JPS6264039A - イオン注入装置用電子シヤワ−装置 - Google Patents
イオン注入装置用電子シヤワ−装置Info
- Publication number
- JPS6264039A JPS6264039A JP20347285A JP20347285A JPS6264039A JP S6264039 A JPS6264039 A JP S6264039A JP 20347285 A JP20347285 A JP 20347285A JP 20347285 A JP20347285 A JP 20347285A JP S6264039 A JPS6264039 A JP S6264039A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- target
- shower device
- electrons
- electronic shower
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン注入電荷による絶縁膜破壊を防止す
る為の電子シャワー装置に関するものである。
る為の電子シャワー装置に関するものである。
第４図は従等のイオン注入装置用電子シャワー装置を示
す模式図である。図において（１）は回転式注入用ディ
スク、（２）はディ久々チャンバ、（３）はビームライ
ンチャンバ、ｆａｌｌよビームラインチャンバ（３）に
装着された電子シャワー装置、（５）は電子シャワー用
フィラメンｌ−、［６１は電子シャワー用金属反射板（
例えばアルミ）、（７）はイオンビーム、（８）はター
ゲット（例えばシリコンウェハなど）を示す。
す模式図である。図において（１）は回転式注入用ディ
スク、（２）はディ久々チャンバ、（３）はビームライ
ンチャンバ、ｆａｌｌよビームラインチャンバ（３）に
装着された電子シャワー装置、（５）は電子シャワー用
フィラメンｌ−、［６１は電子シャワー用金属反射板（
例えばアルミ）、（７）はイオンビーム、（８）はター
ゲット（例えばシリコンウェハなど）を示す。
次に動作について説明する。回転式注入用ディスク（１
）にセットされているターゲラｌ−ｆ８１にイオンビー
ム（７）が当たると、ターゲット（８）表面がイオンに
注入電荷によってチャージアップする。このチャージア
ップしたターゲット（８）表面およびイオンビーム（７
）に電子シャワー装置（４）より発生する電子を当てる
ことによりチャージアップの中性化を図っている。電子
シャワー装置（４）はイオン注入時、電子シャワー用フ
ィラメント（５）に電流を流すことによりフィラメント
（５）から発生する熱電子を利用するとともに、この熱
電子を電子シャワー用金属反射板に当ててその二次電子
の発生をも利用してチャージアップを防止１７ている。
）にセットされているターゲラｌ−ｆ８１にイオンビー
ム（７）が当たると、ターゲット（８）表面がイオンに
注入電荷によってチャージアップする。このチャージア
ップしたターゲット（８）表面およびイオンビーム（７
）に電子シャワー装置（４）より発生する電子を当てる
ことによりチャージアップの中性化を図っている。電子
シャワー装置（４）はイオン注入時、電子シャワー用フ
ィラメント（５）に電流を流すことによりフィラメント
（５）から発生する熱電子を利用するとともに、この熱
電子を電子シャワー用金属反射板に当ててその二次電子
の発生をも利用してチャージアップを防止１７ている。
従来のイオン注入装置用電子シャワー装置ば息上のよう
に構成されているので、注入時に発生させる電子量はあ
らかじめ設定されているフィラメントの電流値によって
決まってしまい、注入中のターゲラＩ−ｆ８１のチャー
ジアップの度合により電流値の自動的に可変させること
は不可能であり、このため、ターゲット及びイオンビー
ムを適切に中性化することが困難であるとともに、電子
量がたりずにチャージアップしたり、乙ねとは逆に電子
量が多すぎて電子による負のチャージアップをおこ（７
たりするなどの問題点があった。
に構成されているので、注入時に発生させる電子量はあ
らかじめ設定されているフィラメントの電流値によって
決まってしまい、注入中のターゲラＩ−ｆ８１のチャー
ジアップの度合により電流値の自動的に可変させること
は不可能であり、このため、ターゲット及びイオンビー
ムを適切に中性化することが困難であるとともに、電子
量がたりずにチャージアップしたり、乙ねとは逆に電子
量が多すぎて電子による負のチャージアップをおこ（７
たりするなどの問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消ずろ為になされたも
ので、注入中のターゲットのチャージアップの度合を測
定し、この測定値をフィードバックすることにより、自
動的に適切な電子量をターゲット及びイオンビームに供
給することができるイオン注入装置用電子シャワー装置
を提供することを目的としている。
ので、注入中のターゲットのチャージアップの度合を測
定し、この測定値をフィードバックすることにより、自
動的に適切な電子量をターゲット及びイオンビームに供
給することができるイオン注入装置用電子シャワー装置
を提供することを目的としている。
ｒ問題点を解決するための手段〕
この発明に係るイオン注入装置用電子ンヤワー装置は、
