JPS6262434U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6262434U JPS6262434U JP15401785U JP15401785U JPS6262434U JP S6262434 U JPS6262434 U JP S6262434U JP 15401785 U JP15401785 U JP 15401785U JP 15401785 U JP15401785 U JP 15401785U JP S6262434 U JPS6262434 U JP S6262434U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- ampoule
- liquid phase
- compound semiconductor
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図Ａ，Ｂは本考案に係る閉管系の形成法を
示す断面図、第２図Ａ，Ｂは従来の閉管系の形成
法をしめす断面図、である。 図において、１は第１のアンプル、２は被処理
基板、４は基板固定治具、５はメルト、６は第２
のアンプル、９，１１は閉管系、１０は石英ブロ
ツク、である。
示す断面図、第２図Ａ，Ｂは従来の閉管系の形成
法をしめす断面図、である。 図において、１は第１のアンプル、２は被処理
基板、４は基板固定治具、５はメルト、６は第２
のアンプル、９，１１は閉管系、１０は石英ブロ
ツク、である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 蒸気圧の高い化合物半導体のエピタキシヤル成
長を行う装置が、 石英よりなる第１のアンプル１の中に被処理基
板２を装着した基板固定治具４と、 液相成長を行う化合物半導体よりなるメルト５
と、 を収納した後、前記第１のアンプル１の内径に嵌
合する石英ブロツク１０を備えた石英棒８の挿入
を行い、該嵌合部で封着した閉管系１１を用いて
なることを特徴とする液相エピタキシヤル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15401785U JPS6262434U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15401785U JPS6262434U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262434U true JPS6262434U (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=31073428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15401785U Pending JPS6262434U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262434U (ja) |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP15401785U patent/JPS6262434U/ja active Pending
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