JPS6276281A - Manufacturing thin el element - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良であり、薄膜ＥＬ素子の
発光効率・輝度特性を向上する改良である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] This is an improvement in the manufacturing method of a thin film EL element, and is an improvement that improves the luminous efficiency and brightness characteristics of the thin film EL element.
母材をなす硫化亜鉛中に発光中心として添加される希土
類元素とハロゲン元素との組成比を制御することにより
、硫化亜鉛を母材とし希土類元素のハロゲン化物を発光
中心とする薄１１Ｑ Ｅ Ｌ素子の発光効率・輝度を制
御しうる。という新たに発見された性質を利用して、希
土類元素とノ＼ロゲン元素との組成比を化学量論的組成
比に比し前記希土類元素の組成比を大きくし、発光効率
・輝度特性を向上した薄膜ＥＬ素子を製造する方法の改
良であり、硫化亜鉛と、希土類元素の／＼ロゲン化物と
、希土類元素単体またはハロゲン化物以外の化合物とを
、独立のソースとしてなすスパッタリング法または真空
蒸着法を使用してＥＬＩＩ！Ｊを形成することを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造方法である。By controlling the composition ratio of rare earth elements and halogen elements added as luminescent centers to zinc sulfide, which forms the base material, a thin 11Q E L element with zinc sulfide as the base material and a halide of a rare earth element as the luminescent center can be produced. The luminous efficiency and brightness of the light can be controlled. Utilizing this newly discovered property, the composition ratio of the rare earth element and the halogen element is increased compared to the stoichiometric composition ratio, and the luminous efficiency and brightness characteristics are improved. This is an improvement of the method for manufacturing thin film EL elements, and it uses a sputtering method or a vacuum evaporation method in which zinc sulfide, a /\halogenide of a rare earth element, and a rare earth element alone or a compound other than a halide are used as independent sources. Use ELII! This is a method of manufacturing a thin film EL device characterized by forming a J.
本発明は、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度特性を向上す
ることを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関
する。更に、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を実現可能
な大きさの範囲で所望の値に選択しうるようになす薄［
ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。The present invention relates to an improvement in a method for manufacturing a thin film EL device that makes it possible to improve the luminous efficiency and brightness characteristics of the thin film EL device. Furthermore, thin-film EL devices can be used to select desired values for the luminous efficiency and brightness of thin-film EL elements within the range of realizable sizes.
The present invention relates to improvements in the manufacturing method of EL elements.
薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフン素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素−ｆであり、従来第２図に示すような直流駆
動型と第３図に示すような交流駆動型とが知られている
。A thin film EL element applies an electric field to a polycrystalline thin film of a phosphor such as zinc sulfide containing a rare earth element such as terbium, samarium, thulium, praseodium, etc. and a halogen element such as fluorine, chlorine, etc., which functions as a luminescent center. This is a light-emitting element-f that emits light based on an electroluminescence phenomenon, and conventionally, a DC drive type as shown in FIG. 2 and an AC drive type as shown in FIG. 3 are known.
第２図参照
直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、ガラスノ、（板
等ｌ上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約２，０００人の透
明電極２が形成され、その上に発光中心として機能する
希土類元素例えばテルビュウムとハロゲン元素例えばフ
ッ素とを含有する硫化亜鉛等よりなるＥＬＬ１２形成さ
れ、さらに、その上にアルミニュウム等よりなる対向電
極６が形成されている。Refer to Fig. 2. In a DC-driven thin-film EL element, a transparent electrode 2 made of ITO or the like and having a thickness of about 2,000 mm is formed on a glass plate or the like, and a light-emitting center The ELL 12 is formed of zinc sulfide or the like containing a rare earth element, such as terbium, and a halogen element, such as fluorine, which functions as an ELL, and furthermore, a counter electrode 6 made of aluminum or the like is formed thereon.
