JPS6272177A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6272177A JPS6272177A JP21283785A JP21283785A JPS6272177A JP S6272177 A JPS6272177 A JP S6272177A JP 21283785 A JP21283785 A JP 21283785A JP 21283785 A JP21283785 A JP 21283785A JP S6272177 A JPS6272177 A JP S6272177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- diaphragm
- window
- detection
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧力センサの製造方法に関し、特に圧力感度の
ばらつきのない圧力センサの製造方法に関するものであ
る。
ばらつきのない圧力センサの製造方法に関するものであ
る。
従来、圧力センサの分野では圧力感度に関して製品間の
ばらつきを低減することが大きな課題であった。当該圧
力感度のばらつきの原因として、（１）ダイアフラムの
膜厚の違い、（２）不純物濃度のばらつき等による各感
圧素子の感度の違い、（３）ダイアフラム上の感圧素子
の位置ずれ等の要因があげられる。しかし、これら（１
）〜（３）の要因の中で、特に（１）の要因が最も大き
く、圧力感度はダイア７うムの膜厚の二乗に逆比例して
変化する。以下、ダイアフラムの製造方法の従来例を図
をあげて説明し、同時にその欠点について述べる。
ばらつきを低減することが大きな課題であった。当該圧
力感度のばらつきの原因として、（１）ダイアフラムの
膜厚の違い、（２）不純物濃度のばらつき等による各感
圧素子の感度の違い、（３）ダイアフラム上の感圧素子
の位置ずれ等の要因があげられる。しかし、これら（１
）〜（３）の要因の中で、特に（１）の要因が最も大き
く、圧力感度はダイア７うムの膜厚の二乗に逆比例して
変化する。以下、ダイアフラムの製造方法の従来例を図
をあげて説明し、同時にその欠点について述べる。
第３図は従来のダイアフラム製造装置の概念図であり、
第４図はシリコン基板の異方性エツチングを示す概念図
である。第３図において、環流装置のフタ３３に備えた
ガラス管３２はその外周から冷却水３１によシ冷却され
ており、ビー力あの中に発生した蒸気が大気中に飛散し
ないようにしている。
第４図はシリコン基板の異方性エツチングを示す概念図
である。第３図において、環流装置のフタ３３に備えた
ガラス管３２はその外周から冷却水３１によシ冷却され
ており、ビー力あの中に発生した蒸気が大気中に飛散し
ないようにしている。
また、冷却水３１は吸入口３１αと吸出口３１ｂとによ
って外界と通じている。一方、ビー力あの中には、ＫＯ
Ｈ等の異方性エツチング液３５と支持台３８上に垂直に
保持されたシリコンの試料３６とが入れられている。エ
ツチングの速度を早めるために、これらはヒータ３９に
より加熱されている。このようにして、シリコンの試料
３６はエツチングされ、保護膜が除去された領域にダイ
アフラム３７が形成される。
って外界と通じている。一方、ビー力あの中には、ＫＯ
Ｈ等の異方性エツチング液３５と支持台３８上に垂直に
保持されたシリコンの試料３６とが入れられている。エ
ツチングの速度を早めるために、これらはヒータ３９に
より加熱されている。このようにして、シリコンの試料
３６はエツチングされ、保護膜が除去された領域にダイ
アフラム３７が形成される。
第４図（１１） 、 （ｂ）はそれぞれ第３図に示すシ
リコンの試料３６のエツチング前後の断面形状を示して
いる。
リコンの試料３６のエツチング前後の断面形状を示して
いる。
エツチングされる前の試料には、同図（α）に示すよう
に、シリコン基板４０を覆う保護膜４１にダイアフラム
形成のための窓４３が開けられている。また、図中の４
２ハゲージ抵抗で、イオン打込み等によりシリコン基板
４００表面に形成されている。一方、エツチング終了時
には同図（ｂ）に示すように、保護膜４１に開けられた
窓４３からシリコン基板４０がエツチングされ、薄いシ
リコンのダイアフラム３７を作製することができる。こ
の際、従来の方法では、ダイアフラム３７の厚さを制御
