sodium tartrate 0.2 mol/1 Glycolic acid 0.8 mol/ 1 Plating conditions Bath temperature: 80°C Plating bath pH: 8.7 (ammonia water at room temperature
, pH adjustment) A typical MH loop of the magnetic film thus obtained is shown in FIG. In the figure, it can be seen that the loop of this magnetic film has a shape unique to a perpendicular magnetic anisotropic film in which a vertical loop surrounds an in-plane loop. Further, from FIG. 1, the saturation magnetization Ms value was 426 emu/cc, and the coercive force Hc was 7750e in the in-plane direction and 8040e in the perpendicular direction.

磁気異方性エネルギー測定より得られたトルク曲線は、
明瞭な一軸異方性を示し正の異方性エネルギーKu値を
有していた(5 X 1104er/cc)。
The torque curve obtained from magnetic anisotropy energy measurement is
It exhibited clear uniaxial anisotropy and had a positive anisotropy energy Ku value (5 x 1104er/cc).

次に、このような特性を示す原因と考えられる磁性膜の
構造について、X線回折および電子線回折より検討した
。X線回折では、hcpco(六方晶)のC軸が基板面
に垂直配向していることを示す(002)面からの回折
による鋭いピークのみが誌められ、他の格子面からの回
折に相当するピークは認められなかった。また、電子線
回折結果からもC軸が基板面に垂直配向したhcpco
構造から構成されており、高い結晶化度と配向性を示し
ていることが明らかとなった。
Next, the structure of the magnetic film, which is thought to be the cause of exhibiting such characteristics, was investigated using X-ray diffraction and electron beam diffraction. In X-ray diffraction, only a sharp peak due to diffraction from the (002) plane, which indicates that the C axis of hcpco (hexagonal crystal) is oriented perpendicular to the substrate surface, was observed, which corresponds to diffraction from other lattice planes. No peak was observed. In addition, the electron diffraction results also show that hcpco has a C-axis oriented perpendicular to the substrate surface.
It has been revealed that the structure consists of a high degree of crystallinity and orientation.

すなわち本実施例で得られた磁性膜は垂直磁気異方性を
示し、垂直記録媒体として好ましい諸特性を有すること
が明らかとなった。
That is, it was revealed that the magnetic film obtained in this example exhibited perpendicular magnetic anisotropy and had various properties preferable as a perpendicular recording medium.

(実施例2) 実施例1と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例ではめっき浴(1)においてグリコール酸の濃度
を0ん2mol/1の範囲で変化させてCoNlReP
合金磁性膜を形成した。
(Example 2) A magnetic film was produced using the same procedure as in Example 1, but in this example, the concentration of glycolic acid was varied in the range of 0 to 2 mol/1 in the plating bath (1), and CoNlReP
An alloy magnetic film was formed.

こうして得られた磁性膜の磁気特性(飽和磁化Ms(上
)、異方性磁界Hk、保磁力He(土)、保磁力グリコ
ール酸濃度がOmol/1の場合、Hkは1.4kOe
であり、磁性膜のMHループ、トルク測定からも面内に
磁化容易な膜であった。グリコール酸を0.05mol
/1’r6加すると、Hkは4.1kOeとなり、磁性
膜のMHループ、トルク測定からも垂直磁化容易な膜へ
変化する傾向が認められた。グリコール酸濃度の増加と
ともにHkはさらに増加し垂直磁化膜へと進む。グリコ
ール酸濃度が0.8mol/lでHkが最大値6.4k
Oeに達し、それ以上の濃度はHkがやや減少するが、
1.75mol/1まで4.4kOeという大きな値を
保っている。グリコール酸濃度2mol/1では、Hk
が2.0kOeに減少した。また、表に示すように、本
発明のめっき浴では垂直磁気異方性が増加してもMsが
急減することがなく、比較的大きな値を維持している。
Magnetic properties of the magnetic film thus obtained (saturation magnetization Ms (top), anisotropic magnetic field Hk, coercive force He (earth), coercive force When the glycolic acid concentration is Omol/1, Hk is 1.4 kOe
According to the MH loop and torque measurements of the magnetic film, the film was easily magnetized in the plane. 0.05 mol of glycolic acid
When /1'r6 was added, Hk became 4.1 kOe, and the MH loop and torque measurements of the magnetic film also showed a tendency to change to a film that is easily perpendicularly magnetized. As the glycolic acid concentration increases, Hk further increases and progresses to a perpendicularly magnetized film. The maximum Hk is 6.4k when the glycolic acid concentration is 0.8mol/l.
At concentrations above Oe, Hk decreases slightly, but
It maintains a large value of 4.4 kOe up to 1.75 mol/1. At a glycolic acid concentration of 2 mol/1, Hk
decreased to 2.0kOe. Further, as shown in the table, in the plating bath of the present invention, even if the perpendicular magnetic anisotropy increases, Ms does not suddenly decrease and maintains a relatively large value.

