JPS6276037A - 光学記録部材 - Google Patents
光学記録部材Info
- Publication number
- JPS6276037A JPS6276037A JP60214734A JP21473485A JPS6276037A JP S6276037 A JPS6276037 A JP S6276037A JP 60214734 A JP60214734 A JP 60214734A JP 21473485 A JP21473485 A JP 21473485A JP S6276037 A JPS6276037 A JP S6276037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- residual stress
- optical recording
- dielectric
- dielectric layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大容量、高密度の情報の記録が回部な光ディ
スク、光カード等に供するための光学記録部材に関し、
更に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的
変化を起こさせて情報を記録するのに適した光学記録部
材に関するものである〔開示のａ要〕 本発明は、大容量、高密度の情報の記録が可能な光ディ
スク、光カード等に供するための光学記録部材に関し、
更に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的
変化を起こさせて情報を・記録するのに適した光学記録
部材において、基板と、基板上に設けられた光を吸収し
て変質する記ｊ２層と誘電体層とを有する光学記録部材
の誘電体層を残留応力の向ぎの異なる複数の誘電体の複
合体とすることにより、書きこみ、消去の繰り返しによ
って誘電体膜に生じる不可逆変化を抑制し、１０６回以
北の書きこみ、消去の繰り返しが可１１ｅな高性能の光
学記録部材を提供することを目的とする技術を開示する
ものである。なお、この概要はあくまでも本発明の技術
内容に迅速にアクセスするためにのみ供されるものであ
って 本発明の技術的範囲および権利解釈に対して何の
影響も及ぼさないものである。
スク、光カード等に供するための光学記録部材に関し、
更に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的
変化を起こさせて情報を記録するのに適した光学記録部
材に関するものである〔開示のａ要〕 本発明は、大容量、高密度の情報の記録が可能な光ディ
スク、光カード等に供するための光学記録部材に関し、
更に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的
変化を起こさせて情報を・記録するのに適した光学記録
部材において、基板と、基板上に設けられた光を吸収し
て変質する記ｊ２層と誘電体層とを有する光学記録部材
の誘電体層を残留応力の向ぎの異なる複数の誘電体の複
合体とすることにより、書きこみ、消去の繰り返しによ
って誘電体膜に生じる不可逆変化を抑制し、１０６回以
北の書きこみ、消去の繰り返しが可１１ｅな高性能の光
学記録部材を提供することを目的とする技術を開示する
ものである。なお、この概要はあくまでも本発明の技術
内容に迅速にアクセスするためにのみ供されるものであ
って 本発明の技術的範囲および権利解釈に対して何の
影響も及ぼさないものである。
〔従来の技術〕
近年、小型で高性能のレーザの発展にともない、レーザ
光を利用した技術分野、即ち、光通信、光計測、光記録
などの、いわゆる光関連技術の研究が急速に進展し、一
部は実用に供されている。中でも収束レーザ光を基板上
の薄膜状媒体に照射して、薄膜に穿孔もしくは非晶質−
結晶転移のような構造変化を生じせしめて情報の記録を