するのに、予め測定しておいたシリコンの単位時間当り
のエツチング率から所要の時間を計算し、この時間の間
だけエツチングを行うという方法が用いられてきた。
に、シリコン基板４０を覆う保護膜４１にダイアフラム
形成のための窓４３が開けられている。また、図中の４
２ハゲージ抵抗で、イオン打込み等によりシリコン基板
４００表面に形成されている。一方、エツチング終了時
には同図（ｂ）に示すように、保護膜４１に開けられた
窓４３からシリコン基板４０がエツチングされ、薄いシ
リコンのダイアフラム３７を作製することができる。こ
の際、従来の方法では、ダイアフラム３７の厚さを制御
するのに、予め測定しておいたシリコンの単位時間当り
のエツチング率から所要の時間を計算し、この時間の間
だけエツチングを行うという方法が用いられてきた。
しかし、この方法では、試料ごとのエツチング率のばら
つきや試料の元の厚さのばらつき等の原因により、ダイ
アフラムの厚さを精確に制御することができないという
欠点があった。従って、従来の方法により作製した圧力
センサば、そのダイアフラムの厚さのばらつきのために
、感度がばらつくということが避けられなかった。
つきや試料の元の厚さのばらつき等の原因により、ダイ
アフラムの厚さを精確に制御することができないという
欠点があった。従って、従来の方法により作製した圧力
センサば、そのダイアフラムの厚さのばらつきのために
、感度がばらつくということが避けられなかった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、感度ば
らつきのない圧力センサの製造方法を提供することにあ
る。
らつきのない圧力センサの製造方法を提供することにあ
る。
本発明は以下の（１） 、 （２）の発明からなるもの
である。すなわち、 （１）シリコン圧力センサの薄肉ダイアフラムを異方性
エツチング技術により形成する方法において、シリコン
基板面を覆う保護膜中に設けられた該ダイアフラム形成
のための窓領域の他に、核窓領域の大きさよりも小さな
検出用の窓領域を該保護膜の少なくとも一部に設け、両
窓領域のエツチングを同時に進行させ、該検出用の窓領
域のエツチング形状の変化を検知してダイアフラム形成
のための窓領域のエツチングの進行程度の情報を得るこ
とを特徴とする圧力センサの製造方法、＜２）シリコン
圧力センサの薄肉ダイアクラムを異方性エツチング技術
により形成する方法において、シリコン基板面を覆う保
護膜中に設けられた当該ダイアフラム形成のための窓領
域の他に、該窓領域の大きさよりも小さく、かつ各々の
大きさが異なる複数個の窓領域を一組とする検出用の窓
領域を当該保護膜の少なくとも一部に設け、両窓領域の
エツチングを同時に進行させ、該検出用の窓領域のエツ
チング形状の変化を検知してダイアフラム形成のための
窓領域のエツチングの進行程度の情報を得ることを特徴
とする圧力センサの製造方法、 である。
である。すなわち、 （１）シリコン圧力センサの薄肉ダイアフラムを異方性
エツチング技術により形成する方法において、シリコン
基板面を覆う保護膜中に設けられた該ダイアフラム形成
のための窓領域の他に、核窓領域の大きさよりも小さな
検出用の窓領域を該保護膜の少なくとも一部に設け、両
窓領域のエツチングを同時に進行させ、該検出用の窓領
域のエツチング形状の変化を検知してダイアフラム形成
のための窓領域のエツチングの進行程度の情報を得るこ
とを特徴とする圧力センサの製造方法、＜２）シリコン
圧力センサの薄肉ダイアクラムを異方性エツチング技術
により形成する方法において、シリコン基板面を覆う保
護膜中に設けられた当該ダイアフラム形成のための窓領
域の他に、該窓領域の大きさよりも小さく、かつ各々の
大きさが異なる複数個の窓領域を一組とする検出用の窓
領域を当該保護膜の少なくとも一部に設け、両窓領域の
エツチングを同時に進行させ、該検出用の窓領域のエツ
チング形状の変化を検知してダイアフラム形成のための
窓領域のエツチングの進行程度の情報を得ることを特徴
とする圧力センサの製造方法、 である。
本発明の圧力センサの製造方法では、エツチングをうけ
る試料表面の保護膜中において前記ダイアフラム形成の
ための窓領域の他に検出用の窓領域が新たに開けられた
試料を用いてエツチングを行っている。以下、本発明の
ダイアフラムの製造方法の原理を第２図（ＯＬ）〜（ｃ
）を用いて説明する。同図は試料の断面の概念図を示し