Hc(1)、Hc(7υについては、Hkが4kOe以
上の膜において、約5000e〜約8000eの間で変
化させることができる。グリコール酸濃度が 0.5〜1.25mol/1の範囲において、得られる
磁性膜のMHループは、全て、実施例1と同様に垂直ル
ープが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状
を示した。これらの磁性膜のトルク曲線は、全て明瞭な
一軸異方性を示し正の異方性エネルギーKtx値を有し
ていた。これらの磁性膜のX線回折では、(002)面
からの回折による鋭いピークのみが認められ、他の格子
面からの回折に相当するピークは認められなかった。ま
た、電子線回折結果がらも全てC軸が基板面に垂直配向
したhcpCo構造がら構成されており、高い結晶化度
と配向性を示していることが明らかとなった。
Hc (1), Hc (7υ) can be varied between about 5000e and about 8000e in a film with Hk of 4 kOe or more. In the glycolic acid concentration range of 0.5 to 1.25 mol/1, The MH loops of the obtained magnetic films all showed a shape peculiar to perpendicular magnetic anisotropic films in which a vertical loop surrounded an in-plane loop as in Example 1.The torque curves of these magnetic films were all clear. They exhibited strong uniaxial anisotropy and had a positive anisotropy energy Ktx value. In X-ray diffraction of these magnetic films, only a sharp peak due to diffraction from the (002) plane was observed, and other lattice planes No peak corresponding to the diffraction from the substrate was observed. Furthermore, the electron beam diffraction results show that the hcpCo structure is composed of an hcpCo structure in which the C axis is oriented perpendicular to the substrate surface, indicating a high degree of crystallinity and orientation. It became clear that

すなわち本実施例で得られた磁性膜は、グリコール酸の
添加により垂直磁気異方性を示し、垂直記録媒体として
好ましい諸特性を有するほか、濃度を変化することによ
って磁気特性を制御しうろことが明らかとなった。
In other words, the magnetic film obtained in this example exhibits perpendicular magnetic anisotropy due to the addition of glycolic acid, and has various properties preferable as a perpendicular recording medium, and the magnetic properties can be controlled by changing the concentration. It became clear.

(実施例3) 実施例1と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例では下記のめっき浴を用いてCoNlReP合金
磁性膜を形成した。
(Example 3) A magnetic film was produced using the same procedure as in Example 1, but in this example, a CoNlReP alloy magnetic film was formed using the following plating bath.