第３図参照
交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、上記の第２図に
示す層構成に加えて、ＥＬＬ１２挟んで酸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、酸化イットリュウム等よりなり
厚さが約２．０００への第１の絶縁１１！２３と第２の
絶縁膜５とが形成されている。Refer to FIG. 3. In addition to the layer structure shown in FIG. 2, the thin film EL element of the AC drive type is made of silicon oxynitride, aluminum oxide, yttrium oxide, etc., with a thickness of about 2 A first insulating film 11!23 and a second insulating film 5 are formed.
ところで１発光中心として機能するハロゲン元素のうち
、テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリ
ュウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、それぞれ
発光するが、その発光効率・輝度は、テルビュウムを除
き、いづれも満足すべきものではない、最もすぐれてい
るテルビュウムにおいても、発光効率は０．１〜０．２
ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３０７°−トランバ
ートであり、いづれも十分満足すべきものとは言い難く
、しかも、再現性が悪い。By the way, among the halogen elements that function as a luminescent center, terbium emits green light, samarium emits red light, thulium emits blue light, and praseodium emits white light, but the luminous efficiency and brightness of all of them, except for terbium, are the same. Even the most excellent terbium, which is not satisfactory, has a luminous efficiency of 0.1 to 0.2.
lumen/W, and the luminance was 307°-tranvert, both of which are hardly satisfactory, and furthermore, the reproducibility is poor.
この問題を解決する手段として、本発明の発明者は、Ｅ
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率Φ輝度特性との間に相関関係があり、希土類元
素の原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最
もすぐれた発光効率−輝度を実現することができ、ＥＬ
脱膜中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比
を少なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元素のＭ
ｉ成比を大きくしておくことが有効であることを発見し
て、発光効率・輝度特性のすぐれた薄ｎ！２ ＥＬ素子
の発明を完成した。As a means to solve this problem, the inventors of the present invention
There is a correlation between the composition ratio of rare earth elements and halogen elements contained in the L film and the luminous efficiency Φ brightness characteristics, and when the number of atoms of the rare earth element and the number of atoms of the halogen element are the same, the most excellent light emission is achieved. Efficiency - can achieve brightness, EL
M
We discovered that it is effective to increase the i ratio, and developed a thin n! with excellent luminous efficiency and brightness characteristics. 2 Completed the invention of EL element.
上記せる発明に係る薄膜ＥＬ素子を製造する一方法とし
て、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所望の
混合比に有する複合ターゲットを使用してなすスパッタ
法を使用しうる。例えば、硫化亜鉛とテルビュウムと二
フフ化亜鉛とを１００： ３ ： １重量比に含有する
複合ターゲットを使用してなすスパッタ法を使用しうる
。As one method for manufacturing the thin film EL device according to the invention described above, a sputtering method using a composite target containing zinc, sulfur, rare earth elements, and halogen elements in a desired mixing ratio can be used. For example, a sputtering method using a composite target containing zinc sulfide, terbium, and zinc difluoride in a weight ratio of 100:3:1 may be used.
この製造方法をもっても、希土類元素とハロゲン元素と
の組成比が同一ですぐれた発光効率・輝度特性を有する
薄膜ＥＬ素子の製造は可能であるが、上記せる複合ター
ゲット（亜鉛とＷｔ Ｍと希土類元素とハロゲン元素と
を所望の混合比に有する複合ターゲット）を製造するこ
とは煩雑であり、また、容易でもないうえ、硫化亜鉛の
スパッタレートと希土類元素のスパッタレートとハロゲ
７元！（７）スパッタレートとが大幅に相違するため、
ＥＬ膜に含まれる硫化亜鉛、希土類元素、ハロゲン元素
の組成比が厚さ方向に不均一になり、昂すればト分な厚
さのＥＬ膜を再現性よく製造することが容易でなく、ま
た、発光効率・輝度か千期したほど向上しない場合もあ
るという欠点かある。Even with this manufacturing method, it is possible to manufacture a thin film EL element with the same composition ratio of rare earth elements and halogen elements and excellent luminous efficiency and brightness characteristics. It is complicated and not easy to manufacture a composite target (having a desired mixing ratio of a halogen element and a halogen element), and the sputter rate of zinc sulfide, the sputter rate of the rare earth element, and the halogen 7 element! (7) Since the sputter rate is significantly different,
The composition ratio of zinc sulfide, rare earth elements, and halogen elements contained in the EL film becomes non-uniform in the thickness direction, making it difficult to reproducibly produce an EL film with sufficient thickness. However, the drawback is that the luminous efficiency and brightness may not improve as much as expected.
