JPS6258782A - Ｃｒｔ偏向回路 - Google Patents
Ｃｒｔ偏向回路Info
- Publication number
- JPS6258782A JPS6258782A JP19739385A JP19739385A JPS6258782A JP S6258782 A JPS6258782 A JP S6258782A JP 19739385 A JP19739385 A JP 19739385A JP 19739385 A JP19739385 A JP 19739385A JP S6258782 A JPS6258782 A JP S6258782A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- transistor
- deflection circuit
- linearity
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はＣＲＴ偏向回路に関するものでおる。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般にＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）
の偏向回路の多くはバイポーラ型のトランジスタを使用
することか多く、この場合、通常逆電流駆動のためダン
パーダイオードをこのトランジスタと別にあるいはこの
トランジスタと同一ウニバー上に設けるか、別に作製し
たダイオードウェハーをハイブリッド配線して使用して
いる。
の偏向回路の多くはバイポーラ型のトランジスタを使用
することか多く、この場合、通常逆電流駆動のためダン
パーダイオードをこのトランジスタと別にあるいはこの
トランジスタと同一ウニバー上に設けるか、別に作製し
たダイオードウェハーをハイブリッド配線して使用して
いる。
一般のテレビジョンやパーソナルコンピュタ−用のＣＲ
Ｔの偏向回路の周波数は比較的低いものであるが、中高
精細度ＣＲＴディスプレーにおいては偏向周波数が１０
０ＫＨｚ前後となってくる。
Ｔの偏向回路の周波数は比較的低いものであるが、中高
精細度ＣＲＴディスプレーにおいては偏向周波数が１０
０ＫＨｚ前後となってくる。
この際、バイポーラ型トランジスタを用いるとそのスｉ
〜レージタイムか数μＳも生じ、偏向電流のピーク値や
直線性が制御できなくなるという問題がある。
〜レージタイムか数μＳも生じ、偏向電流のピーク値や
直線性が制御できなくなるという問題がある。
このような偏向回路の従来例を第３図に示す。
同図に示す偏向回路は、出力トランジスタとしてバイポ
ーラ型のトランジスタＴＲ１を用い、このトランジスタ
ＴＲ１のコレクタにダンパーダイオードＤと共振用のコ
ンデンサＣを並列接続するとともにこのコレクタ出力を
水平偏向コイルＤＹに加えるようになっている。
ーラ型のトランジスタＴＲ１を用い、このトランジスタ
ＴＲ１のコレクタにダンパーダイオードＤと共振用のコ
ンデンサＣを並列接続するとともにこのコレクタ出力を
水平偏向コイルＤＹに加えるようになっている。
尚、同図中、Ｄｌはダイオード、ＣＨはチョークコイル
、Ｃ１は直流分阻市川コンデンサであり、直流電源ＶＣ
ＣからダイオードＤ１、チョークコイルＣＨ及び直流分
阻止用コンデンサＣ１を介して水平偏向コイルＤＹに直
流電圧を印加するようになっている。
、Ｃ１は直流分阻市川コンデンサであり、直流電源ＶＣ
ＣからダイオードＤ１、チョークコイルＣＨ及び直流分
阻止用コンデンサＣ１を介して水平偏向コイルＤＹに直
流電圧を印加するようになっている。
このような従来の偏向回路では以下のような問題かおる
。ずなわら、この偏向回路の駆動は電流駆動となるため
、一般にドライブ用のトランスを必要とし駆動段におけ
るパワー］ｄ失も少なくない。
。ずなわら、この偏向回路の駆動は電流駆動となるため
、一般にドライブ用のトランスを必要とし駆動段におけ
るパワー］ｄ失も少なくない。