めっき浴(2) 浴組成 硫酸コバルト        0.01  moυ1硫
酸ニッケル        0.05  mol/1過
レニウム酸アンモニウム  0.003 mol/1次
亜リン酸ナトリウム    0.2  mol/]−硫
酸アンモニウム      0.5  mol/1マロ
ン酸ナトリウム     0.5  mol/1グリコ
ール酸ナトリウム   O〜0.5 mol/1めっき
条件 浴温 80°C めっき浴のpH8,7(室温にてアンモニア水でpH調
節)こうして得られた磁性膜の磁気特性(飽和磁化Ms
(土)、異方性磁界Hk、保磁力He(1)、保磁力衣
2. グリコール酸ナトリウムの濃度と磁気特性の関係
本実施例においても、実施例2と同様にグリコール酸ナ
トリウムの添加により垂直磁化容易な膜へ変化する傾向
が認められたが、0.05m1/1の濃度から大きなH
k値かえられ、実施例1と同様に垂直ループが面内ルー
プを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状を示した。これ
らの磁性膜のトルク曲線は、全て明瞭な一軸異方性を示
し正の異方性エネルギーKu値を有していた。本実施例
では、比較的小さなMs(土)、He(土)、He(/
υ値が得られ、グリコール酸ナトリウム濃度によってこ
れらの値を変化させることができる。また、X線回折、
電子線回折結果からも全てC軸が基板面に垂直配向した
hcpCo構造から構成されており、高い結晶化度と配
向性を示していることが明らかとなった。
Plating bath (2) Bath composition Cobalt sulfate 0.01 moυ1 Nickel sulfate 0.05 mol/1 Ammonium perrhenate 0.003 mol/1 Sodium hypophosphite 0.2 mol/]-Ammonium sulfate 0.5 mol/1 Sodium malonate 0.5 mol/1 Sodium glycolate O~0.5 mol/1 Plating conditions Bath temperature 80°C Plating bath pH 8.7 (pH adjusted with aqueous ammonia at room temperature) The magnetic film thus obtained Magnetic properties (saturation magnetization Ms
(Soil), anisotropic magnetic field Hk, coercive force He (1), coercive force 2. Relationship between the concentration of sodium glycolate and magnetic properties In this example as well, as in Example 2, there was a tendency for the film to become easily perpendicularly magnetized by the addition of sodium glycolate, but at a concentration of 0.05 m1/1 big H from
The k value was changed, and as in Example 1, the film exhibited a shape peculiar to a perpendicular magnetic anisotropic film in which a vertical loop surrounded an in-plane loop. The torque curves of these magnetic films all exhibited clear uniaxial anisotropy and had positive anisotropy energy Ku values. In this example, relatively small Ms (Sat), He (Sat), He (/
υ values are obtained and these values can be varied depending on the sodium glycolate concentration. In addition, X-ray diffraction,
The results of electron beam diffraction also revealed that all the samples were composed of an hcpCo structure in which the C axis was oriented perpendicular to the substrate surface, exhibiting high crystallinity and orientation.

すなわち本実施例で得られた磁性膜は垂直磁気異方性を
示し、垂直記録媒体として好ましい緒特性を有するほか
、実施例1のやっき浴組成に比較して酒石酸ナトリウム
を除くことによって比較的小さなMs(土)、He(土
)、Hc(lυイ直とじうろことが明らかとなった。
In other words, the magnetic film obtained in this example exhibits perpendicular magnetic anisotropy and has favorable properties as a perpendicular recording medium. It became clear that the small Ms (Sat), He (Sat), and Hc (lυi) were directly connected to each other.

(実施例4) 実施例1と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例では下記のめっき浴を用いてCoNlReP合金
磁性膜を形成した。
(Example 4) A magnetic film was produced using the same procedure as in Example 1, but in this example, a CoNlReP alloy magnetic film was formed using the following plating bath.

めっき浴(3) 浴組成 硫酸コバルト        0.005〜7mol/
1硫酸ニッケル        0.08  mol/
1過レニウム酸アンモニウム  0.003 mol/
1次亜リン酸ナトリウム    0.2  mol/1
硫酸アンモニウム      0.5  mol/1マ
ロン酸ナトリウム     0.75  mol/1酒
石酸ナトリウム      0.2  mol/1グリ
コール酸ナトリウム   1.0  mol/1めっき
条件 浴温 80°C めっき浴のpH8,7(室温にてアンモニア水でpH調
節)こうして得られた磁性膜の磁気特性(飽和磁化Ms
(土)、異方性磁界Hk、保磁力He(土)、保磁力H
c(//))を測定した結果を表3に示す。
Plating bath (3) Bath composition Cobalt sulfate 0.005-7 mol/
1 Nickel sulfate 0.08 mol/
1 Ammonium perrhenate 0.003 mol/
Sodium hypophosphite 0.2 mol/1
Ammonium sulfate 0.5 mol/1 Sodium malonate 0.75 mol/1 Sodium tartrate 0.2 mol/1 Sodium glycolate 1.0 mol/1 Plating conditions Bath temperature 80°C Plating bath pH 8.7 (at room temperature) (pH adjusted with aqueous ammonia) Magnetic properties of the magnetic film thus obtained (saturation magnetization Ms
(earth), anisotropic magnetic field Hk, coercive force He (earth), coercive force H
Table 3 shows the results of measuring c(//)).

表3.硫酸コバルトの濃度と磁気特性の関係本実施例に
おいても、実施例1と同様に磁性膜の垂直ループが面内
ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状を示した。
Table 3. Relationship between concentration of cobalt sulfate and magnetic properties In this example as well, as in Example 1, a shape peculiar to a perpendicular magnetic anisotropic film in which the vertical loops of the magnetic film surrounded the in-plane loops was exhibited.