たものであり、第４図と同一番号は同一構成要素を示し
ている。第２図（ｃＬ）に示すように、エツチングをう
ける試料は予め、ダイアフラム形成のための窓領域４３
と検出用の窓領域２０とが保護膜４１に設けられている
。エツチングの進行途中の段階では、同図（ｂ）に示す
ように、ダイアフラムのための穴２１と検出用の穴２２
とが等シいエツチング率で形成される。このとき、検出
用の穴２２の底面２３は平らな形状を有している。
る試料表面の保護膜中において前記ダイアフラム形成の
ための窓領域の他に検出用の窓領域が新たに開けられた
試料を用いてエツチングを行っている。以下、本発明の
ダイアフラムの製造方法の原理を第２図（ＯＬ）〜（ｃ
）を用いて説明する。同図は試料の断面の概念図を示し
たものであり、第４図と同一番号は同一構成要素を示し
ている。第２図（ｃＬ）に示すように、エツチングをう
ける試料は予め、ダイアフラム形成のための窓領域４３
と検出用の窓領域２０とが保護膜４１に設けられている
。エツチングの進行途中の段階では、同図（ｂ）に示す
ように、ダイアフラムのための穴２１と検出用の穴２２
とが等シいエツチング率で形成される。このとき、検出
用の穴２２の底面２３は平らな形状を有している。
しかし、さらにエツチングを行ってダイアフラム３７が
所定の厚さに達したとき、同図（ｃ）に示すように検出
用の穴２２の底面２３は尖頭の形状となる。このときの
エツチング深さ五と検出用の窓領域２０の大きさαの間
には以下の関係式が成り立つ。
所定の厚さに達したとき、同図（ｃ）に示すように検出
用の穴２２の底面２３は尖頭の形状となる。このときの
エツチング深さ五と検出用の窓領域２０の大きさαの間
には以下の関係式が成り立つ。
ｈ−Ｊｊα （１）
従って、上の関係式より計算した所要のエツチング深さ
ｈに対応する大きさαをもつ検出用の窓領域２２のエツ
チングの進行を観察し、この底面２３が尖頭の形状にな
ったときに試料をエツチング装置から引き上げて、エツ
チングを停止させるものである＠ 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
ｈに対応する大きさαをもつ検出用の窓領域２２のエツ
チングの進行を観察し、この底面２３が尖頭の形状にな
ったときに試料をエツチング装置から引き上げて、エツ
チングを停止させるものである＠ 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（α）〜（ｃ）および第２図（α）〜（ｃ）は、
本発明の一実施例を示す図で、第１図はエツチング開始
から終了までの時間経過に従って試料の一部をま上から
見た図、第２図はその断面図を示したものである０図に
おいて第４図と同一番号は同一構成要素を示している。
本発明の一実施例を示す図で、第１図はエツチング開始
から終了までの時間経過に従って試料の一部をま上から
見た図、第２図はその断面図を示したものである０図に
おいて第４図と同一番号は同一構成要素を示している。
試料はエツチングを開始する前に、第１図（α）のよう
に酸化膜等の保護膜４１に写真刻印技術を用いてダイア
フラムのための窓領域４３と検出用の窓領域２０ｔ−互
いに近づけて作製し−である。これら窓領域４３および
２０には、第２図（α）に示すように保護膜４１が除去
されて、下のシリコン基板４０が表面に露出しており、
エツチング液に直接さらされる。（１００）の面方向を
もつシリコン基板面上の＜ｌｌｏ＞方向に上の窓領域４
３と２０との辺を配向させるとき、本発明の試料は、第
１図（ｂ）および第２図（ｂ）に示すようにエツチング
される（異方性エツチング）、そして、エツチングが進
むにつれて、検出用のエツチング穴部の底面２３の大き
さが減少していき、やがて同図（ｅ）に示すように尖頭
の形状を示すようになる０作業者はこの検出用の穴部の
底面２３の形状を常時観察しており、底面２３が尖頭の
形状となった瞬間に上記試料をエツチング液より引き上
げてエツチングを停止させる。この検出用の穴２２を観
察するのに以下に示す方法がある。すなわち、 １）エツチング装置の横にテレビカメラを配置しておき
、遠くはなれた位置からテレビ画面に映る像を監視する
。２）エツチング終了間際に試料をエツチング液から引
き上げ、顕微鏡により観察する。
に酸化膜等の保護膜４１に写真刻印技術を用いてダイア
フラムのための窓領域４３と検出用の窓領域２０ｔ−互
いに近づけて作製し−である。これら窓領域４３および