注入中のターゲットのチャージアップの（わ 状態を測定可能な電荷容醍センサを設け、注入中は乙の
センサの出力を電子シャワー装置に一ノイードバックす
ることにより、自動的に電子シャワーの電子量を可変・
制御することを可能にしたものである。
注入中のターゲットのチャージアップの（わ 状態を測定可能な電荷容醍センサを設け、注入中は乙の
センサの出力を電子シャワー装置に一ノイードバックす
ることにより、自動的に電子シャワーの電子量を可変・
制御することを可能にしたものである。
［作用〕
この発明におけるイオン注入装置用電子シャワー装置は
電荷容量センサが注入中のターゲットのチャージアップ
状態を測定ｊ７、この測定値を電子シャワー装置にフィ
ードバックすることにより、電子シャワーの電子量、を
注入中に自動的に可変し、ターゲット及びイオンビーム
の中性化に必要な電子量を供給する。
電荷容量センサが注入中のターゲットのチャージアップ
状態を測定ｊ７、この測定値を電子シャワー装置にフィ
ードバックすることにより、電子シャワーの電子量、を
注入中に自動的に可変し、ターゲット及びイオンビーム
の中性化に必要な電子量を供給する。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係るイＡン注入装置用シ
ャワー装置の模式図であり、図において第４図と同一符
号のものは全く同一のものを示しており、その説明は省
略する。図において、（９）はディスクチャンバ（２）
に装着されている電荷容量センサである。第２図はディ
スクチャンバ（２）に装着されている電荷容量センサの
詳細な断面図を示す。
ャワー装置の模式図であり、図において第４図と同一符
号のものは全く同一のものを示しており、その説明は省
略する。図において、（９）はディスクチャンバ（２）
に装着されている電荷容量センサである。第２図はディ
スクチャンバ（２）に装着されている電荷容量センサの
詳細な断面図を示す。
第２図において、（１０）は金属電極、（１１）は電極
（１０）とチャンバ（２）を絶縁する為のインシュレー
タ、（１２）は電極取り付は台、（１３）ｌよＯリング
、（１４）はエポキシ樹脂で、このＯリング（１３）及
びエポキシ樹脂（１４）によりディスクチャンバ（２）
と電荷容量センサ取り付は部をシールしディスクチャン
バ（２）の真空を保っている。（１５）は電子シャワー
装置（４）内に設けられた制御回路で、電子シャワー用
フイラメンｌ−（５１に流れる電流の大きさを制御する
。
（１０）とチャンバ（２）を絶縁する為のインシュレー
タ、（１２）は電極取り付は台、（１３）ｌよＯリング
、（１４）はエポキシ樹脂で、このＯリング（１３）及
びエポキシ樹脂（１４）によりディスクチャンバ（２）
と電荷容量センサ取り付は部をシールしディスクチャン
バ（２）の真空を保っている。（１５）は電子シャワー
装置（４）内に設けられた制御回路で、電子シャワー用
フイラメンｌ−（５１に流れる電流の大きさを制御する
。
（１５ａ）は電極からの導入線で電子シャワー装置（４
）内の制御回路（１５）に導かれ、チャージアップの状
態を電子シャワー装Ｍ（４）にフィードバックする。
）内の制御回路（１５）に導かれ、チャージアップの状
態を電子シャワー装Ｍ（４）にフィードバックする。
次に動作について説明する。ディスクチャンバ（２）に
装着された電荷容量センサ（９）の動作原理を第３図に
示す。イオン注入電荷によりチャージアップしたターゲ
ラ１． （１６１が電荷容量センサの金属電極（７）に
近づいて来ると電極には負電荷が生ずる為、計測器（１
８） （例えばシンクロスコープ）には第３図（ａ）の
様な電流を生ずる。さらに、金属電極（１７）とチャー
ジアップ（７たクーゲット（１６）が完全に向かい合う
位置では電流値は第３図（ｂ）の様に０となる。さらに
、電極（１７）からターゲラ１−（１６）が離れて行く
場合では第３図（ｅ）の様に同図の（、） とは逆の電
流を生ずる。この電荷容量センサに生ずる電流値はター
ゲットのチャージアップの度合と比例する。
装着された電荷容量センサ（９）の動作原理を第３図に
示す。イオン注入電荷によりチャージアップしたターゲ
ラ１． （１６１が電荷容量センサの金属電極（７）に
近づいて来ると電極には負電荷が生ずる為、計測器（１
８） （例えばシンクロスコープ）には第３図（ａ）の
様な電流を生ずる。さらに、金属電極（１７）とチャー
ジアップ（７たクーゲット（１６）が完全に向かい合う
位置では電流値は第３図（ｂ）の様に０となる。さらに
、電極（１７）からターゲラ１−（１６）が離れて行く
場合では第３図（ｅ）の様に同図の（、） とは逆の電
流を生ずる。この電荷容量センサに生ずる電流値はター
ゲットのチャージアップの度合と比例する。
ここで、再び第１図及び第２図に戻って説明すると、第
３図の金属電極（１７）に相当する金属電極（１０）に
は、ターゲットのチャージアップの度合に比例した電流
値が得られるので、この電流値を導入線（１５ａ）を介
して制御回路（１５）に導き、ここでその電流値をその
まま、又は電圧変換したものに基づいて、電子シャワー
用フィラメント（５）に流れる電流を制御し、これによ
り、ターゲラｌ−ｆ８１のチャージアップの度合に応じ
た電子量が自動的に設定され、ターゲット（８）及びイ
オンビーム（７）のいずれも適性に中性化される。
３図の金属電極（１７）に相当する金属電極（１０）に
