JPS6259632A - Production of electroconductive polysilane - Google Patents

Production of electroconductive polysilane

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JPS6259632A
JPS6259632A JP19918285A JP19918285A JPS6259632A JP S6259632 A JPS6259632 A JP S6259632A JP 19918285 A JP19918285 A JP 19918285A JP 19918285 A JP19918285 A JP 19918285A JP S6259632 A JPS6259632 A JP S6259632A
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JP
Japan
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polysilane
sulfuric acid
electroconductive
group
heating
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JP19918285A
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Japanese (ja)
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Arimitsu Usuki
有光 臼杵
Makoto Murase
誠 村瀬
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Toyota Central R&D Labs Inc
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the formation of an electroconductive polysilane suitable as a transparent electric conductor for solar batteries, etc., by dissolving a specified polysilane in sulfuric acid and evaporating the sulfuric acid from the obtained sulfuric acid solution by heating. CONSTITUTION:A polysilane of the formula (wherein R<1> and R<2> are each H, methyl, ethyl, propyl, phenyl, toluyl, vinyl or the like, provided that the case in which the both are H at the same time is excluded), e.g., polydimethylsilane or polymethylphenylsilane, is dissolved in sulfuric acid. Concentrated sulfuric acid is desirable as said sulfuric acid, but diluted sulfuric acid of a concentration >=50vol% may be used. An electroconductive polysilane is obtained by evaporating the sulfuric acid from the obtained sulfuric acid solution of the polysilane by heating it in such a manner that it is dropped onto a heated substrate. By utilizing this method, the surface of a glass or ceramic substrate can be easily coated with the electroconductive polysilane to render it electroconductive.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電性のあるポリシランを簡便に製造する方
法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for easily producing conductive polysilane.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

太陽電池、液晶パネル、エレクトロクロミック(fIC
)材、ガラス面状発熱体などに使用するための透明な導
電体が望まれている。従来、この目的のためにITO(
インジウム・スズ・酸化物)膜がもっばら用いられてい
た。ITO膜の作製は、スパッタリング、蒸着、あるい
は塩化物の加水分解法などにより行われている。しかし
、いずれの方法でも大規模な装置が必要であり9作製に
多大な時間を要し、コストが高くなってしまう。
Solar cells, liquid crystal panels, electrochromic (fIC)
) materials, transparent conductors for use in glass heating elements, etc. are desired. Conventionally, ITO (
Indium, tin, oxide) films were widely used. ITO films are produced by sputtering, vapor deposition, chloride hydrolysis, or the like. However, either method requires a large-scale device, takes a long time to manufacture, and increases the cost.

、このITO膜に変わる導電体としてポリアセチレン、
ポリピロール、ポリチェニレン等の導電性高分子の使用
が提案されている。しかし、これら導電性高分子のほと
んどが可視光を吸収し、光の透過性が悪いという問題が
あり、太陽電池などに応用した際にその影響が大きく現
れてしまう。その中で、最近、ケイ素(Si)が−次元
的に直鎖状で結合したポリシラン化合物が高分子量で重
合された。このポリシラン化合物は、膜状体での可視光
の透過率が大きく、関心が向けられている。
, polyacetylene as a conductor to replace this ITO film,
The use of conductive polymers such as polypyrrole and polythenylene has been proposed. However, most of these conductive polymers absorb visible light and have poor light transmittance, which has a significant effect when applied to solar cells and the like. Among these, recently, a polysilane compound in which silicon (Si) is bonded in a linear chain in one dimension has been polymerized with a high molecular weight. This polysilane compound has a high transmittance of visible light in a film-like body, and is attracting attention.

ポリシラン化合物は7合成されただけでは通常絶縁体で
あるが、導電性を付与する方法として次の方法がある。
Polysilane compounds are usually insulators when they are synthesized, but the following methods can be used to impart conductivity.

すなわち、五フフ化ヒ素(AsFs)の共存下で、ポリ
シラン化合物の1種であるポリメチルフェニルシランに
紫外領域の光(254nm) ヲ照射する方法である。
That is, in the presence of arsenic pentafluoride (AsFs), polymethylphenylsilane, which is a type of polysilane compound, is irradiated with light in the ultraviolet region (254 nm).

