JPS626137Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS626137Y2 JPS626137Y2 JP1982004400U JP440082U JPS626137Y2 JP S626137 Y2 JPS626137 Y2 JP S626137Y2 JP 1982004400 U JP1982004400 U JP 1982004400U JP 440082 U JP440082 U JP 440082U JP S626137 Y2 JPS626137 Y2 JP S626137Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- material solution
- hole
- epitaxial growth
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、１回の液相エピタキシヤル成長工程
において、複数枚のエピタキシヤルウエーハを製
造する液相エピタキシヤル成長装置の部品に関す
るものである。
において、複数枚のエピタキシヤルウエーハを製
造する液相エピタキシヤル成長装置の部品に関す
るものである。
１回の液相エピタキシヤル成長工程において、
複数枚のエピタキシヤルウエーハを製造する装置
としては、第１図にその断面構造を示すように、
半導体基板５を収納する凹部４と、原料溶液６を
収納する貫通孔３を有するスライダー１を基台２
の上に複数枚積層する。ところが積層するスライ
ダー１の枚数が多くなると、原料溶液６の深さは
１cm以上になる。そのために原料溶液６の組成は
原料溶液６の上部と下部とで溶媒と溶質の比重差
及び初期の収納状態によつて均一になりにくい。
その結果、第１図の構造の装置を用いて、エピタ
キシヤルウエーハを製造した場合、上部のスライ
ダーと下部のスライダーとで、エピタキシヤル成
長層の特性が大きく異なるという不具合を生じ
る。
複数枚のエピタキシヤルウエーハを製造する装置
としては、第１図にその断面構造を示すように、
半導体基板５を収納する凹部４と、原料溶液６を
収納する貫通孔３を有するスライダー１を基台２
の上に複数枚積層する。ところが積層するスライ
ダー１の枚数が多くなると、原料溶液６の深さは
１cm以上になる。そのために原料溶液６の組成は
原料溶液６の上部と下部とで溶媒と溶質の比重差
及び初期の収納状態によつて均一になりにくい。
その結果、第１図の構造の装置を用いて、エピタ
キシヤルウエーハを製造した場合、上部のスライ
ダーと下部のスライダーとで、エピタキシヤル成
長層の特性が大きく異なるという不具合を生じ
る。
本考案は、上記の従来の装置の欠点を解消する
ための液相エピタキシヤル成長装置部品を提供す
るもので、原料溶液の深さが１cm以上となる液相
エピタキシヤル成長装置において、上記原料溶液
を収納すべき原料溶液溜め内の突出する部位を有
し、この突出部位には原料溶液の深さ方向に垂直
なる細長い貫通孔が少なくとも１つ形成されてお
り、上記原料溶液の深さ方向に対して垂直な方向
に往復移動可能で、かつ移動方向と原料溶液の深
さ方向にとつた貫通孔の断面が移動方向に対して
10゜の傾きを有することを特徴とする。
ための液相エピタキシヤル成長装置部品を提供す
るもので、原料溶液の深さが１cm以上となる液相
エピタキシヤル成長装置において、上記原料溶液
を収納すべき原料溶液溜め内の突出する部位を有
し、この突出部位には原料溶液の深さ方向に垂直
なる細長い貫通孔が少なくとも１つ形成されてお
り、上記原料溶液の深さ方向に対して垂直な方向
に往復移動可能で、かつ移動方向と原料溶液の深
さ方向にとつた貫通孔の断面が移動方向に対して
10゜の傾きを有することを特徴とする。
第２図りりに本考案に基づく液相エピタキシヤ
ル成長装置部品の実施例を示して説明する。
ル成長装置部品の実施例を示して説明する。
同図においてａは正面図、ｂは側面図、ｃはｂ
のＡ−A′断面図である。突出部８は部品本体７
に設けられており、細長い貫通孔９が原料溶液６
の深さ方向に垂直に形成されている。突出部８を
原料溶液中に挿入した状態で、部品本体７を原料
溶液の深さ方向に垂直な方向に移動することによ
り突出部８が原料溶液中を移動する。この時原料
溶液は突出部８に形成された貫通孔９を通過し、
乱流を生じることにより撹拌均一化される。
のＡ−A′断面図である。突出部８は部品本体７
に設けられており、細長い貫通孔９が原料溶液６
の深さ方向に垂直に形成されている。突出部８を
原料溶液中に挿入した状態で、部品本体７を原料
溶液の深さ方向に垂直な方向に移動することによ
り突出部８が原料溶液中を移動する。この時原料
溶液は突出部８に形成された貫通孔９を通過し、
乱流を生じることにより撹拌均一化される。
この時貫通孔９が移動方向に対して10゜以上の
傾きを有するために、下部と上部の原料溶液が効
果的に混合され、極めて均一な組成の原料溶液が
得られる。
傾きを有するために、下部と上部の原料溶液が効
果的に混合され、極めて均一な組成の原料溶液が
得られる。
その結果、各スライダーごとのエピタキシヤル
成長層の差は、本考案の部品を用いない場合に比
べ1/5以下のバラツキに納めることができるよう
になり、その実用的効果は大きい。
成長層の差は、本考案の部品を用いない場合に比
べ1/5以下のバラツキに納めることができるよう
になり、その実用的効果は大きい。
第１図は、本考案に基づく部品を使用しない従
来の液相エピタキシヤル成長装置の断面構造図、
第２図は本考案に基づく液相エピタキシヤル成長
装置部品の一実施例説明図で、ａは正面図、ｂは
側面図、ｃはｂのＡ−A′び断面図である。 ７……本考案に基づく部品本体、８……突出
部、９……突出部に形成された貫通孔。
来の液相エピタキシヤル成長装置の断面構造図、
