JP3074851B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JP3074851B2 JP3074851B2 JP03269117A JP26911791A JP3074851B2 JP 3074851 B2 JP3074851 B2 JP 3074851B2 JP 03269117 A JP03269117 A JP 03269117A JP 26911791 A JP26911791 A JP 26911791A JP 3074851 B2 JP3074851 B2 JP 3074851B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入されるべ
き基板に電子を供給してイオン注入に伴う基板の帯電
（チャージアップ）を防止する中性化手段を備えるイオ
ン注入装置に関する。
き基板に電子を供給してイオン注入に伴う基板の帯電
（チャージアップ）を防止する中性化手段を備えるイオ
ン注入装置に関する。
【０００２】
【背景となる技術】この種のイオン注入装置であって、
ホルダに流れるホルダ電流を応答性良く制御することが
でき、しかもフィラメントの寿命の長いイオン注入装置
が同一出願人によって別途提案されている。その一例を
図３を参照して説明する。
ホルダに流れるホルダ電流を応答性良く制御することが
でき、しかもフィラメントの寿命の長いイオン注入装置
が同一出願人によって別途提案されている。その一例を
図３を参照して説明する。
【０００３】このイオン注入装置は、基本的には、真空
容器４内において、ホルダ７に保持された基板８にイオ
ンビーム２を照射してそれにイオン注入を行うよう構成
されている。
容器４内において、ホルダ７に保持された基板８にイオ
ンビーム２を照射してそれにイオン注入を行うよう構成
されている。
【０００４】また、ホルダ７の周囲から上流側にかけて
ファラデーケース６を設けて、これとホルダ電流計測器
の一例であるホルダ電流計測抵抗２２を介したホルダ７
とを互いに電気的に並列接続してビーム電流計測器３０
に接続しており、それによってイオンビーム２のビーム
電流Ｉb の計測を正確に行なえるようにしている。
ファラデーケース６を設けて、これとホルダ電流計測器
の一例であるホルダ電流計測抵抗２２を介したホルダ７
とを互いに電気的に並列接続してビーム電流計測器３０
に接続しており、それによってイオンビーム２のビーム
電流Ｉb の計測を正確に行なえるようにしている。
【０００５】一方、イオンビーム２の照射に伴って基板
８の表面が正に帯電して放電等の不具合が発生するのを
防止するために、次のような中性化手段を設けている。
即ち、ファラデーケース６の側部にフィラメント１０を
設け、これから放出させた一次電子１１をこの例ではフ
ァラデーケース６の内壁に当ててそこから二次電子１２
を放出させ、この二次電子１２を基板８に供給してイオ
ンビーム２による正電荷を中和させるようにしている。
フィラメント１０は、この例では箱状をしていてファラ
デーケース６内側にフィラメント１０に沿う開口部１４
ａを有するゲート１４によって囲まれている。１６は絶
縁物である。
８の表面が正に帯電して放電等の不具合が発生するのを
防止するために、次のような中性化手段を設けている。
即ち、ファラデーケース６の側部にフィラメント１０を
設け、これから放出させた一次電子１１をこの例ではフ
ァラデーケース６の内壁に当ててそこから二次電子１２
を放出させ、この二次電子１２を基板８に供給してイオ
ンビーム２による正電荷を中和させるようにしている。
フィラメント１０は、この例では箱状をしていてファラ
デーケース６内側にフィラメント１０に沿う開口部１４
ａを有するゲート１４によって囲まれている。１６は絶
縁物である。
【０００６】フィラメント１０の両端部間には、その加
熱用のフィラメント電源１８が接続されている。フィラ
メント１０とファラデーケース６との間には、フィラメ
