JPS6277343A - 2−メチルブタナ−ルの製造法 - Google Patents
2−メチルブタナ−ルの製造法Info
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/49—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reaction with carbon monoxide
- C07C45/50—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reaction with carbon monoxide by oxo-reactions
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- B01J2231/30—Addition reactions at carbon centres, i.e. to either C-C or C-X multiple bonds
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- B01J2531/82—Metals of the platinum group
- B01J2531/822—Rhodium
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- B01J31/22—Organic complexes
- B01J31/2204—Organic complexes the ligands containing oxygen or sulfur as complexing atoms
- B01J31/2208—Oxygen, e.g. acetylacetonates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブテン−2のヒドロホルミル化による2−メチ
ルブタナールの選択的連続製法に関する。
ルブタナールの選択的連続製法に関する。
オレフィンをロジウム錯体触媒存在下にヒドロホルミル
化してアルデヒドをつくることは既に知られている。
化してアルデヒドをつくることは既に知られている。
公知例の多くはα−オレフィン及び内部オレフィンのヒ
ドロホルミル化に関し、イソ又は側鎖アルデヒドの代り
に直鎖、末端置換アルデヒドをつくるものである。種々
の公知例が内部オレフィンのヒドロホルミル化による側
鎖フルデヒドの製造を開示している。しかしこれらは加
熱、加圧条件が過酷であったり転化率又は選択性が低い
ため実用的ではない。また多くの公知例では、最初はよ
い結果を示すが、徐々に分解し、工業生産で通常用いる
連続法では不安定になる触媒を用いている。つまり”バ
ッチ法“では必ずしも正しい触媒評価ができないがこれ
は触媒の安定性が連続伍を除き正しく評価で@ないこと
による。また公知例にはある触媒が側鎖アルデヒドの製
造でよい結果を与えるがどうかを判断できるだけの記載
がない。
ドロホルミル化に関し、イソ又は側鎖アルデヒドの代り
に直鎖、末端置換アルデヒドをつくるものである。種々
の公知例が内部オレフィンのヒドロホルミル化による側
鎖フルデヒドの製造を開示している。しかしこれらは加
熱、加圧条件が過酷であったり転化率又は選択性が低い
ため実用的ではない。また多くの公知例では、最初はよ
い結果を示すが、徐々に分解し、工業生産で通常用いる
連続法では不安定になる触媒を用いている。つまり”バ
ッチ法“では必ずしも正しい触媒評価ができないがこれ
は触媒の安定性が連続伍を除き正しく評価で@ないこと
による。また公知例にはある触媒が側鎖アルデヒドの製
造でよい結果を与えるがどうかを判断できるだけの記載
がない。
はとんどの公知例は直鎖、末端置換アルデヒドの生産を
扱っているが、多くの場合側鎖アルデヒドが所望される
。
扱っているが、多くの場合側鎖アルデヒドが所望される
。
たとえば、側鎖アルデヒドは、直鎖異性体とは逆に、多
くのポリマーの製造原料として所望されている。つまり
、ブテン−2から製造されうる2−メチルブタナールは
イソプレンの製造原料として有用である。
くのポリマーの製造原料として所望されている。つまり
、ブテン−2から製造されうる2−メチルブタナールは
イソプレンの製造原料として有用である。
促って本発明の目的はブテン−2のヒドロホルミル化に
より高選択率をもって2−メチルフタナールを製造する
方法を提供することにある。芒らに本発明の目的は経済
的な製造条件を用い賜い反応速度と選択率にて、且つ連
続操作条件で安定性にすぐれた触媒を用いて、ブテン−
2をヒドロホルミル化して2−メチルブタナールを製造
する方法を提供することにある。本発明の更なる目的は
ある触媒がブテン−2のヒドロホルミル化による2−メ
チルブタナールの製造に有効かどうかを判断する方法及
び該触媒のパラメーターを提供することにある。本発明
のOれら及び他の目的は以下の記載から明らかとなろう
。
より高選択率をもって2−メチルフタナールを製造する
方法を提供することにある。芒らに本発明の目的は経済
的な製造条件を用い賜い反応速度と選択率にて、且つ連
続操作条件で安定性にすぐれた触媒を用いて、ブテン−
2をヒドロホルミル化して2−メチルブタナールを製造
する方法を提供することにある。本発明の更なる目的は
ある触媒がブテン−2のヒドロホルミル化による2−メ
チルブタナールの製造に有効かどうかを判断する方法及
び該触媒のパラメーターを提供することにある。本発明
のOれら及び他の目的は以下の記載から明らかとなろう
。
要約
本発明は、一つには、ブテン−2の選択的ヒドロホルミ
ル化による2−メチルブタナールの連続選択製法にあり
、該方法は、連続法にて、ヒドロホルミル化領域中で、
tal 該ブテン−2を、 1b) −62化炭素及び水素と、水素/−一酸化炭
素モル比115〜10/1の範囲にて、 iC1式 %式% ここでEhはロジウム、Hに水素、COは一酸化炭素、
Lはトリオルガノホスフィンリガンドであり、rnid
l又は3、nは1〜3、pは1又は2で、乳、ル及びp
の合計は4〜6であり、該トリオルガノホスフィンリガ
ンドはトリシクロアルキルホスフィンをも包含するトリ
アルキルホスフィンであって、シクロアルキル基も含め
3つのアルキル基の各々は同一でも異なっていてもよく
、それぞれ3〜10の炭素原子を有するものから選ばれ
且つ該トリオルガノホスフィ/リガンドは159〜17
1’のテーパ角度を持ち、このリガンドのニッケルトリ
カルボニル、N1(Co)sL、のジクロロメタン中で
のA1カルボニルモードの振動数(freqwency
)が2056.1〜2061.1の範囲にある、で示さ
れるハロゲンを待たないロジウム錯体存在の存在下に、 tel 該トリオル力ノリノリガンドを実質量の遊離
のトリオルカノリンリカンドが存在しないよう実質上非
過剰で用いると共に、 tel 約6〜30杷対圧の範囲の圧力で、φ 約8
0℃〜150℃の範囲の温度で、接触さぞて、tgl
2−メチルブタノール/他の酸素化生成物のモル比が
少なくとも4 / lである該ブテン−2のヒドロホル
ミル化物を生成し、そして該ヒドロホルミル化領域から
該2−メチルブタナール/他の酸素化生成物のモル比が
少なくとも4/1である該ヒドロホルミル化物を回収す
ることを特徴とする方法である。
ル化による2−メチルブタナールの連続選択製法にあり
、該方法は、連続法にて、ヒドロホルミル化領域中で、
tal 該ブテン−2を、 1b) −62化炭素及び水素と、水素/−一酸化炭
素モル比115〜10/1の範囲にて、 iC1式 %式% ここでEhはロジウム、Hに水素、COは一酸化炭素、
Lはトリオルガノホスフィンリガンドであり、rnid
l又は3、nは1〜3、pは1又は2で、乳、ル及びp
の合計は4〜6であり、該トリオルガノホスフィンリガ
ンドはトリシクロアルキルホスフィンをも包含するトリ
アルキルホスフィンであって、シクロアルキル基も含め
3つのアルキル基の各々は同一でも異なっていてもよく
、それぞれ3〜10の炭素原子を有するものから選ばれ
且つ該トリオルガノホスフィ/リガンドは159〜17
1’のテーパ角度を持ち、このリガンドのニッケルトリ
カルボニル、N1(Co)sL、のジクロロメタン中で
のA1カルボニルモードの振動数(freqwency
)が2056.1〜2061.1の範囲にある、で示さ
れるハロゲンを待たないロジウム錯体存在の存在下に、 tel 該トリオル力ノリノリガンドを実質量の遊離
