JPS6255981A - パルスレ−ザ発振器 - Google Patents
パルスレ−ザ発振器Info
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- JPS6255981A JPS6255981A JP19820585A JP19820585A JPS6255981A JP S6255981 A JPS6255981 A JP S6255981A JP 19820585 A JP19820585 A JP 19820585A JP 19820585 A JP19820585 A JP 19820585A JP S6255981 A JPS6255981 A JP S6255981A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- laser oscillator
- ceramic capacitor
- dielectric constant
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、横方向励起型パルスレーザ発祭器の改良に
関するものであるっ 〔従来の技術〕 第６図は従来この種のものとして代表的な横方向励起型
パルスレーザで、特にエキシマレーザ（レリえばＡｒＦ
、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣＪ）、ＴＥＡＣＯ２レーザ、
窒素レーザ等で良く使われる装置の１列を示す縦断面図
でｉｌＨ；ｊレーザ発振器筐体、（２）はこの筐体に封
入さｆしたレーザカス、（３）は第１の主電極、（４）
は第２の主電極、（５）は主放電を起こすため紙面に対
して垂直の方向に複数個並べらｆているセラミックコン
デンサー、 （６ａ）、（６ｂ） Ｕセラミックコンデ
ンサー（５）に蓄えられたエネルギーを主電極対ｆ３＋
、 ＋４１間に送るための主伝導路、（７）ハセラミ
ックコンデンサー（５）の表面を被うモールド樹脂。
関するものであるっ 〔従来の技術〕 第６図は従来この種のものとして代表的な横方向励起型
パルスレーザで、特にエキシマレーザ（レリえばＡｒＦ
、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣＪ）、ＴＥＡＣＯ２レーザ、
窒素レーザ等で良く使われる装置の１列を示す縦断面図
でｉｌＨ；ｊレーザ発振器筐体、（２）はこの筐体に封
入さｆしたレーザカス、（３）は第１の主電極、（４）
は第２の主電極、（５）は主放電を起こすため紙面に対
して垂直の方向に複数個並べらｆているセラミックコン
デンサー、 （６ａ）、（６ｂ） Ｕセラミックコンデ
ンサー（５）に蓄えられたエネルギーを主電極対ｆ３＋
、 ＋４１間に送るための主伝導路、（７）ハセラミ
ックコンデンサー（５）の表面を被うモールド樹脂。
（８）はセラミックコンデンサー（５）の母体をなすセ
ラミック素材、 （９ａ）、（９ｂ）はセラミックコン
デンサーを主伝導路（６ａ）、（６ｂ）へ接続するだめ
の金属端子、（ＬＯａ） 、 （１０ｂ）はセラミック
素材（８）と金ＰＡ端子（９ａ）、（９ｂ）を接続する
導電性物質、 （１１１は主電極対＋３１ 、 ＋４１
間で行なわｆＬる主放電によって形成される放電励起部
、ａｚはレーザ発掘の光軸、ＯＪはセラミックコンデン
サ−（５）を充電するためのパルス充電回路である。
ラミック素材、 （９ａ）、（９ｂ）はセラミックコン
デンサーを主伝導路（６ａ）、（６ｂ）へ接続するだめ
の金属端子、（ＬＯａ） 、 （１０ｂ）はセラミック
素材（８）と金ＰＡ端子（９ａ）、（９ｂ）を接続する
導電性物質、 （１１１は主電極対＋３１ 、 ＋４１
間で行なわｆＬる主放電によって形成される放電励起部
、ａｚはレーザ発掘の光軸、ＯＪはセラミックコンデン
サ−（５）を充電するためのパルス充電回路である。
次に動作について説明するっパルス充電回路ｕ３（こよ
りセラミックコンデンサー（５）がパルス充電されるっ
その過程において、主電極ｆ３＋ 、 ＋４１間の電圧
が上昇し、い−ｆ １１．その放電開始電圧に達する。
