JPS6283307A - 窒化ケイ素粉末の製造装置 - Google Patents

窒化ケイ素粉末の製造装置

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JPS6283307A
JPS6283307A JP21913185A JP21913185A JPS6283307A JP S6283307 A JPS6283307 A JP S6283307A JP 21913185 A JP21913185 A JP 21913185A JP 21913185 A JP21913185 A JP 21913185A JP S6283307 A JPS6283307 A JP S6283307A
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JP
Japan
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chamber
silicon nitride
synthesis
pressure chamber
nitride powder
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JP21913185A
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JPH0425203B2 (ja
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Masaaki Mori
正章 森
Sho Sano
佐野 省
Yushi Horiuchi
雄史 堀内
Yoshihiro Okumura
奥村 吉宏
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 −−の1 この発明は、窒化ケイ素粉末を合成するための窒化ケイ
素粉末の製造装置に関する。
支股仄11 従来提案されている炉構造には、合成室を構成する炉壁
と炉外壁(缶体鉄皮)とを有する二重構造のものがある
。合成室炉壁と缶体鉄皮との間の窒素ガス圧力は、合成
室内圧力より高くなっており、その圧力を維持するため
にガスシールやベローズを介して缶体鉄皮からのガスリ
ーク及び合成室炉壁を通してのガスリークがない状態に
しなければならない。
とりわけ、合成室炉壁はカーボンで構成されているが、
目地部からのガスリークが起りやすくガス圧が不足にな
るので、目地を極力少なくするために合成室をカーボン
の一体物で作成するか、あるいは大型ブロックから切り
出したリング状のカーボン材を積み重ねるかしなければ
ならない。
が ゛しよ とする口 1 ところが一体物のカーボンブロックの製造できる大きさ
には限界があるため、従来の炉構造では合成室の大きさ
に限界があった。その大きさは合成室炉壁外径で約1m
である。
また大型ブロックから切り出した部材を用いることは非
常に高価である。
したがって流動層方式の合成室をより大型化するために
は、炉壁と缶体鉄皮の二重構造ではなく、圧力室を別個
に設は圧力室を構成する部材は密着してガスリークのな
い構造にする必要がある。
11へ1L この発明は、安価に合成室の大型化が図れ、ガスシール
やベローズなどの複雑な構造が不要である窒化ケイ素粉
末の製造装置を提供することを目的とする。
(7)1E この目的を達成するためにこの発明はガス分散板を有す
る流動層合成式のシリカ還元法窒化ケイ素粉末の製造装
置において、窒化ケイ素粉末を合成する合成室に対して
ガス分散板を介してこの合成室にガスを吹き込む圧力室
が別に設けてあり、吹込みガス加熱用及び合成室加熱用
の熱源を有する窒化ケイ素粉末の製造装置を要旨として
いる。
゛ るた の 窒化ケイ素粉末6を合成する合成室1に対して、圧力室
4からガス分散板3を介してたとえばN2ガスを吹込め
るように、圧力室4が別に設けである。吹込みガス加熱
用ヒータ13は圧力室4内に設置する。合成室加熱用ヒ
ータ5は合成室1内にある。この下端は粉体6中に埋設
してもよい。
1」− 圧力室4から高温のガスを大型の合成室1内の高温の粉
体6に高圧で吹込み、粉体6をすみやかに循環して反応
させることができる。
合成室1は小ブロックを積重ねる構造でよい。
支IL 第1図と第2図はこの発明の第1の実施例を示している
。窒化ケイ素粉末の製造装置の合成室1は、カーボン製
の大型のライニング2により囲まれている。このライニ
ング2は円筒状で小ブロックを積み重ねた構造である。
この中には、合成室加熱用ヒータ5が吊り下げてあり、
ヒータ5は図示しない電源につながっている。
合成室1の下部にはガス分散板3が設けてあり、さらに
このガス分散板3を介して圧力室4が合成室1とは別に
設けである。ガス分散板3は多数の貫通状の穴を有して
いる。
圧力室4は逆円すい形の圧力部7により形成されている
。この圧力部7は一体物により作られていてもよいし、
第1図と第2図に示すように分割側壁8で構成してもよ
い。この分割側壁8は緻密質セラミックス、すなわちカ
ーボン、S i C−S i 3N4 Nサイアロンな