また、トランジスタＴＲ１のオン抵抗とダンパーダイオ
ードＤのオン抵抗との相違により、水平偏向コイルＤＹ
の電流波形の直線性が第４図に示すように悪化し、ＣＲ
Ｔ画而画工端画像の歪が生じる傾向があり、その改善の
ため水平偏向コイルＤＹと直列に水平リニアリイティコ
イルを接続する必要が生じる。
ードＤのオン抵抗との相違により、水平偏向コイルＤＹ
の電流波形の直線性が第４図に示すように悪化し、ＣＲ
Ｔ画而画工端画像の歪が生じる傾向があり、その改善の
ため水平偏向コイルＤＹと直列に水平リニアリイティコ
イルを接続する必要が生じる。
ざらに、この偏向回路にお【プる周波数が高くなると、
水平偏向周期に占めるストレージタイムの比率が大きく
なって制御が難しくなり、しかも高周波、大電流になる
に従いトランジスタＴＲ１のスイッチング損失が増加し
、これに伴ない第４図に示すようにフライバック電圧Ｖ
ｆ１の立上り特性が悪化する。
水平偏向周期に占めるストレージタイムの比率が大きく
なって制御が難しくなり、しかも高周波、大電流になる
に従いトランジスタＴＲ１のスイッチング損失が増加し
、これに伴ない第４図に示すようにフライバック電圧Ｖ
ｆ１の立上り特性が悪化する。
尚、第４図はバイポーラ型のトランジスタ（２ＳＣ３６
３８）ＴＲＩを用いた偏向回路の水平偏向コイル電流Ｉ
ＬＩ及びフライバック電圧Ｖｆ１の波形を示すものであ
り、横軸は１ ｕ、ｑ／ｄ ｉ ｖ、 ｌｉ軸は５Ａ／
ｄ ｉ ｖ及び１００Ｖ／ｄ ｉ ｖで示すものである
。この波形図において、水平偏向コイル電流ＩＬＩの立
下り部分Ｘには丸味が生じており、画面端での画像の歪
が大ぎくなり、フライバック電圧ｖｆ１の立上り部分Ｙ
にも丸味が生じるため、スイッチング損失が大ぎくなっ
てしまう。
３８）ＴＲＩを用いた偏向回路の水平偏向コイル電流Ｉ
ＬＩ及びフライバック電圧Ｖｆ１の波形を示すものであ
り、横軸は１ ｕ、ｑ／ｄ ｉ ｖ、 ｌｉ軸は５Ａ／
ｄ ｉ ｖ及び１００Ｖ／ｄ ｉ ｖで示すものである
。この波形図において、水平偏向コイル電流ＩＬＩの立
下り部分Ｘには丸味が生じており、画面端での画像の歪
が大ぎくなり、フライバック電圧ｖｆ１の立上り部分Ｙ
にも丸味が生じるため、スイッチング損失が大ぎくなっ
てしまう。
［発明の目的］
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでおり、スイッ
チング損失や駆動段におけるパワー損失が少なくかつ回
路の簡略化が図れ、水平偏向コイル電流の直線性も良好
なＣＲＴ偏向回路を提供することを目的とするものであ
る。
チング損失や駆動段におけるパワー損失が少なくかつ回
路の簡略化が図れ、水平偏向コイル電流の直線性も良好
なＣＲＴ偏向回路を提供することを目的とするものであ
る。
［発明の概要１
上記目的を達成するための本発明の概要は、寄生効果に
より等価的に生じる寄生ダイオードを含むＭＯＳ型トラ
ンジスタを出力トランシジスタとして用いることを特徴
とするものて°ある。
より等価的に生じる寄生ダイオードを含むＭＯＳ型トラ
ンジスタを出力トランシジスタとして用いることを特徴
とするものて°ある。
［発明の実施例］
以下に第１図を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
尚、同図に示す回路において、第３図に示すものと同一
の機能を有するものには同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。同図に示す回路が第３図に示すものと
異なる点は、ダンパーダイオードＤを省略するとともに
、バイポーラ型のトランジスタＴＲ１の代りにＭｏｓ
（Ｍｅ ｔ ａ １ＱＸｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）型のトランジスタ（例えば、電界効果トラン
ジスタＦＥＴ、２ＳＫ５３９）ＴＲｏを用い、このトラ
ンジスタＴＲ○の内部に第１図に破線で示すように寄生
効果で形成されるダイオードＤＯを前記ダンパーダイオ
