JPS6276807A - 過電圧パルス抑制装置 - Google Patents
過電圧パルス抑制装置Info
- Publication number
- JPS6276807A JPS6276807A JP61225071A JP22507186A JPS6276807A JP S6276807 A JPS6276807 A JP S6276807A JP 61225071 A JP61225071 A JP 61225071A JP 22507186 A JP22507186 A JP 22507186A JP S6276807 A JPS6276807 A JP S6276807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- capacitor
- conductor
- suppression device
- overvoltage pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/36—Overload-protection arrangements or circuits for electric measuring instruments
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は過電圧パルス抑制用装置に関するものである。
この装置において、本発明は論文ゝ’ Ｅ］ｅｋｔｒｏ
ｍａｇｎｅｔｉｓｃｈｅ Ｖｅｒｔｒｔｉｇｌｉｃｈｋ
ｅｉｔ ｅ］ｅｋｔｒｉｓｃｈｅｒＥｉｎｒｊｃｈｔｕ
ｒｇｅｎ“ｂｙ Ｊ、 Ｍｅｐｐｅｌｉｎｋ、 Ｅｌｅ
ｋｔｒｏｎｉｋ、 １９８８゜Ｖｏｌ、 １０． ｐ
、 ７８−８Ｌノ特に第９図に記述されているよう々技
術分野に関連がある。公知の装置では、望ましく々い過
電圧パルスは、信号を電気制御装置に導入する同軸導体
中に現れるが、保護回路によって抑制される。この保護
回路は同軸導体の内部導体と被覆導体間に逆並列で対に
して結線されている４個のスイッチングダイ尤 オードを保有している。この装置では早い返答時間と同
時に大きなエネルギー収容能を得るため、ダイオードで
バイアスする必要がある。
ｍａｇｎｅｔｉｓｃｈｅ Ｖｅｒｔｒｔｉｇｌｉｃｈｋ
ｅｉｔ ｅ］ｅｋｔｒｉｓｃｈｅｒＥｉｎｒｊｃｈｔｕ
ｒｇｅｎ“ｂｙ Ｊ、 Ｍｅｐｐｅｌｉｎｋ、 Ｅｌｅ
ｋｔｒｏｎｉｋ、 １９８８゜Ｖｏｌ、 １０． ｐ
、 ７８−８Ｌノ特に第９図に記述されているよう々技
術分野に関連がある。公知の装置では、望ましく々い過
電圧パルスは、信号を電気制御装置に導入する同軸導体
中に現れるが、保護回路によって抑制される。この保護
回路は同軸導体の内部導体と被覆導体間に逆並列で対に
して結線されている４個のスイッチングダイ尤 オードを保有している。この装置では早い返答時間と同
時に大きなエネルギー収容能を得るため、ダイオードで
バイアスする必要がある。
、極ｈ−ｗ−ｈ抑制することを保証する装置を作製し本
発明の課題を解決している。
発明の課題を解決している。
効果で抑制することだけでも秀れていて、同時に同軸導
体中で問題に１〜でいる信号が被る被害を使用限界以下
に阻止する。
体中で問題に１〜でいる信号が被る被害を使用限界以下
に阻止する。
以下に本発明の実施例を図面にもとづき詳しく説明する
。第１図に示す同軸導体は電圧信号を電気記録装置に導
く内部導体１とその内部導体１に同芯状に巻きつけてあ
る金属製被覆導体２から作製されている。金属製被覆導
体２の白側にダイオード３．４．５．６が配置されてい
る。この内ダイオード３と６はアノード側で被覆導体２
に、カソード側で内部導体１に、又ダイオード４と５は
カソード側で被覆導体２に、アノード側で内部導体１に
接続されている。ダイオード８、４．５．６は内部導体
１のまわりをはＶ星形状に゛ 同軸導体の軸に対して
垂直な平面上に分割して配置されている。この場合、直
線状に飛び出し、そのため誘導を発生しにくい電流通路
、即ち内部導体１からダイオード５を介して被覆導体２
に径る通路と、被覆導体２からダイオード３，６を介し
て内部導体１に径る通路とができる。二つのダイオード
、即ちダイオード３，５又はダイオード４，６ごとに逆
並列接続されている。この逆並列接続ダイオードは同じ
タイプのものである。ダイオード３と５は例えばシリコ
ンを母体とする半導体ダイオードで急峻な電流電圧特性
曲線を示し、インターメタル社製ｌＮ４４４８型のドが
早く電圧によって変わる応答性のある金属半導体ダイオ
ードで、ショットキーダイオードのようなもので、平担
な電流電圧特性曲線を示し、モトローラ社製ＭＢＥ ５
０２型のダイオードのようなものである。
。第１図に示す同軸導体は電圧信号を電気記録装置に導
く内部導体１とその内部導体１に同芯状に巻きつけてあ
る金属製被覆導体２から作製されている。金属製被覆導
体２の白側にダイオード３．４．５．６が配置されてい
る。この内ダイオード３と６はアノード側で被覆導体２
に、カソード側で内部導体１に、又ダイオード４と５は
カソード側で被覆導体２に、アノード側で内部導体１に
