JPS6289069A - イオン投射複写機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、流体噴流により行われるイオン投射のエレク
トログラフィックマーキング法に基づく複写機に関する
。本装置のイオン発生及び運搬用ケースにはその出口路
に隣接して配置されるマーキングヘッドが設けられる。

このマーキングヘッドには一つの基板上に集積された薄
膜イオン変調電極及びホトセンサアレイが設けられる。

個々のイオン変調用電極は複写されるオリジナル原稿か
ら投影される光学情報に応じ、対応したホトセンサによ
り直接駆動される。

（従来技術） 本発明において利用される画像形成方法は流体噴流によ
り行われるイオン投射プリンターに関連して、ロバート
ダブリュグンドラッハ及びリチャードエルベルゲン名義
で１９８４年７月３１日付で特許された、“流体噴流に
よるイオン投射印刷″”と称される同一出願人の米国特
許第４．４６３．３６３　号に記載されている。この特
許に記載されるプリンターでは画像形成用イオンをまず
発生させ、その後、選択的に制御され狭い距離で互いに
隔置され直線上に配列された微小な空気“ノズル”によ
りイオンを移動中の例えば紙のような受容体シート上に
堆積させる。一つの極性、好ましくは正の電荷のイオン
が電離室において高電圧のコロナ放電により発生され、
その後高速の流体に伴われてノズルにかつノズルを通っ
て移送される。ノズルを通るとき、イオンは変調電極に
与えられる電位により電気的に制御される。ノズルアレ
イの変調電極に制御電圧を選択的にかけることにより“
ノズル”中に電界が生じるので各ノズル中をイオンが通
過するのが抑制される。また、この電界が閾値以下の場
合は、電荷の領域が後続の現像において受容体表面に現
れることができるようにイオンがノズル中を通過させら
れる。

この型のプリンターの典型的な変調構造体は、ニコラス
ケイシエリドン及びマイケルエイベルコウ゛イッッの名
義で１９８５年６月１８日に発行され、“流体噴流によ
るイオン投射印刷装置の変調構造”と称される同一出願
人の米国特許第４、５２４．３７１　号に記載されてい
る。この変調構造は第７乃至９図に示されかつイオン発
生用ケース上に取り付けられるプレーナ型マーキングヘ
ッド上に形成され、ヘッド上の各電極は各“ノズル”を
個別に変調するように別々に選択されることもできる。

一つの基板上に形成される薄膜イオン変調用電極と駆動
回路とスイチング素子を設けた改良され集積化されたプ
リンターのマーキングヘッドは、シン　シー　ファン及
びマルコムジェイトンブソン名義で１９８４年８月１３
日出願され、“流体噴流によるイオン投射画像形成シス
テムのマーキングヘッドと称する同一出願人の米国特許
出願第６３９．９８３　号に記載されている。

電気的情報を変調電極へ選択的に付与する技術は、グン
ドラッハとその他の発明者による特許明細書、及びシェ
リドンとその他の発明者による特許明細書、さらにファ
ンとその他の発明者による出願明細書に記載のプリンタ
ーの基礎となっているものである。この場合、情報はコ
ンピュータにより発生及び／もしくは制御されてもよく
、通常従来の情報選択技術により与えられる。

シーンエフディ及びロイドデークラーク名義で１９８４
年９月４日に出願され、“イオン投射複写機”と称され
るもう１つの同一出願人の同時係属出願第６４６．５４
９号においては、流体噴流によるイオン投射マーキング
法の本体は原画像を画像受容体上に複写する装置の中に
設けられる。これは集光リボンの一端に形成される光導
電形変調体を光学入力により選択させることにより達成
される。

米国特許第３．３２３．１３１　号（マツフグリフ）及
び第３．５９４．１６２　号（シムとその他の発明者）
はエレクトログラフ法の電荷堆積を制御する光導電性物
質の使用に関連しているという点で興味深い。マツフグ
リフの発明においては、画像制御素子は透明な電極層と
個別の導電性細片との間にはさまれた感光性の層により
構成される。光学画像は導電性細片の電子放出を制御す
る制御素子の上に投影される。シムとその他の発明者に
よる発明においては投射ギャップのへりの上にはギャッ
プの中のイオンの通過を変調するためにギャップのなか
の電界を制御する光導電型細片が形成される。