ント１０から一次電子１１を引き出すための直流のエミ
ッション電源２０がフィラメント１０を負側にして接続
されている。更に、この先行例の特徴として、ゲート１
４とファラデーケース６等との間に、前者を負側にし
て、直流の電圧可変のゲート電源３２が接続されてい
る。そして、フィラメント１０の電位Ｅe 、ゲート１４
の電位Ｅg およびファラデーケース６の電位Ｅfの関係
が、例えば図４に示すように、 Ｅe ＜Ｅg ＜Ｅf になるようにしている。
熱用のフィラメント電源１８が接続されている。フィラ
メント１０とファラデーケース６との間には、フィラメ
ント１０から一次電子１１を引き出すための直流のエミ
ッション電源２０がフィラメント１０を負側にして接続
されている。更に、この先行例の特徴として、ゲート１
４とファラデーケース６等との間に、前者を負側にし
て、直流の電圧可変のゲート電源３２が接続されてい
る。そして、フィラメント１０の電位Ｅe 、ゲート１４
の電位Ｅg およびファラデーケース６の電位Ｅfの関係
が、例えば図４に示すように、 Ｅe ＜Ｅg ＜Ｅf になるようにしている。
【０００７】またこの例では、ホルダ７等とビーム電流
計測器３０との間に、ホルダ７等に正のバイアス電圧を
与えて二次電子１２をホルダ７上の基板８に効率良く導
くためのホルダバイアス電圧２６と、ファラデーケース
６に正のバイアス電圧を与えてそれから二次電子１２を
逃がさないためのファラデーバイアス電圧２８とが直列
に挿入されているが、これらの電源２６、２８は省略さ
れる場合もある。
計測器３０との間に、ホルダ７等に正のバイアス電圧を
与えて二次電子１２をホルダ７上の基板８に効率良く導
くためのホルダバイアス電圧２６と、ファラデーケース
６に正のバイアス電圧を与えてそれから二次電子１２を
逃がさないためのファラデーバイアス電圧２８とが直列
に挿入されているが、これらの電源２６、２８は省略さ
れる場合もある。
【０００８】基板８に対するイオン注入の際、前記ホル
ダ電流計測抵抗２２には、イオンビーム２によるビーム
電流Ｉb と二次電子１２による二次電子電流Ｉ2 を合成
したホルダ電流Ｉh （＝Ｉb −Ｉ2 ）が流れるが、これ
を中性化制御回路２４に取り込み、この中性化制御回路
２４によってゲート電源３２を制御してその出力電圧Ｖ
g を変化させることによって、次のような原理でフィラ
メント１０から放出する一次電子１１の量ひいては二次
電子１２の量を制御し、それによってホルダ電流Ｉh が
所望の一定値（通常は０に近い値）になるようにして基
板８の帯電防止を行うようにしている。
ダ電流計測抵抗２２には、イオンビーム２によるビーム
電流Ｉb と二次電子１２による二次電子電流Ｉ2 を合成
したホルダ電流Ｉh （＝Ｉb −Ｉ2 ）が流れるが、これ
を中性化制御回路２４に取り込み、この中性化制御回路
２４によってゲート電源３２を制御してその出力電圧Ｖ
g を変化させることによって、次のような原理でフィラ
メント１０から放出する一次電子１１の量ひいては二次
電子１２の量を制御し、それによってホルダ電流Ｉh が
所望の一定値（通常は０に近い値）になるようにして基
板８の帯電防止を行うようにしている。
【０００９】即ち、従来は一次電子１１の量を制御する
のにフィラメント電流を制御していたのであるが、これ
には応答性が悪い、フィラメント１０の寿命が短い等の
問題があり、これを解決するためにこの先行例では、ゲ
ート電源３２を設けてその出力電圧Ｖg を制御するよう
にしている。
のにフィラメント電流を制御していたのであるが、これ
には応答性が悪い、フィラメント１０の寿命が短い等の
問題があり、これを解決するためにこの先行例では、ゲ
ート電源３２を設けてその出力電圧Ｖg を制御するよう
にしている。
【００１０】上記フィラメント１０から放出される一次
電子１１の量は、空間電荷制限領域では、ゲート電位Ｅ
g とフィラメント電位Ｅe との差によって決まり、一次