２０には、第２図（α）に示すように保護膜４１が除去
されて、下のシリコン基板４０が表面に露出しており、
エツチング液に直接さらされる。（１００）の面方向を
もつシリコン基板面上の＜ｌｌｏ＞方向に上の窓領域４
３と２０との辺を配向させるとき、本発明の試料は、第
１図（ｂ）および第２図（ｂ）に示すようにエツチング
される（異方性エツチング）、そして、エツチングが進
むにつれて、検出用のエツチング穴部の底面２３の大き
さが減少していき、やがて同図（ｅ）に示すように尖頭
の形状を示すようになる０作業者はこの検出用の穴部の
底面２３の形状を常時観察しており、底面２３が尖頭の
形状となった瞬間に上記試料をエツチング液より引き上
げてエツチングを停止させる。この検出用の穴２２を観
察するのに以下に示す方法がある。すなわち、 １）エツチング装置の横にテレビカメラを配置しておき
、遠くはなれた位置からテレビ画面に映る像を監視する
。２）エツチング終了間際に試料をエツチング液から引
き上げ、顕微鏡により観察する。
このとき、またエツチングが充分でないならば試料をさ
らにエツチング液に浸す０以上の操作を所要のエツチン
グ量が得られるまで繰り返す。３）エツチング装置の横
からルーペを用いて観察する、等の方法である・ 第５図および第６図は本発明の他の実施例であり、先の
第１図に示した実施例と検出用の窓領域２０の構成だけ
が異なる。これらの図において第１図と同じ番号は同一
構成要素を示している。第５図では１個の検出用の窓領
域２０を試料の保護膜４１の周辺に配置した実施例を示
した。この場合には、′検出用の窓領域２０の観察が容
易であることの他に、さらにダイアフラム用の窓領域４
３を多数配置することができるという利点がある。なお
、第５図の実施例の他に、検出用の窓領域２０を保護膜
４１の中心に配置したものも本発明に含まれることは言
うまでもない。第６図は、４個のダイアフラム用の窓領
域４３の中心に検出用の窓領域２０を１個配置した構成
を繰り返して保護膜４１の全面に配置した実施例である
。この場合には、先の第５図の実施例と異なり、シリコ
ン基板面内のエツチングのばらつきを観察することがで
き、しかも、第１図の実施例よりもダイアフラム形成の
ための窓領域４３を多数配置することができるという特
徴がある。
らにエツチング液に浸す０以上の操作を所要のエツチン
グ量が得られるまで繰り返す。３）エツチング装置の横
からルーペを用いて観察する、等の方法である・ 第５図および第６図は本発明の他の実施例であり、先の
第１図に示した実施例と検出用の窓領域２０の構成だけ
が異なる。これらの図において第１図と同じ番号は同一
構成要素を示している。第５図では１個の検出用の窓領
域２０を試料の保護膜４１の周辺に配置した実施例を示
した。この場合には、′検出用の窓領域２０の観察が容
易であることの他に、さらにダイアフラム用の窓領域４
３を多数配置することができるという利点がある。なお
、第５図の実施例の他に、検出用の窓領域２０を保護膜
４１の中心に配置したものも本発明に含まれることは言
うまでもない。第６図は、４個のダイアフラム用の窓領
域４３の中心に検出用の窓領域２０を１個配置した構成
を繰り返して保護膜４１の全面に配置した実施例である
。この場合には、先の第５図の実施例と異なり、シリコ
ン基板面内のエツチングのばらつきを観察することがで
き、しかも、第１図の実施例よりもダイアフラム形成の
ための窓領域４３を多数配置することができるという特
徴がある。
第７図（α） 、 （ｂ）および第８図（α） 、 （
ｂ）も本発明の他の実施例である。いずれも（α）が全
体図、（ｂ）は要部拡大図である。これらの図はそれぞ
れエツチングの開始と終了時における試料の表面を示し
ている。
ｂ）も本発明の他の実施例である。いずれも（α）が全
体図、（ｂ）は要部拡大図である。これらの図はそれぞ
れエツチングの開始と終了時における試料の表面を示し
ている。
本実施例では、エツチング前の試料表面にダイアフラム
のための窓領域４３と大きさの異なる４個の検出用の窓
領域２０α〜２０ｄとが配置されている。試料のエツチ
ングが進むにつれて、大きさの小さい検出用の窓領域２
侃から順にエツチングによる穴シ〜２２ｄの底が尖頭の
形状となる・今、第７図（ｂ）の２０ｃのエツチングの
穴が尖頭の形状となったときが所定のエツチング量に対
応するように２０ｃの大きさを設計したときには、エツ