おこなう光記録は、磁気記録をしのぐ高密度、大容量の
情報の記録を可能ならしめる新しい技術として注目され
ている。ここで、薄膜に穿孔して記録をおこなう方式は
、一旦、情報を書きこんだ後は、消去が不可１駈で恒久
的に情報が保持できることを特徴とし、追記型記録媒体
と呼ばれる。一方、非晶質−結晶転移に基づいて記録を
おこなう方式は２つの状態間の遷移を可逆的になすこと
により、多数回の書きこみと消去が可能であることから
書換型記録媒体と呼ばれている。この書換型記録媒体に
は通常、 Ｔｅ系カルコゲナイド争ガラスの薄膜が用い
られ、レーザビームによる薄膜の急熱急冷により膜中の
Ｔｅを非晶質化せしめて書きこみをおこない、また、レ
ーザビームによる採熱徐冷により非晶質Ｔｅを結晶化せ
しめて消去をおこなう。しかし、書きこみと消去を多数
回繰り返した時、膜に変形、穿孔などの不可逆変化が生
じ、このため情報の消し残りが起るという問題があった
。多数回のレーザ加熱による記録膜の変形を防ぐため、
また外力による機械的損傷や吸温を防ぐために通常Ｓｉ
Ｏ２膜などの硬いオーバコート層およびアンタコート層
を付加し１機械的に変形を抑止するなどの方法が取られ
ている。しかし、この場合でも１０３回あるいは１０＋
回の書きこみ、消去を繰り返すと、次第に媒体、特にオ
ーバコート層自体に変形、ひいては穿孔などの不可逆変
化が生じるので、さらに高性能化するためには、オーバ
コートあるいはアンダコート層の材料探索が必要である
。
光を利用した技術分野、即ち、光通信、光計測、光記録
などの、いわゆる光関連技術の研究が急速に進展し、一
部は実用に供されている。中でも収束レーザ光を基板上
の薄膜状媒体に照射して、薄膜に穿孔もしくは非晶質−
結晶転移のような構造変化を生じせしめて情報の記録を
おこなう光記録は、磁気記録をしのぐ高密度、大容量の
情報の記録を可能ならしめる新しい技術として注目され
ている。ここで、薄膜に穿孔して記録をおこなう方式は
、一旦、情報を書きこんだ後は、消去が不可１駈で恒久
的に情報が保持できることを特徴とし、追記型記録媒体
と呼ばれる。一方、非晶質−結晶転移に基づいて記録を
おこなう方式は２つの状態間の遷移を可逆的になすこと
により、多数回の書きこみと消去が可能であることから
書換型記録媒体と呼ばれている。この書換型記録媒体に
は通常、 Ｔｅ系カルコゲナイド争ガラスの薄膜が用い
られ、レーザビームによる薄膜の急熱急冷により膜中の
Ｔｅを非晶質化せしめて書きこみをおこない、また、レ
ーザビームによる採熱徐冷により非晶質Ｔｅを結晶化せ
しめて消去をおこなう。しかし、書きこみと消去を多数
回繰り返した時、膜に変形、穿孔などの不可逆変化が生
じ、このため情報の消し残りが起るという問題があった
。多数回のレーザ加熱による記録膜の変形を防ぐため、
また外力による機械的損傷や吸温を防ぐために通常Ｓｉ
Ｏ２膜などの硬いオーバコート層およびアンタコート層
を付加し１機械的に変形を抑止するなどの方法が取られ
ている。しかし、この場合でも１０３回あるいは１０＋
回の書きこみ、消去を繰り返すと、次第に媒体、特にオ
ーバコート層自体に変形、ひいては穿孔などの不可逆変
化が生じるので、さらに高性能化するためには、オーバ
コートあるいはアンダコート層の材料探索が必要である
。
Ｔｅ系薄１模に結晶化あるいは非晶化を誘起せしめる時
の温度上昇は、 Ｔｅの融点である４５０℃以上、高々
６００℃程度までと考えられ、この温度範囲で５ｉ（１
！Ｌのような耐熱性の誘電体膜に変形が生ずることは一
見、奇人に感じられる。しかし、この現象を考察すると
、一般に、硬い誘電体膜は膜中に〜１０”ｄｙｎ／ｃゴ
以上の強い残留応力を有し、これが数百℃の加熱により
緩和されるため、変形が生じうることが理解される０例
えば、５ｉＯｚスパフタ；模は３Ｘ ＩＯ’ｄｙｎ／ｃ
ゴ程度の圧縮性残留応力を有するが、これを４００〜５
００℃程度に加熱すると、応力の８緩和がなされ、それ