りセラミックコンデンサー（５）がパルス充電されるっ
その過程において、主電極ｆ３＋ 、 ＋４１間の電圧
が上昇し、い−ｆ １１．その放電開始電圧に達する。
放電開始電圧に達すると、セラミックコンデンサー（５
）に蓄えられたエネルギーは、キー導路（６ａ）、（６
ｂ）を通じて一気に主電極（３ｉ 、 （４１間に流扛
込み、パルス放電を形成する。これより先この放電が行
なわれる以前に、紫外光、コロナ、ｘａｌ等で、主電極
＋３１ 、 ＋４１間が均一に弱電離状態（電子密度ｎ
ｅ＝＝ＬＯ’〜ｔｏ コ／Ｃ１１３）にさｒｔていると
、上記パルス放電は主室＆ （３１、［４１間の全域に
わたり均一なものとなり、放電励起部ＯＤを形成する。
）に蓄えられたエネルギーは、キー導路（６ａ）、（６
ｂ）を通じて一気に主電極（３ｉ 、 （４１間に流扛
込み、パルス放電を形成する。これより先この放電が行
なわれる以前に、紫外光、コロナ、ｘａｌ等で、主電極
＋３１ 、 ＋４１間が均一に弱電離状態（電子密度ｎ
ｅ＝＝ＬＯ’〜ｔｏ コ／Ｃ１１３）にさｒｔていると
、上記パルス放電は主室＆ （３１、［４１間の全域に
わたり均一なものとなり、放電励起部ＯＤを形成する。
放電励起部α１）ではレーザ媒質が励起状態となって逆
転分布を形成し、誘導放出によりレーザ発振光軸０２１
の方向（紙面に垂＠な方向）にＬ／−ザ光が出射する。
転分布を形成し、誘導放出によりレーザ発振光軸０２１
の方向（紙面に垂＠な方向）にＬ／−ザ光が出射する。
さて、エキシマレーザのような短パルスＬ／ −ｆでに
、その上位準位での寿命が短かいことから、励起放電を
短パルス化し、ピーク電力を高めない限り、高出力高効
率発振に望めないっそこで、セラミックコンデンサー（
５）、主伝導路（６ａ）、（６ｂ） 。
、その上位準位での寿命が短かいことから、励起放電を
短パルス化し、ピーク電力を高めない限り、高出力高効
率発振に望めないっそこで、セラミックコンデンサー（
５）、主伝導路（６ａ）、（６ｂ） 。
主室Ｑ （３１、［４１から成る主放電回路の浮遊する
インダクタンスをなるべく小さくすることがＭ喪となる
。浮遊のインダクタンスを小さくする手段として、 ■ 主放電回路が形成する断面の面積を最小にするり Ｑ） 表皮効果により、高周波電流は、電気の伝導体の
表面しか流ｆ′Ｌないため、電流の流れる表面積を増加
させる。
インダクタンスをなるべく小さくすることがＭ喪となる
。浮遊のインダクタンスを小さくする手段として、 ■ 主放電回路が形成する断面の面積を最小にするり Ｑ） 表皮効果により、高周波電流は、電気の伝導体の
表面しか流ｆ′Ｌないため、電流の流れる表面積を増加
させる。
等が考えられる。このため、セラミックコンデンサー（
５）を主電極＋３１ 、 ＋４１に極力近づけ、主放電
回路断面の（３）積を最小にするとともに、主伝導路（
６ａ）。
５）を主電極＋３１ 、 ＋４１に極力近づけ、主放電
回路断面の（３）積を最小にするとともに、主伝導路（
６ａ）。
（６ｂ）を薄い銅板等で構成し、電流の流れる表面積を
増加させる等の工夫がなされている。
増加させる等の工夫がなされている。
さて、第６図に示すような一般に市販されているセラミ
ックコンデンサー＋５１ｉ、金属端子（９ａ） 。
ックコンデンサー＋５１ｉ、金属端子（９ａ） 。
（９ｂ）の先端部分が細くなっているため、この部分に
おける電流の流れる表面積は小さく、主放電回路に浮遊
するインダクタンスを大きくする原因となっている。こ
九を解決する手段として、従来第７図に示すようなセラ
ミックコンデンサー（５）の構造が提案されている。
おける電流の流れる表面積は小さく、主放電回路に浮遊
するインダクタンスを大きくする原因となっている。こ
九を解決する手段として、従来第７図に示すようなセラ
ミックコンデンサー（５）の構造が提案されている。
第７図において、Ｉはセラミック素材（８）の側面を這
い、金属端子（９ａ） 、 （９ｂ）間において起こる
浴面放電である。
い、金属端子（９ａ） 、 （９ｂ）間において起こる
浴面放電である。
第７図に示すセラミックコンデンサー（５）では。
モールド樹脂（７）を取り去り、また、金属端子（９ａ
）。
）。