本発明はこれらの欠点を解消するものであり、イーの目
的は、特殊のソースを使用する必要が全くなく、しかも
、再現性よく十分な厚さく駆動電圧を１−分大きくすれ
ば輝度を極めて大きくするに１分な厚さ）のＥＬ膜を製
造することができる薄１１！Ｊ Ｅ Ｌ素子の製造方法
を提供することにある。The present invention eliminates these drawbacks, and the purpose of the present invention is to eliminate the need to use a special source, and to achieve extremely high brightness by increasing the driving voltage by 1 minute with good reproducibility and a sufficient thickness. Thin 11 that can produce an EL film of 1 minute thick! An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a JEL element.
に記の目的を達成するために本発明が採った１段は、硫
化亜鉛と、希土類元素のハロゲン化合物と、希土類元素
単体またはハロゲン化物以外の化合物との３種の物質を
独立の３個のソースとして使用してなす堆積法を使用し
、これら３個のソースの堆積レートを独立に制御して、
ＥＬ膜を形成することにある。堆積法としては、真空蒸
着法またはスパッタリング法が適巴である。換言すれば
、最も簀易に人手しつる３種の物質、すなわち、硫化亜
鉛と、希土類元素の安定なハロゲン化合物と、希土類金
属とを、３個の独立したソースとして使用し、各ソース
に印加するパワーを制御する等して各ソースの堆積レー
トを独立に制御し、さらに、必要とあれば、各ソースと
被堆積基板との間にスリット等飛行物体遮蔽手段を設け
て堆積レートの微細制御をＯｆ ｆ＠とじて、各ソース
の構成物質が所望の量だけ堆積するようにしてＥＬ脱膜
中含まれる希土類元素の原子数とハロゲン元素の原子数
とを同一にするものである。The first step taken by the present invention in order to achieve the object described in is to separate three types of substances: zinc sulfide, a halogen compound of a rare earth element, and a rare earth element alone or a compound other than the halide into three independent substances. using a deposition method using the three sources and controlling the deposition rates of these three sources independently,
The objective is to form an EL film. As a deposition method, a vacuum evaporation method or a sputtering method is suitable. In other words, three substances that are most easily produced by hand, namely zinc sulfide, a stable halogen compound of a rare earth element, and a rare earth metal, are used as three independent sources, and an electric current is applied to each source. The deposition rate of each source is independently controlled by controlling the power applied to the substrate, and if necessary, a flying object shielding means such as a slit is provided between each source and the substrate to be deposited to finely control the deposition rate. By setting Off@, the constituent materials of each source are deposited in a desired amount to make the number of rare earth element atoms and the number of halogen element atoms the same during EL film removal.
本発明は、ＥＬ膜４が上下の絶縁膜３．５によって挟ま
れていない直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にも、また、ＥＬ
膜４が上下の絶縁膜３．５によって挟まれている交流駆
動型の６１膜ＥＬ素子にも実現可能である。The present invention also applies to a DC-driven thin film EL element in which the EL film 4 is not sandwiched between the upper and lower insulating films 3.5.
It is also possible to realize an AC-driven 61-film EL element in which the film 4 is sandwiched between upper and lower insulating films 3.5.
