JPS6254442A - Dry etching process - Google Patents
Dry etching processInfo
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- JPS6254442A JPS6254442A JP19466685A JP19466685A JPS6254442A JP S6254442 A JPS6254442 A JP S6254442A JP 19466685 A JP19466685 A JP 19466685A JP 19466685 A JP19466685 A JP 19466685A JP S6254442 A JPS6254442 A JP S6254442A
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- Japan
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- electrode
- gas
- holes
- blow
- wafer
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明はドライエツチング装置に係り、特にウェハに
ガスエツチングする際に、反応容器内に配置されたいわ
ゆるシャワー電極を介して、反応容器の外から反応容器
内にガスを供給するために、シャワー電極に形成された
多数のガス吹出し孔にガスを供給するためのガスの供給
機構の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to a dry etching apparatus, and in particular, when performing gas etching on a wafer, a so-called shower electrode disposed inside the reaction vessel is used to conduct etching from the outside of the reaction vessel. The present invention relates to an improvement in a gas supply mechanism for supplying gas to a large number of gas blow-off holes formed in a shower electrode in order to supply gas into a reaction vessel.
[従来の技術]
従来、ウェハにガスエツチングする場合に反応容器内に
配置される電極としは、例えば、第3図にボすシャワー
電極20がある。[Prior Art] Conventionally, an example of an electrode disposed in a reaction vessel when performing gas etching on a wafer is a shower electrode 20 shown in FIG.
このシャワー電極20には、反応容器の外部のガス供給
管と連通ずるガスの供給孔21が、その支持部22の内
部に形成されている。This shower electrode 20 has a gas supply hole 21 formed inside its support portion 22 that communicates with a gas supply pipe outside the reaction vessel.
そして、この電極20の内部には、供給孔21と連通し
、電極20のド方にガスを吹出すための吹出し孔23が
多数形成されており、この吹出し ゛孔23から吹出し
たガスが、電極20の下方の下部電極24に載置された
ウェハ25の表面に供給される。Inside the electrode 20, a large number of blow-off holes 23 are formed which communicate with the supply holes 21 and blow out gas toward the side of the electrode 20, and the gas blown out from the blow-off holes 23 is It is supplied to the surface of the wafer 25 placed on the lower electrode 24 below the electrode 20 .
そして、ウェハ25の表面におけるガス分布を均等にし
てエツチング処理をするための対策としては、シャワー
電極に径や形成間隔等の穴なる複数の吹出し孔23を設
ける。As a measure to uniformly distribute the gas on the surface of the wafer 25 during the etching process, the shower electrode is provided with a plurality of blow-off holes 23 having different diameters and forming intervals.
[解決しようとする問題点]
しかしながら、このような従来のシャワー′心極を用い
たドライエツチング装置においては、反応容器の外部の
ガス供給管と連通ずるガスの供給孔が1つであって、こ
の1つの供給孔から全ての吹出し孔にガスが供給される
ために、ウェハの表面におけるガス分布を均等にしてエ
ツチング処理をするための対策として、シャワー電極に
径や形成間隔等の異なる複数の吹出し孔を設けても、ガ
スの供給圧との関係でウェハの表面におけるガス分布を
均等にすることができないという問題があり、さらに、
ウェハの大きさが変われば、それに応じて複数の吹出し
孔の構成も変えなければならないという問題がある。[Problems to be Solved] However, in such a conventional dry etching apparatus using a shower core, there is only one gas supply hole that communicates with the gas supply pipe outside the reaction vessel. Since gas is supplied to all the blow-off holes from this one supply hole, as a measure to uniformly distribute the gas on the wafer surface and perform the etching process, multiple shower electrodes with different diameters and formation intervals are used. Even if blow holes are provided, there is a problem in that the gas distribution on the wafer surface cannot be made uniform due to the relationship with the gas supply pressure.
There is a problem in that if the size of the wafer changes, the configuration of the plurality of blowing holes must be changed accordingly.
[発明の1°l的]
この発明の目的は、前記従来の問題を解決するものであ
って、ウェハの表面におけるガス分布を均等にしてエツ
チング処理が11″えて、製品の歩留りを向Elするこ
とができ、大きさの穴なるウエノ\にも対応することが
できるドライエツチング装置を提供することにある。[1°l aspect of the invention] An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to increase the etching process by 11" by making the gas distribution uniform on the surface of the wafer, thereby improving the product yield. It is an object of the present invention to provide a dry etching device that can handle holes of any size, such as Ueno\.