と共に、体積膨張などの不ｏｆ逆な形状変化が生ずる。
の温度上昇は、 Ｔｅの融点である４５０℃以上、高々
６００℃程度までと考えられ、この温度範囲で５ｉ（１
！Ｌのような耐熱性の誘電体膜に変形が生ずることは一
見、奇人に感じられる。しかし、この現象を考察すると
、一般に、硬い誘電体膜は膜中に〜１０”ｄｙｎ／ｃゴ
以上の強い残留応力を有し、これが数百℃の加熱により
緩和されるため、変形が生じうることが理解される０例
えば、５ｉＯｚスパフタ；模は３Ｘ ＩＯ’ｄｙｎ／ｃ
ゴ程度の圧縮性残留応力を有するが、これを４００〜５
００℃程度に加熱すると、応力の８緩和がなされ、それ
と共に、体積膨張などの不ｏｆ逆な形状変化が生ずる。
特に、Ｔｅを結晶から非晶質へ転移させる時は、記ＱＶ
は−Ｉ、融点以トに熱せられ１体積膨張が生ずる。これ
が引き金となり、オーバコートあるいはアンダコートに
用いる５１０２膜が残留応力の緩和をともないながら変
形するとみるのが、最も妥当な見方である。
は−Ｉ、融点以トに熱せられ１体積膨張が生ずる。これ
が引き金となり、オーバコートあるいはアンダコートに
用いる５１０２膜が残留応力の緩和をともないながら変
形するとみるのが、最も妥当な見方である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
未発用は、１−述した従来の光学記録部材における古き
こみ、消去の繰り返しによって誘電体Ｉ模に土じる不可
逆変化を抑制し、１０ｂ回以」−の占きこみ、消去の繰
り返しが町ず駈な高性濠の光学記録部材を提供すること
を目的とする。
こみ、消去の繰り返しによって誘電体Ｉ模に土じる不可
逆変化を抑制し、１０ｂ回以」−の占きこみ、消去の繰
り返しが町ず駈な高性濠の光学記録部材を提供すること
を目的とする。
かかる目的を達成するために、本発明においては、基板
と、基板りに設けられた光を吸収して変質する記録層お
よび誘電体層を有する光学記録部材において、誘電体層
が残留応力の向きの異なる複数の誘電体の複合体である
。
と、基板りに設けられた光を吸収して変質する記録層お
よび誘電体層を有する光学記録部材において、誘電体層
が残留応力の向きの異なる複数の誘電体の複合体である
。
本発明においては、残留応力の向きの異なる複数の誘’
ｌｕ体物質を複合して用いるので、残留応力の極めて少
ないオーバコートｅ、アンダコート層を実現できる９例
えば、圧縮性残留応力を持つ５ｉｎ２と、引張性残留応
力を持つＭｇＦ、を組みあわせて、光記録媒体のオーバ
コート層およびアンタコート層として使用することによ
り、 ６００℃程度まで加熱して応力のｍＷ和が生じて
も何ら変形の生じない誘電体層を作製できる。従来は、
ＳｉＯ□ＩＩ！２巾体をオーバコート層としてきたため
、レーデ加熱により膜中の圧縮応力が緩和されて、体積
膨張による変形が生じる問題があったが、これを解決し
たものである。残留応力の向きの異なる材料を複合すれ
ば応力が相殺されるため、誘電体層全体としての残留応
力を非常に小さくすることが可能であり、加熱による変
形がほとんどおこらない。
ｌｕ体物質を複合して用いるので、残留応力の極めて少
ないオーバコートｅ、アンダコート層を実現できる９例
えば、圧縮性残留応力を持つ５ｉｎ２と、引張性残留応
力を持つＭｇＦ、を組みあわせて、光記録媒体のオーバ
コート層およびアンタコート層として使用することによ
り、 ６００℃程度まで加熱して応力のｍＷ和が生じて
も何ら変形の生じない誘電体層を作製できる。従来は、
ＳｉＯ□ＩＩ！２巾体をオーバコート層としてきたため
、レーデ加熱により膜中の圧縮応力が緩和されて、体積
膨張による変形が生じる問題があったが、これを解決し
たものである。残留応力の向きの異なる材料を複合すれ
ば応力が相殺されるため、誘電体層全体としての残留応
力を非常に小さくすることが可能であり、加熱による変
形がほとんどおこらない。
即ち、レーザ衝撃に対して機械的強度が非常に強く、破