本発明の基本的思想は、硫化亜鉛を母材とし。 The basic idea of the present invention is to use zinc sulfide as a base material.
希」１類元素とハロゲン元素とが発光中心として添加さ
れてなるＥＬ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素と
の組成比をｌ：ｌにすることにある。The purpose of this invention is to set the composition ratio of rare earth elements and halogen elements contained in an EL film in which rare earth elements and halogen elements are added as luminescent centers to 1:1.
」−記のＥＬ膜を形成するためには、スパッタ法または
真空蒸着法が適当であるが、いづれにせよ、ソースが必
要である。これらの堆積法に使用されるソースは固体で
あることが望ましい、ところで、硫化亜鉛はＥＬ膜とし
て望ましい組成比を右する安定した化合物であり固体で
あるから全く問題はないが、希土類元素と／＼ロゲン元
素との化合物は、例えば三フフ化テルビュウムのように
。In order to form the EL film mentioned above, sputtering or vacuum evaporation is suitable, but in any case a source is required. It is desirable that the source used in these deposition methods be solid. By the way, zinc sulfide is a stable compound that determines the desirable composition ratio for the EL film, and is a solid, so there is no problem at all, but when it comes to rare earth elements and/or \Compounds with rogen elements are, for example, terbium trifluoride.
その組成比が１＝１ではない、そこで、やむを得ず、七
記せるように、例えば、硫化亜鉛とテルビュウムとニフ
フ化亜鉛とを １００： ３ ： １ ｇ＞量比に含有
する複合ターゲットを使用してなすスＸツタ法を使用し
ていたが、上記せる種々な欠点を避は難かった。The composition ratio is not 1 = 1, so it is unavoidable to use a composite target containing zinc sulfide, terbium, and zinc niphide in a quantitative ratio of 100: 3: 1 g. Although the eggplant X ivy method was used, it was difficult to avoid the various drawbacks mentioned above.
そこで、本発明においては、ソース自体は最も入手し易
い安定な物質である硫化亜鉛と、希土類）ｃ、素のハロ
ゲン化物と、希土類元素との３種の物質を使用し、この
独立の３個のソースを巾−の真空容器中で使用し、各ソ
ースに印加するパワーを制御する等して各ソースの堆積
レートを独立に制御し、さらに、必要とあれば、各ソー
スと被堆積基板との間にスリット等飛行物体遮蔽手段を
設けて堆積レートの微細制御を可ス敞として、各ソース
の構成物質が所望の量だけ堆積するようにしてＥＬ Ｉ
Ｉ！Ｊ中に含まれる希土類元素の原子数とハロゲン元素
の原子数とを同一にするものである本発明に係る薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法を使用して、硫化亜鉛中のテルビュウ
ム濃度を２ａｔ％と一定にするように製造した薄膜ＥＬ
素子の輝度（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を
３０Ｖ超過する電圧に対する輝度）は、従来技術の約５
倍に向上して、約２００フートランバートとなっている
。Therefore, in the present invention, the source itself uses three types of substances: zinc sulfide, which is the most easily available and stable substance, a rare earth element), an elementary halide, and a rare earth element. The deposition rate of each source is controlled independently by controlling the power applied to each source, and if necessary, the deposition rate between each source and the substrate to be deposited is controlled. A flying object shielding means such as a slit is provided between the EL I and EL I to enable fine control of the deposition rate so that the constituent substances of each source are deposited in desired amounts.
I! Thin film E according to the present invention, in which the number of atoms of the rare earth element and the number of atoms of the halogen element contained in J are the same.
Thin film EL manufactured using the L element manufacturing method to keep the terbium concentration in zinc sulfide constant at 2 at%
The luminance of the device (luminance for a voltage exceeding the emission threshold voltage by 30 V when driven at IKHz) is approximately 5% lower than that of the conventional technology.
It has doubled to about 200 foot lamberts.