（９ｂ）の先端を切り取り、主伝導路（６λ）、（６ｂ
）と金属端子（９ｍ）、（９ｂ）との接触面積を増加さ
せるようにしている。これにより、セラミックコンデン
サー（５）における浮遊のインダクタンスが低減され。
）と金属端子（９ｍ）、（９ｂ）との接触面積を増加さ
せるようにしている。これにより、セラミックコンデン
サー（５）における浮遊のインダクタンスが低減され。
レーザの高出力化、高効率化が実現される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら従来のレーザ発振器では、主放電回路にお
けるインダクタンス低減のため、セラミックコンデンサ
ー（５）における、セラミック素材（８）表面のモール
ド樹脂（７）を取り去ったため、セラミック素材（８）
表面を這って金属端子（９ａ） 、（９ｂ）間で沿面放
電−が生じてしまう問題点があった。また、その防止策
として、セラミックコンデンサー（５）の周辺を、ＳＦ
、ガス、フロン、純水、油等の、絶縁性の物質で被うこ
とも行なわれているが、長期に渡る信頼性に欠けるなど
の問題点があった。
けるインダクタンス低減のため、セラミックコンデンサ
ー（５）における、セラミック素材（８）表面のモール
ド樹脂（７）を取り去ったため、セラミック素材（８）
表面を這って金属端子（９ａ） 、（９ｂ）間で沿面放
電−が生じてしまう問題点があった。また、その防止策
として、セラミックコンデンサー（５）の周辺を、ＳＦ
、ガス、フロン、純水、油等の、絶縁性の物質で被うこ
とも行なわれているが、長期に渡る信頼性に欠けるなど
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさｎ
たもので、高出力、高効率でなおかつ、長期に渡る信頼
性のあるレーザ発振器を得ることを目的としているっ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係るレーザ発振器は、セラミック素材が露出
したセラミックコンデンサーにおいて、その周囲をセラ
ミック素材の誘電率に近い誘電率を有する粉体状の物質
で被うよつｌこしたものでめる０ 〔作 用〕 この発明におけるレーザ発振器に、セラミックコンデン
サーの周囲を、セラミック素材の誘電率に近い誘電率を
有する粉体状の物質で被ったため、セラミック素材表面
における電界強度が緩和され、沿面放電を防止する。
たもので、高出力、高効率でなおかつ、長期に渡る信頼
性のあるレーザ発振器を得ることを目的としているっ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係るレーザ発振器は、セラミック素材が露出
したセラミックコンデンサーにおいて、その周囲をセラ
ミック素材の誘電率に近い誘電率を有する粉体状の物質
で被うよつｌこしたものでめる０ 〔作 用〕 この発明におけるレーザ発振器に、セラミックコンデン
サーの周囲を、セラミック素材の誘電率に近い誘電率を
有する粉体状の物質で被ったため、セラミック素材表面
における電界強度が緩和され、沿面放電を防止する。
以Ｆ、この発明の一実施例を図について説明する。第り
図にオイテ、（１９は５ｒＴｉ０３． ＢａＴｉＯ３等
の。
図にオイテ、（１９は５ｒＴｉ０３． ＢａＴｉＯ３等
の。
セラミック素材（８］にほぼ近い誘電率を有する粉体状
の物質５口６１はセラミックコンデンサー（５）および
粉体状の物質（１５１を収納するコンデンサーボックス
であるわ 以Ｆこの発明の作用について説明するつセラミック素材
（８）が露出したセラミックコンデンサー（５）が、そ
の周囲を粉体状の物質Ｑ５１に被われ、コンデンサーボ
ックス（１６）に収められている。ここで、セラミック
コンデンサー（５）が充電されている状態における、セ
ラミック素材（８）表面での電界強度分布について考え
る。
の物質５口６１はセラミックコンデンサー（５）および
粉体状の物質（１５１を収納するコンデンサーボックス
であるわ 以Ｆこの発明の作用について説明するつセラミック素材
（８）が露出したセラミックコンデンサー（５）が、そ
の周囲を粉体状の物質Ｑ５１に被われ、コンデンサーボ