これらの磁性膜のトルク曲線は、全て明瞭な一軸異方性
を示し正の異方性エネルギーKu値を有していた。また
、X線回折、電子線回折結果からも全てC軸が基板面に
垂直配向したhcpco構造から構成されており、高い
結晶化度と配向性を示していることが明らかとなった。
The torque curves of these magnetic films all exhibited clear uniaxial anisotropy and had positive anisotropy energy Ku values. Furthermore, the results of X-ray diffraction and electron beam diffraction revealed that all of the samples were composed of an hcpco structure in which the C-axis was oriented perpendicular to the substrate surface, and exhibited high crystallinity and orientation.

無電解めっきでは、めっき反応によって金属イオンが消
費されるが、表3に示すように硫酸コバルト濃度が変化
しても磁気特性が殆ど変化せず、本発明では安定なめっ
き浴が得られることが明らかとなった。
In electroless plating, metal ions are consumed by the plating reaction, but as shown in Table 3, the magnetic properties hardly change even if the cobalt sulfate concentration changes, and the present invention shows that a stable plating bath can be obtained. It became clear.

(実施例5) 実施例1と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例では下記めっき浴を用いてCoNlReP合金磁
性膜を形成した。
(Example 5) A magnetic film was produced using the same procedure as in Example 1, but in this example, a CoNlReP alloy magnetic film was formed using the following plating bath.

めっき浴(4) 浴組成 硫酸コバルト 硫酸ニッケル 過レニウム酸アンモニウム 次亜リン酸ナトリウム 硫酸アンモニウム 0.06  mol/1 0.08  mol/1 0.003 mol/1 0.2   mol/1 0.5   mol/1 マロン酸ナトリウム     0.75〜0.9mol
/1酒石酸ナトリウム      0.2  mol/
1グリコール酸ナトリウム   1.0  mol/1
めっき条件 浴温 80°C めっき浴のpH8,6(室温にてアンモニア水でpH調
節)こうして得られた磁性膜の磁気特性(飽和磁化Ms
(上り、異方性磁界Hk、保磁力He(上)、保磁力H
e(//))を測定した結果を表4に示す。
Plating bath (4) Bath composition Cobalt sulfate Nickel sulfate Ammonium perrhenate Sodium hypophosphite Ammonium sulfate 0.06 mol/1 0.08 mol/1 0.003 mol/1 0.2 mol/1 0.5 mol/ 1 Sodium malonate 0.75-0.9mol
/1 Sodium tartrate 0.2 mol/
1 Sodium glycolate 1.0 mol/1
Plating conditions Bath temperature 80°C Plating bath pH 8.6 (pH adjusted with ammonia water at room temperature) Magnetic properties of the magnetic film thus obtained (saturation magnetization Ms
(Up, anisotropic magnetic field Hk, coercive force He (top), coercive force H
Table 4 shows the results of measuring e(//)).

表4.マロン酸ナトリウムの濃度と磁気特性の関係本実
施例においても、実施例1と同様に磁性膜の垂直ループ
が面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状を示
した。これらの磁性膜のトルク曲線は、全て明瞭な一軸
異方性を示し正の異方性エネルギーKu値を有していた
。また、X線回折、電子線回折結果からも全てC軸が基
板面に垂直配向したhcpco構造から構成されており
、高い結晶化度と配向性を示していることが明らかとな
った。また、表4に示すようにマロン酸ナトリウムの濃
度を変化することによって、He(1)を約500〜約
10000e、 HcC1υを約150〜約5000e
の間で変化させることができた。
Table 4. Relationship between the concentration of sodium malonate and magnetic properties In this example as well, as in Example 1, the vertical loops of the magnetic film surrounded the in-plane loops, exhibiting a shape unique to a perpendicular magnetic anisotropic film. The torque curves of these magnetic films all exhibited clear uniaxial anisotropy and had positive anisotropy energy Ku values. Furthermore, the results of X-ray diffraction and electron beam diffraction revealed that all of the samples were composed of an hcpco structure in which the C-axis was oriented perpendicular to the substrate surface, and exhibited high crystallinity and orientation. In addition, by changing the concentration of sodium malonate as shown in Table 4, He(1) can be adjusted to approximately 500 to approximately 10,000 e, and HcC1υ to approximately 150 to approximately 5,000 e.
It was possible to change between.