壊されにくい膜が実現できる。
壊されにくい膜が実現できる。
以丁に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例■
直径２０ｃ１のアクリル樹脂を基板ｌとして、第１図に
示すように記録膜のアンダコート層としてスパッタリン
グによりＭｇＦ−Ｌ膜２を３０ＯＡ厚、ｓｉｏ、ＩＩＱ
：３を３０ＯＡ厚積層した。そのＬに記録膜４としてＴ
ｅ −Ｇｅ−Ａｓ系化合物膜を１．００ＯＡ厚にスパッ
タリングにより作製した。次いで、記録１１！２４Ｌに
オーバコート層としてＳｉＯ□Ｉ模５を２００ＯＡ厚、
１４ｇＦ２膜６を２００ＯＡ厚のスパッタリングによっ
て積層した。Ｆ渉モ面度による側室では、’ＥｉＣＪ−
１スパッタ膜の残留応力は、圧縮性テ３Ｘ １０’ ｄ
ｙｎ／ｃｒｒｆ 、またＭｇＦ：Ｌスパッタ膜の残留応
力は引張性で４Ｘ １０”ｄｙｎ／ｃゴであるが、両者
の複合膜のみかけの残留応力は非常に小さくなり、］Ｏ
ｇｄｙｎ／ｃｍ’以ｒであった。
示すように記録膜のアンダコート層としてスパッタリン
グによりＭｇＦ−Ｌ膜２を３０ＯＡ厚、ｓｉｏ、ＩＩＱ
：３を３０ＯＡ厚積層した。そのＬに記録膜４としてＴ
ｅ −Ｇｅ−Ａｓ系化合物膜を１．００ＯＡ厚にスパッ
タリングにより作製した。次いで、記録１１！２４Ｌに
オーバコート層としてＳｉＯ□Ｉ模５を２００ＯＡ厚、
１４ｇＦ２膜６を２００ＯＡ厚のスパッタリングによっ
て積層した。Ｆ渉モ面度による側室では、’ＥｉＣＪ−
１スパッタ膜の残留応力は、圧縮性テ３Ｘ １０’ ｄ
ｙｎ／ｃｒｒｆ 、またＭｇＦ：Ｌスパッタ膜の残留応
力は引張性で４Ｘ １０”ｄｙｎ／ｃゴであるが、両者
の複合膜のみかけの残留応力は非常に小さくなり、］Ｏ
ｇｄｙｎ／ｃｍ’以ｒであった。
この媒体について、レーザ記録と消去の繰り返し性の評
価をおこなった。その結果を従来例と比較しながら第２
図に示す。［：４において、横軸は、！ｆ５こみ、消去
の繰り返し数、縦軸は、ＩＩきこみ１寺の信号値を１と
して規格化した消去後の信号値である。例えば消去後の
信号値が０の時は全消去がなされたものであることを０
．２の時はにきこみ信号の８０％が消去され、２０％が
消し残りとして残ってしまうことを意味する。、４：き
こみ、消去を繰り返すと、オーバコート層、アンダコー
ト層の変形のため、徐々に消し残りが増加し、消去後の
規格花信１）値が増加していく。第２図において、曲線
Ａは本実施例について、曲線Ｃは従来のＳｉＯ，膜中層
をオーバコート層、アンダコート層として用いた媒体に
ついて、それぞれ１！ｔきこみ（非晶質化）条件レーデ
・パワー６ ｍＷ、 ２００ｎｓｅｃ 、消去（結晶化
）条件、２１１１１ｉ、１０川ｓｅｃでおこなったもの
である。５ｉＯｚ巾層の場合、１０２′回の繰り返しで
消し残りが生じはじめ、１０３回以ト繰り返すと消し残
りの影響が大きく、もはや消去が不可ｆｆｆｉとなるの
に対し、ＳｉＯ，２，／ ＭｇＦ２．積層の場合、１０
＋回の繰り返しで消し残りが生じはじめ、１０′回繰り
返してもまだ＋’ｉきこみ信シ）の８０％以上消去する
ことがｒ７ｆ詣となるなど顕著な性１蔚向上がみられた
。
価をおこなった。その結果を従来例と比較しながら第２
図に示す。［：４において、横軸は、！ｆ５こみ、消去
の繰り返し数、縦軸は、ＩＩきこみ１寺の信号値を１と
して規格化した消去後の信号値である。例えば消去後の
信号値が０の時は全消去がなされたものであることを０
．２の時はにきこみ信号の８０％が消去され、２０％が
消し残りとして残ってしまうことを意味する。、４：き
こみ、消去を繰り返すと、オーバコート層、アンダコー
ト層の変形のため、徐々に消し残りが増加し、消去後の
規格花信１）値が増加していく。第２図において、曲線
Ａは本実施例について、曲線Ｃは従来のＳｉＯ，膜中層
をオーバコート層、アンダコート層として用いた媒体に
ついて、それぞれ１！ｔきこみ（非晶質化）条件レーデ