ックス（１６）に収められている。ここで、セラミック
コンデンサー（５）が充電されている状態における、セ
ラミック素材（８）表面での電界強度分布について考え
る。
第２図は誘電率が異なる二つの物質の境界面における、
電界の屈折現象を説明する図である。第２図において、
誘電率が各々ε１．Ｃ０である２種の物質の境界面にお
いて、ξｌの物質の方から強度Ｅ、の電界が入射角θｌ
で入ったとするうそしてｅＯの物質中では、屈折現象゛
により、電界強度ＥＯとなし、また出射角は００でめっ
たとするっこのとさ、の関係が成立する。Ｃ１〉８ｏの
時は、第２図に示すごとく、境界面の法線に対して近づ
く方向（Ｃ１〉Ｃ０）に電界が折れ曲がり、また、その
電界強度Ｅｏに増加するっ 図３はセラミックコンデンサー（５）が充電状態にある
時の電気力線（実線）αη９等電位線（破線）（１８１
を示す図で、中心線より左半分はセラミック素材（８）
に近い誘電率ε１を有する粉体状の物質０５Ｊ中に置か
れた場合、また右半分は誘電率ｅｏである大気中に置か
れた場合を実際より誇張して示している。
電界の屈折現象を説明する図である。第２図において、
誘電率が各々ε１．Ｃ０である２種の物質の境界面にお
いて、ξｌの物質の方から強度Ｅ、の電界が入射角θｌ
で入ったとするうそしてｅＯの物質中では、屈折現象゛
により、電界強度ＥＯとなし、また出射角は００でめっ
たとするっこのとさ、の関係が成立する。Ｃ１〉８ｏの
時は、第２図に示すごとく、境界面の法線に対して近づ
く方向（Ｃ１〉Ｃ０）に電界が折れ曲がり、また、その
電界強度Ｅｏに増加するっ 図３はセラミックコンデンサー（５）が充電状態にある
時の電気力線（実線）αη９等電位線（破線）（１８１
を示す図で、中心線より左半分はセラミック素材（８）
に近い誘電率ε１を有する粉体状の物質０５Ｊ中に置か
れた場合、また右半分は誘電率ｅｏである大気中に置か
れた場合を実際より誇張して示している。
電気力線（１７＋は、セラミック素材（８）の中心付近
では。
では。
金属端子（９ａ） 、（９ｂ）に対してほぼ垂直の方向
にあるが、周辺でにエツジの効果により徐々に外側に湾
曲する。
にあるが、周辺でにエツジの効果により徐々に外側に湾
曲する。
そしてセラミックコンデンサー（５）が大気中に置かれ
た場合は、先に示した屈折の効果により、その境界にお
いてさらに極端に湾曲するが、Ｃ１の粉体状の物質αω
中に置かれた場合は、粉体状の物質（５）のＣ１がセラ
ミック素材（８）のそれに近いため、連続的゛な一°′
湾曲となる。この結果、セラミック素材（８）表面付近
における電位勾配（すなわち電界強度）が緩和の方向に
向かい、金属端子（９ａ） 、（９ｂ）による、セラミ
ック素材（８）上の沿面放電０局は防止できる０ なお、上記実施例では、セラミックコンデンサー（５）
により、等価回路的に集中定数のコノデンサーバンクが
構成される列を示しているが、第４図ζこ示すごとく、
レーザ発振の光軸０２の方向に並べるばかりでなく、そ
れに垂直な方向にもＮ段（Ｎは正の整数）にわたす、８
＊の比較的小さなセラミックコンデンサー（５）を並べ
てもよい。この際、セラミックコンデンサー（５）にお
ける浮遊のインダクタンスが小さいため、第５図に示す
ようなＮ段のＬＣ回路からなる擬似的なパルスフォーミ
ノグライン（ＰＦＬ）となる。ここで、ｕ！ｌ）ｈセラ
ミックコンデンサー（５）の各段間１こ存在する浮遊の
′インダクタンスである。ＰＦＬｉ；ｉ擬似的な矩形波
パルスを発生し、パルス幅にその段数に応じて増加する
っこのよりなＰＦＬにより駆動されるパルスレーザでは
、高いピーク出力を維持しつつ、比較的長いレーザパル
スを発生し、高出力で高効率なレーザ発振が実現される
。
た場合は、先に示した屈折の効果により、その境界にお
いてさらに極端に湾曲するが、Ｃ１の粉体状の物質αω
中に置かれた場合は、粉体状の物質（５）のＣ１がセラ
ミック素材（８）のそれに近いため、連続的゛な一°′
湾曲となる。この結果、セラミック素材（８）表面付近
における電位勾配（すなわち電界強度）が緩和の方向に
向かい、金属端子（９ａ） 、（９ｂ）による、セラミ