以下、図面を参照しつ−、本発明の二つの実施例に係る
薄膜ＥＬ素子についてざらに説明する。Hereinafter, thin film EL devices according to two embodiments of the present invention will be briefly described with reference to the drawings.
第１図参照
１上遣
硫化亜鉛と、テルビュウムメタルと、三フッ化テルビュ
ウムとの３種の物質を３個の独立のソースとする真空蒸
着法を使用してＥＬ膜を形成する、交流駆動型薄膜ＥＬ
素子を製造する場合について述べる。See Figure 1 1 Overlay EL film is formed using a vacuum evaporation method using three types of materials: zinc sulfide, terbium metal, and terbium trifluoride as three independent sources. Driven thin film EL
The case of manufacturing an element will be described.
スパッタ法を使用して、ガラス基板ｌ−上に厚さ約２，
０００人のＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミ
ニュウムよりなり厚さ約２，０００人の第１の絶縁１１
！３とを形成する。Using a sputtering method, a thickness of about 2,
A transparent electrode 2 made of an ITO film with a thickness of about 2,000 yen and a first insulator 11 made of aluminum oxide with a thickness of about 2,000 yen.
! 3.
つづいて、上記のソースを使用して厚さが約 ｅ、ｏｏ
ｏへの膜を真空蒸着する。このとき、各ソースに印加す
るパワーを制御して、ＥＬ脱膜中導入されるテルビニウ
ムの原子数とフッ素の原子数とが同一になるように、そ
れぞれの堆積レートを制御する。すなわち、例えば、硫
化亜鉛の堆積レートは ３００人／分、テルビュウムメ
タルの堆積レートは４人／分、三フッ化テルビュウムの
堆積レートは３へ／分とする。基板温度は約２００℃が
適当である。その後、約４５０℃において約Ｉ ０間熱
処理をなしＥＬ膜４を形成する。Next, using the above source, the thickness is about e, oo
Vacuum deposit the film to o. At this time, the power applied to each source is controlled to control the respective deposition rates so that the number of terbinium atoms and the number of fluorine atoms introduced during EL film removal become the same. That is, for example, the deposition rate of zinc sulfide is 300 people/minute, the deposition rate of terbium metal is 4 people/minute, and the deposition rate of terbium trifluoride is 3 people/minute. A suitable substrate temperature is about 200°C. Thereafter, heat treatment is performed at about 450° C. for about I0 to form the EL film 4.
次に、′を子ビーム蒸着法を使用して、酸化イットリュ
ウムよりなりＨさが約２，０００人の第２の絶縁膜５を
形成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を使用してア
ルミニュウムよりなる対向電極（背面電極）６を形成す
る。Next, a second insulating film 5 made of yttrium oxide and having a H of about 2,000 is formed using a beam evaporation method, and then a second insulating film 5 made of yttrium oxide and having an H of about 2,000 is formed using an evaporation method or a sputtering method. A counter electrode (back electrode) 6 is formed.
以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ膜４に
含まれるテルビニウムの原子数とフッ素の原子数とは、
お＼むね同一である。その輝度（ＩＫＨｚで駆動すると
き発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対する輝度）
は、第４図（本実施例を実施して製造した交流駆動型薄
膜ＥＬ素子の輝度対電圧関係を従来技術の輝度対電圧関
係とを比較して表すグラフ）に従来技術と比較して示し
であるように、大幅に向上している。なお、図におｌ、
ＸてＡは本実施例の値を示し、Ｂは従来技術の値を示す
０図より明らかなように、発光効率と輝度（１ＫＨｚで
駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対
する輝度）はそれぞれ１．１ルーメン／Ｗと ２００フ
ートランバートとに向上する。The number of terbinium atoms and the number of fluorine atoms contained in the EL film 4 of the thin film EL device manufactured through the above steps are as follows:
They are mostly the same. Its brightness (brightness for a voltage that exceeds the emission threshold voltage by 30V when driven at IKHz)
FIG. 4 (a graph showing the luminance versus voltage relationship of the AC-driven thin film EL element manufactured by carrying out this example in comparison with the luminance versus voltage relationship of the prior art) is shown in comparison with the prior art. As such, it has improved significantly. In addition, l,
As is clear from the figure, luminous efficiency and luminance (luminance for a voltage exceeding the luminous threshold voltage by 30 V when driven at 1 KHz). increase to 1.1 lumens/W and 200 foot lamberts, respectively.