・パワー６ ｍＷ、 ２００ｎｓｅｃ 、消去（結晶化
）条件、２１１１１ｉ、１０川ｓｅｃでおこなったもの
である。５ｉＯｚ巾層の場合、１０２′回の繰り返しで
消し残りが生じはじめ、１０３回以ト繰り返すと消し残
りの影響が大きく、もはや消去が不可ｆｆｆｉとなるの
に対し、ＳｉＯ，２，／ ＭｇＦ２．積層の場合、１０
＋回の繰り返しで消し残りが生じはじめ、１０′回繰り
返してもまだ＋’ｉきこみ信シ）の８０％以上消去する
ことがｒ７ｆ詣となるなど顕著な性１蔚向上がみられた
。
なお、圧縮性応力の膜として、５ｉＯｚ以外に酸化アル
ミニウム、硫化鉛、透明炭素膜のうちの１つ、また引張
性応力の膜として、ＭｇＦ、以外にフッ化セリウム、酸
化チタン、フッ化トリウム、酸化シリコニウムのうちの
１つを選んで組み合わせた場合も、その効果としては同
等であることが確認された。圧縮性残留応力の膜と、引
張性残留応力の１模のどちらを記録＋！２に接して、没
けてもさしつか元ない。
ミニウム、硫化鉛、透明炭素膜のうちの１つ、また引張
性応力の膜として、ＭｇＦ、以外にフッ化セリウム、酸
化チタン、フッ化トリウム、酸化シリコニウムのうちの
１つを選んで組み合わせた場合も、その効果としては同
等であることが確認された。圧縮性残留応力の膜と、引
張性残留応力の１模のどちらを記録＋！２に接して、没
けてもさしつか元ない。
実施例２
実施例１と同じ基板と記Ｑ１模を用い、第３図に示すよ
うに記録膜４のアンダコート層としてＭｇＦｚ４０％、
Ｓｉ０２６０％の混合ターゲットから作製した５００Ａ
厚のスパッタＷｉ７．同じく記Ｂ膜４のオーバーコート
層として、同じ混合ターゲットから作製した５０００Ａ
厚のスパッタ膜８を有する記録媒体を作製した。この混
合ターゲットから得られるスパッタ膜の残留応力は非常
に小さく 、 １０’ｄｙｎ／ｃゴ以下と、測定限界以
下であった。この媒体について。
うに記録膜４のアンダコート層としてＭｇＦｚ４０％、
Ｓｉ０２６０％の混合ターゲットから作製した５００Ａ
厚のスパッタＷｉ７．同じく記Ｂ膜４のオーバーコート
層として、同じ混合ターゲットから作製した５０００Ａ
厚のスパッタ膜８を有する記録媒体を作製した。この混
合ターゲットから得られるスパッタ膜の残留応力は非常
に小さく 、 １０’ｄｙｎ／ｃゴ以下と、測定限界以
下であった。この媒体について。
実施例１と同じ条件でレーザ記録と消去の繰り返しの測
定を行なった。その結果を第２図の曲線Ｂで示す、即ち
、消し残りは、〜１０５回の繰り返しから生じはじめ、
１０６回の繰り返しで書きこみ信号の９０％の消去が可
能であり、実施例１よりもさらに良好な結果が得られた
。
定を行なった。その結果を第２図の曲線Ｂで示す、即ち
、消し残りは、〜１０５回の繰り返しから生じはじめ、
１０６回の繰り返しで書きこみ信号の９０％の消去が可
能であり、実施例１よりもさらに良好な結果が得られた
。
この実施例においては、ＭｇＦｚ４０％、 Ｓｉ０．８
０％を分散させた誘電体膜の例を示したが、圧縮性の誘
電体物質の３５〜６５％−引張性の誘電体物質６５〜３
５％の範囲で分散させた膜において、残留応力相殺の効
果が顕著である。
０％を分散させた誘電体膜の例を示したが、圧縮性の誘
電体物質の３５〜６５％−引張性の誘電体物質６５〜３
５％の範囲で分散させた膜において、残留応力相殺の効
果が顕著である。
このように、２種の誘′准体を相互に分散させたオーバ
コート、アンダコート層をもつ記録媒体は５ｉ０２．と
にｇｋの組み合わせばかりでなく、その他の１例えば圧
縮性応力の誘電体として、酸化アルミニウム、硫化鉛、
透’Ｊｌ炭′Ｘ膜のうちの１つおよび３１引張性応力の
誘電体として、フッ化セリウム、酸化チタン、フッ化ト
リウム、酸化ジルコニウム、フッ化鉛のうちの１つを選
んで混合したターゲットから作製した媒体についても、
その特性に及ぼす効果は同等であった。
コート、アンダコート層をもつ記録媒体は５ｉ０２．と
にｇｋの組み合わせばかりでなく、その他の１例えば圧