ードＤと等価的な作用をさせるようにしたことである。
の機能を有するものには同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。同図に示す回路が第３図に示すものと
異なる点は、ダンパーダイオードＤを省略するとともに
、バイポーラ型のトランジスタＴＲ１の代りにＭｏｓ
（Ｍｅ ｔ ａ １ＱＸｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）型のトランジスタ（例えば、電界効果トラン
ジスタＦＥＴ、２ＳＫ５３９）ＴＲｏを用い、このトラ
ンジスタＴＲ○の内部に第１図に破線で示すように寄生
効果で形成されるダイオードＤＯを前記ダンパーダイオ
ードＤと等価的な作用をさせるようにしたことである。
この場合、トランジスタＴＲ○のオン抵抗及びダイオー
ドＤＯのオン抵抗は、このトランジスタＴ Ｐ Ｏの製
造段階にお（プる拡散工程において適宜設定する。また
、このダイオードＤ○の順方向電圧は本実施例のように
Ｐ型のトランジスタＴＲｏを用いる場合にはこの回路の
電流がソースからドレーンに流れる際に生じるソースド
レーン間電圧の適当な値に管理することができるように
なっている。
ドＤＯのオン抵抗は、このトランジスタＴ Ｐ Ｏの製
造段階にお（プる拡散工程において適宜設定する。また
、このダイオードＤ○の順方向電圧は本実施例のように
Ｐ型のトランジスタＴＲｏを用いる場合にはこの回路の
電流がソースからドレーンに流れる際に生じるソースド
レーン間電圧の適当な値に管理することができるように
なっている。
次に、上記構成からなるＣＲＴ偏向回路の作用を第２図
に示す水平偏向コイル電流■、。及びフライバック電圧
Ｖｆｏの波形図をも参照して説明する。
に示す水平偏向コイル電流■、。及びフライバック電圧
Ｖｆｏの波形図をも参照して説明する。
尚、第２図は横軸及び縦軸と５第４図に示すものと同一
の単位をとって示すものである。
の単位をとって示すものである。
第１図に示す偏向回路は、従来の偏向回路と異なりトラ
ンジスタＴＲｏに寄生効果によるダイオードＤ○を含む
のでダンパルダイオードＤを接続する必要がなく回路構
成が簡略化されるとともに、その駆動段は電圧駆動でよ
いため駆動段にお（プるパワー損失が少なくなる。
ンジスタＴＲｏに寄生効果によるダイオードＤ○を含む
のでダンパルダイオードＤを接続する必要がなく回路構
成が簡略化されるとともに、その駆動段は電圧駆動でよ
いため駆動段にお（プるパワー損失が少なくなる。
また、トランジスタＴＲｏオーン抵抗及び寄生効果によ
るダイオード［）０のオン抵抗を適宜設定することにＪ
：す、第２図に示すように水平偏向コイル電流’Ｌｏの
直線性か良好となりその立下り部分Ｘが鋭敏になる。こ
れに伴ないＣＲＴ画面端での画像の歪が従来の偏向回路
に比べて改善される。
るダイオード［）０のオン抵抗を適宜設定することにＪ
：す、第２図に示すように水平偏向コイル電流’Ｌｏの
直線性か良好となりその立下り部分Ｘが鋭敏になる。こ
れに伴ないＣＲＴ画面端での画像の歪が従来の偏向回路
に比べて改善される。
この結果水平リニアリティコイルは不要となる。
ざらに、トランジスタＴＰＯはＭＯＳ型であるのでスト
レージタイムはなくなりスイッチインク速度が速いため
、水平偏向電流か大電流、高周波になってもスイッチン
グ損失は少なくなる。即ち、フライバック電圧ｖｆｏの
立上がり部Ｙが鋭敏となっている。
レージタイムはなくなりスイッチインク速度が速いため
、水平偏向電流か大電流、高周波になってもスイッチン
グ損失は少なくなる。即ち、フライバック電圧ｖｆｏの
立上がり部Ｙが鋭敏となっている。
本発明は上述した実施例に限定されるものてはなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形か可能て必ることはいうま
でもない。
の要旨の範囲内で種々の変形か可能て必ることはいうま
でもない。
例えば、トランジスタＴＲｏの場合、−チップ当りの電