変調電極の構造及び電極と光検出構成との関係がデーと
その他の構成に対してかなり単純化された安価で信頼性
の高い電子複写機を設けることが望ましい。このため、
本発明の目的は、イオン投射器中のイオン流を制御する
マーキングヘッドであって、変調電極、各電極と関連し
た光検出回路と、適切な母線とを含む薄膜素子がその上
に一体的に形成されているマーキングヘッドを設けるこ
とである。

（発明の要約） 本発明は、イオンを電荷受容体表面に投射するイオン投
射手段を有する流体噴流によるイオン投射複写機であっ
て、イオン発生器と、このイオン発生器に接続される人
口路及び出口路と、イオンを出口路を通って移動させる
ために運搬用流体を届ける人口路と連通した運搬用流体
源と、イオンの通過を制御する出口路に隣接して位置す
る変調手段と、複写されるべき原稿の明暗領域の画像を
順々に投影する手段とで構成されるイオン投射複写機に
関する。

本発明においては、イオン投射手段の上であって且つ出
口路に隣接して書込みヘッドが取付けられている。この
書込みヘッドは薄膜素子で一体的に形成されたもので成
り、該書込みヘッドには、流体流の方向に細長く配列さ
れた変調電極のアレイと、１つのホトセンサーが１つの
変調電極と接続するように設けられるホトセンサのアレ
イと、これらのホトセンサ中の所定のものの上に投射さ
れる照度の状態に応じて変調電極の所定のものに電位を
印加するバイアス電位用母線とを含んで成る。本発明の
他の特徴及び利点は添付の図面を参照して行われる下記
の記載で明らかになるであろう。

（実施例） 添付の参照図面中東１図には同一出願人の米国特許第４
．５２４．３７１号の流体噴流によるイオン投影プリン
ト装置と類似したハウジング１０が示される。このハウ
ジングには導電性の細長い室１２と室の長さに渡って延
在するコロナ放電ワイヤ１４とが設けられる。ＤＣ約数
千ボルトの高電位電源１６が適当な負荷抵抗体１８を７
通してワイヤ１４に接続され、基準電位電源２０（接地
電位でもよい）が室１２の壁に接続される。コロナ放電
ワイヤ１４に高電位をかけるとコロナ放電がワイヤを包
み、所定極性（好ましくは正の電荷）のイオンの供給源
を作る。このイオンは接地された室壁に引きつけられ室
を空間電荷で満たす。

加圧された運搬用流体（好ましくは空気）をチューブ２
４として概略的に図示されている適当な供給源から室内
に運ぶために入口路２２が室に沿って実質的にワイヤに
平行に延びて設けられる。

イオンを積載した運搬用流体をハウジング１０の外部に
導くための出口路２６もまた人口路２２とは反対の位置
でほぼワイヤ１４に平行に室１２から延びて設けられる
。出口路２６は室から実質的に半径方向外側に向う第１
の部分２８と第１部分に対して角度をつけて配置される
第２の部分３０との２つの部分で構成される。第２の部
分３０は絶縁性のはさみ木３４によりハウジングから隔
置され且つハウジングに固定される書込みヘッドすなわ
ちマーキングヘッド３２の延長部の非支持部分で形成さ
れる。イオンを積載した運搬用流体は出口路２６を通過
すると、イオン変調、電極３６のアレイの上方を流れ、
各電極は流体の流れの方向に延びていて且つ書込みヘッ
ドすなわちマーキングヘッド３２上に一体的に形成され
ている。

中を通り抜けて完全にハウジング１０の外に出されたイ
オンは、出入路を通りＤＣ約数千ボルトかつコロナ供給
源の極性と反対の極性もった高電位電源４０に接続され
る加速用のバック電極３８の影響下に入る。例えば紙の
ような絶縁性の電荷受容体４２が加速用バック電極とハ
ウジングとの間に挟まれ、イオンを画像の形に表面に集
めるバック電極の上を移動する。この後には適切な現像
装置（図示せ一４′）により電荷潜像が可視像にされる
ことができと１．、電荷像が誘電ドラムもしくは誘電ベ
ルトのような絶縁性の中間表面上に付着される転移シス
テムもまた採用することができる。その場合、電荷潜像
は誘電表面上に現像されて可視像にされその後最後の画
像受容体シートに転移されることができる。