電子電流Ｉ1 で表すと次のようになる。Ｋは定数であ
る。 Ｉ1 ＝Ｋ・（Ｅg −Ｅe ）3/2
電子１１の量は、空間電荷制限領域では、ゲート電位Ｅ
g とフィラメント電位Ｅe との差によって決まり、一次
電子電流Ｉ1 で表すと次のようになる。Ｋは定数であ
る。 Ｉ1 ＝Ｋ・（Ｅg −Ｅe ）3/2
【００１１】従って、ゲート電源３２の出力電圧Ｖg を
変化させてゲート電位Ｅg を制御することにより、フィ
ラメント電流を一定に保っておいても、フィラメント１
０から放出される一次電子１１の量を、ひいては二次電
子１２の量を制御することができる。しかもこの制御
は、電界による制御であるため、従来のフィラメント電
流による制御に比べて、応答性が非常に良い。
変化させてゲート電位Ｅg を制御することにより、フィ
ラメント電流を一定に保っておいても、フィラメント１
０から放出される一次電子１１の量を、ひいては二次電
子１２の量を制御することができる。しかもこの制御
は、電界による制御であるため、従来のフィラメント電
流による制御に比べて、応答性が非常に良い。
【００１２】上記のようにして放出された一次電子１１
は、ゲート１４とファラデーケース６との間の電界で
（即ちファラデーケース電位Ｅf とゲート電位Ｅg との
差で）更に加速されて（即ち２段加速されて）ファラデ
ーケース６に衝突し、そこから二次電子１２を放出させ
る。この二次電子１２によって基板８のイオンビーム２
による帯電を防止することができ、しかもこの例の場
合、ゲート電源３２の出力電圧Ｖg を制御することによ
り、ホルダ電流Ｉh を応答性良く制御して、基板８の帯
電防止を効果的に行うことができる。また、フィラメン
ト電流は一定に保っておけば良いので、従来例のように
フィラメント電流を制御する場合に比べて、フィラメン
ト１０の寿命が長くなる。
は、ゲート１４とファラデーケース６との間の電界で
（即ちファラデーケース電位Ｅf とゲート電位Ｅg との
差で）更に加速されて（即ち２段加速されて）ファラデ
ーケース６に衝突し、そこから二次電子１２を放出させ
る。この二次電子１２によって基板８のイオンビーム２
による帯電を防止することができ、しかもこの例の場
合、ゲート電源３２の出力電圧Ｖg を制御することによ
り、ホルダ電流Ｉh を応答性良く制御して、基板８の帯
電防止を効果的に行うことができる。また、フィラメン
ト電流は一定に保っておけば良いので、従来例のように
フィラメント電流を制御する場合に比べて、フィラメン
ト１０の寿命が長くなる。
【００１３】その他、上記のような先行例には、一次
電子１１の量を変化させても二次電子１２のエネルギー
分布が変化しないので、基板８の帯電を最も効果的に防
止する条件を決めやすくなる、一次電子を加速後減速
するものに比べて、構造が単純でも十分な量の一次電子
を取り出すことができる、等の利点がある。
電子１１の量を変化させても二次電子１２のエネルギー
分布が変化しないので、基板８の帯電を最も効果的に防
止する条件を決めやすくなる、一次電子を加速後減速
するものに比べて、構造が単純でも十分な量の一次電子
を取り出すことができる、等の利点がある。
【００１４】
【発明の目的】上記中性化制御回路２４の回路構成の一
般的な例を図５に示す。即ちこの中性化制御回路２４
は、前述したホルダ電流計測抵抗２２に流れるホルダ電
流Ｉh を絶縁アンプ３４を介して取り込む一方、可変抵
抗器３６１を有するホルダ電流設定回路３６で所望のホ
ルダ電流を設定し、この両者３４、３６からの信号の差
を、演算増幅器３８３、入力抵抗３８１、３８２、時定
数決定用の抵抗３８４およびコンデンサ３８５を有する
誤差増幅回路３８で求め、この差が無くなるようにゲー
ト電源３２の出力電圧Ｖg を制御するよう構成されてお
り、これによってホルダ電流Ｉh を所望の一定値に制御
するようにしている。
般的な例を図５に示す。即ちこの中性化制御回路２４
は、前述したホルダ電流計測抵抗２２に流れるホルダ電