ック素材（８）上の沿面放電０局は防止できる０ なお、上記実施例では、セラミックコンデンサー（５）
により、等価回路的に集中定数のコノデンサーバンクが
構成される列を示しているが、第４図ζこ示すごとく、
レーザ発振の光軸０２の方向に並べるばかりでなく、そ
れに垂直な方向にもＮ段（Ｎは正の整数）にわたす、８
＊の比較的小さなセラミックコンデンサー（５）を並べ
てもよい。この際、セラミックコンデンサー（５）にお
ける浮遊のインダクタンスが小さいため、第５図に示す
ようなＮ段のＬＣ回路からなる擬似的なパルスフォーミ
ノグライン（ＰＦＬ）となる。ここで、ｕ！ｌ）ｈセラ
ミックコンデンサー（５）の各段間１こ存在する浮遊の
′インダクタンスである。ＰＦＬｉ；ｉ擬似的な矩形波
パルスを発生し、パルス幅にその段数に応じて増加する
っこのよりなＰＦＬにより駆動されるパルスレーザでは
、高いピーク出力を維持しつつ、比較的長いレーザパル
スを発生し、高出力で高効率なレーザ発振が実現される
。
また、上記実施［ＦＩＪでは、セラミックコンデンサ−
（５）における沼面放電圓の防止のため、単にそのセラ
ミック素材（８）の誘電率に近い誘電率を有する粉体状
の物質０９で被うようにしたものであるが、ピーキング
コンデンサー（５）の周囲をＳＦ６ガス、フロン、純水
、油等の絶縁性の物質に浸し、それに粉体状の物質ａ９
を混合してピーキングコンデンサー（５ｊの周囲を被う
ようにすると、電界強度緩和の効果にプラスして絶縁耐
力向上の効果が加わり。
（５）における沼面放電圓の防止のため、単にそのセラ
ミック素材（８）の誘電率に近い誘電率を有する粉体状
の物質０９で被うようにしたものであるが、ピーキング
コンデンサー（５）の周囲をＳＦ６ガス、フロン、純水
、油等の絶縁性の物質に浸し、それに粉体状の物質ａ９
を混合してピーキングコンデンサー（５ｊの周囲を被う
ようにすると、電界強度緩和の効果にプラスして絶縁耐
力向上の効果が加わり。
さらに沿面放電防止の観点から信頼性が向上する。
以上のように、この発明によｎば、レーザ発振器の主電
極に並列に接続されるコンデンサーのセラミック素材の
周囲を、セラミック素材の誘電率に近い誘電率を有する
粉体状の物質で被うようにしたので、金桐端子間での沿
面放電が防止でき。
極に並列に接続されるコンデンサーのセラミック素材の
周囲を、セラミック素材の誘電率に近い誘電率を有する
粉体状の物質で被うようにしたので、金桐端子間での沿
面放電が防止でき。
高出力で高効率、なおかつ信頼性の高いレーザ発振器が
得られる効果がある。
得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレーザ発振器を示す
縦断面図、第２図は異なる誘電率を有する物質の境界面
における電界の屈折を説明する図。 第３図は電荷が充電さｎているコンデンサーの内部と外
部における電気力線、等電位線を示す図、第４図はこの
発明をパルスフォーミングライン（ＰＦＬ）に適用した
ＩＩＦＩＪを示す図、第５図は第４図の等価回路を示す
図、第６図、第７図は従来のレーザ発振器を示す縦断面
図である。 図において、（２）はレーザガス、（３）は第１の主電
極、（４）は第２の主電極、（５）はセラミックコンデ
ンサー、（８）はセラミック素材、圓は沿面放電、囮は
粉体状の物質である。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 ε１＞’ｔ、＝＋ θ、〉θθ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
縦断面図、第２図は異なる誘電率を有する物質の境界面
における電界の屈折を説明する図。 第３図は電荷が充電さｎているコンデンサーの内部と外
部における電気力線、等電位線を示す図、第４図はこの
発明をパルスフォーミングライン（ＰＦＬ）に適用した
ＩＩＦＩＪを示す図、第５図は第４図の等価回路を示す
図、第６図、第７図は従来のレーザ発振器を示す縦断面
図である。 図において、（２）はレーザガス、（３）は第１の主電
極、（４）は第２の主電極、（５）はセラミックコンデ
ンサー、（８）はセラミック素材、圓は沿面放電、囮は