この方法により、3次元的にポリメチルフェニルシラン
が架橋してドーパントがとりこまれ、0.5S/(Jl
の電導度をもつものが得られたと報告されている(ジャ
ーナル・オプ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー、
103゜7352 (1981) )。
By this method, polymethylphenylsilane is three-dimensionally crosslinked to incorporate the dopant, and 0.5S/(Jl
It has been reported that a material with an electrical conductivity of
103°7352 (1981)).

しかし、この方法では、猛毒のAsF5を使用する点、
光照射が必要な点において、操作が困難であり、しかも
高分子の利点である大面積化は不可能である。
However, this method uses highly toxic AsF5;
It is difficult to operate because it requires light irradiation, and it is not possible to increase the area, which is an advantage of polymers.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、上記の問題点を解消して、N便に導電性のあ
るポリシランを製造する方法を提供しようとするもので
ある。
The present invention aims to solve the above-mentioned problems and provide a method for producing a highly conductive polysilane.

〔問題点を解決するための手段〕 本発明の導電性ポリシランの製造方法は、下記式〔A〕
で表されるポリシランを硫酸に溶解し。
[Means for solving the problem] The method for producing conductive polysilane of the present invention is performed using the following formula [A]
Dissolve the polysilane represented by in sulfuric acid.

その後該硫酸溶液を加熱することを特徴とする。The method is characterized in that the sulfuric acid solution is then heated.

(但し、上記式中RI 、 RZは、それぞれ水素ある
いはメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基
、フェニル基2 トルイル基などのアリール基、ビニル
基などのアリル基であり、同一でも異なってもよいが9
両方とも同時に水素であることはない。) 本発明において、ポリシランは導電性のポリシランを得
るための出発原料となるものであり、上記式〔A〕で表
されるものである。例えば、該ポリシランとしては、ポ
リジメチルシラン、ポリメチルフェニルシラン、ポリヘ
キシルメチルシラン2ポリメチルプロピルシラン、ポリ
シクロヘキシルメチルシラン、ポリジフェニルシラン、
ポリフェネチルメチルシラン等が挙げられる。これらポ
リシランは、1種または2種以上で使用する。2種以上
の場合には、混合体でも共重合体でもよい。
(However, in the above formula, RI and RZ are each hydrogen, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group, an aryl group such as a phenyl group, a tolyl group, or an allyl group such as a vinyl group, and may be the same or different. Moyoiga 9
Both cannot be hydrogen at the same time. ) In the present invention, polysilane is a starting material for obtaining conductive polysilane, and is represented by the above formula [A]. For example, the polysilane includes polydimethylsilane, polymethylphenylsilane, polyhexylmethylsilane, polymethylpropylsilane, polycyclohexylmethylsilane, polydiphenylsilane,
Examples include polyphenethylmethylsilane. These polysilanes may be used alone or in combination of two or more. In the case of two or more types, a mixture or a copolymer may be used.

また、ポリシランの合成方法は、如何なる方法でもよい
が1代表的にはジハロシラン生アルカリ金属とを有機溶
媒中で反応させて縮合重合により合成する方法がある。
Although any method may be used to synthesize polysilane, one typical method is to react dihalosilane with a raw alkali metal in an organic solvent and synthesize it by condensation polymerization.

ポリシランの形状としては。As for the shape of polysilane.

膜状、粉末状、繊維状環、如何なるものでもよい。It may be in the form of a film, powder, or fibrous ring.

このポリシランを、硫酸を溶媒として溶解させると、ポ
リシランはゆるやかに溶解する。このポリシランが硫酸
に溶解することにより2次の現象が生じていると考えら
れる。ポリシランの一部の5i−Si結合が硫酸と反応
して切断され、硫酸中の硫黄や酸素を介して再結合する
と共に硫酸イオンを取込み主鎖と配位する。この取り込
まれた硫酸イオンがポリシランに導電性を与える。そし
て。
When this polysilane is dissolved using sulfuric acid as a solvent, the polysilane is slowly dissolved. It is thought that the secondary phenomenon occurs when this polysilane is dissolved in sulfuric acid. A part of the 5i-Si bonds in polysilane are broken by reacting with sulfuric acid, and are recombined via sulfur and oxygen in sulfuric acid, and sulfate ions are taken in and coordinated with the main chain. This incorporated sulfate ion gives polysilane electrical conductivity. and.