流Ｉh を絶縁アンプ３４を介して取り込む一方、可変抵
抗器３６１を有するホルダ電流設定回路３６で所望のホ
ルダ電流を設定し、この両者３４、３６からの信号の差
を、演算増幅器３８３、入力抵抗３８１、３８２、時定
数決定用の抵抗３８４およびコンデンサ３８５を有する
誤差増幅回路３８で求め、この差が無くなるようにゲー
ト電源３２の出力電圧Ｖg を制御するよう構成されてお
り、これによってホルダ電流Ｉh を所望の一定値に制御
するようにしている。
【００１５】ところが、基板８に照射されるイオンビー
ム２は電気的に走査されており、しかもある程度オーバ
ースキャン（ホルダ７より大きめに走査）されるため、
ホルダ７に流れるビーム電流Ｉb は例えば５００Ｈｚ程
度の台形波状になっており、そのためホルダ電流Ｉh も
台形波状になっている。このような台形波状の信号と直
流の設定信号とを単純に比較するとハンチングが起こる
が、上記誤差増幅回路３８は一応積分機能も有している
ので、ホルダ電流Ｉh の設定精度をあまり上げなければ
ハンチングを防ぐことができる。しかしそれでは、基板
８の帯電防止を正確に行うことができない。
ム２は電気的に走査されており、しかもある程度オーバ
ースキャン（ホルダ７より大きめに走査）されるため、
ホルダ７に流れるビーム電流Ｉb は例えば５００Ｈｚ程
度の台形波状になっており、そのためホルダ電流Ｉh も
台形波状になっている。このような台形波状の信号と直
流の設定信号とを単純に比較するとハンチングが起こる
が、上記誤差増幅回路３８は一応積分機能も有している
ので、ホルダ電流Ｉh の設定精度をあまり上げなければ
ハンチングを防ぐことができる。しかしそれでは、基板
８の帯電防止を正確に行うことができない。
【００１６】上記回路でホルダ電流Ｉh の設定精度を上
げるには、誤差増幅回路３８の入力抵抗３８１および３
８２の値を小さくしてループゲインを高くすれば良い
が、そうすると、直流分の設定精度だけでなく交流分の
設定精度も同様に向上してしまい、誤差増幅回路３８か
らの出力は交流成分を多く含んだ信号となり、ハンチン
グやノイズ発生の原因になる。また制御系のハンチング
を止めるために、誤差増幅回路３８内の時定数決定用の
抵抗３８４を可変にしているが、実際上は、制御系のハ
ンチングなのか、ホルダ電流Ｉh が交流であることから
発生している出力変動なのかを区別するのは難しい。
げるには、誤差増幅回路３８の入力抵抗３８１および３
８２の値を小さくしてループゲインを高くすれば良い
が、そうすると、直流分の設定精度だけでなく交流分の
設定精度も同様に向上してしまい、誤差増幅回路３８か
らの出力は交流成分を多く含んだ信号となり、ハンチン
グやノイズ発生の原因になる。また制御系のハンチング
を止めるために、誤差増幅回路３８内の時定数決定用の
抵抗３８４を可変にしているが、実際上は、制御系のハ
ンチングなのか、ホルダ電流Ｉh が交流であることから
発生している出力変動なのかを区別するのは難しい。
【００１７】そこでこの発明は、ハンチングやノイズ発
生を起こすことなくホルダ電流の設定精度を向上させる
ことができ、それによって基板の帯電防止を正確に行う
ことができるようにしたイオン注入装置を提供すること
を主たる目的とする。
生を起こすことなくホルダ電流の設定精度を向上させる
ことができ、それによって基板の帯電防止を正確に行う
ことができるようにしたイオン注入装置を提供すること
を主たる目的とする。
【００１８】
【目的達成のための手段】この発明のイオン注入装置
は、前記中性化制御回路が、前記ホルダ電流計測器で計
測したホルダ電流を積分する積分回路と、所望のホルダ
電流を設定するホルダ電流設定回路と、このホルダ電流
設定回路によって設定されたホルダ電流と前記積分回路
で積分されたホルダ電流との差を求める誤差増幅回路と
を備えることを特徴とする。
は、前記中性化制御回路が、前記ホルダ電流計測器で計
測したホルダ電流を積分する積分回路と、所望のホルダ