１又１
硫化亜鉛と、テルビュウムメタルと、三フッ化テルビュ
ウムとの３種の物質を３個の独立のターゲットとするス
パッタ法を使用してＥＬ膜を形成する、交流駆動型薄膜
ＥＬ素子を製造する場合について述べる。1 or 1 AC-driven thin film EL element that forms an EL film using a sputtering method using three types of substances: zinc sulfide, terbium metal, and terbium trifluoride as three independent targets. We will discuss the case of manufacturing.
第１例の場合と同様に、スパッタ法を使用して、ガラス
基板ｌ上に厚さ約２，０００へのＩＴＯ膜よりなる透光
性電極２と酸化アルミニュウムよりなり厚さ約２，００
０人の第１の絶縁膜３とを形成する。As in the case of the first example, using the sputtering method, a transparent electrode 2 made of an ITO film with a thickness of about 2,000 mm and an aluminum oxide film with a thickness of about 2,000 mm is formed on a glass substrate l.
0 first insulating films 3 are formed.
つづいて、上記のターゲットを使用して厚さ約ｅ、ｏｏ
ｏへの膜をスパッタして形成する。このとき、各ターゲ
ットに印加するパワーを制御して、ＥＬ脱膜中導入され
るテルビニウムの原子数とフッ素の原子数とが同一にな
るように、それぞれの堆積レートを制御する。すなわち
、例えば、硫化亜鉛の堆積レートは３００Ａ／分、テル
ビュウムメタルの堆積レートは４人／分、三フッ化テル
ビュウムの堆積レートは３人／分とする。基板温度は約
２００℃が適当である。その後、約４５０℃において約
１時間熱処理をなしＥＬ膜４を形成する。Next, use the above target to obtain a thickness of approximately e, oo.
A film is formed by sputtering. At this time, the power applied to each target is controlled to control the deposition rate of each target so that the number of terbinium atoms and the number of fluorine atoms introduced during EL film removal become the same. That is, for example, the deposition rate of zinc sulfide is 300 A/min, the deposition rate of terbium metal is 4 people/min, and the deposition rate of terbium trifluoride is 3 people/min. A suitable substrate temperature is about 200°C. Thereafter, heat treatment is performed at about 450° C. for about 1 hour to form the EL film 4.
次に、第１例の場合と同様に、電子ビーム蒸着法を使用
して、酸化イットリュウムよりなり厚さが約 ２，００
０への＠２の絶縁膜５を形成し、さらに、蒸着法または
スパッタ法を使用してアルミニュウムよりなる対向電極
（背面電極）６を形成する。Next, as in the case of the first example, using the electron beam evaporation method, a film made of yttrium oxide and having a thickness of approximately 2,000 μm is deposited.
An insulating film 5 of 0 to 2 is formed, and a counter electrode (back electrode) 6 made of aluminum is further formed using a vapor deposition method or a sputtering method.