このポリシランが溶解した硫酸溶液を加熱して硫酸を蒸
発除去するとポリシランは主鎖が三次元的に架橋した構
造となる。そのため、最終的に製造すしたポリシランは
、導電性を有し、はとんどの溶媒に不溶となる。
When a sulfuric acid solution in which this polysilane is dissolved is heated to remove the sulfuric acid by evaporation, the polysilane has a structure in which the main chain is three-dimensionally crosslinked. Therefore, the polysilane finally produced has electrical conductivity and is insoluble in most solvents.

ポリシラン以外の導電性高分子1例えばポリアセチレン
等に対して硫酸を作用させても、上記と同様な反応が生
じると考えられるが、ポリアセチレン等では主鎖が酸化
され、もろくなってしまう。
Even if sulfuric acid is applied to a conductive polymer 1 other than polysilane, such as polyacetylene, a reaction similar to that described above is thought to occur, but in polyacetylene and the like, the main chain is oxidized and becomes brittle.

また、硫酸以外の酸1例えば硝酸を溶媒として使用する
場合、ポリシランを溶解させる際に硝酸が分解発火し、
ポリシランが焼失してしまう。また塩酸や酢酸、リン酸
等を使用する場合、ポリソランは溶解しない。
In addition, when an acid other than sulfuric acid (for example, nitric acid) is used as a solvent, the nitric acid decomposes and ignites when dissolving polysilane.
The polysilane will be burned out. Furthermore, when using hydrochloric acid, acetic acid, phosphoric acid, etc., polysolane does not dissolve.

使用する硫酸は、濃硫酸が望ましいが、水やアルコール
等により希釈した濃度50νo1%以上の希硫酸でもよ
い。濃度が50vo1%に満たない希硫酸では、ポリシ
ランを溶解するのは困難である。
The sulfuric acid used is preferably concentrated sulfuric acid, but dilute sulfuric acid diluted with water, alcohol, etc. and having a concentration of 50 νo1% or more may be used. It is difficult to dissolve polysilane with dilute sulfuric acid whose concentration is less than 50 vol%.

硫酸へのポリシランの溶解割合はr ′ag酸10 c
cに対して5g以下のポリシランを溶解するのがよい。
The dissolution rate of polysilane in sulfuric acid is r'ag acid 10 c
It is preferable to dissolve 5 g or less of polysilane per c.

5gを越えるポリシランを溶解させようとしても、不溶
部分が生じてしまう。また、膜状の導電性ポリシランを
得ようとする場合には、上記溶解割合は、濃硫酸10c
cに対して0.1g以上溶解するのがよい。0.1g未
満では、安定な膜状のものを得るのが難しい。
Even if an attempt is made to dissolve more than 5 g of polysilane, an insoluble portion will result. In addition, when trying to obtain a film-like conductive polysilane, the above dissolution rate is 10c of concentrated sulfuric acid.
It is preferable to dissolve 0.1 g or more per c. If it is less than 0.1 g, it is difficult to obtain a stable film.

硫酸へのポリシランの溶解は非常にゆるやかであり、1
0時間以上放置することによりポリシランが均一に溶解
した硫酸溶液が得られる。しかし。
The dissolution of polysilane in sulfuric acid is very slow;
By leaving it for 0 hours or more, a sulfuric acid solution in which polysilane is uniformly dissolved can be obtained. but.

1週間以上放置すると、硫酸溶液が酸化等の影響を受け
てしまうので好ましくない。
If left for more than one week, the sulfuric acid solution will be affected by oxidation, etc., which is not preferable.

該硫酸溶液を加熱することにより、硫酸が蒸発除去され
、導電性ポリシランが形成される。該加熱工程は、容器
等に入った硫酸溶液をそのまま加熱してもよく、また基
板上に硫酸溶液を一様に滴下し、加熱してもよい。その
まま加熱する場合には、粉末状の導電性ポリシランが得
られる。また。
By heating the sulfuric acid solution, sulfuric acid is evaporated off and conductive polysilane is formed. In the heating step, the sulfuric acid solution contained in a container or the like may be heated as it is, or the sulfuric acid solution may be uniformly dropped onto the substrate and then heated. When heating as is, powdered conductive polysilane is obtained. Also.

基板上に滴下して加熱する場合には、膜状のものが得ら
れると共に基板に導電性ポリシランをコーティングする
こともできる。従って、ガラスやセラミックスから成る
絶縁体基板に該ポリシランを被覆して、導電性を付与す
ることができる。また。
When it is dropped onto a substrate and heated, a film-like product can be obtained and the substrate can also be coated with conductive polysilane. Therefore, an insulating substrate made of glass or ceramics can be coated with the polysilane to impart electrical conductivity. Also.