電流を設定するホルダ電流設定回路と、このホルダ電流
設定回路によって設定されたホルダ電流と前記積分回路
で積分されたホルダ電流との差を求める誤差増幅回路と
を備えることを特徴とする。
【００１９】
【作用】上記構成によれば、台形波状のホルダ電流を積
分回路によってほぼ直流信号に変換することができ、誤
差増幅回路は、この信号と設定信号との差を求めること
になる。その結果、当該誤差増幅回路のループゲインを
高めてホルダ電流の設定精度を高めても、当該誤差増幅
回路の出力はほぼ直流信号であるから、ハンチングやノ
イズ発生が起こらなくなる。
分回路によってほぼ直流信号に変換することができ、誤
差増幅回路は、この信号と設定信号との差を求めること
になる。その結果、当該誤差増幅回路のループゲインを
高めてホルダ電流の設定精度を高めても、当該誤差増幅
回路の出力はほぼ直流信号であるから、ハンチングやノ
イズ発生が起こらなくなる。
【００２０】
【実施例】図１は、この発明に係るイオン注入装置の中
性化制御回路の一例を示す回路図である。それ以外の機
器構成は例えば図３のものと同様であるのをそれを参照
するものとし、ここではその図示を省略している。ま
た、図５の例と同一または相当する部分には同一符号を
付し、以下においてはそれとの相違点を主に説明する。
性化制御回路の一例を示す回路図である。それ以外の機
器構成は例えば図３のものと同様であるのをそれを参照
するものとし、ここではその図示を省略している。ま
た、図５の例と同一または相当する部分には同一符号を
付し、以下においてはそれとの相違点を主に説明する。
【００２１】この実施例のイオン注入装置における中性
化制御回路２４ａは、前述した絶縁アンプ３４、ホルダ
電流設定回路３６および誤差増幅回路３８の他に、絶縁
アンプ３４からの信号を積分して誤差増幅回路３８の一
方の入力部に与える積分回路４０を備えている。この積
分回路４０は、この例では演算増幅器４０２、抵抗４０
１、４０３およびコンデンサ４０４を有している。
化制御回路２４ａは、前述した絶縁アンプ３４、ホルダ
電流設定回路３６および誤差増幅回路３８の他に、絶縁
アンプ３４からの信号を積分して誤差増幅回路３８の一
方の入力部に与える積分回路４０を備えている。この積
分回路４０は、この例では演算増幅器４０２、抵抗４０
１、４０３およびコンデンサ４０４を有している。
【００２２】このような積分回路４０を誤差増幅回路３
８の前段に設ければ、絶縁アンプ３４からの台形波状の
ホルダ電流Ｉh をほぼ直流信号に変換することができ、
誤差増幅回路３８はこの信号とホルダ電流設定回路３６
からの設定信号との差を求めることになる。
８の前段に設ければ、絶縁アンプ３４からの台形波状の
ホルダ電流Ｉh をほぼ直流信号に変換することができ、
誤差増幅回路３８はこの信号とホルダ電流設定回路３６
からの設定信号との差を求めることになる。
【００２３】その結果、誤差増幅回路３８の入力抵抗３
８１および３８２の値を小さくする等して当該誤差増幅
回路３８のループゲインを高めてホルダ電流Ｉh の設定
精度を高めても、当該誤差増幅回路３８の出力はほぼ直
流信号であるから、ハンチングやノイズ発生が起こらな
くなる。また、誤差増幅回路３８の他に積分回路４０を
設けることにより、積分回路４０における積分機能と誤
差増幅回路３８におけるハンチング止め機能とを回路上
で明確に分けることができるので、このような各機能を
各回路４０、３８が他の機能に影響されることなく追求
することができ、この意味からもホルダ電流Ｉh の設定
精度の向上とハンチング止めとを両立させることができ
る。その結果、基板８の帯電防止を正確に行うことがで
きるようになる。
８１および３８２の値を小さくする等して当該誤差増幅
回路３８のループゲインを高めてホルダ電流Ｉh の設定
精度を高めても、当該誤差増幅回路３８の出力はほぼ直
流信号であるから、ハンチングやノイズ発生が起こらな
くなる。また、誤差増幅回路３８の他に積分回路４０を