のトリオルカノリンリカンドが存在しないよう実質上非
過剰で用いると共に、 tel 約6〜30杷対圧の範囲の圧力で、φ 約8
0℃〜150℃の範囲の温度で、接触さぞて、tgl
2−メチルブタノール/他の酸素化生成物のモル比が
少なくとも4 / lである該ブテン−2のヒドロホル
ミル化物を生成し、そして該ヒドロホルミル化領域から
該2−メチルブタナール/他の酸素化生成物のモル比が
少なくとも4/1である該ヒドロホルミル化物を回収す
ることを特徴とする方法である。
発明の説明
上記からも明らかなように、本発明は特定の圧力及び温
度条件下に、特定タイプの錯体触媒を用いてヒドロホル
ミル化7行なうものである。CCに述べたすべての条件
及び限定は本発明にとって臨界的であり、これらを実質
上はつれると悪い結果が得られる。ロジウム錯体触媒の
存在下にオレフィンをヒドロポルミル化してアルデヒド
を製造することはよく仰られており、それらの詳細のほ
とんどは、公知力が多数であるため省略する。ここでの
記載は所望の高選択率と昼転換率を達成するために必須
のプロセス限定と触媒限定は庄に制限する。換言すれば
、特段の記載がなければ、通常のヒドロホルミル化条件
と方法が利用しうるものである。
度条件下に、特定タイプの錯体触媒を用いてヒドロホル
ミル化7行なうものである。CCに述べたすべての条件
及び限定は本発明にとって臨界的であり、これらを実質
上はつれると悪い結果が得られる。ロジウム錯体触媒の
存在下にオレフィンをヒドロポルミル化してアルデヒド
を製造することはよく仰られており、それらの詳細のほ
とんどは、公知力が多数であるため省略する。ここでの
記載は所望の高選択率と昼転換率を達成するために必須
のプロセス限定と触媒限定は庄に制限する。換言すれば
、特段の記載がなければ、通常のヒドロホルミル化条件
と方法が利用しうるものである。
本発明はブテン−2(シス及びトランスの両方)のヒド
ロポルミル化による2−メチルブタナールの製造に有用
である。2つの異性体間ではシス−2−ブテンがトラン
ス−2−ブテンより速く反応するが、それらは同じアル
デヒド生成λ1i成物を与える。原料がブテン−2眉外
υオレフインを官五する場合にはヒドロホルミル化領域
に供給する前にCrLらの他のオレフィンのほとんどを
除く必要がある。ブタジエンに本発明方法に対し特に有
害でk〕り可Wr:、な限りの量のブタジエンを除くべ
きである。ブタジエンや他の望ましくない成分の生成を
除くためにパージnH効である。本発明ではヒドロホル
ミル化領域に供給するオレフィンの少なくとも95%、
好1しくけ少なくとも98%がブテン−2であるCとが
好ましい。過剰量の他のオレフィンは選択性に悪影響を
与える。ブテン−2は反応領域に液体、気体のいづれか
で供給されつる。
ロポルミル化による2−メチルブタナールの製造に有用
である。2つの異性体間ではシス−2−ブテンがトラン
ス−2−ブテンより速く反応するが、それらは同じアル
デヒド生成λ1i成物を与える。原料がブテン−2眉外
υオレフインを官五する場合にはヒドロホルミル化領域
に供給する前にCrLらの他のオレフィンのほとんどを
除く必要がある。ブタジエンに本発明方法に対し特に有
害でk〕り可Wr:、な限りの量のブタジエンを除くべ
きである。ブタジエンや他の望ましくない成分の生成を
除くためにパージnH効である。本発明ではヒドロホル
ミル化領域に供給するオレフィンの少なくとも95%、
好1しくけ少なくとも98%がブテン−2であるCとが
好ましい。過剰量の他のオレフィンは選択性に悪影響を
与える。ブテン−2は反応領域に液体、気体のいづれか
で供給されつる。
市販のブテン原料はブテン−1とブテン−2の混合物か
らなっているのが通常であり、これらの混合ブテンは容
易に異性化してブテン−2が95%以上でブテン−1が
5%以下の熱平衡混合物となる。異性化は側鎖化を実質
上起こさない二重結合異性化触媒の存在下に行ないうる
。ががる触媒は公知であり、この異性化は本発明の一部
を構成しない。インブチレンも市販の原料中に存在しう
るがその存在は本発明を妨害しない。イソブチレンを除
かf(IA場合はこれは3−メチルブタナールは変換す
る。しかし、経済的理由で、ヒドロホルミル化前にイン
ブチレンを原料から除くことが好ましい。
らなっているのが通常であり、これらの混合ブテンは容
易に異性化してブテン−2が95%以上でブテン−1が
5%以下の熱平衡混合物となる。異性化は側鎖化を実質
上起こさない二重結合異性化触媒の存在下に行ないうる
。ががる触媒は公知であり、この異性化は本発明の一部
を構成しない。インブチレンも市販の原料中に存在しう
るがその存在は本発明を妨害しない。イソブチレンを除
かf(IA場合はこれは3−メチルブタナールは変換す
る。しかし、経済的理由で、ヒドロホルミル化前にイン
ブチレンを原料から除くことが好ましい。
本発明のヒドロホルミル化は約6〜30絶対(気)圧、
好ましくは約15〜25絶対圧の範囲の圧力下に行なわ
れる。本発明では比較的低圧を用いるので約50気圧で
操作する公知法に比し経済的に有利である。圧力が高す
ぎるとロジウム錯体触媒が本発明を行なう条件下で悪影
響を受けるようである。
好ましくは約15〜25絶対圧の範囲の圧力下に行なわ
れる。本発明では比較的低圧を用いるので約50気圧で
操作する公知法に比し経済的に有利である。圧力が高す
ぎるとロジウム錯体触媒が本発明を行なう条件下で悪影
響を受けるようである。
ヒドロホルミル化領域での全圧は反応体と生成物と存在
しうる不活性カスの分圧の合計に等しい。存在し全圧に
かかわる2つのガスは一酸化炭素と水素であり、一酸化
炭素と水素の組合せを通常合成ガスと称する。Cれら2
つの反応体の比は変りつるが、水素/一酸化炭素のモル
比は1/1より低くあるべきである。即ち一酸化炭素の
分圧は水素の分圧をこえるべきでない。通常、水素/一
酸化炭素のモル比は約1/1〜10/1.好ましくは約
1.571〜3.1の範囲にあるべきである。通常、水
素/一酸化炭素のモル比が低い方が2−メチルブタナー
ルの選択率は昼い。ヒドロホルミル化領域の全圧の約4
0〜95%は一酸化炭素と水素の分圧によるべきである
。
しうる不活性カスの分圧の合計に等しい。存在し全圧に
かかわる2つのガスは一酸化炭素と水素であり、一酸化
炭素と水素の組合せを通常合成ガスと称する。Cれら2
つの反応体の比は変りつるが、水素/一酸化炭素のモル
比は1/1より低くあるべきである。即ち一酸化炭素の
分圧は水素の分圧をこえるべきでない。通常、水素/一
酸化炭素のモル比は約1/1〜10/1.好ましくは約
1.571〜3.1の範囲にあるべきである。通常、水
素/一酸化炭素のモル比が低い方が2−メチルブタナー
ルの選択率は昼い。ヒドロホルミル化領域の全圧の約4
0〜95%は一酸化炭素と水素の分圧によるべきである
。
ブテン−2もまたヒドロホルミル化領域の全圧に関与し
、その分圧は合成カスの圧力よりも大きくも小烙くもあ
りうる。つまり合成ガスの量は反応領域に存在するブテ
ン−2の量より多くも少なくもあり得、合成カスに対す
るブテン−2のモル比は特に臨界的という訳ではない。
、その分圧は合成カスの圧力よりも大きくも小烙くもあ
りうる。つまり合成ガスの量は反応領域に存在するブテ
ン−2の量より多くも少なくもあり得、合成カスに対す
るブテン−2のモル比は特に臨界的という訳ではない。
窒素等の不活性ガスがヒドロホルミル化領域に存在する
場合には、これらは全体の60%をこえる分圧になるべ
きでない。
場合には、これらは全体の60%をこえる分圧になるべ
きでない。
ヒドロホルミル化の温度は約80℃〜150℃の範囲で
あるべきであり、約105°C〜130℃が好プしい。
あるべきであり、約105°C〜130℃が好プしい。
約80℃より低いと、一般に反応速度が遅すぎて実用困
難であり、約150℃をこえると所望の側鎖アルデヒド
の選択率が低下する。捷だ約150℃より高いと触媒の
不活性化が起こる。
難であり、約150℃をこえると所望の側鎖アルデヒド
の選択率が低下する。捷だ約150℃より高いと触媒の
不活性化が起こる。
本発明で用いる触媒1は実験式:
%式%
ここでRhはロジウム、Hは水素、COは一酸化炭素、
Lはトリオルガノホスフィンリガンドであり、mは1又
V!、3、n f41〜3、pはl又は2で、m、
nとpの合計Vi4〜6である、で示されるロジウム錯
体触媒である。トリオルガノホスフィンリガンドはトリ