繊維状のものは、上記膜状のものより成形する。The fibrous material is molded from the film-like material described above.

あるいは、高温雰囲気下に上記硫酸溶液を噴射すること
等により得られる。
Alternatively, it can be obtained by spraying the sulfuric acid solution in a high temperature atmosphere.

加熱温度は、300〜350℃の範囲内が望ましい。The heating temperature is preferably within the range of 300 to 350°C.

300℃未満では、硫酸が蒸発しに< < 、 350
℃を越える場合には、ポリシランが分解してしまう。加
熱時間は、硫酸がほとんど蒸発除去される範囲がよい。
At temperatures below 300°C, sulfuric acid evaporates <<, 350°C.
If the temperature exceeds ℃, the polysilane will decompose. The heating time is preferably within a range in which most of the sulfuric acid is evaporated and removed.

また、加熱工程は、酸化の影響を避けるため窒素ガス等
の不活性ガス雰囲気中で行うのが望ましい。
Further, the heating step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas to avoid the influence of oxidation.

製造された導電性ポリシランの電導度は、ポリシランの
種類、硫酸の使用量等によってことなるが、一般に10
−’〜10S/e11の範囲内にある。また導電性ポリ
シランは、膜状体にすると、可視光の透過性が非常に良
好であり、透明化する。酸膜は。
The conductivity of the manufactured conductive polysilane varies depending on the type of polysilane, the amount of sulfuric acid used, etc., but is generally 10.
-' to 10S/e11. Furthermore, when conductive polysilane is made into a film, it has very good visible light transmittance and becomes transparent. The acid film.

太陽電池の光入射部のt掻、液晶パネル部の電極。The electrode of the light incident part of the solar cell and the liquid crystal panel part.

エレクトロクロミック材の電極1面状発熱体等に利用す
ることができる。
It can be used as a one-sided heating element made of electrochromic material.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、非常に簡単な操作により導電性のポリ
シランを製造することができる。また。
According to the present invention, conductive polysilane can be produced by very simple operations. Also.

本発明の方法を利用すれば、ガラスあるいはセラミック
ス基板の表面に簡単に導電性ポリシランを被覆すること
ができ、上記基板に導電性を付与することができる。
By using the method of the present invention, the surface of a glass or ceramic substrate can be easily coated with conductive polysilane, thereby imparting conductivity to the substrate.

更に1本発明によれば、出発原料であるポリシランの形
状にかかわりなく、粉末状、膜状、繊維状等、任意の形
状に加工性良く、導電性ポリシランを製造することがで
きる。
Furthermore, according to the present invention, conductive polysilane can be produced with good processability into any shape, such as powder, film, or fiber, regardless of the shape of polysilane as a starting material.

〔実施例〕〔Example〕

以下5本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, five aspects of the present invention will be explained in detail.

実施例1゜ まず、ポリジメチルシランを以下のように合成した。n
−オクタン110 cc中にナトリウム片11.5 g
を入れ、120℃に加熱して、攪拌した。この溶液中に
蒸溜精製したジメチルジクロルシラン30.2ccを入
れ10時間加熱還流した。生成した青色沈澱をろ過し、
メタノールと水とでよく洗浄して、白色の粉末状のポリ
ジメチルシランを得た。このポリジメチルシランの電導
度は、  5 ×IQ−125/cmであった。
Example 1 First, polydimethylsilane was synthesized as follows. n
- 11.5 g of sodium flakes in 110 cc of octane
was added, heated to 120°C, and stirred. 30.2 cc of dimethyldichlorosilane purified by distillation was added to this solution and heated under reflux for 10 hours. Filter the formed blue precipitate,
After thorough washing with methanol and water, white powdery polydimethylsilane was obtained. The electrical conductivity of this polydimethylsilane was 5×IQ-125/cm.

次にポリジメチルシラン2.Ogを濃硫酸10ccに入
れ、室温で24時間放置して溶解させた。その後。
Next, polydimethylsilane 2. Og was placed in 10 cc of concentrated sulfuric acid and allowed to stand at room temperature for 24 hours to dissolve. after that.

窒素雰囲気中でホットプレート上に20菖禽×201重
のガラス板を水平に置き、300℃に加熱しておいた。
A glass plate of 20 x 201 layers was placed horizontally on a hot plate in a nitrogen atmosphere and heated to 300°C.