イオンが運搬用流体により出口路２６に出されたならば
、イオン積載の流体の流れを解読しやすいものにするこ
とが必要になる。これはマーキングヘッド上にやはり一
体状に形成されるホトセンサ４４により変調電極３６の
電位を選択的に制御することにより達成される。オリジ
ナル原稿４６を電荷受容体４２の上に複写するためには
、オリジナルは適当な光源４８により光を照射される。

反射器５０により光学エネルギーがオリジナル上に集中
されるが、光学エネルギーの一部分はレンズシステム５
２の集光角度内に落下する。オリジナル原稿から反射し
た光はレンズシステムを通り、その後オリジナル原稿４
６からの明暗領域のパターンをセンサ４４上に投影する
マーキングヘッド３２０基板を通過する。レンズシステ
ムはセルフォック型もしくはグレーデッド形集束型の短
かい光路長を有する細長いレンズ片の形状であることが
好ましい。この構成においては基板は適切な光学的に透
明な物質で作られることはもちろんである。

第１Ａ図では基板が透明であることを必要としない本発
明の他の実施例が示される。この実施態様においては、
ホトセンサ４４は変調電極３６から離れて形成され、オ
リジナル原稿から反射された光はレンズシステム５２は
通過するが基板は通過しない。

米国特許第４．４６３．３６３号に記載されているよう
に運搬用流体流に含まれるイオンは、変調電極の影響下
に来たならば受容体シート４２にまで通過されるかもし
くは出口路２６内にさし止められるかもしれない個々の
“ビーム”としてとらえられてもよい。ラスク線の一つ
の点の“書込み”は変調電極が出口路の反対側の壁と同
電位で電位電源に選択的に接続されるとき行われる。出
口路をつなぐ両壁がだいたい同電位になると、出口路中
には実質的に電界が存在しなくなる。このため出口路を
通過しているイオンは電界の影響を受けることなくハウ
ジングの外に出て電荷受容体の上に堆積される。反対に
変調電極に適切な電位がかけられると、出口路を横切っ
て電界が反対側の接地された壁に延びるであろう。もし
変調電極に印加される電位の極性がイオンのそれと同じ
であれば、イオン“ビーム”は変調電極から反対側の壁
へと押し返されそこで帯電していない中性の空気分子と
再結合するであろう。もし変調電極にかける電位の極性
がイオンのそれと反対のものであれば、イオン“ビーム
”は変調電極へと引きつけられそこで帯電していない中
性の空気分子と再結合するであろう。このためその変調
電極の近傍でハウジングから外に出る運搬用流体の“ビ
ーム”は実質的に“書込み”イオンを全然運んでいない
。中間の大きさの電圧印加の場合イオン電流はその電圧
に比例し、電荷受容体にグレ一段階の書込みが行われる
。変調電極アレイの各電極に関連するイオンビームがハ
ウジングから出るかもしくはハウジング内に止まるよう
に複写されるオリジナル原稿の明暗点のパターン及び点
の明るさ暗さに応じて各電極を選択的に制御することに
よって情報の画１象形状のパターンが形成されるであろ
う。

電子直接複写の本発明は第１図に示す装置に使われても
よい大領域マーキングヘプト３２の構成の１つが図示さ
れる第２図及び第３図においてより特定して示される。

誘電物質（好ましくはガラスのように透明なもの）で作
られる適切な平面状基板には標準的な薄膜付着技術によ
り金属の変調用電極アレイ３６が１インチ当り３００個
の密度で形成されている。そのような密度では各変調電
極は例えば２．５ミルの巾をもち、各電極は０．８ミル
の距離で互いに離れている。電極の長さは約６０ミルで
ある。

それぞれが約２．５ミルＸ２．５ミルの寸法のホトセン
サアレイ４４もまた標準的な薄膜付着技術により基板上
に形成される。各センサは各変調電極３６に関係しかつ
電気的に接続されるように位置される。各センサが接続
される駆動電位用母線５４が基板いっばいに延び、ＤＣ
約２０もしくは３０ボルトの駆動電位■に接続される。

接地用母線５６もまた基板いっばいに延び、負荷抵抗器
５８を通して各分圧器節点５７（Ｓ接続される。駆動電
位母線５４と、接地用母線５６と、負荷抵抗器５８と全
部の接続用導電性配線もまた標準の薄膜付着技術により
基板状に一体に形成される。

本発明により直接電子複写が行なわれる方法は簡単かつ
正確であることが第２図のアレイの一段の動作（第３図
に図示）についての以下の記載より明らかになるであろ
う。センサ４４が暗いとその導電率は非常に低く駆動電
位母線５４からの電流は十分に流れない。このため、負
荷抵抗器５８両端での電位降下は非常に小さく変調電極
には０ボルトに近い電圧が出るであろう。この状態にお
いてはすでに説明したごとくイオンは印を付けるためハ
ウジングから電荷受容体表面へと出されるであろう。つ
まりオリジナル原稿の暗い部分により対応センサが暗く
なり、これにより電荷受容体上に暗い印が付けられる。

センサ４４に光があたる（矢印により図示のように）と
、センサの抵抗値は低くなり負荷抵抗器５８を通り駆動
電位母線５４から接地用母線５６へとセンサを通り電流
が流れる。十分に光を照射されセンサの抵抗値がもっと
下がると、センサ両端での電位降下は最小になりこのた
め節点電位が駆動電位に実質的に等しくなる。変調電極
にはＤＣ約２０乃至３０ボルトのこの電位が現われるこ
とになり、この電極に関連したビームのイオンが接地さ
れている反対側の壁に偏向させる。この状態においては
、イオンはハウジングから外に出られず電荷受容体上に
は何の印もつかない。すなわちオリジナル原稿の明るい
部分により対応センサが明るくなり、このために電荷受
容体上には何の印もつかなくなる。センサに光が照射さ
れている間は変調電極は充電されるであろう。ホトセン
サが暗くなるや否や変調電極の電位は放電されるであろ
う。

このような構成は電子複写機の設計の単純化の理想的な
例に近いということが容易に理解される。

各電極のために個別の信号励振器も必要でなく選択機構
も要求されない。マーキングヘッド３２に１つの電圧電
源のための母線と基準電位のための母線との２つの母線
が設けられるということが必要なだけである。後者の母
線は接地されてもよい。

回路は低価格のセンサアレイで一対一に変調電極を直接
駆動する単純な分圧器回路である。変調電極と、センサ
と、抵抗器と導電性配線とを含む全部の回路素子は標準
的な低温薄膜技術により１板の基板上に簡単に形成され
てもよい。

一対一電子複写を達成する別の実施例が第４図及び第５
図に図示される。第１の実施例と同様なマーキングヘッ
ド３２′の素子としては変調電極３６′とセンサ４４′
と駆動電位用母線５４′と接地用母線５６′とが設けら
れる。これに加えるにトランジスタ６０が変調電極とセ
ンサとの間に設けられる節点と接地用母線との間に接続
される。

各トランジスタ６０のゲート電極はゲート母線に接続さ
れ、母線はクロック回路Ｃに接続される。

オリジナル原稿４６が走査されるとき、クロック回路で
は変調電極をアースに接続して電極の変調状態を“クリ
ヤ”するために各走査線に応じた所定の時間間隔でパル
スが発生させられる。クロックパルスの出力の間のトラ
ンジスタ６０がオフになるときに複写が次のように行わ
れる。

センサが暗いときはセンサの導電率が非常に低く変調電
極では引き続いてアース状態が持続される。しかしセン
サに光が照射されると、その抵抗値が低くなり変調電極
の電位は駆動電位用母線５４′の電位、つまり約ＤＣ２
０乃至３０ボルトに高められる。変調電極を放電しよう
としてもトランジスタ６０により通路を設けるまで電流
はほとんどアースに漏れないので、このシステムは第２
図及び第３図に示す実施例のようには適応性がない。こ
のシステムには各走査線毎に変調電極の状態をクリヤー
するため一定間隔で発生するクロックパルスが必要であ
る。

上記のように定義された各実施例に記載の電子直接複写
システムの別の利点は応答性が２つのモード（オン／オ
フ）ではなく、アナログ的であるということである。こ
れはイオンを積載する各運搬流体“ビーム”にとり込ま
れるイオンの数は変調電極に現われる電荷の量に比例し
、この電荷最はさらにセンサに落下する光の量に比例す
る、ということを意味する。ハウジングからのイオン送
出の比例制御ではグレ一段階が自動的に複製されるとい
うことに意義がある。

第６図及び第７図では２種類のホトセンサが公表され、
本発明の電子複写機マーキングヘッドに使用される場合
の利点及び欠点が検討される。ホトセンサの役割は原稿
を適度の速度（１ラインにつき約１ミリ秒）で走査し、
変調電極を駆動するための十分な電圧を生じさせ、走査
されたオリジナル原稿の明暗領域のコントラストが十分
に現れるようにすることである。またホトセンサの光導
電性ゲインが１以上つまりセンサに突き当たる各光子に
対して１つ以上の電子が放出されることが望ましい。

第３図及び第５図の各回路に使用されるホトセンサ構成
で最も申し分のないものは第６Ａ図及び第６Ｂ図に示さ
れるギャップ形光導電体構造である。非晶質シリコン（
ａ　−３ｉ：　　Ｈ）もしくは非晶質シリコン合金で作
られる真性もしくはドーピングされた薄膜電荷移動層６
４が絶縁性基板６６の上に付着される。基板は好ましく
は透明な物質で作られる。ｎ型にドーピングされたａ　
−３ｉ：　　Ｈで作られる電極６８がａ　−３ｉ：　　
Ｈ薄膜電荷移動層に接触して設けられる。例えばＣｒも
しくはＡβなどの適切な金属で作られる金属接点７０が
電極の上に被着される。これらの接点はａ　−３ｉ：　
　Ｈ薄膜層が被着された後パターン化されて被着されて
もよく（この場合、接点は図示のように薄膜の上に設け
られる）　、ａ　−３ｉ：　　Ｈ薄膜層の堆積に先立っ
てパターン化されて被着されてもよい（この場合、図示
されないが接点は薄膜層の下に設けられる）。

最後に窒化シリコンのパッシベーション表面膜（図示せ
ず）がホトセンサの上に被着されてもよい。原稿画像を
上から投影したい場合は基板ではなく不活性化表面膜が
透明でなければならない。

第６Ｂ図に示すように金属接点７０は電荷移動層６４に
直接接触することもある。

第６図の実施例は電流が電荷移動層の中を距離約２０ミ
クロンの２つの接点７０の間を膜表面に平行に流れる光
導電素子の例である。特徴としてはこの種のセンサは約
５０ボルトまでの印加電圧を維持することができ、その
充電流応答時間は約１ミリ秒であり光導電利得は約５で
ありダイナミックレンジは約２５ｄＢである。

第７Ａ図と第７Ｂ図と第７Ｃ図においては別のホトセン
サ構成が示される。これは電流が能動層を膜表面に垂直
方向に流れるサンドイッチ形ホトトランジスタ構造であ
る。第７Ａ図に示すように、透明な絶縁性基板７２の上
には例えば酸化すずインジウム（ＩＴ○）の透明な接点
７４が支持され、その上には通常厚さ１ミクロンのａ　
−３ｉ：　　Ｈの薄膜層により構成される能動層７６が
被着される。

八βもしくはＣｒの第２の接点が能動層の上に直接もし
くは第７Ｂ図に示すようにｎ型ａ　−３ｉ：　　Ｈの中
間層８０の上のどちらかに被着される。原稿の画像を上
から投射したい場合は、第７Ｃ図の構成が好ましい。こ
の構成においては基板７２の上に接点７８が支持され、
能動層７６がこの上に直接かもしくは中間層８０（図示
せず）を介するかいずれかの方法で設けられる。能動層
の上には透明な接点７４がつくられる。

この種のホトセンサの特徴は光電流の応答時間が約１ミ
リ秒と非常に速いことである。しかしその暗電流の漏洩
電流が大きくなり過ぎるまでに約５乃至１０ボルトしか
印加できない。この素子はまた光導電利得が１なので、
実際の別の光源を使うと十分な光電流が発生されず、し
たがって非常に強い光源で選択されなければならない。

ダイナミックレンジは通常約２３ｄＢと満足のいくもの
である。この素子は高速複写で必要とされる電荷を変調
電極に運ばないので第３図及び第５図に示す各回路に使
用されるには十分でないということが明らかである。