設けることにより、積分回路４０における積分機能と誤
差増幅回路３８におけるハンチング止め機能とを回路上
で明確に分けることができるので、このような各機能を
各回路４０、３８が他の機能に影響されることなく追求
することができ、この意味からもホルダ電流Ｉh の設定
精度の向上とハンチング止めとを両立させることができ
る。その結果、基板８の帯電防止を正確に行うことがで
きるようになる。
【００２４】なお、上記ゲート電源３２は、通常の電源
装置で構成しても良いが、例えば図２に示すように、ト
ランジスタ３２１と抵抗３２２を直列接続しかつこの抵
抗３２２にコンデンサ３２３を並列接続して成る回路を
前述したエミッション電源２０に並列接続することで構
成しても良い。コンデンサ３２３は当該ゲート電源３２
の交流分のインピーダンスを下げるためのものである。
この場合、トランジスタ３２１と抵抗３２２の接続部３
２４を前述したゲート１４に接続し、かつこのトランジ
スタ３２１を中性化制御回路２４ａによって制御するよ
うにする。ゲート電源３２をこのように構成すれば、構
成が極めて簡単になるので、当該ゲート電源３２のコス
トダウンを図ることができる。
装置で構成しても良いが、例えば図２に示すように、ト
ランジスタ３２１と抵抗３２２を直列接続しかつこの抵
抗３２２にコンデンサ３２３を並列接続して成る回路を
前述したエミッション電源２０に並列接続することで構
成しても良い。コンデンサ３２３は当該ゲート電源３２
の交流分のインピーダンスを下げるためのものである。
この場合、トランジスタ３２１と抵抗３２２の接続部３
２４を前述したゲート１４に接続し、かつこのトランジ
スタ３２１を中性化制御回路２４ａによって制御するよ
うにする。ゲート電源３２をこのように構成すれば、構
成が極めて簡単になるので、当該ゲート電源３２のコス
トダウンを図ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ハンチ
ングやノイズ発生を起こすことなくホルダ電流の設定精
度を高めることができ、それによって基板の帯電防止を
正確に行うことができる。
ングやノイズ発生を起こすことなくホルダ電流の設定精
度を高めることができ、それによって基板の帯電防止を
正確に行うことができる。
【００２６】この他、フィラメント電流を制御する従来
例に比べれば、前述した先行例の場合と同様、次のよう
な効果が得られる。即ち、この発明のイオン注入装置で
は、ホルダに流れるホルダ電流を応答性良く所定値に制
御することができ、それによってビーム電流が変動する
ような場合でも基板の帯電防止を効果的に行うことがで
きる。しかも、フィラメント電流は一定に保っておけば
良いので、従来例のようにフィラメント電流を制御する
場合に比べて、フィラメントの寿命が長くなる。また、
一次電子の量を制御してもそのエネルギーは一定であ
り、それによって二次電子のエネルギー分布も一定にな
るので、基板の帯電を最も効果的に防止する条件を決め
やすくなる。更に、この発明のイオン注入装置は一次電
子を２段加速する構造であるため、一次電子を加速後減
速するものに比べて、構造が単純でも十分な量の一次電
子を取り出すことができる。
例に比べれば、前述した先行例の場合と同様、次のよう
な効果が得られる。即ち、この発明のイオン注入装置で
は、ホルダに流れるホルダ電流を応答性良く所定値に制
御することができ、それによってビーム電流が変動する
ような場合でも基板の帯電防止を効果的に行うことがで
きる。しかも、フィラメント電流は一定に保っておけば
良いので、従来例のようにフィラメント電流を制御する
場合に比べて、フィラメントの寿命が長くなる。また、
一次電子の量を制御してもそのエネルギーは一定であ
り、それによって二次電子のエネルギー分布も一定にな
るので、基板の帯電を最も効果的に防止する条件を決め
やすくなる。更に、この発明のイオン注入装置は一次電
子を２段加速する構造であるため、一次電子を加速後減
