JPS6115730U - 半導体液相エピタキシヤル成長用ボ−ト - Google Patents

半導体液相エピタキシヤル成長用ボ−ト

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Publication number
JPS6115730U
JPS6115730U JP9905284U JP9905284U JPS6115730U JP S6115730 U JPS6115730 U JP S6115730U JP 9905284 U JP9905284 U JP 9905284U JP 9905284 U JP9905284 U JP 9905284U JP S6115730 U JPS6115730 U JP S6115730U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
boat
raw material
epitaxial growth
liquid phase
phase epitaxial
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Pending
Application number
JP9905284U
Other languages
English (en)
Inventor
直之 山林
Original Assignee
住友電気工業株式会社
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1〜3図は、本考案の半導体液相エピタキシャル成長
用ポートの一態様の断面図、第4図は、本考案の半一体
液相エピタキシャル成長用ボートの他の態様の断面図及
び第5図は従来の半導体液相エピタキシャル成長用ボー
トの断面図である。 1・・・メルト溜め、2・・・基板ホルダー、3・・・
メルトホルダー、4・・・原料、4′・・・使用後の原
料、5・・・仕切り板、6・・・基板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 使用後の原料を落し込むメルト溜めに仕切り板を設
    けたことを特徴とする半導体液相エビタキシャル成長用
    ボート。 2 仕切り板により分離されたメルト溜めの1つの槽に
    溜まり得る液体状原料の量がメルト溜めに一度に落とし
    込まれる原料の量とほぼ等しくなるよラに仕切り板が設
    けられている実用新案,登録請求の範囲第1項記載のボ
    ート。 3 仕切り板が複数個設けられており、それぞれの高さ
    を順次変えることにより既に溜まっている原料と次に落
    とし込まれる原料とが混合するのを防止する実用新案登
    録請求の範囲第1項または第2項記載のボート。
JP9905284U 1984-06-30 1984-06-30 半導体液相エピタキシヤル成長用ボ−ト Pending JPS6115730U (ja)

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JPS6115730U true JPS6115730U (ja) 1986-01-29

Family

ID=30658568

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JP9905284U Pending JPS6115730U (ja) 1984-06-30 1984-06-30 半導体液相エピタキシヤル成長用ボ−ト

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01219430A (ja) * 1988-02-29 1989-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱調理器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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