以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬＩ？ｕ
４に含まれるテルビニウムの原子数とフッ素の原子数と
は、お覧むね同一である。その輝度（ＩＫＨｚで駆動す
るとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対する輝
度）は、第５図（本実施例を実施して製造した交流駆動
型薄膜ＥＬ素子の輝度対電圧関係を従来技術の輝度対電
圧関係とを比較して表すグラフ）に従来技術と比較して
示しであるように、大幅に向上している。なお、図にお
いてＡは本実施例の値を示し、Ｂは従来技術の値を示す
。図より明らかなように、発光効率と輝度（ＩＫＨｚで
駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過する電圧に対
する輝度）はそれぞれ１．０ルーメン／Ｗと １８０フ
ートランバートとに向上する。ELI of the thin film EL device manufactured using the above process? u
The number of terbinium atoms and the number of fluorine atoms contained in 4 are roughly the same. The luminance (luminance for a voltage exceeding the emission threshold voltage by 30 V when driven at IKHz) is shown in Figure 5 (the luminance vs. voltage relationship of the AC-driven thin film EL element manufactured by carrying out this example) compared to that of the prior art. As shown in the graph (graph comparing brightness vs. voltage) compared to the prior art, there is a significant improvement. In the figure, A indicates the value of this embodiment, and B indicates the value of the prior art. As is clear from the figure, the luminous efficiency and luminance (luminance for a voltage exceeding the luminous threshold voltage by 30 V when driven at IKHz) are improved to 1.0 lumen/W and 180 foot lambert, respectively.
また、テレビラムメタルの代りに硫化テレビラムを使用
しても全く同様の結果が得られた。Furthermore, exactly the same results were obtained when sulfurized TVram was used instead of TVram metal.
以上説明せるとおり、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法においては、硫化亜鉛と、希土類元素の化合物と、
希土類元素単体またはハロゲン化物以外の化合物との３
種の物質を独立の３個のソースとして使用してなす堆積
法を使用し、これら３個のソースの堆積レートを独立に
制御して、ＥＬ膜を形成することとされているので、Ｅ
Ｌ模膜中含有される希土類元素の原子数とハゲン元素の
原子数とはお−むね同一とされ、すぐれた発光効率・輝
度特性の薄膜ＥＬ素子を製造することができる。As explained above, in the method for manufacturing a thin film EL device according to the present invention, zinc sulfide, a rare earth element compound,
3. Rare earth elements alone or with compounds other than halides
Since the EL film is formed by using a deposition method using seed materials as three independent sources and by independently controlling the deposition rates of these three sources, the E.
The number of atoms of the rare earth element and the number of atoms of the hagen element contained in the L pattern film are generally the same, and a thin film EL device with excellent luminous efficiency and brightness characteristics can be manufactured.
第１図は１本発明の実施例に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素
ｆの構造図である。
第２図は、従来技術に係る直流駆動型薄膜ＥＬ素子の構
造図である。
第３図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の構
造図である。
第４図は、本発明の一実施例に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法を実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度
（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０ＶＪｆ
ｉ過する電圧に対する輝度）対電圧関係を従来技術の輝
度（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超
過する電圧に対する輝度）対電圧関係とを比較して表す
グラフである。
第５図は、本発明の他の実施例に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法を実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝
度（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超
過する電圧に対する輝度）対電圧関係を従来技術の輝度
（ＩＫＨｚで駆動するとき発光しきい電圧を３０Ｖ超過
する電圧に対する輝度）対電圧関係とを比較して表すグ
ラフである。
ｌ・・・透光性基板（ガラス基板）、 ２・・・透光
性電極ＣＩＴＯ電極）、 ３・・・第１の絶縁膜（酸
化窒化シリコン、酸化アルミニュウム、酸化イットリュ
ウム）、 ４・ψ・ＥＬ膜（硫化亜鉛と希土類元素と
ハロゲン元素との組成物）、５・・・第２の絶縁膜（酸
化窒化シリコン、酸化アルミニュウム、酸化イー２トリ
ユウム）。
６・・・対向電極（背面電極）。
第１図
本発明
第２ 図
従来技７１テ（直流；！１２軌幻
ｍ３ 図FIG. 1 is a structural diagram of an AC driven thin film EL element f according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a structural diagram of a DC-driven thin film EL device according to the prior art. FIG. 3 is a structural diagram of an AC driven thin film EL device according to the prior art. FIG. 4 shows the brightness of an AC-driven thin film EL device manufactured by implementing the method for manufacturing a thin film EL device according to an embodiment of the present invention (emission threshold voltage of 30 VJf when driven at IKHz).