アルキルホスフィ/(トリシクロアルキルホスフィンを
含む)で、3つのアルキル基(シクロアルキル基を含む
)の各々が同−又は異なり(好筐しくけ同一)、それぞ
れ1〜8の炭素原子を■するものから選ばれねばならな
い。トリオルガノホスフィンリガンドfd159〜17
1”のテーバ角度(corLe angle)f持ち且
つジクロロメタン中でのN1(Co)、LのA、カルボ
ニルモードの振動数が2056.1〜2061.10−
1の範囲にある必要がある。本発明のロジウム錯体にオ
レフィンのヒドロホルミル化に関する文献で既によく知
られており、公知の方法でつくることができる。公知例
で知られているように、この錯体触媒はヒドロホルミル
化前につくってもよいし、ヒドロホルミル化領域中でそ
の場でつくってもよい。
Lはトリオルガノホスフィンリガンドであり、mは1又
V!、3、n f41〜3、pはl又は2で、m、
nとpの合計Vi4〜6である、で示されるロジウム錯
体触媒である。トリオルガノホスフィンリガンドはトリ
アルキルホスフィ/(トリシクロアルキルホスフィンを
含む)で、3つのアルキル基(シクロアルキル基を含む
)の各々が同−又は異なり(好筐しくけ同一)、それぞ
れ1〜8の炭素原子を■するものから選ばれねばならな
い。トリオルガノホスフィンリガンドfd159〜17
1”のテーバ角度(corLe angle)f持ち且
つジクロロメタン中でのN1(Co)、LのA、カルボ
ニルモードの振動数が2056.1〜2061.10−
1の範囲にある必要がある。本発明のロジウム錯体にオ
レフィンのヒドロホルミル化に関する文献で既によく知
られており、公知の方法でつくることができる。公知例
で知られているように、この錯体触媒はヒドロホルミル
化前につくってもよいし、ヒドロホルミル化領域中でそ
の場でつくってもよい。
公知例には上記に示したロジウム錯体触媒が開示されて
いるがそれは通常の又は内部オレフィンからのノルマル
アルデヒドの製造に関するものであり、高い転換率と側
鎖アルデヒドへの高い選択率とすぐれた触媒安定性の組
合せをもたらす側鎖アルデヒドの製造用触媒の選択法を
教示するものはない。当業者は高選択率と高転換率がバ
ッチ法で必要なすべてであると認識するであろうが、生
成物を連続操作条件下に製造する工業的な方法ではすぐ
れた触媒安定性も絶対的に必要である。本発明者は側鎖
アルデヒドへの高選択率、高い転換率及びすぐれた安定
性という3つの%注を具備するには、トリアルキルホス
フィンが159〜171のテーバ角度を持ち、且つジク
ロロメタン中でのニッケルトリカルボニルホスフィン錯
体のA1カルボニルモードが2056.1〜2061.
1の振動数を持つ必要があることを見出した。つまり1
59〜171の範囲にテーバ角度をもつホスフィンでも
ニッケルカルボニルホスフィン錯体のA。
いるがそれは通常の又は内部オレフィンからのノルマル
アルデヒドの製造に関するものであり、高い転換率と側
鎖アルデヒドへの高い選択率とすぐれた触媒安定性の組
合せをもたらす側鎖アルデヒドの製造用触媒の選択法を
教示するものはない。当業者は高選択率と高転換率がバ
ッチ法で必要なすべてであると認識するであろうが、生
成物を連続操作条件下に製造する工業的な方法ではすぐ
れた触媒安定性も絶対的に必要である。本発明者は側鎖
アルデヒドへの高選択率、高い転換率及びすぐれた安定
性という3つの%注を具備するには、トリアルキルホス
フィンが159〜171のテーバ角度を持ち、且つジク
ロロメタン中でのニッケルトリカルボニルホスフィン錯
体のA1カルボニルモードが2056.1〜2061.
1の振動数を持つ必要があることを見出した。つまり1
59〜171の範囲にテーバ角度をもつホスフィンでも
ニッケルカルボニルホスフィン錯体のA。
カルボニルモードの振動数が2056.1〜2061.
1の範囲外であれば満足な結果1’i得られない。また
本発明方法は上記のパラメーター内で操作する必要があ
り、特にヒドロホルミル化領域には実質量の遊離のトリ
オルガノリ/リガンドが存在しない必要がある。
1の範囲外であれば満足な結果1’i得られない。また
本発明方法は上記のパラメーター内で操作する必要があ
り、特にヒドロホルミル化領域には実質量の遊離のトリ
オルガノリ/リガンドが存在しない必要がある。
テーバ角度はホスフィンの豆体特性の尺度であり、振動
数はホスフィンの電子特性又は塩基度の尺度である。テ
ーバ角度とニッケルトリカルボニルホスフィン錯体のA
、カルボニルモードの詳細は次の文献に記載されている
:Chadwick A、To1manJ’M機金桟化
学と均一系触媒におけるリンリガンドの立体効果J 、
−ChemicalReviews、−1977、
Vol、77tA63r 313〜348頁。本発明
のテーバ角度と振動数は上記文献に従うものである。上
記文献に示されるように、テーバ角度は、一般に、リン
原子についたアルキル及びシクロアルキル基のすべてを
含むコーンの最小角度(ホスフィンリガンド特定の点に
その頂端なもつ)である。上記文献な′マだジクロロメ
タン中でのNi (Co)、LのA、カルボニルモート
ノ振動数は、N1(CO入とL(リガンド)を混合する
と@ちにA’1(CO)3Lが生成するために選んだこ
とが指摘されている。
数はホスフィンの電子特性又は塩基度の尺度である。テ
ーバ角度とニッケルトリカルボニルホスフィン錯体のA
、カルボニルモードの詳細は次の文献に記載されている
:Chadwick A、To1manJ’M機金桟化
学と均一系触媒におけるリンリガンドの立体効果J 、
−ChemicalReviews、−1977、
Vol、77tA63r 313〜348頁。本発明
のテーバ角度と振動数は上記文献に従うものである。上
記文献に示されるように、テーバ角度は、一般に、リン
原子についたアルキル及びシクロアルキル基のすべてを
含むコーンの最小角度(ホスフィンリガンド特定の点に
その頂端なもつ)である。上記文献な′マだジクロロメ
タン中でのNi (Co)、LのA、カルボニルモート
ノ振動数は、N1(CO入とL(リガンド)を混合する
と@ちにA’1(CO)3Lが生成するために選んだこ
とが指摘されている。
適正なテーバ角度と適正な振動数を待つ好ましいトリア
ルキルホスフィンとトリシクロアルキルホスフインヲ表
Iに示す。
ルキルホスフィンとトリシクロアルキルホスフインヲ表
Iに示す。
表 ■
トリシクロへキシルホスフィン 170 2056
.4トリーイソプロピルホスフイン 160 20
59.2本 推定 本発明で特に好ましいホスフィンはトリシクロヘキシル
ホスフィンである。
.4トリーイソプロピルホスフイン 160 20
59.2本 推定 本発明で特に好ましいホスフィンはトリシクロヘキシル
ホスフィンである。
次の表■に種々のトリオルガノホスフィンとそれらのテ
ーバ角度及び振動数を示している。それらはテーバ角度
又は振動数のいづれか又は両方が適正範囲外であり、本
発明には適さないものである。
ーバ角度及び振動数を示している。それらはテーバ角度
又は振動数のいづれか又は両方が適正範囲外であり、本
発明には適さないものである。
表 ■
ジーt art〜ブチルフェニルホスフィン 170
2060.4トリベ/ジルホスフイ7
165 2066.4トリーtert−ブチルホス
フィン 182 2056.1トリメチルホスフ
イン 118 2064.1トリーn−
ブチルホスフィン 132 2060.3トリ
イソブチルホスフイン 143 20’59
.7”トリフェニルホスフィン 145
2068.9トリフエニルホスフアイ) 1
28 2085.3本 推定 ここで転換率はモル%で示し、ブテン−2が他の生成物
に転換したモル数を100倍し供給したブテン−2のモ
ル数で割った値である。ある生成物の効率に74)られ
たある生成物のモル数を反応で消費したブテン−2のモ
ル数で割った値である。
2060.4トリベ/ジルホスフイ7
165 2066.4トリーtert−ブチルホス
フィン 182 2056.1トリメチルホスフ
イン 118 2064.1トリーn−
ブチルホスフィン 132 2060.3トリ
イソブチルホスフイン 143 20’59
.7”トリフェニルホスフィン 145
2068.9トリフエニルホスフアイ) 1
28 2085.3本 推定 ここで転換率はモル%で示し、ブテン−2が他の生成物
に転換したモル数を100倍し供給したブテン−2のモ
ル数で割った値である。ある生成物の効率に74)られ
