JPS6263825A - 強誘電体薄膜素子 - Google Patents
強誘電体薄膜素子Info
- Publication number
- JPS6263825A JPS6263825A JP20371185A JP20371185A JPS6263825A JP S6263825 A JPS6263825 A JP S6263825A JP 20371185 A JP20371185 A JP 20371185A JP 20371185 A JP20371185 A JP 20371185A JP S6263825 A JPS6263825 A JP S6263825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- substrate
- ferroelectric
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は配向した誘電体膜を用いた強誘電体薄膜素子に
関する。
関する。
従来の技術
温度、或いは応力などによる強誘電体の自発分極の変化
を出力としてとね出すエレクトロニクス素子では、強誘
電体の分極軸が一方向に揃っていると大きな出力が得ら
れる。そこで強誘電体は単結晶、あるいは配向膜である
ことが好ましい。ところで、近年センサの集積化が進み
、各種素子をＳｉ基板上に作製する試みが行われている
。
を出力としてとね出すエレクトロニクス素子では、強誘
電体の分極軸が一方向に揃っていると大きな出力が得ら
れる。そこで強誘電体は単結晶、あるいは配向膜である
ことが好ましい。ところで、近年センサの集積化が進み
、各種素子をＳｉ基板上に作製する試みが行われている
。
発明が解決しようとする問題点
例えば、Ｐｂ Ｔ ｚＯａ薄膜を赤外センサに応用した
例では、ＰｂＴ １０３は多結晶体薄膜になってしまい
、検出能がも１０３〜１ｏ’ａｔｔ ”）ｈ／Ｗと低く
、高い感度が得られていない（オクタ・マ（Ｏｋｕｙａ
ｍａ ）他、第１３回ソリッドステートデバイシズ プ
ロシーディング（Ｐｒｏｃ １３ ｔｈ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｌり。
例では、ＰｂＴ １０３は多結晶体薄膜になってしまい
、検出能がも１０３〜１ｏ’ａｔｔ ”）ｈ／Ｗと低く
、高い感度が得られていない（オクタ・マ（Ｏｋｕｙａ
ｍａ ）他、第１３回ソリッドステートデバイシズ プ
ロシーディング（Ｐｒｏｃ １３ ｔｈ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｌり。
３５頁（１９８１） ）。
問題点を解決するだめの手段
８１ 基板上に強誘電体となじみの良い誘電体薄膜を形
成し、その上に強誘電体薄膜を形成する。
成し、その上に強誘電体薄膜を形成する。
作 用
Ｓｉ 上には配向成長しなかった強誘電体材料が、誘電
体薄膜上で配向成長し、高性能の強誘電体素子のＳｉ
上への集積化が容易に行える。
体薄膜上で配向成長し、高性能の強誘電体素子のＳｉ
上への集積化が容易に行える。
実施例
図は本発明の一実施例において作製された強誘電体素子
の断面図である。
の断面図である。
誘電体膜２を形成した。この誘電体膜２上に、下部電極
３としてエピタキシャルｐｔ 薄膜を形成した。その後
強誘電体膜４を成長させた。強誘電体膜４上に上部電極
６としてＮｉＣｒ合金膜を蒸着した。
３としてエピタキシャルｐｔ 薄膜を形成した。その後
強誘電体膜４を成長させた。強誘電体膜４上に上部電極
６としてＮｉＣｒ合金膜を蒸着した。
基板の一部をエツチングで除去し、開口部６を形成した
。
。
Ｓｉ基板、誘電体膜、Ｐｔ下部電極９強誘電体膜の配向
の方位関係をＸ線及び電子線回折法を用いて検討した。
の方位関係をＸ線及び電子線回折法を用いて検討した。
その結果、第１表に示す方位関係が得られた。いず、１
−１−の場合も、強誘電体膜が分極軸に配向し、ていた
。
−１−の場合も、強誘電体膜が分極軸に配向し、ていた
。
ζＡ・大王 今−白）
これら薄膜素子の赤外線センサとしての特性を調べた。
検出能がの値はいずれの材料を用いた場合でも１．６〜
３．ｓ ｘ １ｏ８ｃｙｎ ”；７Ｎの範囲であり、ｓ
ｔ 上に作製された従来例（１０３〜１Ｑ４ｃｒｎ（／
Ｗ）と比較してきわめて高感度である。
３．ｓ ｘ １ｏ８ｃｙｎ ”；７Ｎの範囲であり、ｓ
ｔ 上に作製された従来例（１０３〜１Ｑ４ｃｒｎ（／
Ｗ）と比較してきわめて高感度である。
次いで薄膜圧電共振子としての特性を調べた。
共振１反共損失により、共振周波数及び厚み縦振動の電
気機械結合係数ｋｔを求めた。厚さ２．６μｍのＣ軸配
向ＰｂＴ ｉＯａ薄膜では、厚み縦振動基本波共振周波
数が７０２ ＭＨｚで電気機械結合係数ｋｔは０．６８
であった。ＰｂＴ １０ａ多結晶体膜を作成し同様の測
定を行ったところ、ｋｔはｏ、３３であった。
気機械結合係数ｋｔを求めた。厚さ２．６μｍのＣ軸配
向ＰｂＴ ｉＯａ薄膜では、厚み縦振動基本波共振周波
数が７０２ ＭＨｚで電気機械結合係数ｋｔは０．６８
であった。ＰｂＴ １０ａ多結晶体膜を作成し同様の測
定を行ったところ、ｋｔはｏ、３３であった。
発明の効果
本発明による強誘電体薄膜素子は基板としてＳｉを用い
て作製可能で、高性能であり、作製も容易である。
て作製可能で、高性能であり、作製も容易である。
図は本発明の一実施例における強誘電体薄膜素子の断面