接続されている。ダイオード８、４．５．６は内部導体
１のまわりをはＶ星形状に゛ 同軸導体の軸に対して
垂直な平面上に分割して配置されている。この場合、直
線状に飛び出し、そのため誘導を発生しにくい電流通路
、即ち内部導体１からダイオード５を介して被覆導体２
に径る通路と、被覆導体２からダイオード３，６を介し
て内部導体１に径る通路とができる。二つのダイオード
、即ちダイオード３，５又はダイオード４，６ごとに逆
並列接続されている。この逆並列接続ダイオードは同じ
タイプのものである。ダイオード３と５は例えばシリコ
ンを母体とする半導体ダイオードで急峻な電流電圧特性
曲線を示し、インターメタル社製ｌＮ４４４８型のドが
早く電圧によって変わる応答性のある金属半導体ダイオ
ードで、ショットキーダイオードのようなもので、平担
な電流電圧特性曲線を示し、モトローラ社製ＭＢＥ ５
０２型のダイオードのようなものである。
電力伝送網の開閉操作によって誘起されるような望捷し
くない過電圧パルス、例えば５０Ｖのパルス、の出現に
対してこのパルスを初期段階で抑制し、電圧スパイクを
なくするため、このパルスの極性に対応して、高速ダイ
オード４又ｄ、６が配置しである。次いで塔載している
二個のダイオ−”ド３と５の内の１個はその急峻な電た
め、信号への影響が使用限界以下に保たれてに対して約
３０％はど早める試みがなされてい体用コネクタ中に入
れられている。第２図から第４図寸でには、そのような
同軸導体を軸方向オード３，６又は４，５のアノード端
又はカソード端にそれぞれ接続されている。ダイオード
３，４゜？−２だ貫通孔３、９を径由する誘導を低減す
る′； ように形成すべきである。
くない過電圧パルス、例えば５０Ｖのパルス、の出現に
対してこのパルスを初期段階で抑制し、電圧スパイクを
なくするため、このパルスの極性に対応して、高速ダイ
オード４又ｄ、６が配置しである。次いで塔載している
二個のダイオ−”ド３と５の内の１個はその急峻な電た
め、信号への影響が使用限界以下に保たれてに対して約
３０％はど早める試みがなされてい体用コネクタ中に入
れられている。第２図から第４図寸でには、そのような
同軸導体を軸方向オード３，６又は４，５のアノード端
又はカソード端にそれぞれ接続されている。ダイオード
３，４゜？−２だ貫通孔３、９を径由する誘導を低減す
る′； ように形成すべきである。
第２図に従う本発明の実例形では、ダイオード３，６の
アノード端子はコンデンサー０及び抵抗１１の端末に接
続されている。抵抗１１の他端は基準電圧源１２、例え
ば電圧５ｖの直流電池のマイナス端に接続されている。
アノード端子はコンデンサー０及び抵抗１１の端末に接
続されている。抵抗１１の他端は基準電圧源１２、例え
ば電圧５ｖの直流電池のマイナス端に接続されている。
基準電圧源１２のプラス端とコンデンサ１０の他端は外
被７のところで被覆導体２に接続されている。これに対
応しダイオード４，５０カンード端はコンデンサ１８の
一方の端末と抵抗１４の一方の端末に接続され、これに
反して抵抗１４の他端は基準電圧源１２に対応する基準
電圧源１５のプラス端に接続されている。基準電圧源１
５のマイナス端とコンデンサ１３の他端は外被７に接続
されている。コンデンサ１０．１３はそれぞれできる限
り太きい、μＦ領域の容量を有し、抵抗ＩＩ、１４は１
（Ω領域の値を有する。
被７のところで被覆導体２に接続されている。これに対
応しダイオード４，５０カンード端はコンデンサ１８の
一方の端末と抵抗１４の一方の端末に接続され、これに
反して抵抗１４の他端は基準電圧源１２に対応する基準
電圧源１５のプラス端に接続されている。基準電圧源１
５のマイナス端とコンデンサ１３の他端は外被７に接続
されている。コンデンサ１０．１３はそれぞれできる限
り太きい、μＦ領域の容量を有し、抵抗ＩＩ、１４は１
（Ω領域の値を有する。
この配置ではパルスの抑制を例えば５．２Ｖ ｔでに定
めである。低減したい電圧パルスの極性に応じてコンデ
ンサ１０（及びコンデンサとｊ〜で働く貫通孔８）又は
コンデンサ１３（及びコンデンサとして働く貫通孔９）
のいずれかマ過電圧パルスによって漸次充電される。幅
の狭い過電圧パルス、例えばｎＳ領域にあるパルスの場
合、コンデンサ１０．１８の容量が数千μＦの領域にあ
ると、この充電によって抑圧される電圧の立上りは小さ
い。こ＼に述る配置の長所は基準電圧源１２．１５の電
圧値を変えることにより抑制電圧を簡単に変更ヤきるこ
とである。従って例えば入力分割器の各場所に安全にオ
シログラフを差し＝ ９− 込む場合、配置に４変更を行う必要なしに保護基準を設
けることができる。
めである。低減したい電圧パルスの極性に応じてコンデ
ンサ１０（及びコンデンサとｊ〜で働く貫通孔８）又は
コンデンサ１３（及びコンデンサとして働く貫通孔９）
のいずれかマ過電圧パルスによって漸次充電される。幅
の狭い過電圧パルス、例えばｎＳ領域にあるパルスの場
合、コンデンサ１０．１８の容量が数千μＦの領域にあ
ると、この充電によって抑圧される電圧の立上りは小さ
い。こ＼に述る配置の長所は基準電圧源１２．１５の電
圧値を変えることにより抑制電圧を簡単に変更ヤきるこ