たある生成物のモル数を反応で消費したブテン−2のモ
ル数で割った値である。
本発明方法の実施では、ヒドロホルミル化は通常液相均
一系で行なうため触媒は通常溶液として存在する。用い
る溶媒はトルエン等の通常用いる種々の不活性溶媒のい
づれかでありうる。他の溶媒としてはヒドロキシル化合
物に富んだ高沸点液体縮合物、重合アルデヒド縮合物、
ポリα−オレフィン等がある。
一系で行なうため触媒は通常溶液として存在する。用い
る溶媒はトルエン等の通常用いる種々の不活性溶媒のい
づれかでありうる。他の溶媒としてはヒドロキシル化合
物に富んだ高沸点液体縮合物、重合アルデヒド縮合物、
ポリα−オレフィン等がある。
ロジウムは公矧の方法で反応領域に導入しつる。たとえ
ば、有機酸のロジウム塩を液相でリガンドと結合させ反
応領域中で合成ガスと接触させる。あるいは、触媒を、
ヘキサロジウムへキサデカカルボニル等のロジウムの一
酸化炭素錯体とリガンドとを肌熱してくるることもでき
る。筐だアセチルアセトナートリガンドからつくったロ
ン9ムシカルボニル錯体等のロジウム錯体を触媒前駆体
として反応領域に導入し次いで別々に1〜IJオルガノ
ホスフィンを反応領域に導入することもできる。同様の
触媒の製法は米国特許第4,484,006号、同4,
287,370号及び英国特許明細沓第1,243,1
89号にも記載されている。同様の触媒製造を記載した
他の文献には、B、FeLl等のVl’ e trah
edronLgHgrsJ、1968,3261〜32
66頁、米国特許第4.260,828号、同4,26
8,688号、同4,258,214号、同3,965
,192号、ヨー 07 ハ特許出願公開0−080−
449−41、米国特許第3.23 ’1,566号、
同4,482,749号がある。
ば、有機酸のロジウム塩を液相でリガンドと結合させ反
応領域中で合成ガスと接触させる。あるいは、触媒を、
ヘキサロジウムへキサデカカルボニル等のロジウムの一
酸化炭素錯体とリガンドとを肌熱してくるることもでき
る。筐だアセチルアセトナートリガンドからつくったロ
ン9ムシカルボニル錯体等のロジウム錯体を触媒前駆体
として反応領域に導入し次いで別々に1〜IJオルガノ
ホスフィンを反応領域に導入することもできる。同様の
触媒の製法は米国特許第4,484,006号、同4,
287,370号及び英国特許明細沓第1,243,1
89号にも記載されている。同様の触媒製造を記載した
他の文献には、B、FeLl等のVl’ e trah
edronLgHgrsJ、1968,3261〜32
66頁、米国特許第4.260,828号、同4,26
8,688号、同4,258,214号、同3,965
,192号、ヨー 07 ハ特許出願公開0−080−
449−41、米国特許第3.23 ’1,566号、
同4,482,749号がある。
釉々のねIJ駆体が触媒製造に用いうるが、ハロゲン宮
■前肱体に、触媒及び/又は反応系にハロゲンの少なく
とも残渣量をもたらすため用いてはならない。ハロゲン
は少量でも反応に悪影響をもつ。1だ、もしロジウムオ
有前駆体中のロジウムがロジウム■(+3の酸化状態)
として存在する場合はロジウムmをロジウムIに還元す
るよう還元条件下に置くことが好ましい。つまり、たと
えば、Rん203 を前1駆体として用いる虎・合、
!!!媒を高圧下に予熱しロジウムの酸化状啓を還元し
てから上記した比較的低い圧力下に反応を行なうCとが
好ましい。逆に、ロジウムをロジウム■からロジウム錯
体触媒しない場合は、ヒドロホルミル化を本発明外の望
ましくない高圧下に行なわねばならなくなる。
■前肱体に、触媒及び/又は反応系にハロゲンの少なく
とも残渣量をもたらすため用いてはならない。ハロゲン
は少量でも反応に悪影響をもつ。1だ、もしロジウムオ
有前駆体中のロジウムがロジウム■(+3の酸化状態)
として存在する場合はロジウムmをロジウムIに還元す
るよう還元条件下に置くことが好ましい。つまり、たと
えば、Rん203 を前1駆体として用いる虎・合、
!!!媒を高圧下に予熱しロジウムの酸化状啓を還元し
てから上記した比較的低い圧力下に反応を行なうCとが
好ましい。逆に、ロジウムをロジウム■からロジウム錯
体触媒しない場合は、ヒドロホルミル化を本発明外の望
ましくない高圧下に行なわねばならなくなる。
本発明で用いる好ましい触媒は式Iの1つで、アセチル
アセトナートリガンドでつくったロジウムカルボニル錯
体等のロジウムのβ−ジケトン錯体からなる前駆体を用
いてつくられるものである。Cの錯体なつくるために用
いるβ−ジケトンは市販のものを用いつる。好ましいβ
−ジケトンKidア七千ルアセトン、ジベンゾイルメタ
ン、ベンゾイルアセトン、ジピバロイルメタン、3−ア
ルキル−2,4−ペンタンジオン、2−アセチルシクロ
ヘキサン等がある。
アセトナートリガンドでつくったロジウムカルボニル錯
体等のロジウムのβ−ジケトン錯体からなる前駆体を用
いてつくられるものである。Cの錯体なつくるために用
いるβ−ジケトンは市販のものを用いつる。好ましいβ
−ジケトンKidア七千ルアセトン、ジベンゾイルメタ
ン、ベンゾイルアセトン、ジピバロイルメタン、3−ア
ルキル−2,4−ペンタンジオン、2−アセチルシクロ
ヘキサン等がある。
β−ジケトンは好ましくは炭素、水素及び酸素のみから
なりエチレン性及びアセチレン性不飽和結合をもたない
ものである。特に好ましいβ−ジケトンはアセチルアセ
トンである。
なりエチレン性及びアセチレン性不飽和結合をもたない
ものである。特に好ましいβ−ジケトンはアセチルアセ
トンである。
本発明の方法は公知方法の多くと類似しているが、比較
的経済的な操作条件をもたらす高選択率、高転換率とす
ぐれた触媒安定のための臨界性にある。最も重要な相違
はトリオルガノホスフィンの限定と低圧の使用と実質i
tの遊離のホスフィンリガンドの非存在にある。大過剰
のホスフィンを要する公知法と異なり、本発明は特定条
件下に実質量の遊離のホスフィンリガンドの非存在下に
のみ満足すべき結果をもたらす。低い圧力その信奉発明
の特定条件下に過剰のホスフィンを用いると反応速度が
大きく低下する。
的経済的な操作条件をもたらす高選択率、高転換率とす
ぐれた触媒安定のための臨界性にある。最も重要な相違
はトリオルガノホスフィンの限定と低圧の使用と実質i
tの遊離のホスフィンリガンドの非存在にある。大過剰
のホスフィンを要する公知法と異なり、本発明は特定条
件下に実質量の遊離のホスフィンリガンドの非存在下に
のみ満足すべき結果をもたらす。低い圧力その信奉発明
の特定条件下に過剰のホスフィンを用いると反応速度が
大きく低下する。
実施例
例1−■
下記の例1−41は異なるロジウムホスフィン錯体触媒
の評価のためのバッチ法の結果を示す。
の評価のためのバッチ法の結果を示す。
すべての触媒はアセチルアセトナートリガンドでつくっ
たロジウムジカルボニル錯体(例外は別途示す)を用い
てつくった。用いた特定のホスフィンリガンドは各側に
示す。
たロジウムジカルボニル錯体(例外は別途示す)を用い
てつくった。用いた特定のホスフィンリガンドは各側に
示す。
各々の実験は撹拌機と冷却コイルをもつ300ゴのバッ
チオートクレーブ中で行なった。ロジウム触媒と反応溶
媒とホスフィンをオートクレーブに人へオートクレーブ
を密封し窒素でパージした。各バッチ実験での供給物全
答積は、ブチ/−2を除き80WLtだった。ホスフィ
ンが空気感応性の場合はオートクレーブを窒素パージし
てから加えた。次にオートクレーブを反応温度に上げブ
テン−2と合成ガスを入れた。反応中追加の合成ガスを
入れて圧力を一定に保った。用いた合成ガス量を合成ガ
ス容器の圧力降下を七二ターして測定した。一定時間後
反応を停止した。反応停止後生成物サンプルを除きガス
クロマトグラフィーで分析した。種々のバッチ実験の結
果、そのための反応パラメーターを次の例■〜■に示す
。各側において転換率はブテン−2のものであり、効率
はブテン−2からC5アルデヒドへのものであり、E/
L1〜J生成物中の2−メチルブタナール/ n+、2
ンテナールのモル比であり時間けすべて分である。
チオートクレーブ中で行なった。ロジウム触媒と反応溶
媒とホスフィンをオートクレーブに人へオートクレーブ
を密封し窒素でパージした。各バッチ実験での供給物全
答積は、ブチ/−2を除き80WLtだった。ホスフィ
ンが空気感応性の場合はオートクレーブを窒素パージし
てから加えた。次にオートクレーブを反応温度に上げブ