このガラス板上に上記硫酸溶液約0 、5 ccを滴下
し。
Approximately 0.5 cc of the above sulfuric acid solution was dropped onto this glass plate.

硫酸を揮発させて、ポリジメチルシランから成る透明フ
ィルムを得た。この透明フィルムの表面に1CI!lの
間隔をあけて、一対の銀ペーストを塗布し。
A transparent film made of polydimethylsilane was obtained by volatilizing the sulfuric acid. 1 CI on the surface of this transparent film! Apply a pair of silver pastes with a distance of l.

その間の抵抗を測定したところ、103Ω/口であり。When I measured the resistance between them, it was 103Ω/mouth.

形成された透明フィルムは導電性を有することが分かっ
た。
The transparent film formed was found to be electrically conductive.

実施例2゜ 無水トルエン120cc中にNa片9.7gを入れ、1
20℃に加熱して、撹拌した。この溶液中に蒸溜精製し
たジメチルジクロルシラン12CCとメチルフェニルジ
クロルシラン16.1ccを入れ、10時間加熱還流し
た。生成した紫色沈澱をろ過し、メタノールと水とでよ
く洗浄して、ワックス状の化合物を得た。
Example 2゜9.7g of Na pieces were placed in 120cc of anhydrous toluene, and 1
It was heated to 20°C and stirred. 12 cc of dimethyldichlorosilane purified by distillation and 16.1 cc of methylphenyldichlorosilane were added to this solution, and the mixture was heated under reflux for 10 hours. The generated purple precipitate was filtered and thoroughly washed with methanol and water to obtain a waxy compound.

これをTHF (テトラヒドロフラン)中に混入し。Mix this into THF (tetrahydrofuran).

遠心分離によって不溶部を除去し、更にメタノール中へ
上記THF溶液を滴下することによって。
By removing the insoluble portion by centrifugation and further dropping the above THF solution into methanol.

白色のポリフェニルメチルシランの沈澱を得り。A white polyphenylmethylsilane precipitate was obtained.

このポリフェニルメチルシランを粉末状にしたもの(電
導度7 Xl0−12S/am) 2 gを濃硫酸10
 ccに溶解させ、実施例1と同様にして20111 
X 20 amのアルミナ基板上に透明なフィルムを形
成した。そのフィルムの表面抵抗はlO4Ω/口であっ
た。
2 g of this polyphenylmethylsilane powder (conductivity 7 Xl0-12S/am) was mixed with 10 g of concentrated sulfuric acid.
20111 in the same manner as in Example 1.
A transparent film was formed on a x 20 am alumina substrate. The surface resistance of the film was lO4Ω/mouth.

実施例3゜ ジメチルジクロルシランとシクロヘキシルメチルジクロ
ルシランを合成原料として、実施例1と同様にしてポリ
シクロへキシルメチルシランを合成した。粉末状のポリ
シクロヘキシルメチルシラン(電導度5 Xl0−”S
/ca+) 2 gを濃硫酸10ccに溶解させ、実施
例1と同様にしてガラス基板上に透明なフィルムを形成
した。そのフィルムの表面抵抗は104Ω/口であった
Example 3 Polycyclohexylmethylsilane was synthesized in the same manner as in Example 1 using dimethyldichlorosilane and cyclohexylmethyldichlorosilane as synthesis raw materials. Powdered polycyclohexylmethylsilane (conductivity 5 Xl0-”S
/ca+) 2 g was dissolved in 10 cc of concentrated sulfuric acid, and a transparent film was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 1. The surface resistance of the film was 104 Ω/hole.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  下記式〔A〕で表されるポリシランを硫酸に溶解し、
その後該硫酸溶液を加熱することを特徴とする導電性ポ
リシランの製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(A) (但し、上記式中R^1、R^2は、それぞれ水素ある
いはメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基
、フェニル基、トルイル基などのアリール基、ビニル基
などのアリル基であり、同一でも異なってもよいが、両
方とも同時に水素であることはない。)
[Claims] Polysilane represented by the following formula [A] is dissolved in sulfuric acid,
A method for producing conductive polysilane, which comprises subsequently heating the sulfuric acid solution. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(A) (However, in the above formula, R^1 and R^2 are hydrogen, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, phenyl group, tolyl group, etc.) are allyl groups such as aryl groups and vinyl groups, and may be the same or different, but both cannot be hydrogen at the same time.)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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