チングの穴２２α〜２２ｄが第８図（ｂ）に示すような
形状となったときに試料を引き上げてエツチングを停止
させるとよいことになる０本実施例は、シリコン基板の
厚さがばらついているために試料のエツチング量が異な
る場合に適用することができる。すなわち、この場合に
はエツチングの前に試料の厚さを測定し、ダイアフラム
の所定の厚さｔ−得るためのエツチング深さｈｆこれよ
り求める。次に、このエツチング深さｈｔ−先の（１）
式に代入して検出用の窓領域の大きさαを求める。この
αに対応した大きさをもつ検出用の窓領域のエツチング
形状全観察し、底面が尖頭状になったときにエツチング
を停止して試料を引き上げる・従って、本発明の実施例
を用いるならばシリコン基板の厚さばらつきに起因する
ダイアフラムの厚さばらつきを低減することができる。
のための窓領域４３と大きさの異なる４個の検出用の窓
領域２０α〜２０ｄとが配置されている。試料のエツチ
ングが進むにつれて、大きさの小さい検出用の窓領域２
侃から順にエツチングによる穴シ〜２２ｄの底が尖頭の
形状となる・今、第７図（ｂ）の２０ｃのエツチングの
穴が尖頭の形状となったときが所定のエツチング量に対
応するように２０ｃの大きさを設計したときには、エツ
チングの穴２２α〜２２ｄが第８図（ｂ）に示すような
形状となったときに試料を引き上げてエツチングを停止
させるとよいことになる０本実施例は、シリコン基板の
厚さがばらついているために試料のエツチング量が異な
る場合に適用することができる。すなわち、この場合に
はエツチングの前に試料の厚さを測定し、ダイアフラム
の所定の厚さｔ−得るためのエツチング深さｈｆこれよ
り求める。次に、このエツチング深さｈｔ−先の（１）
式に代入して検出用の窓領域の大きさαを求める。この
αに対応した大きさをもつ検出用の窓領域のエツチング
形状全観察し、底面が尖頭状になったときにエツチング
を停止して試料を引き上げる・従って、本発明の実施例
を用いるならばシリコン基板の厚さばらつきに起因する
ダイアフラムの厚さばらつきを低減することができる。
以上、本発明についての実施例について詳細な説明を行
った。なお、前記検出用の窓領域２０の形状については
、本実施例に示した正方形に限られるものでなく、第９
図（α） 、 （ｂ）に示すような長方形でもよい、こ
の場合には、エツチングを停止させる瞬間は検出用の窓
領域２０のエツチング穴２２が第１０図（α） 、 （
ｂ）に示すように直線状の底面になったときである・検
出用の窓領域が長方形の場合には、長方形の長辺の長さ
は任意でよく、観察し易くするために、これの長さｔ−
１０ｎ程度にすることができる・ 〔発明の効果〕 以上説明したとおり、本発明によれば従来避はラレなか
った圧力センサのダイアフラムの厚さばらつきの発生を
解決することができ、感度のばらつきがない圧力センサ
を供給することが可能となり、その結果圧力センサの品
質の向上および製造コストの低減を実現することのでき
る効果は太きいものである。
った。なお、前記検出用の窓領域２０の形状については
、本実施例に示した正方形に限られるものでなく、第９
図（α） 、 （ｂ）に示すような長方形でもよい、こ
の場合には、エツチングを停止させる瞬間は検出用の窓
領域２０のエツチング穴２２が第１０図（α） 、 （
ｂ）に示すように直線状の底面になったときである・検
出用の窓領域が長方形の場合には、長方形の長辺の長さ
は任意でよく、観察し易くするために、これの長さｔ−
１０ｎ程度にすることができる・ 〔発明の効果〕 以上説明したとおり、本発明によれば従来避はラレなか
った圧力センサのダイアフラムの厚さばらつきの発生を
解決することができ、感度のばらつきがない圧力センサ
を供給することが可能となり、その結果圧力センサの品
質の向上および製造コストの低減を実現することのでき
る効果は太きいものである。
第１図（α）〜（ｃ）は本発明の一実施例を工程順に示
す要部平面図、第２図（−〜（Ｃ） Ｆｉ同断面図、第
３図は従来のエツチング装置の概念図、第４図（ｍ 、
（ｂ）は従来のダイアフラム形成工程を順に示す断面
図、第５図、第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を示
す平面図、第７図（α） 、 （ｂ）、第８図（α＞
、 （ｂ）はさらに他の実施例を示すもので（α）は平
面図、（ｂ）は要部拡大平面図、第９図（α） 、 （