第２図は本考案に基づく液相エピタキシヤル成長
装置部品の一実施例説明図で、ａは正面図、ｂは
側面図、ｃはｂのＡ−A′び断面図である。 ７……本考案に基づく部品本体、８……突出
部、９……突出部に形成された貫通孔。
Claims (1)
- 原料溶液の深さが１cm以上となる液相エピタキ
シヤル成長装置において、上記原料溶液を収納す
べき原料溶液溜め内へ突出する部位を有し、該突
出部位には原料溶液の深さ方向に垂直なる細長い
貫通孔が少なくとも１つ形成されており、上記原
料溶液の深さ方向に対して垂直な方向に往復移動
可能で、かつ移動方向及び原料溶液の深さ方向に
とつた該貫通孔の断面が移動方向に対して、10゜
以上の傾きを有することを特徴とする液相エピタ
キシヤル成長装置部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP440082U JPS58110070U (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 液相エピタキシヤル成長装置部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP440082U JPS58110070U (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 液相エピタキシヤル成長装置部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110070U JPS58110070U (ja) | 1983-07-27 |
| JPS626137Y2 true JPS626137Y2 (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=30017247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP440082U Granted JPS58110070U (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 液相エピタキシヤル成長装置部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110070U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5129384A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ekisoepitakisharuseichoho |
| JPS5247422U (ja) * | 1975-09-30 | 1977-04-04 |
-
1982
- 1982-01-16 JP JP440082U patent/JPS58110070U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5129384A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ekisoepitakisharuseichoho |
| JPS5247422U (ja) * | 1975-09-30 | 1977-04-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58110070U (ja) | 1983-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS626137Y2 (ja) | ||
| JPS6059257U (ja) | 処理液タンク | |
| JPS5843588Y2 (ja) | アイスクリ−ム用コ−ンの保形具 | |
| JPS5925075U (ja) | 蓄冷体 | |
| JPH0369227U (ja) | ||
| JPS6115730U (ja) | 半導体液相エピタキシヤル成長用ボ−ト | |
| JPH079376Y2 (ja) | （１００）面異方性エッチング加工マスク | |
| JPS58163570U (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS59144560U (ja) | 試料容器 | |
| JPS5935380Y2 (ja) | 合成樹脂板が複合されてなる基板装置 | |
| JPS6059528U (ja) | 液相エピタキシアル成長装置 | |
| JPS589682B2 (ja) | 気液接触用充填材の積み重ね方法 | |
| JPS6089281U (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0165869U (ja) | ||
| JPS60193970U (ja) | 液相成長用ボ−ト | |
| JPS5961531U (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS62186423U (ja) | ||
| JPS6025139U (ja) | 液相エピタキシャル成長用ボ−ト | |
| JPH0165868U (ja) | ||
| JPS58110069U (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置部品 | |
| JPH0221733U (ja) | ||
| JPS6092822U (ja) | 半導体素子の液相結晶装置 | |
| JPS59157678U (ja) | ひげ剃り器用保持具 | |
| JPS59127243U (ja) | 半導体ウエ−ハ収容用具 | |
| JPS59130614U (ja) | 小型化粧品収納装置 |