縮性応力の誘電体として、酸化アルミニウム、硫化鉛、
透’Ｊｌ炭′Ｘ膜のうちの１つおよび３１引張性応力の
誘電体として、フッ化セリウム、酸化チタン、フッ化ト
リウム、酸化ジルコニウム、フッ化鉛のうちの１つを選
んで混合したターゲットから作製した媒体についても、
その特性に及ぼす効果は同等であった。
なお、これらの実施例において薄膜作製法としてスパッ
タリングを中心として説明したが、作製法としてはもち
ろん真空蒸着も町濠であり、ＭｇＦ２．□、 Ｓ＋ＯＬ
等の高融点物質については電子ビーム加熱、低融点物質
については蒸着用ポートの抵抗加熱により蒸発させ、Ｆ
ｌ膜化した場合も残留応力の相殺によるレーザ記録の繰
り返し性の向上に及ぼす効果としては同等であった。
タリングを中心として説明したが、作製法としてはもち
ろん真空蒸着も町濠であり、ＭｇＦ２．□、 Ｓ＋ＯＬ
等の高融点物質については電子ビーム加熱、低融点物質
については蒸着用ポートの抵抗加熱により蒸発させ、Ｆ
ｌ膜化した場合も残留応力の相殺によるレーザ記録の繰
り返し性の向上に及ぼす効果としては同等であった。
以Ｅ、説明したように本発明の光学記録部材は、光記録
媒体のレーザ記録と消去の繰り返し性がオーバコート、
アンダコート層に用いる誘電体ｉ の材質に
強く依存することに看目し、誘電体膜の残留応力の軽減
を図ることによって高性衡化を実現したものである。高
性箋光記録媒体は究極的に１０ト回以上の書きこみ、消
去の繰り返し性が要求されると考えられ、その意味で末
完ＩＪＩの光学記録部材は、この要求条件を十分に満た
しうる材料を提供するものとして実用的な光ディスク、
光カードを製造する上で大きな利点がある。
媒体のレーザ記録と消去の繰り返し性がオーバコート、
アンダコート層に用いる誘電体ｉ の材質に
強く依存することに看目し、誘電体膜の残留応力の軽減
を図ることによって高性衡化を実現したものである。高
性箋光記録媒体は究極的に１０ト回以上の書きこみ、消
去の繰り返し性が要求されると考えられ、その意味で末
完ＩＪＩの光学記録部材は、この要求条件を十分に満た
しうる材料を提供するものとして実用的な光ディスク、
光カードを製造する上で大きな利点がある。
第１図は本発明の実施例を示す断面図。
第２図は本発明の効果を従来例と比較して示すための消
去後の規格化信号値の縁り返しによる変化を示す図、 第３図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・基板。 ２．６・・・ＭｇＦａ膜。 ３．５・・・５ｉＯＬＪｌ！！！、 ４・・・記録膜、 ７．８・・・ （ＭｇＦＬ＋５ｉＯＪ 膜。 第１図 第２図 第３図
去後の規格化信号値の縁り返しによる変化を示す図、 第３図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・基板。 ２．６・・・ＭｇＦａ膜。 ３．５・・・５ｉＯＬＪｌ！！！、 ４・・・記録膜、 ７．８・・・ （ＭｇＦＬ＋５ｉＯＪ 膜。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板と、該基板上に設けられた光を吸収して変質す
る記録層と誘電体層とを有する光学記録部材において、
前記誘電体層が残留応力の向きの異なる複数の誘電体の
複合体からなることを特徴とする光学記録部材。 ２）前記誘電体層が圧縮性残留応力を有する誘電体層と
引張性残留応力を有する誘電体層とを交互に設けてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録
部材。 ３）前記圧縮性残留応力を有する誘電体層が、硫化鉛、
酸化シリコン、酸化アルミニウム、透明炭素のうちの少
くとも一種からなり、前記引張性残留応力を有する誘電
体層がフッ化鉛、フッ化セリウム、酸化チタン、フッ化
トリウム、酸化ジルコニウムのうちの少くとも一種から
なることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光学
記録部材。 ４）前記誘電体層が圧縮性残留応力を有する誘電体材料
と引張性残留応力を有する誘電体材料を分散させてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録
部材。 ５）前記圧縮性残留応力を有する誘電体層が、硫化鉛、
酸化シリコン、酸化アルミニウム、透明炭素のうちの少
くとも一種からなり、前記引張性残留応力を有する誘電
体層がフッ化鉛、フッ化セリウム、酸化チタン、フッ化
トリウム、酸化ジルコニウム、フッ化鉛のうちの少くと
も一種からなることを特徴とする特許請求の範囲第４項
記載の光学記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214734A JPS6276037A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光学記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214734A JPS6276037A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光学記録部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276037A true JPS6276037A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16660721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214734A Pending JPS6276037A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光学記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276037A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302437A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| EP0395369A2 (en) * | 1989-04-27 | 1990-10-31 | Canon Inc. | Optical recording medium and process for production thereof |
| WO2006057116A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60214734A patent/JPS6276037A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302437A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| EP0395369A2 (en) * | 1989-04-27 | 1990-10-31 | Canon Inc. | Optical recording medium and process for production thereof |
| US5102709A (en) * | 1989-04-27 | 1992-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for production thereof |
| WO2006057116A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
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