JPS6267054A - Ｎ−メチルベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 - Google Patents
Ｎ−メチルベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6267054A JPS6267054A JP60206795A JP20679585A JPS6267054A JP S6267054 A JPS6267054 A JP S6267054A JP 60206795 A JP60206795 A JP 60206795A JP 20679585 A JP20679585 A JP 20679585A JP S6267054 A JPS6267054 A JP S6267054A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- derivative
- formula
- methylbenzylaminoacetal
- methylbenzylamine
- alkali
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- Pending
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- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＮ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体の
製造方法に関し、さらに詳しくは、医薬等の製造中間体
として有用なＮ−メチルベンジルアミノアセタール誘導
体の製造方法に関する。
製造方法に関し、さらに詳しくは、医薬等の製造中間体
として有用なＮ−メチルベンジルアミノアセタール誘導
体の製造方法に関する。
１級アミンから３級アミンを合成する際に。
目的とする３級アミンよりも塩基性の高い３級アミンの
存在下でハロゲン化アルキルと反応３せる１岱は良く知
られている。
存在下でハロゲン化アルキルと反応３せる１岱は良く知
られている。
−１、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体とハロアセター
ルとから、Ｎ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体
？合成する例が報告されている（ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒ
ｏｎ、 ２４． ！２Ａ！；、 ／ ９７０年）。
ルとから、Ｎ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体
？合成する例が報告されている（ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒ
ｏｎ、 ２４． ！２Ａ！；、 ／ ９７０年）。
ここに記ａ！されている例は、下記反応式（１）で示さ
れる反応であり、基ＪＭまたは生成物自身が脱ハロゲン
化水素剤となって反応が進行する例である。この文献の
記載によると、粗収率が５７％、取得収率が６１％であ
る。
れる反応であり、基ＪＭまたは生成物自身が脱ハロゲン
化水素剤となって反応が進行する例である。この文献の
記載によると、粗収率が５７％、取得収率が６１％であ
る。
しかしながら、脱ハロゲン化水素剤として基質または生
成物χ用いる文献の方圧および、塩基性の高い３級アミ
ン、例えばトリエチルアミンを用いる方圧（・こりいて
は、収率が充分に高くないことと共に、３ＰＬアミンの
ハロゲン化水素塩と目的物との分離という厄介な問題が
存在する。
成物χ用いる文献の方圧および、塩基性の高い３級アミ
ン、例えばトリエチルアミンを用いる方圧（・こりいて
は、収率が充分に高くないことと共に、３ＰＬアミンの
ハロゲン化水素塩と目的物との分離という厄介な問題が
存在する。
そこで、本発明者らは、上記実情に鑑み鋭意検討した落
果、生成物の単離が容易で、しかも収率の高い方法を見
い出し、本発明に到達した。
果、生成物の単離が容易で、しかも収率の高い方法を見
い出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、下記一般式（Ｉ）：〔式中
１、Ｒ１、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基または隣り合う２つの基が一緒にな
ってメチレンジオキシ基−ＯＣＨ，Ｏ−を表わす。〕で
示されるＮ−メチルベンジルアミン誘導体と下記一般式
（Ｕ）： 〔式中、Ｒ５は、低級アルキル基を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。〕で示されるハロアセタールとを反応
させて下記一般式（■）二〔式中 ｆｉｌ〜ＲＳは、上
記一般式（Ｉ〕およびＣ■）で定義したとおりである。
１、Ｒ１、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基または隣り合う２つの基が一緒にな
ってメチレンジオキシ基−ＯＣＨ，Ｏ−を表わす。〕で
示されるＮ−メチルベンジルアミン誘導体と下記一般式
（Ｕ）： 〔式中、Ｒ５は、低級アルキル基を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。〕で示されるハロアセタールとを反応
させて下記一般式（■）二〔式中 ｆｉｌ〜ＲＳは、上