は、ターゲットのチャージアップの度合に比例した電流
値が得られるので、この電流値を導入線（１５ａ）を介
して制御回路（１５）に導き、ここでその電流値をその
まま、又は電圧変換したものに基づいて、電子シャワー
用フィラメント（５）に流れる電流を制御し、これによ
り、ターゲラｌ−ｆ８１のチャージアップの度合に応じ
た電子量が自動的に設定され、ターゲット（８）及びイ
オンビーム（７）のいずれも適性に中性化される。
以トのようにこの発明によれば、ターゲットのチャージ
アップ状態を注入時に常時電荷容量センサてモニタし、
そのモニタ値をフィー１’バツクすることにより電子シ
ャワーの電子量を自動的にコントロールするように構成
したので、ターゲラ１、及びイオンビームを適切に中性
化する乙とができる。
アップ状態を注入時に常時電荷容量センサてモニタし、
そのモニタ値をフィー１’バツクすることにより電子シ
ャワーの電子量を自動的にコントロールするように構成
したので、ターゲラ１、及びイオンビームを適切に中性
化する乙とができる。
第１図はこの発明の一実施例による注入装置用電子シャ
ワー装置を示す断面図、第２図は電荷容量センサの一実
施例におけろ断面図、第３図は電荷容量センサの動作原
理を示す図、第４図は従来のイオン注入装置用電子シャ
ワー装置を示す模式（１） 回転式注入用ディスク、
（２） ディスクチャンバ、（３＋ ビームライン
チャンバ、（４１・電子シャワー装置、（５）電子シャ
ワー用フイラメンｌ−、（８１ターゲツト、（９）
電荷￥！４凰センサ。 なお、各図中間−符号ｆａｔ同一または相当部分を示す
。
ワー装置を示す断面図、第２図は電荷容量センサの一実
施例におけろ断面図、第３図は電荷容量センサの動作原
理を示す図、第４図は従来のイオン注入装置用電子シャ
ワー装置を示す模式（１） 回転式注入用ディスク、
（２） ディスクチャンバ、（３＋ ビームライン
チャンバ、（４１・電子シャワー装置、（５）電子シャ
ワー用フイラメンｌ−、（８１ターゲツト、（９）
電荷￥！４凰センサ。 なお、各図中間−符号ｆａｔ同一または相当部分を示す
。
Claims (1)
- イオン注入装置用電子シャワー装置において、イオンが
打ち込まれるターゲットの表面の電荷状態を測定する電
荷容量センサを設け、該センサの出力のフィードバック
に基づいて自動的に電子両を可変・制御することを可能
にしたことを特徴とするイオン注入装置用電子シャワー
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347285A JPS6264039A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | イオン注入装置用電子シヤワ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347285A JPS6264039A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | イオン注入装置用電子シヤワ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264039A true JPS6264039A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16474705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20347285A Pending JPS6264039A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | イオン注入装置用電子シヤワ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393141A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215745A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-24 | イ−トン コ−ポレ−シヨン | 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 |
| JPS6218020A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20347285A patent/JPS6264039A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215745A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-24 | イ−トン コ−ポレ−シヨン | 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 |
| JPS6218020A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393141A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
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