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・誘電体膜、３・・
・・・・下部電極、４・・・・・・強誘電体膜、６・・
・・・・上部電極、６・・・・・・開口部。
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・誘電体膜、３・・
・・・・下部電極、４・・・・・・強誘電体膜、６・・
・・・・上部電極、６・・・・・・開口部。
Claims (4)
- （１）基板と、その基板上に形成された誘電体膜と、そ
の誘電体膜上に形成された下部電極と、この下部電極上
に形成された強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成さ
れた上部電極を備えた強誘電体薄膜素子。 - （２）基板としてＳｉを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の強誘電体薄膜素子。 - （３）誘電体膜がＭｇＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｒＴｉＯ
＿３、ＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＡｌＮ、のいずれ
か一種、又は、これらのうちの一種以上を主成分とした
誘電体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の強誘電体薄膜素子。 - （４）基板の一部をとり除き、薄膜のみで構成される部
分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の強誘電体薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20371185A JPS6263825A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 強誘電体薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20371185A JPS6263825A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 強誘電体薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263825A true JPS6263825A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16478582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20371185A Pending JPS6263825A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 強誘電体薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5107104A (en) * | 1989-10-18 | 1992-04-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photoelectric transducer having photosensitive chromoprotein film, i.e. bacteriorhodopsin |
| US5446285A (en) * | 1992-12-24 | 1995-08-29 | Goldstar Co., Ltd. | Human body sensing device and method for fabricating the same |
| WO1999009383A1 (en) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Sandia Corporation | Thermal infrared detector |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20371185A patent/JPS6263825A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5107104A (en) * | 1989-10-18 | 1992-04-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photoelectric transducer having photosensitive chromoprotein film, i.e. bacteriorhodopsin |
| US5446285A (en) * | 1992-12-24 | 1995-08-29 | Goldstar Co., Ltd. | Human body sensing device and method for fabricating the same |
| WO1999009383A1 (en) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Sandia Corporation | Thermal infrared detector |
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