テン−2と合成ガスを入れた。反応中追加の合成ガスを
入れて圧力を一定に保った。用いた合成ガス量を合成ガ
ス容器の圧力降下を七二ターして測定した。一定時間後
反応を停止した。反応停止後生成物サンプルを除きガス
クロマトグラフィーで分析した。種々のバッチ実験の結
果、そのための反応パラメーターを次の例■〜■に示す
。各側において転換率はブテン−2のものであり、効率
はブテン−2からC5アルデヒドへのものであり、E/
L1〜J生成物中の2−メチルブタナール/ n+、2
ンテナールのモル比であり時間けすべて分である。
例に示した半減期、分はブテン−2の半分が転換するに
要する時間であり、反応速度の尺度である。長い半減期
は遅い反応速度を示す。
要する時間であり、反応速度の尺度である。長い半減期
は遅い反応速度を示す。
例 I
一連の実験をトリシクロへキシルホスフィンリカンドか
らつくったロジウム錯体触媒を用いるブテン−2のヒド
ロホルミル化に対するホスフィン濃度の効果を示すため
に行なった。実験はいづれもトルエン浴媒中、110℃
の温度、317 psigの圧力下に、水素/一酸化炭
素モル比1/1の合成ガスを用いて行なった。触媒錯体
は4ミリモルのロジウムを与えるに足る量存在させた。
らつくったロジウム錯体触媒を用いるブテン−2のヒド
ロホルミル化に対するホスフィン濃度の効果を示すため
に行なった。実験はいづれもトルエン浴媒中、110℃
の温度、317 psigの圧力下に、水素/一酸化炭
素モル比1/1の合成ガスを用いて行なった。触媒錯体
は4ミリモルのロジウムを与えるに足る量存在させた。
実験/161ではホスフィンは存在させず、リン/ロジ
ウム(P/Rh)モル比は他の実験で示しである。結果
を表■に示す。
ウム(P/Rh)モル比は他の実験で示しである。結果
を表■に示す。
表!
1 0 B456.295.21.374.021a
l l 3089.698.49.3 6.53 2
6088.098.336.517.04(α) 2
6090.798.037.5 8.0(α)触媒F
iIIO℃で1時間317 psigの合成ガス(HJ
CO−L)で予備処理しtム 表Iの表記実験結果はホスフィン濃度の効果乞示してお
り、P/Rhモル比1が高活性、高選択性触媒を与える
に十分であることが判る。実験治2.4はまた合成ガス
での予備処理がより高活性触媒を与える0とを示してい
る。P/Rhモル比が2/IK増加すると、BlL比が
増加し触媒活性がわずかに減少する。
l l 3089.698.49.3 6.53 2
6088.098.336.517.04(α) 2
6090.798.037.5 8.0(α)触媒F
iIIO℃で1時間317 psigの合成ガス(HJ
CO−L)で予備処理しtム 表Iの表記実験結果はホスフィン濃度の効果乞示してお
り、P/Rhモル比1が高活性、高選択性触媒を与える
に十分であることが判る。実験治2.4はまた合成ガス
での予備処理がより高活性触媒を与える0とを示してい
る。P/Rhモル比が2/IK増加すると、BlL比が
増加し触媒活性がわずかに減少する。
例 H
・トリシクロへキシルホスフィンからつくったロジウム
錯体触媒を用いるブテン−2のヒドロホルミル化に対す
るホスフィン濃度の効果を示すために別の一連の実験を
行なった。触媒を水素/一酸化炭素モル比1/1の合成
ガス(317psig)で120℃で1時間予備処理し
た。例■の実験はいづれもトルエン溶媒中、120℃の
温度、200 psigの圧力下に、水素/一酸化炭素
モル比3/1の合成ガスを用いて行なった。各実験でロ
ジウムの量は1ミリモルで一定に保った。矢の表■の結
果はP/屓のモル比が高いほど反応速度(半減期で示す
)が遅いことを示している。過剰ホスフィンの添加は2
−メチルブタナール/n−ペンタナールのElL比を比
例的には増加させず過剰ホスフィンが必要ないことを示
している。
錯体触媒を用いるブテン−2のヒドロホルミル化に対す
るホスフィン濃度の効果を示すために別の一連の実験を
行なった。触媒を水素/一酸化炭素モル比1/1の合成
ガス(317psig)で120℃で1時間予備処理し
た。例■の実験はいづれもトルエン溶媒中、120℃の
温度、200 psigの圧力下に、水素/一酸化炭素
モル比3/1の合成ガスを用いて行なった。各実験でロ
ジウムの量は1ミリモルで一定に保った。矢の表■の結
果はP/屓のモル比が高いほど反応速度(半減期で示す
)が遅いことを示している。過剰ホスフィンの添加は2
−メチルブタナール/n−ペンタナールのElL比を比
例的には増加させず過剰ホスフィンが必要ないことを示
している。
衣 ■
1 1 30 99.0 96.1 6.3
2.02 2 30 94.7 98.3
7.1 3.53 4 30 93.7
98.3 6.7 5.04 10 3
0 89.4 98.5 5.9 9.05
15 30 8+、3 98.2 5.9
13.06 30 40 72.3 98.2
5.1 30.0例 ■ 本発明におけるオルガノホスフィノリガンドではないト
リフェニルホスフィンからつくったロジウム錯体触媒を
用いて実験を行なった。これはニッケルトリカルボニ/
L1体のAI カルボニルモードの振動数同様、テーバ
角度が所望範囲外にある。実験はトリフェニルホスフィ
ンが本発明によるブテン−2のヒドロホルミル化による
2−メチルブタナールの製造用触媒として工業的に適さ
ないことを示すために行なった。この例では、実験を、
トリエン溶媒中、110℃の温度、317 psigの
圧力下に、水素/一酸化炭素モル比1/1の合成ガスを
用いて行なった。この例では錯体触媒をつくるのにアセ
チルアセトナートは用いず、触媒は式H(Co)RhL
、−L (ここでLはトリフェニルホスフィン)であ
る。II(Co)RhL、 触媒前駆体の濃度は追加
のトリフェニルホスフィン(表■で遊MPRh、 と
に示す)に対して変った。次の表■の結果はこの触媒力
ζt#に合成ガス処理後に、低活性であることを示して
いる。
2.02 2 30 94.7 98.3
7.1 3.53 4 30 93.7
98.3 6.7 5.04 10 3
0 89.4 98.5 5.9 9.05
15 30 8+、3 98.2 5.9
13.06 30 40 72.3 98.2
5.1 30.0例 ■ 本発明におけるオルガノホスフィノリガンドではないト
リフェニルホスフィンからつくったロジウム錯体触媒を
用いて実験を行なった。これはニッケルトリカルボニ/
L1体のAI カルボニルモードの振動数同様、テーバ
角度が所望範囲外にある。実験はトリフェニルホスフィ
ンが本発明によるブテン−2のヒドロホルミル化による
2−メチルブタナールの製造用触媒として工業的に適さ
ないことを示すために行なった。この例では、実験を、
トリエン溶媒中、110℃の温度、317 psigの
圧力下に、水素/一酸化炭素モル比1/1の合成ガスを
用いて行なった。この例では錯体触媒をつくるのにアセ
チルアセトナートは用いず、触媒は式H(Co)RhL
、−L (ここでLはトリフェニルホスフィン)であ
る。II(Co)RhL、 触媒前駆体の濃度は追加
のトリフェニルホスフィン(表■で遊MPRh、 と
に示す)に対して変った。次の表■の結果はこの触媒力
ζt#に合成ガス処理後に、低活性であることを示して
いる。
例 ■
トリシクロへキシルホスフィンリガンドからつくっり触
媒作用に対する合成ガス予備処理、圧力、温度、合成ガ
ス組成及びロジウム濃度の効果を示すために実験を行な
った。
媒作用に対する合成ガス予備処理、圧力、温度、合成ガ
ス組成及びロジウム濃度の効果を示すために実験を行な
った。
触媒のリン/ロジウムモル比fd2/1で、触媒は、例
外を除き1ミリモルのロジウムを与える量用いた。触媒
は、ある場合には、水素/一酸化炭素モル比1 / 1
の合成ガスで予備処理した。各実験はポリ−α−オレフ
ィン中で、110℃の温度、300 psigの圧力(
実験/164は200psig)下に、水素/一酸化炭
素モル比2/l(実験況6は1/l)を用いて30分間
行なった。
外を除き1ミリモルのロジウムを与える量用いた。触媒
は、ある場合には、水素/一酸化炭素モル比1 / 1
の合成ガスで予備処理した。各実験はポリ−α−オレフ
ィン中で、110℃の温度、300 psigの圧力(
実験/164は200psig)下に、水素/一酸化炭
素モル比2/l(実験況6は1/l)を用いて30分間
行なった。
表 ■
1 1.0 90.9 98,4 25.