速するものに比べて、構造が単純でも十分な量の一次電
子を取り出すことができる。
【図１】 この発明に係るイオン注入装置の中性化制御
回路の一例を示す回路図である。
回路の一例を示す回路図である。
【図２】 ゲート電源の他の例を示す図である。
【図３】 この発明の背景となるイオン注入装置の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 図３中のフィラメント、ゲートおよびファラ
デーケースの電位の関係の一例を示す図である。
デーケースの電位の関係の一例を示す図である。
【図５】 図３中の中性化制御回路の一般的な回路図で
ある。
ある。
２ イオンビーム ６ ファラデーケース ７ ホルダ ８ 基板 １０ フィラメント １１ 一次電子 １２ 二次電子 １４ ゲート １８ フィラメント電源 ２０ エミッション電源 ２２ ホルダ電流計測抵抗 ２４ａ 中性化制御回路 ３２ ゲート電源 ３６ ホルダ電流設定回路 ３８ 誤差増幅回路 ４０ 積分回路
Claims (1)
- 【請求項１】 フィラメントから放出させた一次電子を
ファラデーケースに当ててそこから二次電子を放出さ
せ、この二次電子をホルダ上のイオン注入されるべき基
板に供給するようにしたイオン注入装置であって、フィ
ラメントを加熱するフィラメント電源と、フィラメント
とファラデーケースとの間に前者を負側にして接続され
た直流のエミッション電源と、フィラメントを囲んでい
てファラデーケース内側に開口部を有するゲートと、こ
のゲートとファラデーケースとの間に前者を負側にして
接続された直流の電圧可変のゲート電源と、ホルダに流
れるホルダ電流を計測するホルダ電流計測器と、このホ
ルダ電流計測器によって計測さたホルダ電流が所定の値
になるように、ゲート電源から出力する電圧を制御する
中性化制御回路とを備えるものにおいて、前記中性化制
御回路が、前記ホルダ電流計測器で計測したホルダ電流
を積分する積分回路と、所望のホルダ電流を設定するホ
ルダ電流設定回路と、このホルダ電流設定回路によって
設定されたホルダ電流と前記積分回路で積分されたホル
ダ電流との差を求める誤差増幅回路とを備えることを特
徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03269117A JP3074851B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03269117A JP3074851B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0582073A JPH0582073A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3074851B2 true JP3074851B2 (ja) | 2000-08-07 |
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ID=17467918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP03269117A Expired - Fee Related JP3074851B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3074851B2 (ja) |
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1991
- 1991-09-19 JP JP03269117A patent/JP3074851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582073A (ja) | 1993-04-02 |
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