ｂ）、第１０図（α） 、 （ｂ）はさらに他の実施例
を示すもので、第９図（α）はダイアフラムの窓領域、
（ｂ）は検出用の窓領域をそれぞれ示す平面図、第１０
図（α）はダイアフラム、（ｂ）は処理後の検出用窓領
域の平面図である。
す要部平面図、第２図（−〜（Ｃ） Ｆｉ同断面図、第
３図は従来のエツチング装置の概念図、第４図（ｍ 、
（ｂ）は従来のダイアフラム形成工程を順に示す断面
図、第５図、第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を示
す平面図、第７図（α） 、 （ｂ）、第８図（α＞
、 （ｂ）はさらに他の実施例を示すもので（α）は平
面図、（ｂ）は要部拡大平面図、第９図（α） 、 （
ｂ）、第１０図（α） 、 （ｂ）はさらに他の実施例
を示すもので、第９図（α）はダイアフラムの窓領域、
（ｂ）は検出用の窓領域をそれぞれ示す平面図、第１０
図（α）はダイアフラム、（ｂ）は処理後の検出用窓領
域の平面図である。
Claims (2)
- （１） シリコン圧力センサの薄肉ダイアフラムを異方
性エツチング技術により形成する方法において、シリコ
ン基板面を覆う保護膜中に設けられた該ダイアフラム形
成のための窓領域の他に、該窓領域の大きさよりも小さ
な検出用の窓領域を該保護膜の少なくとも一部に設け、
両窓領域のエツチングを同時に進行させ、該検出用の窓
領域のエツチング形状の変化を検知してダイアフラム形
成のための窓領域のエツチングの進行程度の情報を得る
ことを特徴とする圧力センサの製造方法。 - （２） シリコン圧力センサの薄肉ダイアフラムを異方
性エツチング技術により形成する方法において、シリコ
ン基板面を覆う保護膜中に設けられた当該ダイアフラム
形成のための窓領域の他に、該窓領域の大きさよりも小
さく、かつ各々の大きさが異なる複数個の窓領域を一組
とする検出用の窓領域を当該保護膜の少なくとも一部に
設け、両窓領域のエツチングを同時に進行させ、該検出
用の窓領域のエツチング形状の変化を検知してダイアフ
ラム形成のための窓領域のエツチングの進行程度の情報
を得ることを特徴とする圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212837A JPH0697698B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212837A JPH0697698B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272177A true JPS6272177A (ja) | 1987-04-02 |
| JPH0697698B2 JPH0697698B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=16629168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212837A Expired - Lifetime JPH0697698B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697698B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145810A (en) * | 1990-06-25 | 1992-09-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Fabrication process of semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied |
| JP2007301719A (ja) * | 2004-09-27 | 2007-11-22 | Idc Llc | インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835982A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPS5887844A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造法 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60212837A