記一般式（Ｉ〕およびＣ■）で定義したとおりである。
〕で示されるＮ−メチルベンジルアミノアセタール誘導
体？製造するに際して、該反応χアルカリおよび水の存
在下で行うことを特徴とするＮ−メチルベンジルアミノ
アセタール誘・庫体の製造方法に存する。
体？製造するに際して、該反応χアルカリおよび水の存
在下で行うことを特徴とするＮ−メチルベンジルアミノ
アセタール誘・庫体の製造方法に存する。
の低級アルキル基は、Ｃ！〜ｃ５、更に好ましくは０１
〜Ｃ，のものが好ましい。
〜Ｃ，のものが好ましい。
本発明方法の原料であるＮ−メチルベンジルアミン誘導
体ＣＩ）は、下記反応式に従って合成できる。
体ＣＩ）は、下記反応式に従って合成できる。
（Ｉ）
Ｃ式中、Ｒ１−Ｒ４は一般式ＣＩ）で定義したとおりで
ある。ノ Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（Ｉ）の具体例を以下
に示す。
ある。ノ Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（Ｉ）の具体例を以下
に示す。
Ｎ−メチルーコーメトキシー３．４ｔ−メチレンジオ中
ジベンジルアミン Ｎ−メチル−Ｊ、４４−メチレンジオキシベンジルアミ
ン Ｎ−Ｉｆルーよ３−ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチ／Ｉ／−Ｊ、４１−ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチル−Ｊ、乞ｊ−）ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチルー−９３−メチレンジオキシ−！−メトキシ
ベンジルアミン Ｎ−メチル−３−メトキシベンジルアミン−万、ハロア
セター／Ｉ／（■）は、次式に従って、酢酸ビニル、ハ
ロゲンおよびアルコールから合成できる。
ジベンジルアミン Ｎ−メチル−Ｊ、４４−メチレンジオキシベンジルアミ
ン Ｎ−Ｉｆルーよ３−ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチ／Ｉ／−Ｊ、４１−ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチル−Ｊ、乞ｊ−）ジメトキシベンジルアミン Ｎ−メチルー−９３−メチレンジオキシ−！−メトキシ
ベンジルアミン Ｎ−メチル−３−メトキシベンジルアミン−万、ハロア
セター／Ｉ／（■）は、次式に従って、酢酸ビニル、ハ
ロゲンおよびアルコールから合成できる。
（ＩｒＪ
（式中、ＸおよびＲｓは一般式Ｃ■）で定義したとおり
である。ノ ハロアセタールＣ■）の具体例としては、クロロアセト
アルデヒドジメチルアセタール、クロロアセトアルデヒ
ドジエチルアセタール、ブロモアセトアルデヒドジメチ
ルアセタール、ブロモアセトアルデヒドジエチルアセタ
ール、ヨードアセトアルデヒドジメチルアセタール、ヨ
ードアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙ケラれ
、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（ＩＪに対してＯ，
Ｓ〜１０倍モル、好ましくはＱ、ｔ〜λ倍モＡ／便用さ
れる。
である。ノ ハロアセタールＣ■）の具体例としては、クロロアセト
アルデヒドジメチルアセタール、クロロアセトアルデヒ
ドジエチルアセタール、ブロモアセトアルデヒドジメチ
ルアセタール、ブロモアセトアルデヒドジエチルアセタ
ール、ヨードアセトアルデヒドジメチルアセタール、ヨ
ードアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙ケラれ
、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（ＩＪに対してＯ，
Ｓ〜１０倍モル、好ましくはＱ、ｔ〜λ倍モＡ／便用さ
れる。
本発明方法は、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（Ｉ）
とハロアセター／Ｌ／ｃＴ１）との反応を行う際、アル
カリおよび水の存在下で行うこと′％：特徴とする。
とハロアセター／Ｌ／ｃＴ１）との反応を行う際、アル
カリおよび水の存在下で行うこと′％：特徴とする。
使用されるアルカリとじ℃は、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属、アル
カリ土類金属の水酸化物、；炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類
金践の炭酸塩；およびナトリウムメトキシド、カリウム
メトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエト争゛
シト、ナトリウムプロポキシド、カリウムプロポキシド
、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド等のアル
カリ金属の０１〜Ｃ４アルコキシド等が挙げられ、特に
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。
化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属、アル
カリ土類金属の水酸化物、；炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類
金践の炭酸塩；およびナトリウムメトキシド、カリウム
メトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエト争゛
シト、ナトリウムプロポキシド、カリウムプロポキシド
、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド等のアル
カリ金属の０１〜Ｃ４アルコキシド等が挙げられ、特に
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。
アルカリの使用量は、ハロアセタール（ＩＩ）に対して
ｏ、 ｒ〜２０倍モル、好ましくはｏ、 ｔ −ｒ倍モ
ルである。
ｏ、 ｒ〜２０倍モル、好ましくはｏ、 ｔ −ｒ倍モ
ルである。
また、アルカリを溶解させるために、水の存在を必須と
するが、水の量は、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（
１） ／ ｇに対して０．／〜／θθθｄ５好ましくは
ｉ１７．ｊ〜１００−である。
するが、水の量は、Ｎ−メチルベンジルアミン誘導体（
１） ／ ｇに対して０．／〜／θθθｄ５好ましくは
ｉ１７．ｊ〜１００−である。
反応は、溶媒中でも無溶媒でも進行し、溶媒を用いる場
合、溶媒は反応に不活性なものであれば任意に使用でき
る。反応温度は、ｏ−ｉｔ。
合、溶媒は反応に不活性なものであれば任意に使用でき
る。反応温度は、ｏ−ｉｔ。
℃、好ましくは５０〜ｉｚｏ℃である。
反応終了後は、常法に従って分ｇ、または抽出、溶媒留
去することにより目的とするＮ−メチルベンジルアミノ
アセタール誘導体（ＩｆｆＪ’Ｙ得にとができるが、単
一することなく溶液のまま次工程に１ｆ！用することも
できる。
去することにより目的とするＮ−メチルベンジルアミノ
アセタール誘導体（ＩｆｆＪ’Ｙ得にとができるが、単
一することなく溶液のまま次工程に１ｆ！用することも
できる。
以下、本発明を実施例により史に具体的に説明するが、
不発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れない。
不発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れない。
参考例１
一一メトキシーＪ、９−メチレンジオキシベンズアルデ
ヒドｓ、ｏ９ｙ３０ｍｌのメタノールに懸濁させ、次い
で弘Ｏ％のメチルアミン水溶液弘、３／９Ｃ−当一ノを
加える。得られた反応液に！％Ｐ（１／Ｃｒｙダ（０，
７モルチノン加え、常温常圧にて水素化反応を行うと、
約一時間で水素吸収が終了し、Ｎ−メチルベンジルアミ
ン誘導体が定量的に得られる。触媒を濾過後、過剰のメ
チルアミン、生成した水および溶媒のメタノールを留去
すると、油状のＮ−メチルベンジルアミン誘導体が得ら
れた（収率１００％］。
ヒドｓ、ｏ９ｙ３０ｍｌのメタノールに懸濁させ、次い
で弘Ｏ％のメチルアミン水溶液弘、３／９Ｃ−当一ノを
加える。得られた反応液に！％Ｐ（１／Ｃｒｙダ（０，
７モルチノン加え、常温常圧にて水素化反応を行うと、
約一時間で水素吸収が終了し、Ｎ−メチルベンジルアミ
ン誘導体が定量的に得られる。触媒を濾過後、過剰のメ
チルアミン、生成した水および溶媒のメタノールを留去
すると、油状のＮ−メチルベンジルアミン誘導体が得ら
れた（収率１００％］。
得られたｌ（−メチルベンジルアミン８４体θ、ｔｇｇ
、ブロモアセトアルデヒドジメチルアセターＡ１０．９
３９ （／、／当量〕および塩基としてのトリエチルア
ミン０．７１．ｆｉ（／、ｒ当’！ｋ）Ｙ：トルエン７
．３虹に混合し、亭時間加熱還流する。
、ブロモアセトアルデヒドジメチルアセターＡ１０．９
３９ （／、／当量〕および塩基としてのトリエチルア
ミン０．７１．ｆｉ（／、ｒ当’！ｋ）Ｙ：トルエン７
．３虹に混合し、亭時間加熱還流する。
反応液を室温まで冷却した後、析出する塩ｙｔ濾過して
トルエン層ン分析したところ、目的とするＮ−メチルベ
ンジルアミノアセタール誘４体の収量は１．３０コＩで
、収率は９−優であった。
トルエン層ン分析したところ、目的とするＮ−メチルベ
ンジルアミノアセタール誘４体の収量は１．３０コＩで
、収率は９−優であった。
なお、このトルエン層には過剰のトリエチルアミン０．
２３９が含まれており、常圧蒸留で過剰のトリエチルア
ミンを留去することにより、目的とするＮ−メチルベン
ジルアミノアセタール誘導体のトルエン溶液が得られた
。
２３９が含まれており、常圧蒸留で過剰のトリエチルア
ミンを留去することにより、目的とするＮ−メチルベン
ジルアミノアセタール誘導体のトルエン溶液が得られた
。
実施例／
コーメト千ジーＪ、 ｌＩ−メチレンジオキシ−Ｎ−メ
チルベンジルアミン３λ、３ｇ、水酸化ナトリウム／２
．１！：ｇ、水Ｊｔ、ａｇおよびプロモアセトアルデヒ
ドジメチルアセタールコ９．７−ｙ（１６／当世ノヲト
ルエン６３Ｎに一括して仕込み、油浴１００℃にて３時
間７１０熱債拌した。反応液χ室温まで冷却後、トルエ
ン層を分離し、水洗後、このトルエン溶ｇｒｔ分析した
ところ、目的とする１１−メチルベンジルアミノアセタ
ール誘導体の収量はり７．−ｇ（収率ＩＱθ％〕で、そ
の他の有機物は含まれていなかった。
チルベンジルアミン３λ、３ｇ、水酸化ナトリウム／２
．１！：ｇ、水Ｊｔ、ａｇおよびプロモアセトアルデヒ
ドジメチルアセタールコ９．７−ｙ（１６／当世ノヲト
ルエン６３Ｎに一括して仕込み、油浴１００℃にて３時
間７１０熱債拌した。反応液χ室温まで冷却後、トルエ
ン層を分離し、水洗後、このトルエン溶ｇｒｔ分析した
ところ、目的とする１１−メチルベンジルアミノアセタ
