JPS6267814A - ランプアニ−ル装置 - Google Patents
ランプアニ−ル装置Info
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- JPS6267814A JPS6267814A JP20803585A JP20803585A JPS6267814A JP S6267814 A JPS6267814 A JP S6267814A JP 20803585 A JP20803585 A JP 20803585A JP 20803585 A JP20803585 A JP 20803585A JP S6267814 A JPS6267814 A JP S6267814A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ランプアニール装置の構造に関する０〔従来
の技術〕 材料を所望の高温でアニールする方法としては、通常の
電気炉を用いるほかに、材料の光吸収帯の光エネルギー
を発する光源を用いたランプアニール方法がある。後者
は、前者に比べ大面積基板の処理が高温かつ瞬時に行な
える長所がある。特に最近では、半導体分野において、
シリコン基板の不純物層の活性化に頻繁に使われている
・第２図は、従来の光源にハロゲンランプを用いた赤外
線ランプアニール装置の概略断面図である。
の技術〕 材料を所望の高温でアニールする方法としては、通常の
電気炉を用いるほかに、材料の光吸収帯の光エネルギー
を発する光源を用いたランプアニール方法がある。後者
は、前者に比べ大面積基板の処理が高温かつ瞬時に行な
える長所がある。特に最近では、半導体分野において、
シリコン基板の不純物層の活性化に頻繁に使われている
・第２図は、従来の光源にハロゲンランプを用いた赤外
線ランプアニール装置の概略断面図である。
１は石英容器であり内側は赤外線に対して反射率の高い
金ばくでおおわれている◇２は試料３を支持する石英治
具である。試料５は透明石英管内にコイル状タングステ
ンフィラメントを封じこんだ棒状ランプ４から発する赤
外線により瞬間加熱が行なわれ、千度近傍の温度に数秒
で達することが可能である。
金ばくでおおわれている◇２は試料３を支持する石英治
具である。試料５は透明石英管内にコイル状タングステ
ンフィラメントを封じこんだ棒状ランプ４から発する赤
外線により瞬間加熱が行なわれ、千度近傍の温度に数秒
で達することが可能である。
本発明の半導体装置は、光源と試料との間に、光源の光
エネルギーを吸収する媒体を配置し、前記媒体の輻射熱
によりて試料のアニールをすることを特徴とする◎ 〔作 用〕 本発明の上記の構成によれば、光源によりまず媒体のア
ニールが行なわれ、アニールされた媒体からの輻射熱に
よりて、半導体薄膜を十分に加熱することが可能である
〇 〔実施例〕 第１図は、本発明におけるランプアニール装置の概略断
面図であっつ、試料３と棒状ランプ４の間に媒体５が挿
入されている。例えば、試料３が透明基板上に多結晶シ
リコン薄膜が堆積されたものである場合、媒体５として
は、赤外線吸収が十分あって瞬時加熱が可能なシリコン
基板や炭化シリコンの基板を用いることができる。光源
ランプ４により媒体５が光エネルギーの吸収をして高温
に加熱されたあと、媒体５の輻射熱により試料３も加熱
されることになる。試料５と媒体５０間隔は、数ミリメ
ートルにするのがよく、媒体５の昇温に比べて数十秒遅
れて、試料３の昇温か始まっている。
エネルギーを吸収する媒体を配置し、前記媒体の輻射熱
によりて試料のアニールをすることを特徴とする◎ 〔作 用〕 本発明の上記の構成によれば、光源によりまず媒体のア
ニールが行なわれ、アニールされた媒体からの輻射熱に
よりて、半導体薄膜を十分に加熱することが可能である
〇 〔実施例〕 第１図は、本発明におけるランプアニール装置の概略断
面図であっつ、試料３と棒状ランプ４の間に媒体５が挿
入されている。例えば、試料３が透明基板上に多結晶シ
リコン薄膜が堆積されたものである場合、媒体５として
は、赤外線吸収が十分あって瞬時加熱が可能なシリコン
基板や炭化シリコンの基板を用いることができる。光源
ランプ４により媒体５が光エネルギーの吸収をして高温
に加熱されたあと、媒体５の輻射熱により試料３も加熱
されることになる。試料５と媒体５０間隔は、数ミリメ
ートルにするのがよく、媒体５の昇温に比べて数十秒遅
れて、試料３の昇温か始まっている。
以上述べたように本発明によれば、光吸収の少ない透明
基板上の薄膜の昇温か、瞬時で高温まで行なえる他に、
透明基板上の薄膜の温度が時間こそ遅れるが媒体の温度
に追従してくるため、媒体の温度を検知して、光源ラン
プのパワーを制御することによって、透明基板上の薄膜
の温度を再現性よく容易に制御できるという効果を有す
る。
基板上の薄膜の昇温か、瞬時で高温まで行なえる他に、
透明基板上の薄膜の温度が時間こそ遅れるが媒体の温度
に追従してくるため、媒体の温度を検知して、光源ラン
プのパワーを制御することによって、透明基板上の薄膜
の温度を再現性よく容易に制御できるという効果を有す
る。
また、試料と媒体が接触していないため、試料に傷をつ
けることがなく、また媒体からの汚染もないため、半導
体材料のように汚染が極めて問題となるようなテバイス
の製作には、特に効果を発するものである０まだ、試料
の冷却を考えた場合、試料と媒体が接触していないため
、熱容量がその分小さく、冷却が容易であり、処理能力
を高めるといりた効果も有する。
けることがなく、また媒体からの汚染もないため、半導
体材料のように汚染が極めて問題となるようなテバイス
の製作には、特に効果を発するものである０まだ、試料
の冷却を考えた場合、試料と媒体が接触していないため
、熱容量がその分小さく、冷却が容易であり、処理能力
を高めるといりた効果も有する。
第１図は、本発明のランプアニール装置の一実施例を示
す概略の断面図である。 第２図は、従来のランプアニール装置を示す概略断面図
である＠ １・・・・・・石英容器 ２・・・・・・石英治具
３・・・・・・試料 ４・・・・・・光源ラン
プ５・・・媒体 以 上
す概略の断面図である。 第２図は、従来のランプアニール装置を示す概略断面図
である＠ １・・・・・・石英容器 ２・・・・・・石英治具
３・・・・・・試料 ４・・・・・・光源ラン
プ５・・・媒体 以 上
Claims (3)
- （１）光源と試料との間に、前記光源の光エネルギーを
吸収する媒体を配置したことを特徴とするランプアニー
ル装置。 - （２）前記光源がハロゲンランプであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のランプアニール装置。 - （３）前記媒体が、シリコンまたは、炭化シリコンから
なる平板であることを特徴とする特許請求の範囲１項記
載のランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803585A JPS6267814A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ランプアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803585A JPS6267814A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ランプアニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267814A true JPS6267814A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16549578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803585A Pending JPS6267814A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ランプアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267814A (ja) |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20803585A patent/JPS6267814A/ja active Pending
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