とである。従って例えば入力分割器の各場所に安全にオ
シログラフを差し＝ ９− 込む場合、配置に４変更を行う必要なしに保護基準を設
けることができる。
第３図の配置では、ダイオてド３，６のカソード端は、
コンデンサ１７の電極１６を径由しコンデンサ１０ない
し抵抗１１に導入され、これに対応してダイオード４．
５のカソード端はコンデンサ１９の電極１８を径由しコ
ンデンサＩ７又は抵抗１４に導入される。コンデンサ１
７ないし１９はこ＼ではコネクターの外被７に巻きつけ
た絶縁ヒ裾のようなコネクターの外被７として形成され
ている被覆導体２の一部からできている。この絶縁材の
箔は金属コーティングの形にし電極１６々いし１８を保
有している。第２図の配置に対してダイオード３，６な
いしは４゜５が過電圧パルスに対して戻り導線として作
用する被覆導体２のところで容量結合し、応答特性を改
善している。
コンデンサ１７の電極１６を径由しコンデンサ１０ない
し抵抗１１に導入され、これに対応してダイオード４．
５のカソード端はコンデンサ１９の電極１８を径由しコ
ンデンサＩ７又は抵抗１４に導入される。コンデンサ１
７ないし１９はこ＼ではコネクターの外被７に巻きつけ
た絶縁ヒ裾のようなコネクターの外被７として形成され
ている被覆導体２の一部からできている。この絶縁材の
箔は金属コーティングの形にし電極１６々いし１８を保
有している。第２図の配置に対してダイオード３，６な
いしは４゜５が過電圧パルスに対して戻り導線として作
用する被覆導体２のところで容量結合し、応答特性を改
善している。
第４図の配置では、ダイオード３，６のアノード端はＮ
ＰＮ トランジスタ２０のエミソタノトコろに導かれる
。このトランジスタのベースハ抵抗２１を介して基準電
圧源１２の負極に、そしてコレクタは被覆導体２の外被
７に接続されている。ダイオード４，５０カソード端は
ＰＮＰ トランジスタ２２のエミッタに、ベースは抵抗
２３を径由し基準電圧源１５の負極に、そしてコレクタ
被覆導体２の外被７に接続されている。本発明のこの実
施例ではトランジスタ２０．２２はダイオード８．４．
５．６の応答によって過電圧パルスを更に抑制している
。この場合、コンデンサ１０．１３の望ましくない電圧
の立上りが、よりよい、例えば３０μｓにもなる過電圧
パルス幅でも、これ等のコンデンサの各々に並列接続さ
れている非線形抵抗として働くトランジスタ２０．２２
のエミッタ・コレクタ間を介して抑制される。とそプ１
電力の大きいトランジスタ、例えばテキザスインスツル
メント社製２Ｎ２９０５Ａないし２Ｎ２２１９Ａのよう
々トランジスタを使用できる。
ＰＮ トランジスタ２０のエミソタノトコろに導かれる
。このトランジスタのベースハ抵抗２１を介して基準電
圧源１２の負極に、そしてコレクタは被覆導体２の外被
７に接続されている。ダイオード４，５０カソード端は
ＰＮＰ トランジスタ２２のエミッタに、ベースは抵抗
２３を径由し基準電圧源１５の負極に、そしてコレクタ
被覆導体２の外被７に接続されている。本発明のこの実
施例ではトランジスタ２０．２２はダイオード８．４．
５．６の応答によって過電圧パルスを更に抑制している
。この場合、コンデンサ１０．１３の望ましくない電圧
の立上りが、よりよい、例えば３０μｓにもなる過電圧
パルス幅でも、これ等のコンデンサの各々に並列接続さ
れている非線形抵抗として働くトランジスタ２０．２２
のエミッタ・コレクタ間を介して抑制される。とそプ１
電力の大きいトランジスタ、例えばテキザスインスツル
メント社製２Ｎ２９０５Ａないし２Ｎ２２１９Ａのよう
々トランジスタを使用できる。
第１図は本発明による高電圧パルスを抑制用配置の第１
実施例である同軸導体を軸垂直に切り出した断面図、第
２図は本発明による過電圧パルス抑制用配置の第２実施
例である同軸導体を軸方向に切り出した断面図、第３図
は本発明による過電圧パルス抑制用配置の第３実施例で
ある同軸導体を軸方向に切り出した断面図、第４図は本
発明による過電圧パルスを抑制用配置の第４実施例であ
る同軸導体を軸方向に切り出した断面図である。図中符
号、 １：内部導体、２．７＋被被覆体、８．４．５，６ ：
ダイオード、３、９：貫通孔、１０．１３：コンデンサ
、１１，１４：抵抗、１２．１５ ：基準電圧源、１６
、１７．１８．１９ ：コンデンサ電極、２０ ： Ｎ
ＰＮ トランジスタ、２２：ＰＮＰトランジスタ。
実施例である同軸導体を軸垂直に切り出した断面図、第
２図は本発明による過電圧パルス抑制用配置の第２実施
例である同軸導体を軸方向に切り出した断面図、第３図
は本発明による過電圧パルス抑制用配置の第３実施例で
ある同軸導体を軸方向に切り出した断面図、第４図は本
発明による過電圧パルスを抑制用配置の第４実施例であ
る同軸導体を軸方向に切り出した断面図である。図中符
号、 １：内部導体、２．７＋被被覆体、８．４．５，６ ：
ダイオード、３、９：貫通孔、１０．１３：コンデンサ
、１１，１４：抵抗、１２．１５ ：基準電圧源、１６
、１７．１８．１９ ：コンデンサ電極、２０ ： Ｎ
ＰＮ トランジスタ、２２：ＰＮＰトランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）同軸導体の内部導体（１）と被覆導体（２）の間に
逆並列接続されている少なくとも２個の第１ダイオード
（３、５）があり、信号を電気記録装置に導入している
同軸導体の過電圧パルス抑制装置において、被覆導体（
２）と内部導体（１）の間に逆並列接続されて、第１ダ
イオード（３、５）よりも電圧変動に早く応答する少な
くとも２個の第２ダイオード（４、６）が接続され、第
１と第２ダイオード（８、４、５、６）は被覆導体（２
）の内側に分割され、内部導体（１）の周囲に星形状に
隣接配置されていることを特徴とする過電圧パルス抑制
装置。 ２）第２ダイオード（４、６）がショットキーダイオー
ドであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の過電圧パルス抑制装置。 ３）第１と第２ダイオード（３、４、５、６）は同軸導
体端末としている同軸導体用コネクタ中に配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に
記載の過電圧パルス抑制装置。 ４）第１ダイオード（８、５）の中の少なくとも１個（
８）と第２ダイオード（４、６）の中の少なくとも１個
（６）のアノード端子が被覆導体（２）中の第１貫通孔
（８）に導かれ、第１コンデンサ（１０）の少なくとも
１個又は第１コンデンサ（１０）に並列接続されている
第１基準電圧源（１２）を介して被覆導体（２）に接続
されていて、第１ダイオード（３、５）の中の少なくと
も他の１個（５）と第２ダイオード（４、６）の中の少
なくとも他の１個（４）が被覆導体（２）中の第２貫通
孔（９）へ導かれ、第２コンデンサ（１３）の少なくと
も１個又は第２コンデンサ（１３）に並列接続され、第
１コンデンサ （１２）に対して逆極の第２基準電圧源（１５）を介し
て被覆導線（２）に接続していることを特徴とする特許
請求の範囲第１から８項の内のいずれか１項に記載の過
電圧パルス抑制装置。 ５）貫通孔（８、９）の電気容量が第１コンデンサ（１
０）と第２コンデンサ（１３）の電気容量よりも実質上
小さいことを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の
過電圧パルス抑制装置。 ６）第１コンデンサ（１０）及び第２コンデンサ（１３
）に対しそれぞれ平行に他のコンデンサ（１７、１９）
が配置され、後者のコンデンサ（１７、１９）は被覆導
体（２）とこの被覆導体（２）に巻きつけてある金属コ
ーテングした絶縁材箔から形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第５項に記載の過電圧パルス抑制装
置。 ７）第１コンデンサ（１０）と第２コンデンサ（１３）
に対してそれぞれ平行に第１及び第２非線形抵抗が接続
されていることを特徴とする特許請求の範囲第４から６
項までのいずれか１項に記載の過電圧パルス抑制装置。 ８）第１非線形抵抗がＮＰＮトランジスタ（２０）のエ
ミッタ・コレクタ間であり、第２非線形抵抗がＰＮＰト
ランジスタ（２２）のエミッタ。 コレクタ間であることを特徴とする特許請求の範囲第７
項に記載の過電圧パルス抑制装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH414185 | 1985-09-25 | ||
| CH4141/85-1 | 1985-09-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276807A true JPS6276807A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=4270584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61225071A Pending JPS6276807A (ja) | 1985-09-25 | 1986-09-25 | 過電圧パルス抑制装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0220445A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6276807A (ja) |
| DE (1) | DE3537150A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3704861A1 (de) * | 1987-02-16 | 1988-08-25 | Siemens Ag | Messanordnung mit geerdetem messgeraet und messobjekt |
| US9041497B2 (en) * | 2012-04-27 | 2015-05-26 | Tektronix, Inc. | Minimal intrusion very low insertion loss technique to insert a device to a semi-rigid coaxial transmission line |