patent/JPH0697698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835982A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPS5887844A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145810A (en) * | 1990-06-25 | 1992-09-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Fabrication process of semiconductor pressure sensor for sensing pressure applied |
| JP2007301719A (ja) * | 2004-09-27 | 2007-11-22 | Idc Llc | インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697698B2 (ja) | 1994-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) | エツチング方法 | |
| TW201110224A (en) | Arrangements and methods for improving bevel etch repeatability among substrates | |
| EP0272853B1 (en) | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns | |
| US8847335B2 (en) | Membrane structure for electrochemical sensor | |
| JPH044525B2 (ja) | ||
| JPS6272177A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| US11740185B2 (en) | Method for detecting defects in thin film layers | |
| JPS6030896B2 (ja) | ウエ−ハ組立体 | |
| JP3040298B2 (ja) | 超純水中の微粒子数測定用のろ過装置および微粒子数測定用ろ過膜 | |
| JPH0813457B2 (ja) | 半導体切断装置 | |
| CN107256836A (zh) | 一种光刻胶黏附性的检测方法 | |
| JPH05335284A (ja) | 温度測定装置とこれを用いた温度測定方法 | |
| JPH06151887A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| TW201107767A (en) | Test apparatus of semiconductor device and method thereof | |
| JPH04148546A (ja) | ビーム寸法測定用素子及びその製造方法 | |
| JP4730884B2 (ja) | 薬剤感受性検査方法、薬剤感受性検査装置、薬剤感受性検査用のプログラムおよび薬剤感受性検査用のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPS61296242A (ja) | 部材損傷検知方法 | |
| JPS6318637A (ja) | ピンホ−ルの検出方法 | |
| KR100260243B1 (ko) | 압력센서 및 그 제조방법 | |
| JPH02112254A (ja) | 半導体ウエハ表面温度測定方法及びその装置 | |
| JPS62282444A (ja) | ウエハの厚さ検知方法及びそれを用いた薄肉化装置 | |
| JPS6083335A (ja) | ウエハ−の加工法 | |
| JPH0626944A (ja) | 薄膜の応力測定法と応力測定用試験片の製造方法及び製造装置 | |
| JPH02213764A (ja) | 欠陥の検査装置 | |
| JPH03239326A (ja) | エッチング処理方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |