JPS6276657A - 高周波トランジスタ装置用パツケ−ジ - Google Patents

高周波トランジスタ装置用パツケ−ジ

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JPS6276657A
JPS6276657A JP61157763A JP15776386A JPS6276657A JP S6276657 A JPS6276657 A JP S6276657A JP 61157763 A JP61157763 A JP 61157763A JP 15776386 A JP15776386 A JP 15776386A JP S6276657 A JPS6276657 A JP S6276657A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波トランジスタに関し、特にモジュール使
用される高周波トランジスタをマウントするパッケージ
に関する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
極短波周波数、例えばマイクロ波周波数の分野に従事す
る技術者を確保することが年々難しくなってきている。
従って、より高度のブロックレベルあるいは機能レベル
で設計を行うことができるモジュール型の装置が提供さ
れることが強く望まれる。高周波（ｒ、ｆ、）回路設計
者が遭遇する最も厄介な問題の一つは、極めて低い非線
型インピーダンスレベルの高出力トランジスタを用いる
ことにより発生する。ｒ、ｆ、システムハードウェアの
伝送媒体は通常５０オームのレベルであり、従って、１
オームのオーダであるトランジスタのインピーダンスは
５０オームのレベルまで変換される必要がある。
従って、本発明の目的は、高周波高出力トランジスタの
１オーム入力を５０オームレベルまで変換できるモジュ
ール化された高周波装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、直接５０オームのシステムで使用
可能なモジュール化された高周波高出力トランジスタパ
ッケージを提供することにある。
高周波高出力トランジスタを用いる際に設計者が遭遇す
る別の難点は、作動によって本質的に生じる熱を放散す
ることにある。
従って、本発明の目的は、パッケージ内に組み込まれた
高効率なヒートシンク上にトランジスタが設置されるモ
ジュール型の高周波トランジスタパッケージを提供する
ことにある。
本発明の別の目的はバイポーラまたはＦＥＴ型のトラン
ジスタを取り付けることが゛できるモジュール化された
高周波トランジスタパッケージを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のこれらおよび他の目的は、側部および基底が主
にステンレススチールであるマイクロ波トランジスタハ
ウジングによって達成される。このハウジングは、中央
に、ハウジングの内側底面からハウジングの外側へ伸び
る高熱伝導性挿入子を有している。
好ましい実施例において、挿入子は基本的にＴ型であり
、このＴ型の挿入子の頭部はハウジングの外部と同一平
面上にある。トランジスタはこの挿入子上に直接取り付
けられている。ＥＦＴはこの挿入子に直接接続されたソ
ースを有することができる。別の実施例において、酸化
ベリリュウムの様な絶縁材料のあて材を設けることによ
って、バイポーラトランジスタを挿入子上に直接取り付
けることができる。いずれの場合においても、高周波高
出力トランジスタによって発生された熱はハウジングの
外へ効率的に伝達される。
本発明の更に重要な発展形態においては、５０オームの
入出力を変換して動作トランジスタの所望の極低（２か
ら１オームの）入力インピーダンスへ低下する所望の変
換器を有する整合された入出力回路網が設けられ、効果
的な高周波出カドランジスタモジュールが得られる。こ
の様にして、５０オームレベルのバスあるいはストリッ
プ線に直接結合でき、モジュール使用者がいかなる付加
的なインピーダンス整合あるいは変換器の針設を必要と
しない効果的な高周波高山カドランジスタモジュールが
提供される。
上述および他の本発明の目的および効果は、以下の本発
明の開示内容から当業者により明瞭なものとなるであろ
う。
〔実施例〕
ハウジングそれ自体は垂直する側壁および端壁からなり
、一方の側壁にＲＦ入力１０が、他方の側壁にＲＦ出力
１２が設けられている。このハウジングは好ましくはス
テンレススチールからなる。
トランジスタが取り付けられる熱伝導挿入子１４は好ま
しくはＴ型の金メッキされた銅の挿入子であり、ステン
レススチールハウジング内にはんだ付けされる。挿入子
１４自体は第１Ｂ図に示されており、はぼＴ型形状であ
り、頭部１６と直立部１８を有している。頭部１６の頂
部はハウジングの底部とほぼ同一面上にあり、直立部１
８はその頂部がマツチング回路基板の頂部と同一面上に
なるように伸ばされ、取り付けられるトランジスタと容
易に接触できるようにされる。
典型的なトランジスタの取り付けの一例が第２図に示さ
れる。トランジスタが取り付けられるハウジングの中央
部には挿入子１４が示されている。
この実施例において、共通ソース電界効果トランジスタ
チップ（図示されず）のソースとハウジングの底部との
接触は直接挿入子に取り付けられたダイによって行われ
る。入力および出力マツチング回路網（第４図に詳細に
示されている。）はハウジングの部分２０．２２に設定
される。
これとは別に、第３図に示されるように、バイポーラあ
るいは通常の電界効果トランジスタをこのハウジング内
にマウントすることができる。同じタイプの熱伝導挿入
子１４がマツチング回路領域２０．２２と同様に使用さ
れる。しかしながら、部分的に金属化された酸化ベリリ
ュウムの隔部２４が設けられ、この隔部２４にトランジ
スタのコレクタを取り付けることができ、従って、共通
コレクタ取付手段は除去される。トランジスタチップを
、コレクタ接触を生じる金属化領域２６上に設置するこ
とができる。ベースおよびエミッタの接触はチップの頂
部で行われる。トランジスタと回路との間の接続は通常
のパッケージ内にマウントされたトランジスタの場合と
同じである。２つのトランジスタ取付領域が第３図に示
されているが、典型的には一対の素子が一つのハウジン
グ内に取り付けられる。
第４図と第５図を比較すると、入出力マツチング回路網
を理解できる。入力端において、素子３２．３４はＡ波
長変換器を構成している。この波長変換器は第４図およ
び第５図において同じ参照番号で一般的に示されている
。小−さなブロッキング容量が参照番号３６によって示
されている。
トランジスタ４０の入力ゲートへの結合ワイヤはインダ
クタンス４２で表わされており、後方の変換器３４の出
力のマツチング容量は参照番号４６によって示されてい
る。上述したように、トランジスタ４０のソースはヒー
トシンクに直接付着されている。トランジスタ４０の出
力ドレーンはマツチング容量４８に接合されており、分
配容量５０、Ａ波長変換器５２．５４．５６およびブロ
ッキング容量６０を通して５０オームの出力に至ってい
る。この様にして、モジュール化されたパッケージは、
５０オーム入カインピーダンスをトランジスタで使用可
能な１オーム入カインピーダンスまで下げ、次に出力を
５０オームのレベルまでもどすことが可能にされる。
本発明の別の実施例は当業者にとって明らかであろう。
本発明は特許請求の範囲のみによって限定される。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図は本発明のトランジスタハウジングの斜視図、 第１Ｂ図は熱伝導挿入子のの斜視図、 第２図は共通ソースＦＥＴ）ランジスタをマウントする
のに適当する本発明の実施例の平面図、第３図は酸化ベ
リリュウム絶縁体の２つの帯が加えられ、２つのバイポ
ーラあるいは通常のＦＥＴトランジスタをマウントする
のに適合するハウジングの平面図、 第４図は本発明に従って設計された典型的なモジュール
ハウジング内に組み込まれる入出力マツチング回路、ト
ランジスタおよび他の部品の平面図、 第５図は第４図のマツチング回路網の等価回路図。 １０・・・・・・ＲＦ大入力　１２・・・・・・ＲＦ出
力１４・・・・・・熱伝導挿入子　　１６・・・・・・
頭部１日・・・・・・直立部 ２０．２２・・・・・・マツチング回路領域２４・・・
・・・隔部　　２°６・・・・・・金属化領域３２．３
４・・・・・・２波長変換器 ３６．６０・・・・・・ブロッキング容量４０・・・・
・・トランジスタ　４２・・・・・・インダクタンス４
６．４８・・・・・・マツチング容量５０・・・・・・
分配容量