ール誘導体の収量はり７．−ｇ（収率ＩＱθ％〕で、そ
の他の有機物は含まれていなかった。
実施例−〜５
実施例１において表１に示す条件ｌ変更した以外は実施
例／と全く同様にして反応を行なった。結果を表１に示
す。
例／と全く同様にして反応を行なった。結果を表１に示
す。
賢 ／
（Ｉ）
（■）比ｅ
例 実施例／において、アルカリ（ＮａＯＨＪＹ添り口しな
いで反応を行ったところ、目的物の収率は３０％であっ
た。
（■）比ｅ
例 実施例／において、アルカリ（ＮａＯＨＪＹ添り口しな
いで反応を行ったところ、目的物の収率は３０％であっ
た。
本発明方法によれば、医薬等の製造中間体として有用な
Ｎ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体ン高収率で
容易に製造することができる。
Ｎ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体ン高収率で
容易に製造することができる。
Claims (1)
- （１）下記一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４は同一でも異なつていてもよく
、水素原子、低級アルキル基または隣り合う２つの基が
一緒になつてメチレンジオキシ基−ＯＣＨ＿２Ｏ−を表
わす。〕で示されるＮ−メチルベンジルアミン誘導体と
下記一般式（II）：▲数式、化学式、表等があります▼
（II） 〔式中、Ｒ＾５は低級アルキル基を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。〕で示されるハロアセタールとを反応
させて下記一般式（III）：▲数式、化学式、表等があ
ります▼（III） 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾５は、上記一般式（ I ）および
（II）で定義したとおりである。〕で示されるＮ−メチ
ルベンジルアミノアセタール誘導体を製造するに際して
、該反応をアルカリおよび水の存在下で行うことを特徴
とするＮ−メチルベンジルアミノアセタール誘導体の製
造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206795A JPS6267054A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | Ｎ−メチルベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 |
| US06/896,961 US4769480A (en) | 1985-08-26 | 1986-08-15 | Benzylamine derivative |
| HU863589A HUT44774A (en) | 1985-08-26 | 1986-08-15 | Process for producing benzylamine derivatives |
| EP19900401305 EP0387156A3 (en) | 1985-08-26 | 1986-08-22 | A process for preparing cotarnine |
| EP86401866A EP0214051A3 (en) | 1985-08-26 | 1986-08-22 | Benzylamine derivative |
| EP19900402393 EP0404694A3 (en) | 1985-08-26 | 1986-08-22 | 4-hydroxy-8-methoxy-2-methyl-6, 7-methylenedioxy-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, and process for preparing the same |
| CA000516840A CA1309720C (en) | 1985-08-26 | 1986-08-26 | Benzylamine derivative |
| KR1019860007130A KR900000967B1 (ko) | 1985-08-26 | 1986-08-26 | 벤질아민 유도체 및 그 제법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206795A JPS6267054A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | Ｎ−メチルベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267054A true JPS6267054A (ja) | 1987-03-26 |
Family
ID=16529222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206795A Pending JPS6267054A (ja) | 1985-08-26 | 1985-09-19 | Ｎ−メチルベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267054A (ja) |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60206795A patent/JPS6267054A/ja active Pending
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