しかしながら第７図に示す型のホトセンサは、低電圧の
ホトセンサ４４′で高電圧出力段の駆動が可能な第８図
に図示の増幅回路を設けることによりマーキングヘッド
に十分使用することができる。調整電極３６″は負荷抵
抗器８２を介して高電圧電源５４′（約３０ボルト）に
接続されかつトランジスタ８４を介して接地される。ト
ランジスタのゲートはさらに負荷抵抗器８８を介して低
電圧電源（約５ボルト）に接続されかつホトセンサを介
して接地される。

動作についてはオリジナル原稿上の暗領域に対応してホ
トセンサ４４′が暗い場合は、ホトセンサ４４′を通っ
て電流は流れず、この結果負荷抵抗体８８の両端での電
圧降下はない。このためトランジスタ８４のゲートには
５ボルトの電圧がかかりトランジスタはオンになり、ト
ランジスタを通り高電圧電源５４′からアースへと電流
が流れる。負荷抵抗器８２が十分高い抵抗値をもつよう
に適度に選択すると、その両端での電圧降下は大きくな
り変調電極３６′には非常に低い電圧が現われる。この
電圧はあまりに低いので出口路を通過するイオンを偏向
させることはできないであろう。このようにセンサが暗
いとイオンはハウジングから外に出て画像受容体上には
印が付与されることができる。

反対にオリジナルの明領域に対応してセンサに光が照射
されると、ホトセンサ４４″及び負荷抵抗器８８を通り
光電流が流れ、抵抗器を適切に選択した場合トランジス
タ８４のゲートの電圧は低くなりトランジスタはオフに
なる。このため電流は負荷抵抗器８２を流れず約３０ボ
ルトの高電圧が電極３６′に現われてそこを通過するイ
オンを偏向させる。このようにセンサに光が照射される
と、イオンはハウジングから外には出ず、オリジナルに
対応して画像受容体上に明るい点が現われる。

後者の構成においては動作の速い低電圧ホトセンサを使
用することができるが、欠点としては各回路段ではより
多くの構成部品（すなわち余分な負荷抵抗器と余分な母
線とパストランジスタ）が要求される。この構成のマー
キングヘッドもまた薄膜形成技術で作ることができるが
、第２図及び第４図に示したヘッドのようには単純でも
奇麗なものにならないかも知れない。