どでできている。
実施例では、圧力部7はたとえば4分割された分割側壁
8で構成され、一部を代表して示した第2図のように、
これらは互いに密接部9で密接している。隣接する密接
部9の接触端面は精緻仕上げられ、その外側は凸部1O
となっている。
この2つの密接した凸部10と、製造装置の外側の円筒
形の缶体鉄皮11の内面との間には、押え部材12が設
けである。
押え部材12は、軸部12aの両端にバネ部12bと凹
型押え12cを設けた構造である。この凹型押え12c
は耐熱セラミックスでできていて、外側から押し付けて
分割側壁8間の目地が開くのを防止している。密接部9
の接触端面には必要に応じてガスシール用のペーストを
塗布する。
なお、圧力部7の各分割側壁8は、その上端部がガス分
散板3にすり合わせあるいはかみこみなどで密接固定し
である。また、各分割側壁8は、その下端部がすり合わ
せあるいはかみこみなどで圧力部7の底部材14に固定
しである。それぞれの密接部には必要に応じてガラスシ
ール用のペーストを塗布する。
圧力室4内には、圧力室4内のガスを加熱するためのヒ
ータ13が設けである。このヒータ13は、表面積を大
きくしてガスを加熱しやすくするためにフィン15を有
している。
ヒータ13の下端は接続部材16を介して缶体鉄皮11
の外に導出しており、電源17につながれている。
なお、ヒータ13の形式としては、カーボン抵抗加熱、
クリブトル抵抗加熱のほかに、圧力室4の外部に設置し
たコイルに高周波電流を通して、圧力室4の内部のカー
ボン材を誘導加熱する、いわゆる高周波誘導加熱方式0
式% また、缶体鉄皮11と、ライニング2および圧力部7と
の間には断熱材20が充填されている。
また、接続部材16と底部材1.4aを介してN2ガス
を合成室4内に吹込めるようになっている。
使用に際しては、ヒータ5により合成室1内の原料の粉
末6をたとえば1450℃に加熱する。原料の粉末6と
してはシリカ・カーボン・窒化ケイ素の造粒体が採用で
きる。
一方ヒータ13により圧力室4内をたとえば1450℃
に加熱する。
このようにすることで、高温高圧のN2ガスをガス分散
板3を通して合成室1内に吹込める。したがって、合成
室1内の原料の粉末6を循環流動させながら熱効率よく
窒化反応させて窒化ケイ素を製造できる。
次に、第3図により第2実施例を説明する。
この実施例では、合成室101側のヒータ105は合成
室101の天井150から吊下げてあり、保1管160
により保護されている。このヒータ105は電源170
につながれている。ヒータ105は板状あるいは丸棒状
のものを複数本吊下げてもよい。
ヒータ105を合成室101の内部に設置することで、
第1実施例と同様に合成室外にヒータを設置するより熱
効率が高くなる。ヒータ105を合成室101の天井か
ら吊り下げることで、ヒータ熱膨張を逃がす。ヒータ1
05を粉体中に埋没させる場合にはヒータ105の下端
を粉体106の中に埋没させることで、粉体106への
熱伝達が速かになり反応が促進される。
また流動層底面積が大きくなるほど流動状態が不均一に
なりやすいが、粉体中に仕切り板や棒状突起物があると
より均一な流動状態が得られる。
合成室101を形成する容器180は、排気口181を
有している。
合成室101の下部にはガス分散板103を介して別に
圧力室104があり、この中にはヒータ113がある。
次に、第4図により第3実施例を説明する。
この例では、合成室201内に2本のヒータ205a 
、205bが設けてあり、それらの下端は粉体206内
にある。
一方、ロート状の圧力室204は、ガス分散板203を
介して合成室201の下部に複数分割して設けられてい
る。それぞれの圧力室204にはヒ〜り213がある。
次に、第5図により第4実施例を説明する。
この例では、電源305aに接続されたヒータ305の
周囲に小分割した合成室301を複数段けである。各合
成室301の下部には、ガス分散板303を介して圧力
室304が設けである。各圧力室304内にもヒータ3
13が設けである。
ところで、この発明は、上述した各実施例に限定される
ものではない。
立jし医勿」L 圧力室を合成室とは別に設けるので、十分な圧力ガスを
合成室に吹き込める。従来のように高圧のガスを二重構
造体で保持する必要がないので、合成室を大型化でき、
しかも合成室をカーボンの小ブロックを積み重ねるだけ
の構造にできるので安価である。また、缶体鉄皮でのガ
スシールの必要がなく、ベローズなどの複雑な構造も必
要でない。しかも合成室と圧力室にそれぞれヒータを設
ければ合成時に熱効率よく粉体を反応できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の第1の実施例を示す断面図、第2
図は圧力室とその周辺構造の一部を示す第1図のII−
II線における断面図、第3図〜第5図はこの発明の第
2〜第4実施例を示す断面図である。 1、、、、、合成室 3、、、、、ガス分散室 4、、、、、圧力室 5.13.、ヒータ 6、、、、、粉体 8、、、、、分割側壁 12、、、、押さえ部材 第1図 r 第2図 第3図 第4図 と16