| US9099791B2 (en) * | 2013-06-21 | 2015-08-04 | Tektronix, Inc. | Cable assembly having a coaxial cable with outer conductor not protruding a housing surrounding the cable |
| US9601444B2 (en) * | 2014-02-27 | 2017-03-21 | Tektronix, Inc. | Cable mounted modularized signal conditioning apparatus system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1488913A1 (de) * | 1965-09-27 | 1969-10-02 | Fujitsu Ltd | Schutzstromkreis |
| DD113421A1 (ja) * | 1974-09-12 | 1975-06-05 |
-
1985
- 1985-10-18 DE DE19853537150 patent/DE3537150A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-09-09 EP EP86112455A patent/EP0220445A1/de not_active Withdrawn
- 1986-09-25 JP JP61225071A patent/JPS6276807A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3537150A1 (de) | 1987-04-02 |
| EP0220445A1 (de) | 1987-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5274524A (en) | Programmable protection circuit and its monolithic manufacturing | |
| JPS61258625A (ja) | 過電圧保護装置 | |
| US4420786A (en) | Polarity guard circuit | |
| JPS6276807A (ja) | 過電圧パルス抑制装置 | |
| EP0009409B2 (en) | Cathode ray tube arc-over protection | |
| US4048584A (en) | Input protection circuit for cmos oscillator | |
| GB871787A (en) | Transistor monostable two-state apparatus | |
| KR850004344A (ko) | 음극선관의 내장저항기 | |
| US4678929A (en) | Radio frequency switch | |
| JPH02130951A (ja) | 半導体素子の短絡保護回路 | |
| JPS6229158A (ja) | 電圧クランプ回路を含む集積回路装置 | |
| US3071698A (en) | Rapid discharging of charged capactior through triggered hyperconductive (four-layer) diode in computer circuit | |
| US4461960A (en) | High speed switching circuit | |
| US3430075A (en) | Highly stable pulse generator | |
| US2870347A (en) | Bistable transistor circuit | |
| KR850007537A (ko) | 음극선관의 내장 저항기 | |
| US3418561A (en) | Solid-state filter circuit | |
| US4286316A (en) | High voltage sine wave power supply | |
| JPS6151431B2 (ja) | ||
| EP0467244A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| CN210225246U (zh) | 智能电源电路防雷浪涌保护电路 | |
| EP0109705B1 (en) | Subscriber circuit for a telephone network | |
| US2968008A (en) | Self-starting multivibrator | |
| KR880702003A (ko) | 전기적 매개변수 변화 장치 | |
| JPS59161075U (ja) | 検電装置 |