3 8.02 1.0(dl 94.4
98.0 26.4 4.53 10(dl
94.8 98.2 21.2 4.54
1.0!61 95.0 98.3 13.5
5.05 1.0tc) 98.2 96
.5 13.5 2.56 1、Obz)tg)
79.Z 98.3 32.4 7.57
0.5(α) 84.8 98.7 23
.5 9.5[cLJ 触媒は300 psigの
合成ガス(H,/Co−1)で110で1時間予備処理
しtら tJ 触媒は2. OOpsigの合成ガス(#、/
C0−1)で110℃で1時間予備処理した。実験慮4
は200 psigの圧力で行なった。
3 8.02 1.0(dl 94.4
98.0 26.4 4.53 10(dl
94.8 98.2 21.2 4.54
1.0!61 95.0 98.3 13.5
5.05 1.0tc) 98.2 96
.5 13.5 2.56 1、Obz)tg)
79.Z 98.3 32.4 7.57
0.5(α) 84.8 98.7 23
.5 9.5[cLJ 触媒は300 psigの
合成ガス(H,/Co−1)で110で1時間予備処理
しtら tJ 触媒は2. OOpsigの合成ガス(#、/
C0−1)で110℃で1時間予備処理した。実験慮4
は200 psigの圧力で行なった。
tc+ 触媒は300 psigの合成ガス(H2/
Co−1)で120°Cで1時間予備処理した。実験/
165は120℃の温度で行なった。
Co−1)で120°Cで1時間予備処理した。実験/
165は120℃の温度で行なった。
(dl 触媒は300 psigの合成ガス(II2
/Co = 1 )で110で16時間予備処理した。
/Co = 1 )で110で16時間予備処理した。
161 H,/C0−1
例 ■
異なる反応条件下にトリ−イソプロピルホスフィンリガ
ンドからつくった触媒の効果を示すために実験を行なっ
た。
ンドからつくった触媒の効果を示すために実験を行なっ
た。
触媒のリン/ロジウムモル比は2/1で、触媒は例外を
除き、1ミリモルのロジウムを与える量で用いた。触媒
は、ある場合には、水素/一酸化炭素モル比1/1の合
成ガスで予備処理した。各実験はポリ−α−オレフィン
溶媒中で、110℃の温度(実験屑5は120℃)、3
00 psigの圧力(実験腐4は200pgig)下
に、水素/一酸化炭素モル比2/1の合成ガス(実験/
ぢ6に1/1)を用いて30分行なった。
除き、1ミリモルのロジウムを与える量で用いた。触媒
は、ある場合には、水素/一酸化炭素モル比1/1の合
成ガスで予備処理した。各実験はポリ−α−オレフィン
溶媒中で、110℃の温度(実験屑5は120℃)、3
00 psigの圧力(実験腐4は200pgig)下
に、水素/一酸化炭素モル比2/1の合成ガス(実験/
ぢ6に1/1)を用いて30分行なった。
表■
1 1.00 97.898.21?、7 3.52
1.00(aJ 98.098.018.4 2.53
1.00<J 97.797.81?、3 2゜54
1.00(bl 98.198.0 8.8 3.0
5 1.0Otcl 98.396.3 8.1 1.
56 1.00(cl(gl 83.398.122.
84.57 0.50tαI 94.398.418.
24.0(α) 触媒は300 psigの合成ガス(
Ht/Co−1)で110で1時間予備処理した。
1.00(aJ 98.098.018.4 2.53
1.00<J 97.797.81?、3 2゜54
1.00(bl 98.198.0 8.8 3.0
5 1.0Otcl 98.396.3 8.1 1.
56 1.00(cl(gl 83.398.122.
84.57 0.50tαI 94.398.418.
24.0(α) 触媒は300 psigの合成ガス(
Ht/Co−1)で110で1時間予備処理した。
(b+ 触媒は200 psigの合成ガス(H,/
Co−1)で110℃で1時間予備処理した。実験/1
64は200 psigの圧力で行なった。
Co−1)で110℃で1時間予備処理した。実験/1
64は200 psigの圧力で行なった。
(c) 触媒は300 psigの合成ガス(Hv/
Co−1)で120℃で1時間予備処理した。実験腐5
は120℃で行なった。
Co−1)で120℃で1時間予備処理した。実験腐5
は120℃で行なった。
(dl 触媒は300 p8iQの合成ガス(H,/
Co−1)で110℃で17時間予備処理した。
Co−1)で110℃で17時間予備処理した。
(II) HJCO−1
例 ■
本発明の範囲の内外にある種々のホスフィンを評価する
ために実験を行なった。用いた錯体触媒はいづれもリン
/ロジウムのモル比が2./1になるようにつくった。
ために実験を行なった。用いた錯体触媒はいづれもリン
/ロジウムのモル比が2./1になるようにつくった。
各実験はトルエン溶媒中で、110℃の温度、317
psigの圧力下に、水素/一酸化炭素のモル比1/1
の合成ガスを用いて行なった。1の実験は触媒が合成ガ
スで予備処理してないものを用い、第2の実験では触媒
が合成ガスで、約110℃、317 psig (HL
/C0−1)で約16〜17.5時間予備処理したもの
を用いた触媒は、1ミリモルのロジウムを与える食用い
た。但し実験7と8でFio、5ミリモル濃度のロジウ
ムを用いてトリフェニルホスフィンを評価した。
psigの圧力下に、水素/一酸化炭素のモル比1/1
の合成ガスを用いて行なった。1の実験は触媒が合成ガ
スで予備処理してないものを用い、第2の実験では触媒
が合成ガスで、約110℃、317 psig (HL
/C0−1)で約16〜17.5時間予備処理したもの
を用いた触媒は、1ミリモルのロジウムを与える食用い
た。但し実験7と8でFio、5ミリモル濃度のロジウ
ムを用いてトリフェニルホスフィンを評価した。
表 ■
トリシクロへキシルホスフィン
1 0 60 88 98 37 1
7.02 1?、5 30 83 99 40
8.5トリーインプロピルホスフイン 3 0 30 86 99 34
8.04 17 30 86 9
9 30 6.0トリ−sec−ブチルホスフ
ィン 5 0 30 88 98 32
7.06 17 30 B6
98 33 6.5トリフエニルホスフイン 7 0 26 64 99 8
11.08 16 59 4
89 99+1445+シーtert−ブチルフェニ
ルホスフィン9 0 30 88 9
9 11 4.510 17 30
88 99 12 6.5トリーn−ブ
チルホスフィン 11 0 22 65 98 55
18.012 16 59 83
98 54 21.0トリーtert−ブチル
ホスフィン 13 0 24 90 98
8 3.51416 30 89
98 9 5.0トリイソブチルホスフ
イン 15 0 17 72 99 26
10.016 17 34 67
98 23 28.0トリメチルホスフイン 17 0 30 13 93 63
176+18 17 30 13 9
2 58 199+トリベンジルホスフイン !9 0 30 89 86 4
6.520 17 30 77 9
9 7 13.0トリフエニルホスフアイト 21 0 20 89 99
3 2.0221650 −不活性触媒:アル
デヒド生成せず表■の結果は本発明の範囲内のオルガノ
ホスフィンリガンド、即ちトリシクロヘキシルホスフィ
ン、トリーインプロピルホスフィン及びトリーs e
c−・ブチルホスフィン、からつくった触媒が著動を示
すことを示している。表■で評価した他のホスフィンリ
ガンドは本発明の範囲外であり、選択率、転換率及び触
媒安定性の点で工業的にみて満足のいく結果は与えなか
った。ジーt eft−ブチルフェールホスフィンは所
望範囲のテーバ角度と振動数を有するがトリアル゛キル
基を持たずかわりに望ましくないアリール基を有するの
で本発明の範囲外である。表■の結果はトリシクロヘキ
シルホスフィン、トリインプロピルホスフィン及びトリ
ー 5ec−”ブチルホスフィンからつくった触媒が、
合成ガスと接触後、より高活性となることを示している
。
7.02 1?、5 30 83 99 40
8.5トリーインプロピルホスフイン 3 0 30 86 99 34
8.04 17 30 86 9
9 30 6.0トリ−sec−ブチルホスフ
ィン 5 0 30 88 98 32
7.06 17 30 B6
98 33 6.5トリフエニルホスフイン 7 0 26 64 99 8
11.08 16 59 4
89 99+1445+シーtert−ブチルフェニ
ルホスフィン9 0 30 88 9
9 11 4.510 17 30
88 99 12 6.5トリーn−ブ
チルホスフィン 11 0 22 65 98 55
18.012 16 59 83
98 54 21.0トリーtert−ブチル
ホスフィン 13 0 24 90 98
8 3.51416 30 89
98 9 5.0トリイソブチルホスフ
イン 15 0 17 72 99 26
10.016 17 34 67
98 23 28.0トリメチルホスフイン 17 0 30 13 93 63
176+18 17 30 13 9
2 58 199+トリベンジルホスフイン !9 0 30 89 86 4
6.520 17 30 77 9
9 7 13.0トリフエニルホスフアイト 21 0 20 89 99
3 2.0221650 −不活性触媒:アル
デヒド生成せず表■の結果は本発明の範囲内のオルガノ
ホスフィンリガンド、即ちトリシクロヘキシルホスフィ
ン、トリーインプロピルホスフィン及びトリーs e
c−・ブチルホスフィン、からつくった触媒が著動を示
すことを示している。表■で評価した他のホスフィンリ
ガンドは本発明の範囲外であり、選択率、転換率及び触
媒安定性の点で工業的にみて満足のいく結果は与えなか
った。ジーt eft−ブチルフェールホスフィンは所
望範囲のテーバ角度と振動数を有するがトリアル゛キル
基を持たずかわりに望ましくないアリール基を有するの
で本発明の範囲外である。表■の結果はトリシクロヘキ
シルホスフィン、トリインプロピルホスフィン及びトリ
ー 5ec−”ブチルホスフィンからつくった触媒が、
合成ガスと接触後、より高活性となることを示している
。
例 VU −X
連続操作条件下で異なる触媒を評価するために実験を行
なった。各実験では、水素、一酸化炭素、窒素及び蒸気
化したブテン−2供給物を混合し次いで反応器に連続的
に導入した。ブテン−2は塩化物、アセチレン、その他
の不純物を除くために反応器に入れる前にガード床を通
し?4一酸化炭素、水素及び窒素の混合物はブテン−2
と混合する前に酸素を除くためにガード床を通した。反
応器はタイプ316ステンレススチール製の垂 、ジャ
ケット付円筒チューブであり、内部部品がなく約369
2mの全容積をもつものである。実験開始前に、反応器
を窒素パージし、次いで触媒と溶媒を人ね、ガス供給物
を触媒溶液中に分散した。反応器の温度を反応器のジャ
ケットを通して加熱したエチレングリコールを循環して
保持した。アルデヒド生成物を未反応ガスと共に上部か
らとり出し約20℃で操作しているコンデンサーに通し
アルデヒド生成物を凝縮し液体生成物として回収した。
なった。各実験では、水素、一酸化炭素、窒素及び蒸気
化したブテン−2供給物を混合し次いで反応器に連続的
に導入した。ブテン−2は塩化物、アセチレン、その他
の不純物を除くために反応器に入れる前にガード床を通
し?4一酸化炭素、水素及び窒素の混合物はブテン−2
と混合する前に酸素を除くためにガード床を通した。反
応器はタイプ316ステンレススチール製の垂 、ジャ
ケット付円筒チューブであり、内部部品がなく約369
2mの全容積をもつものである。実験開始前に、反応器
を窒素パージし、次いで触媒と溶媒を人ね、ガス供給物
を触媒溶液中に分散した。反応器の温度を反応器のジャ
ケットを通して加熱したエチレングリコールを循環して
保持した。アルデヒド生成物を未反応ガスと共に上部か
らとり出し約20℃で操作しているコンデンサーに通し
アルデヒド生成物を凝縮し液体生成物として回収した。
コンデンサーからのガス状物は反応器に循環しなかった
。オンラインの連続分析計て供給ガスと反応器から除い
たオーバーヘッド流の組成を定常的に測定した。液体ア
ルデヒド生成物のサンプルを周期的にとリ、ガスクロマ
トグラフィーでアルデヒドを分析しロジウム含量を原子
吸収分光法で分析した。
。オンラインの連続分析計て供給ガスと反応器から除い
たオーバーヘッド流の組成を定常的に測定した。液体ア
ルデヒド生成物のサンプルを周期的にとリ、ガスクロマ
トグラフィーでアルデヒドを分析しロジウム含量を原子
吸収分光法で分析した。
谷実験では、触媒を反応器に導入後、合成ガスを(反応
温度と圧力にて)反応器と触媒−溶媒混合物に、ブテン
−2の供給開始前に約4〜8時間通した。
温度と圧力にて)反応器と触媒−溶媒混合物に、ブテン
−2の供給開始前に約4〜8時間通した。
次の例■−Xの各々では、データは系が安定状態に達し
た後にとったものであり、各側に示す時間は、ブテン−
2を最初に反応器に供給しはじめた時(時間ゼロ)から
の経過時間である。各サンプル取得は3〜6時間間隔(
より短いもの又は長いものあり、表示のとおりで行なっ
た。次の例及び表では「溶液容積」は反応中の溶液の容
積であり、「B/LJは生成物中の2−メチルブタナー
ル/ 3− ”eブタナールのモル比であり、「アルデ
ヒド/Eh、時」は生成アルデヒド1!/ロジウムy/
時間を示し、「Rhfl!に度」はロジウム濃度を示し
、[5crxJH32?、大気圧で測定した標準置方フ
ィート/時であり、f”BU−2Juブテン−2であり
、「2MBA」は2−メチルブタナールであり、「ルー
FAJはルーインタナールである。次の例の各々では、
触媒はアセチルアセトナートリガンドでつくったロジウ
ムジカルボニル錯体を用いてつくった。用いたホスフィ
ンリガンドは各側に示しである。
た後にとったものであり、各側に示す時間は、ブテン−
2を最初に反応器に供給しはじめた時(時間ゼロ)から
の経過時間である。各サンプル取得は3〜6時間間隔(
より短いもの又は長いものあり、表示のとおりで行なっ
た。次の例及び表では「溶液容積」は反応中の溶液の容
積であり、「B/LJは生成物中の2−メチルブタナー
ル/ 3− ”eブタナールのモル比であり、「アルデ
ヒド/Eh、時」は生成アルデヒド1!/ロジウムy/
時間を示し、「Rhfl!に度」はロジウム濃度を示し
、[5crxJH32?、大気圧で測定した標準置方フ
ィート/時であり、f”BU−2Juブテン−2であり
、「2MBA」は2−メチルブタナールであり、「ルー
FAJはルーインタナールである。次の例の各々では、
触媒はアセチルアセトナートリガンドでつくったロジウ
ムジカルボニル錯体を用いてつくった。用いたホスフィ
ンリガンドは各側に示しである。
例 ■
次表■はトリシクロへキシルホスフィンを用いてつくっ
た触媒を利用した連続実験の結果を示しており、触媒は
リン/ロジウムモル比2/1を有する。供給ガス温度は
約260″Fに維持した。表■からOの触媒がすぐれた
結果と安定性を示すことがわかる。表題に示すように、
約88時間後に原料変更が起こった。新しい原料中のよ
り高いブテン−1濃度が反応に悪影響を与え低いBlL
比をもたらした。
た触媒を利用した連続実験の結果を示しており、触媒は
リン/ロジウムモル比2/1を有する。供給ガス温度は
約260″Fに維持した。表■からOの触媒がすぐれた
結果と安定性を示すことがわかる。表題に示すように、
約88時間後に原料変更が起こった。新しい原料中のよ
り高いブテン−1濃度が反応に悪影響を与え低いBlL
比をもたらした。
例 〜1
次fillはF”J−set;−ブチルホスフィンを用
いてつくった触媒を利用した連続実験の結果を示してい
る。触媒はリン/ロジウムモル比2/1を持つ。供給ガ
ス温度は約260下に維持した。表警1は顕著な結果と
すぐれた触媒安定性を示している。
いてつくった触媒を利用した連続実験の結果を示してい
る。触媒はリン/ロジウムモル比2/1を持つ。供給ガ
ス温度は約260下に維持した。表警1は顕著な結果と
すぐれた触媒安定性を示している。
例 仄
次表■はトリインプロピルホスフィンを用いてつくった
触媒を利用した連続実験の結果を示している。触媒はリ
ン/ロジウムモル比2/1を持つ。供給ガス温度は約2
61下に維持した。表■は顕著な結果とすぐれた触媒安
定性を示している。
触媒を利用した連続実験の結果を示している。触媒はリ
ン/ロジウムモル比2/1を持つ。供給ガス温度は約2
61下に維持した。表■は顕著な結果とすぐれた触媒安
定性を示している。
例 X
次表Xはトリーループチルホスフィン(これは本発明の
範曲外のホスフィンリガンドの1つである)を用いてつ
くつた触媒を利用した連続実験の結果を示している。触
媒はリン/ロジウムモル比2/1を待つ。供給ガス温度
は約260下に維持した。
範曲外のホスフィンリガンドの1つである)を用いてつ
くつた触媒を利用した連続実験の結果を示している。触
媒はリン/ロジウムモル比2/1を待つ。供給ガス温度
は約260下に維持した。
表Xから明らかなように、トリーn−ブチルホスフィン
リガンドを用いてつくった触媒を利用した場合は触媒活
性もBlL比も不十分だった。
リガンドを用いてつくった触媒を利用した場合は触媒活
性もBlL比も不十分だった。
手続補正書
昭和61年10月8日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿
1事件の表示
昭和61年特許願第206075号
2発明の名称
2−メチルブクナールの製造法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
名称 セラニーズ コーポレーション4代理人
氏名 弁理士 (7175) 斎 藤 武 彦2t/
4・J・・・ ′・ S゛ ’−、+−1’iう
4・J・・・ ′・ S゛ ’−、+−1’iう
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)ブテン−2を、 (b)一酸化炭素及び水素と、水素/一酸化炭素のモル
比1/5〜10/1の範囲にて、 (c)式 RhH_m(CO)_nL_p I ここでRhはロジウム、Hは水素、COは一酸化炭素、
Lはトリオルガノホスフィンリガンドであり、mは1又
は3、nは1〜3、pは1又は2で、m、n及びpの合
計は4〜6であり、該トリオルガノホスフィンリガンド
はトリシクロアルキルホスフィンをも包含するトリアル
キルホスフィンであつて、シクロアルキル基も含め3つ
のアルキル基の各々は同一でも異なつていてもよく、そ
れぞれ3〜10の炭素原子を有するものから選ばれ且つ
該トリオルガノホスフィンリガンドは159〜170°
のテーパ角度を持ち、このリガンドのニッケルトリカル
ボニル、Ni(CO)_3L、のジクロロメタン中での
A_1カルボニルモードの振動数が2056.1〜20
61.1の範囲にある、で示されるハロゲンを持たない
ロジウム錯体存在の存在下に、(d)該トリオルガノホ
スフィンリガンドを実質量の遊離のトリオルガノホスフ
ィンリガンドが存在しないよう実質上非過剰で用いると
共に、 (e)約6〜30絶対圧の範囲の圧力で、 (f)約80℃〜150℃の範囲の温度で、連続プロセ
スにより、ヒドロホルミル化領域で、接触させ、(g)
2−メチルブタノール/他の酸素化生成物のモル比が少
なくとも4/1である該ブテン−2のヒドロホルミル化
物を生成し、そして該ヒドロホルミル化領域から該2−
メチルブタナール/他の酸素化生成物のモル比が少なく
とも4/1である該ヒドロホルミル化物を回収すること
を特徴とする2−ブテンの選択的ヒドロホルミル化によ
り2−メチルブタナールを選択的に製造する連続法。 2、トリオルガノホスフィンリガンドのシクロアルキル
基も含めたアルキル基の各々が同じである特許請求の範
囲第1項記載の方法。 3、温度が約105℃〜130℃の範囲にあり、水素/
一酸化炭素のモル比が約1.5/1〜3/1の範囲にあ
り、圧力が約15〜20絶対圧の範囲にある特許請求の
範囲第1項記載の方法。 4、温度が約105℃〜130℃の範囲にあり、水素/
一酸化炭素のモル比が約1.5/1〜3/1の範囲にあ
り、圧力が約15〜25絶対圧の範囲にある特許請求の
範囲第2項記載の方法。 5、トリオルガノホスフィンリガンドがトリシクロヘキ
シルホスフィンである特許請求の範囲第4項記載の方法
。 6、トリオルガノホスフィンリガンドがトリ−sec−
ブチルホスフィンである特許請求の範囲第4項記載の方
法。 7、トリオルガノホスフィンリガンドがトリ−イソプロ
ピルホスフィンである特許請求の範囲第4項記載の方法
。 8、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウム
錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請求
の範囲第1項記載の方法。 9、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウム
錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請求
の範囲第3項記載の方法。 10、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウ
ム錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請
求の範囲第4項記載の方法。 11、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウ
ム錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請
求の範囲第5項記載の方法。 12、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウ
ム錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請
求の範囲第6項記載の方法。 13、触媒がアセチルアセトナートリガンドとのロジウ
ム錯体からなる前駆体からつくられたものである特許請
求の範囲第7項記載の方法。 14、ヒドロホルミル化領域に通したブテン−2供給物
が実質上ブタジエンを含有しない特許請求の範囲第4項
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US772219 | 1985-09-03 | ||
US06/772,219 US4605781A (en) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | Production of 2-methylbutanal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6277343A true JPS6277343A (ja) | 1987-04-09 |
JPH08792B2 JPH08792B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=25094335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61206075A Expired - Fee Related JPH08792B2 (ja) | 1985-09-03 | 1986-09-03 | 2−メチルブタナ−ルの製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4605781A (ja) |
EP (1) | EP0215611A1 (ja) |
JP (1) | JPH08792B2 (ja) |
CA (1) | CA1259332A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US4847423A (en) * | 1988-03-03 | 1989-07-11 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroformylation of aqueous formaldehyde using a rhodium-tricyclohexylphosphine catalyst system |
US4960949A (en) * | 1988-12-22 | 1990-10-02 | Eastman Kodak Company | Low pressure rhodium catalyzed hydroformylation of olefins |
US5840647A (en) * | 1997-09-15 | 1998-11-24 | Eastman Chemical Company | Hydroformylation process using novel phosphite-metal catalyst system |
US6130358A (en) * | 1998-10-16 | 2000-10-10 | Eastman Chemical Company | Hydroformylation process using novel phosphite-metal catalyst system |
US6878830B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-04-12 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Catalytic boronate ester synthesis from boron reagents and hydrocarbons |
US8492593B2 (en) | 2011-08-16 | 2013-07-23 | Eastman Chemical Company | Amido-fluorophosphite compounds and catalysts |
EP4180411A1 (de) * | 2021-11-15 | 2023-05-17 | Evonik Operations GmbH | Verfahren zur herstellung von iso-aldehyden aus n-olefinen unter einsatz von tricyclohexylphosphin |
EP4180412A1 (de) * | 2021-11-15 | 2023-05-17 | Evonik Operations GmbH | Verfahren zur herstellung von iso-aldehyden aus n-olefinen |
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US3527809A (en) * | 1967-08-03 | 1970-09-08 | Union Carbide Corp | Hydroformylation process |
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GB1243189A (en) * | 1967-12-05 | 1971-08-18 | British Petroleum Co | Oxo process |
GB1254222A (en) * | 1969-06-24 | 1971-11-17 | Bp Chem Int Ltd | Oxo process |
GB1284615A (en) * | 1970-01-02 | 1972-08-09 | Bp Chem Int Ltd | Hydroformylation process |
BE762469A (fr) * | 1970-02-07 | 1971-08-03 | Basf Ag | Procede de preparation d'aldehydes et/ou alcools par une synthese oxo |
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