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガス分散板を有する流動層合成式の シリカ還元法窒化ケイ素粉末の製造装置において、窒化
    ケイ素粉末を合成する合成室に対してガス分散板を介し
    てこの合成室にガスを吹き込む圧力室が別に設けてあり
    、吹込みガス加熱用及び合成室加熱用の熱源を有する窒
    化ケイ素粉末の製造装置。
  2. (2)前記吹込みガス加熱用熱源は圧力室 内に設置され、合成室加熱用熱源は合成室内にあり、こ
    の下端は粉体中に埋没させてもよいし、させなくてもよ
    い特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ素粉末の製造装
    置。
  3. (3)前記圧力室は、分割側壁を互いに密 接して形成し、その密接部を押さえ部材で外方より支持
    する特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ素粉末の製造
    装置。
  4. (4)前記圧力室の側壁の上下端は、ガス 分散板と圧力室の底部材に密接されている特許請求の範
    囲第3項記載の窒化ケイ素粉 末の製造装置。
JP21913185A 1985-07-05 1985-10-03 窒化ケイ素粉末の製造装置 Granted JPS6283307A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21913185A JPS6283307A (ja) 1985-10-03 1985-10-03 窒化ケイ素粉末の製造装置
US06/838,566 US4640023A (en) 1985-07-05 1986-03-11 Apparatus for manufacturing powdered silicon nitride
DE19863608972 DE3608972A1 (de) 1985-07-05 1986-03-18 Vorrichtung zur herstellung pulverisierten siliciumnitrids

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21913185A JPS6283307A (ja) 1985-10-03 1985-10-03 窒化ケイ素粉末の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6283307A true JPS6283307A (ja) 1987-04-16
JPH0425203B2 JPH0425203B2 (ja) 1992-04-30

Family

ID=16730722

Family Applications (1)

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JP21913185A Granted JPS6283307A (ja) 1985-07-05 1985-10-03 窒化ケイ素粉末の製造装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818511A (en) * 1986-03-08 1989-04-04 Nihon Cement Co., Ltd. Process and apparatus for producing non-oxide compounds

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5510730U (ja) * 1978-07-04 1980-01-23
JPS5891012A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Toshiba Ceramics Co Ltd 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置
JPS58151302A (ja) * 1982-03-04 1983-09-08 Nippon Mining Co Ltd 流動塩化装置
JPS5945912A (ja) * 1982-09-02 1984-03-15 Kawasaki Steel Corp サイアロン系物質の連続製造法

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JPH0425203B2 (ja) 1992-04-30

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