この発明の開示は実施例によりなされ、本発明の精神と
範囲に反することなく構造の細部と部品の組合せと配列
とは種々に変更することができるということが理解され
るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子複写機の概略図；第１Ａ図は
反対側より光学情報を受ける書込みヘッドすなわちマー
キングヘッドを示す第１図の電子複写機の部分図； 第２図は、電極及びセンサ回路アレイを示す本発明の書
込みヘッドすなわちマーキングヘッドの一実施態様の概
略図； 第３図は第２図に示すアレイの１個の段の概略図； 第４図は本発明の書込みヘッドすなわちマーキングヘッ
ドの別の実施態様の概略図； 第５図は第４図に示すアレイの一段の概略図；第６Ａ図
はギャップセルホトセンサの一実施態様の概略図； 第６Ｂ図はギャップセルホトセンサの別の実施態様の概
略図； 第７Ａ図はサンドイッチセルホトセンサの一実施態様の
概略図； 第７Ｂ図はサンドイッチセルホトセンサの別の実施態様
の概略図： 第７ＣＩｆｆｌはサンドイッチセルホトセンサの更に別
の実施態様の概略図；そして 第８図はサンドイッチセルホトセンサを組み入れるのに
都合のよい増幅回路の概略図である。 符号の説明 １０　　ハウジング １２室 １４　　コロナ放電ワイヤ １６−　高電位電源 １８−　負荷抵抗体 ２〇　−基準電位電源 ２２　　人口路 ２４　　チューブ ２６　　出口路 ３２　　書込みヘッド（マーキングヘッド）３６　　変
調電極 ３８　　バック電極 ４０　　高電位電源 ４２　　電荷受容体 ４４　　ホトセンサ ４６　　原画（オリジナル原稿） ４８　　光源 ５２　　レンズシステム ５４　　駆動電位用母線 ５６　　接地用母線 ５８　　負荷抵抗器 ６０−　トランジスタ ロ４　　薄膜電荷移動層 ６６　　絶縁性基板 ６８　　電極 ７０　　接点 ＦＩＧ、　　／、４ ＦＩＧ、　７Ｃ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）イオンを電荷受容体上に投射する手段を備えてお
   り、このイオン投射手段が、イオン発生器と、該イオン
   発生器に接続される入口路及び出口路と、この出口路を
   通してイオンを移動させるための運搬流体を送る前記入
   口路に連通した運搬用流体供給源と、前記出口路の中の
   イオンの通過を制御するため該出口路に隣接して配置さ
   れる変調手段と、複写すべき原画の明暗領域の画像を順
   々に投影する手段とを有する流体噴流によるイオン投射
   複写機において、 前記イオン投射手段上で且つ前記出口路に隣接して取り
   付けられた書込みヘッドを備え、この書込みヘッドは一
   体的に形成された薄膜素子を含み、該書込みヘッドは、
   流体の流れる方向に細長く延びた変調用電極アレイと、
   各変調用電極に１つづつ接続されたホトセンサのアレイ
   と、このホトセンサの所定のものの上の光照射の状態に
   応じて前記変調用電極の所定のものに、電圧を印加する
   バイアス電位用母線とを含んで成ることを特徴とするイ
   オン投射複写機。
2. （２）特許請求の範囲第１項に記載の流体噴流によるイ
   オン投射複写機において、前記変調電極の前記所定のも
   のの上に付与される電荷量がホトセンサに届く照射光の
   状態に比例することを特徴とする流体噴流によるイオン
   投射複写機。
3. （３）特許請求の範囲第１項に記載の流体噴流によるイ
   オン投射複写機において、前記書込みヘッドには、各ホ
   トセンサに負荷抵抗器が１つづつ接続されるように配列
   された負荷抵抗器アレイが更に設けられ、前記ホトセン
   サのそれぞれはそれに関連した負荷抵抗器を通して基準
   電位に接続されたことを特徴とする流体噴流によるイオ
   ン投射複写機。
4. （４）前記ホトセンサが非晶質半導体物質でつくられた
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の流体噴
   流によるイオン投射複写機。
5. （５）前記ホトセンサが非晶質シリコンで作られたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の流体噴流に
   よるイオン投射複写機。
6. （６）特許請求の範囲第１項に記載の流体噴流によるイ
   オン投射複写機において、前記書込みヘッドには１つの
   スイッチが各ホトセンサと関連するように設けられたホ
   トセンサアレイが設けられ、前記ホトセンサのそれぞれ
   はそれに関連したスイッチを通して基準電位用母線に接
   続されたことを特徴とする流体噴流によるイオン投射複
   写機。
7. （７）前記スイッチが薄膜トランジスタであることを特
   徴とする特許請求の範囲第６項に記載の流体噴流による
   イオン投射複写機。
8. （８）前記ホトセンサと前記薄膜トランジスタとが非晶
   質半導体物質で作られることを特徴とする特許請求の範
   囲第７項に記載の流体噴流によるイオン投射複写機。
9. （９）前記ホトセンサと前記薄膜トランジスタとが非晶
   質シリコンで作られることを特徴とする特許請求の範囲
   第７項に記載の流体噴流によるイオン投射複写機。
10. （１０）前記アレイの全部のスイッチに接続されるスイ
    ッチ制御用母線と、前記変調電極に貯えられた電荷を前
    記基準電位用母線に逃がすために前記スイッチの状態を
    周期的に変えさせるタイミング手段とを設けたことを特
    徴とする特許請求の範囲第６項に記載の流体噴流による
    イオン投射複写機。
11. （１１）前記ホトセンサは薄膜ギャップセルトランジス
    タであることを特徴とする流体噴流によるイオン投射複
    写機。
12. （１２）前記書込みヘッドには、前記バイアス電位母線
    に接続される電位よりも低い電位の電源を前記ホトセン
    サに接続する第２のバイアス電位母線と、１つのスイッ
    チが各センサに接続されるように設けられるスイッチア
    レイとが設けられ、各スイッチは前記バイアス電位母線
    の電位をそれに関係する変調電極に選択的に印加するた
    めに各スイッチに関係するホトセンサの導電状態により
    制御されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の流体噴流によるイオン投射複写機。
13. （１３）前記スイッチが薄膜トランジスタであることを
    特徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の流体噴流に
    よるイオン投射複写機。
14. （１４）前記ホトセンサは薄膜サンドイッチセルトラン
    ジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第１２項
    に記載の流体噴流によるイオン投射複写機。