また、以上の実施例1〜5で用いた無電解めっき浴は、
従来のタルトロン酸を錯化剤として用いた無電解めっき
浴に比較して浴管理が容易で著しく安定性に優れ、垂直
記録媒体として優れた特性を有する磁性膜を再現性良く
作製することができた。同一容量のめっき浴から多数の
媒体を作製する場合、4kOe以上の異方性磁界Hk値
が得られるめっき当初から、Hk値が4kOe以下の値
になるまでのめっき処理量を浴寿命とすると、本発明に
よる無電解めっき浴の浴寿命は従来の無電解めっき浴に
比較して10倍以上に増加していた。
In addition, the electroless plating baths used in Examples 1 to 5 above were
Compared to conventional electroless plating baths using tartronic acid as a complexing agent, bath management is easier and the stability is significantly better, making it possible to produce magnetic films with excellent properties as perpendicular recording media with good reproducibility. Ta. When producing a large number of media from the same volume of plating bath, the bath life is defined as the plating processing amount from the beginning of plating where an anisotropic magnetic field Hk value of 4 kOe or more is obtained until the Hk value becomes 4 kOe or less. The bath life of the electroless plating bath according to the present invention was increased by more than 10 times compared to the conventional electroless plating bath.

(発明の効果) 以上、実施例で示したように、本発明によれば、磁性膜
を作製する無電解めっき浴において、金属イオンとして
少なくともコバルトイオン、ニッケルイオンおよびレニ
ウムイオンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イ
オンの還元剤を含む水溶液に、前記金属イオンの錯化剤
としてグリコール酸基を含むことにより1、タルトロン
酸のような特殊な錯化剤を用いる必要がなくめっき浴の
維持管理が容易となり、垂直記録媒体として優れた特性
を有する磁性膜を安定かつ容易に再現性良く作製するこ
とができる。
(Effects of the Invention) As described above in the examples, according to the present invention, an electroless plating bath for producing a magnetic film contains at least cobalt ions, nickel ions, and rhenium ions as metal ions, and as additives. By including a glycolic acid group as a complexing agent for the metal ions in the aqueous solution containing at least the reducing agent for the metal ions, there is no need to use a special complexing agent such as tartronic acid, and maintenance and management of the plating bath is simplified. Therefore, a magnetic film having excellent properties as a perpendicular recording medium can be stably and easily produced with good reproducibility.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、実施例1において、本発明の無電解めっき浴
より得られる磁性膜の磁気特性を表わすMH左カーブ示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the MH left curve representing the magnetic properties of the magnetic film obtained from the electroless plating bath of the present invention in Example 1.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 金属イオンとして少なくともコバルトイオン、ニッケル
イオンおよびレニウムイオンを含み、添加剤として少な
くとも前記金属イオンの還元剤を含む水溶液に、前記金
属イオンの錯化剤として少なくともグリコール酸基を含
むことを特徴とする無電解めっき浴。
An aqueous solution containing at least cobalt ions, nickel ions, and rhenium ions as metal ions and containing at least a reducing agent for the metal ions as an additive, and at least a glycolic acid group as a complexing agent for the metal ions. Electrolytic plating bath.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0589447A (en) * 1991-09-30 1993-04-09 Nec Corp Magnetic recording medium and its manufacture
JPH0594614A (en) * 1991-09-30 1993-04-16 Nec Corp Magnetic recording medium and production thereof
JP2006024925A (en) * 2004-06-29 2006-01-26 Sony Corp Magnetic material and micro electro-mechanical system device using the magnetic material

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS613316A (en) * 1984-06-15 1986-01-09 Nec Corp Magnetic recording medium and its production
JPS63119512A (en) * 1986-11-07 1988-05-24 Kobe Steel Ltd Method for controlling target coercive force of magnetic film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS613316A (en) * 1984-06-15 1986-01-09 Nec Corp Magnetic recording medium and its production
JPS63119512A (en) * 1986-11-07 1988-05-24 Kobe Steel Ltd Method for controlling target coercive force of magnetic film

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0589447A (en) * 1991-09-30 1993-04-09 Nec Corp Magnetic recording medium and its manufacture
JPH0594614A (en) * 1991-09-30 1993-04-16 Nec Corp Magnetic recording medium and production thereof
JP2006024925A (en) * 2004-06-29 2006-01-26 Sony Corp Magnetic material and micro electro-mechanical system device using the magnetic material
JP4581871B2 (en) * 2004-06-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Magnetic material and micro electro mechanical system apparatus using magnetic material

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