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基底と直立する側壁とを有するハウジングから構
    成され、前記基底内の島部が前記ハウジング内に取り付
    けられた挿入子からなり、この挿入子は前記ハウジング
    の外側近くに取り付けられ、前記ハウジング内を伸びて
    前記トランジスタからの熱を前記ハウジングの外へ伝導
    する高周波トランジスタ装置用パッケージ。
  2. （２）前記挿入子が前記基底を通過して前記ハウジング
    の外へ伸びる特許請求の範囲第（１）項記載の高周波ト
    ランジスタ装置用パッケージ。
  3. （３）前記基底のステム上に少なくとも一つの酸化ベリ
    リュウム層が設けられており、前記基底のステムが、取
    り付けられたトランジスタから絶縁されている特許請求
    の範囲第（２）項記載の高周波トランジスタ装置用パッ
    ケージ。
  4. （４）前記パッケージの側壁内の入力および出力端子、
    および前記トランジスタ取り付け領域と前記入力および
    出力端子との間の前記ハウジングの基底上に設置される
    薄膜マッチング回路網を更に含む特許請求の範囲第（１
    ）項記載の高周波トランジスタ装置用パッケージ。
  5. （５）基底と直立する側壁とを有するハウジングから構
    成され、前記基底の中央の島部が前記ハウジングの中央
    部にはんだ付けされたＴ型銅製挿入子であり、このＴ型
    挿入子は前記ハウジングの外側近くに取り付けられた拡
    大頭部および前記ハウジング内に伸びトランジスタから
    の熱を前記ハウジングの外へ伝導するステム部から構成
    される高周波トランジスタ装置用パッケージ。
JP61157763A 1985-07-05 1986-07-04 高周波トランジスタ装置用パツケ−ジ Pending JPS6276657A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US75210085A 1985-07-05 1985-07-05
US752100 1985-07-05

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JPS6276657A true JPS6276657A (ja) 1987-04-08

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61157763A Pending JPS6276657A (ja) 1985-07-05 1986-07-04 高周波トランジスタ装置用パツケ−ジ

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NL8601743A (nl) 1987-02-02

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