流容量かバイポーラ型のトランジスタと比べて少ないの
で、必要に応じて複数個のパラレル接続で使用すること
もできる。
流容量かバイポーラ型のトランジスタと比べて少ないの
で、必要に応じて複数個のパラレル接続で使用すること
もできる。
この場合、技術的には、−パッケージ内に複数個のトラ
ンジスタＴＲ○のチップを並列接続に形成することで実
施できる。
ンジスタＴＲ○のチップを並列接続に形成することで実
施できる。
また、上）ホした実施例では、Ｐ型のトランジスタＴＰ
Ｏを用いた場合について説明したが、Ｎ型のＭＯＳトラ
ンジスタを用いても同様に実施できる。この場合には、
寄生ダイオードの値を拡散工程において、ドレーンから
ソースに偏向電流か流れる際に生じるドレーンソース間
の電圧の適当な値に管理することか必要でおる。
Ｏを用いた場合について説明したが、Ｎ型のＭＯＳトラ
ンジスタを用いても同様に実施できる。この場合には、
寄生ダイオードの値を拡散工程において、ドレーンから
ソースに偏向電流か流れる際に生じるドレーンソース間
の電圧の適当な値に管理することか必要でおる。
［発明の効果１
以上詳述した本発明によれば、寄生効果により生じるダ
イオードを含むＭＯＳ型トランジスタを出力トランジス
タとして用いることにより、回路の簡略化を図りかつ駆
動段におけるパワー損失の低減を図れるとともに、スイ
ッチング損失が少なく水平偏向回路コイル電流の直線性
も良好なＣＲＴ鍋向回向回路供することができる。
イオードを含むＭＯＳ型トランジスタを出力トランジス
タとして用いることにより、回路の簡略化を図りかつ駆
動段におけるパワー損失の低減を図れるとともに、スイ
ッチング損失が少なく水平偏向回路コイル電流の直線性
も良好なＣＲＴ鍋向回向回路供することができる。
第１図は本発明の実施例の回路図、第２図は第１図に示
す回路にｄ５ける水平（２）向コイル電流及びフライバ
ック電圧の波形図、第３図は従来のＣＲＴ偏向回路の回
路図、第４図は第３図に示す回路における水平偏向コイ
ル電流及びフライバック電圧の波形図である。 ＴＲ○・・・・・・ＭＯＳ型のトランジスタ、Ｄ○・・
・・・・寄生効果によるダイオード、ＤＹ・・・・・・
水平偏向コイル、 ＣＨ・・・・・・チョークコイル。 手続補正層 昭和６０年１０月１４日 昭和６０年特許願第１９７３９３号 ２、発明の名称 ＣＲＴ偏向回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の瀾、図面の簡単な説明の欄
、図面の内、第１図及び第３図。 （１）明細書第３頁第１２行目の１なっている。」の後
にｒＬｌは水平リニアリティコイルである。」を挿入覆
る。 （２） Ｉ’ｉｉｌ上頁第１４行目の「偏向回路」の
後に「スイッチＴＲ１ｊを挿入する。 （３）同第４頁第２行目の１コイル」の後にｒ ＬＬ、
Ｊを挿入覆−る。 （４）同第７頁第１３行目の「コイル」の後に「ＬＬ」
を挿入する。 （５）同第頁第１３行目の「不要となる」とあるのを「
不要となるか、又は調整品の少ない水平ワニアリティコ
イルで十分となる。」に訂正する。 （６）同士第８頁第４行目の１−電流８量」を１等価オ
ン抵抗」に訂正する。 （７）同上頁第５行目の「少ないので」を「高耐圧形で
は大ぎいので」に訂正する。 （８）同第９頁第１５行目のｒ ＣＨ・・・チョークコ
イ挿入する。 （９）図面の内、第１図及び第３図を別紙（２）の如く
訂正する。 以上
す回路にｄ５ける水平（２）向コイル電流及びフライバ
ック電圧の波形図、第３図は従来のＣＲＴ偏向回路の回
路図、第４図は第３図に示す回路における水平偏向コイ
ル電流及びフライバック電圧の波形図である。 ＴＲ○・・・・・・ＭＯＳ型のトランジスタ、Ｄ○・・
・・・・寄生効果によるダイオード、ＤＹ・・・・・・
水平偏向コイル、 ＣＨ・・・・・・チョークコイル。 手続補正層 昭和６０年１０月１４日 昭和６０年特許願第１９７３９３号 ２、発明の名称 ＣＲＴ偏向回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の瀾、図面の簡単な説明の欄