粉体状の物質である。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 ε１＞’ｔ、＝＋ θ、〉θθ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (4)
- （１）レーザガス中において相対向する第１、第２の主
電極と、セラミック素材から構成されるセラミックコン
デンサー、このセラミックコンデンサーを挾持し、セラ
ミックコンデンサに蓄えられたエネルギーを上記第１、
第２の主電極へ伝達する主伝導路とを備え、上記セラミ
ックコンデンサーが、上記主電極間に１個以上並列に接
続されたレーザ発振器において、上記セラミックコンデ
ンサーの周囲を、上記セラミック素材の誘電率に近い誘
電率を有する物質で被うことを特徴とするパルスレーザ
発振器。 - （２）セラミック素材の誘電率に近い誘電率を有する物
質は、粉体状の物質であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のパルスレーザ発振器。 - （３）粉体状の物質は、ＳＦ＿６ガス、フロン、純水、
油、エポキシ樹脂等の絶縁性物質中に混合状態で存在す
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のパルス
レーザ発振器。 - （４）複数のセラミックコンデンサーによりパルスフォ
ーミングラインを形成することを特徴とする、特許請求
の範囲第１項記載のレーザ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820585A JPS6255981A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | パルスレ−ザ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820585A JPS6255981A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | パルスレ−ザ発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255981A true JPS6255981A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16387227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19820585A Pending JPS6255981A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | パルスレ−ザ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0542539U (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | 松下電工株式会社 | ２段駐車装置 |
| JPH0542540U (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | 松下電工株式会社 | ２段駐車装置 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP19820585A patent/JPS6255981A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0542539U (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | 松下電工株式会社 | ２段駐車装置 |
| JPH0542540U (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | 松下電工株式会社 | ２段駐車装置 |
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