1 is a graph showing a comparison between the brightness (brightness with respect to a voltage exceeding the emission threshold voltage of 30 V) and the voltage relationship of the prior art (brightness with respect to a voltage exceeding the emission threshold voltage of 30 V when driven at IKHz) versus voltage. FIG. 5 shows the brightness of an AC-driven thin film EL device manufactured by carrying out the method for manufacturing a thin film EL device according to another embodiment of the present invention (with respect to a voltage exceeding the emission threshold voltage by 30 V when driven at IKHz). 2 is a graph showing a comparison between the luminance (luminance) versus voltage relationship of the prior art and the luminance (luminance for a voltage exceeding the emission threshold voltage by 30 V when driven at IKHz) versus voltage of the prior art. 1... Transparent substrate (glass substrate), 2... Transparent electrode (CITO electrode), 3... First insulating film (silicon oxynitride, aluminum oxide, yttrium oxide), 4.ψ - EL film (composition of zinc sulfide, rare earth element, and halogen element), 5... second insulating film (silicon oxynitride, aluminum oxide, ditriium oxide). 6...Counter electrode (back electrode). Fig. 1 Present invention Fig. 2 Conventional technology 71te (DC;!12 trajectory m3 Fig.
Claims (1)
、 該透光性電極（２）上に、ＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）は、硫化亜鉛と、希土類元素のハロゲ
ン化物と、希土類元素単体またはハロゲン化物以外の化
合物とを、独立のソースとしてなす堆積法を使用して形
成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［２］前記ＥＬ膜（４）を挟んで第１の絶縁膜（３）と
第２の絶縁膜（５）とを形成する工程を有する特許請求
の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［３］前記堆積法はスパッタリング法であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 ［４］前記堆積法は真空蒸着法であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜ＥＬ素子
の製造方法。[Claims] [1] A transparent electrode (2) is formed on a transparent substrate (1), an EL film (4) is formed on the transparent electrode (2), and an EL film (4) is formed on the transparent electrode (2). Thin film EL forming a counter electrode (6) on the EL film (4)
In the device manufacturing method, the EL film (4) is formed using a deposition method using zinc sulfide, a halide of a rare earth element, and a rare earth element alone or a compound other than the halide as independent sources. A method for manufacturing a thin film EL device, characterized in that: [2] Manufacturing the thin film EL device according to claim 1, which comprises the step of forming a first insulating film (3) and a second insulating film (5) with the EL film (4) interposed therebetween. Method. [3] The thin film E according to claim 1 or 2, wherein the deposition method is a sputtering method.
Method for manufacturing L element. [4] The method for manufacturing a thin film EL device according to claim 1 or 2, wherein the deposition method is a vacuum evaporation method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217099A JPH0744068B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Method of manufacturing thin film EL device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217099A JPH0744068B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Method of manufacturing thin film EL device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276281A true JPS6276281A (en) | 1987-04-08 |
| JPH0744068B2 JPH0744068B2 (en) | 1995-05-15 |
Family
ID=16698827
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217099A Expired - Lifetime JPH0744068B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Method of manufacturing thin film EL device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744068B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230690A (en) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Fujitsu Ltd | Thin film el panel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134890A (en) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | Method of forming electric field light emitting thin film |
| JPS61273894A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-04 | シャープ株式会社 | Thin film el element |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217099A patent/JPH0744068B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134890A (en) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | Method of forming electric field light emitting thin film |
| JPS61273894A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-04 | シャープ株式会社 | Thin film el element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230690A (en) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Fujitsu Ltd | Thin film el panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744068B2 (en) | 1995-05-15 |
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