、図面の内、第１図及び第３図。 （１）明細書第３頁第１２行目の１なっている。」の後
にｒＬｌは水平リニアリティコイルである。」を挿入覆
る。 （２） Ｉ’ｉｉｌ上頁第１４行目の「偏向回路」の
後に「スイッチＴＲ１ｊを挿入する。 （３）同第４頁第２行目の１コイル」の後にｒ ＬＬ、
Ｊを挿入覆−る。 （４）同第７頁第１３行目の「コイル」の後に「ＬＬ」
を挿入する。 （５）同第頁第１３行目の「不要となる」とあるのを「
不要となるか、又は調整品の少ない水平ワニアリティコ
イルで十分となる。」に訂正する。 （６）同士第８頁第４行目の１−電流８量」を１等価オ
ン抵抗」に訂正する。 （７）同上頁第５行目の「少ないので」を「高耐圧形で
は大ぎいので」に訂正する。 （８）同第９頁第１５行目のｒ ＣＨ・・・チョークコ
イ挿入する。 （９）図面の内、第１図及び第３図を別紙（２）の如く
訂正する。 以上
Claims (4)
- （１）寄生効果により等価的に生じるダイオードを含む
ＭＯＳ型トランジスタを出力トランシジスタとして用い
ることを特徴とするＣＲＴ偏向回路。 - （２）前記出力トランジスタをＰ型ＭＯＳトランジスタ
とし、ソースからドレーンに偏向電流が流れる際に生じ
るソースドレーン間電圧の適当な値に前記ダイオードの
順方向電圧が管理されている特許請求の範囲第１項記載
のＣＲＴ偏向回路。 - （３）前記出力トランジスタをＮ型ＭＯＳトランジスタ
とし、ドレーンからソースに偏向電流が流れる際に生じ
るドレーンソース間電圧の適当な値に前記ダイオードの
順方向電圧が管理されている特許請求の範囲第１項記載
のＣＲＴ偏向回路。 - （４）前記ＭＯＳ型トランジスタは、複数個が並列接続
されたものである特許請求の範囲第１項記載のＣＲＴ偏
向回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19739385A JPS6258782A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Ｃｒｔ偏向回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19739385A JPS6258782A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Ｃｒｔ偏向回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258782A true JPS6258782A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16373755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19739385A Pending JPS6258782A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Ｃｒｔ偏向回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06217154A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sony Corp | 水平偏向回路 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19739385A patent/JPS6258782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06217154A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sony Corp | 水平偏向回路 |
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