[問題点を解決するためのL段]
このような11的を達成するためのこの発明の1段は、
ウェハが載置される第1の電極と、この第1の電極の上
方に設た第2の電極と、この第2の電極にガスを供給す
る供給管とを備え、前記第2の電極は、複数のガス吹出
し孔を有する第1.第2のガス吹出し部を具えるドライ
エツチング装置にある。[L stage for solving the problem] The first stage of this invention to achieve the above 11 objectives is as follows:
A first electrode on which a wafer is placed, a second electrode provided above the first electrode, and a supply pipe for supplying gas to the second electrode, the second electrode being , a first one having a plurality of gas blowing holes. The dry etching apparatus includes a second gas blowing section.
[作用コ
このように構成したドライエツチング装置は、供給管か
ら第2の電極の第1.第2のガス吹出し部にガスが供給
され、第1.第2のガス吹出し部に供給されたガスは、
第1のガス吹出し部の複数の吹出し孔と第2のガス吹出
し都の複数の吹出し孔から第2の電極のド方に吹出す。[Operation] The dry etching apparatus constructed in this way supplies the first electrode to the second electrode from the supply pipe. Gas is supplied to the second gas blowing section, and the first. The gas supplied to the second gas outlet is
The gas is blown toward the second electrode from the plurality of blow-off holes of the first gas blow-off part and the plurality of blow-off holes of the second gas blow-off part.
このことにより、ウェハ表面のガス分布が均等になり、
その結果安定したエンチング処理を行うことができる。This results in an even gas distribution on the wafer surface.
As a result, stable enching processing can be performed.
[実施例コ
以ド、図面を参照して、この発明におけるドライエツチ
ング装置の一実施例につき詳細に説明する。[Embodiment Code] An embodiment of the dry etching apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は、この発明におけるドライエツチング装置の・
実施例を示したものである。FIG. 1 shows the dry etching apparatus according to the present invention.
This shows an example.
このドライエツチング装置lは、ウェハ2が載置される
第1の電極3と、複数のガス吹出し孔4a + 4
bを有する第1.第2のガス吹出し部5a。This dry etching apparatus l includes a first electrode 3 on which a wafer 2 is placed, and a plurality of gas blowing holes 4a + 4.
The first with b. Second gas blowing section 5a.
5bを具えた第2の電極5とを備える。5b.
第2の電極5は、第1の電極3のl一方に設けられてお
り、全体が円板1・、に形成されている。The second electrode 5 is provided on one side of the first electrode 3, and is entirely formed into a disk 1.
そして、この第2の電極5には、反応容器の外部の2つ
のガス供給管6a、6bとそれぞれ連通ずる2つのガス
の供給孔7a、7bが、その支持部8の内部に形成され
ている。The second electrode 5 has two gas supply holes 7a and 7b formed inside its support portion 8, which communicate with two gas supply pipes 6a and 6b outside the reaction vessel, respectively. .
さて、第2の電極5の内部には、第2の電極5のド方に
ガスを吹出すための多数の吹出し孔4at4bを有する
第1.第2のガス吹出し部5a、5bが形成されている
。Now, inside the second electrode 5, there are a number of blow-off holes 4at4b for blowing out gas toward the side of the second electrode 5. Second gas blowing portions 5a and 5b are formed.
第1のガス吹出し部5aは、電極5の中央部分に形成さ
れ、複数の吹出し孔4aを自し、供給孔7aと連通ずる
。The first gas blowing section 5a is formed in the center of the electrode 5, has a plurality of blowing holes 4a, and communicates with the supply hole 7a.
また、第2のガス吹出し部5bは、電極5の周辺部分に
形成され、複数の吹出し孔4bを有し、供給孔7bと連
通ずる。Further, the second gas blowing section 5b is formed around the electrode 5, has a plurality of blowing holes 4b, and communicates with the supply hole 7b.
而して、電極5の中米部分に形成された複数の吹出し孔
4aは、供給孔7aを介して、一方のガス供給管6aか
らガスの供給を受け、電極5の周辺部分に形成された複
数の吹出し孔4bは、供給孔7bを介して、他方のガス
供給管6bからガスの供給を受ける。Thus, the plurality of blow-off holes 4a formed in the central part of the electrode 5 are supplied with gas from one gas supply pipe 6a through the supply hole 7a, and the plurality of blow-off holes 4a formed in the central part of the electrode 5 are The plurality of blowout holes 4b receive gas supply from the other gas supply pipe 6b via the supply hole 7b.
なお、第2図に示すように、第2のガス吹出し部5bは
、リング状に連通して、円形の第1のガス吹出し部5a
の周囲に形成されている。As shown in FIG. 2, the second gas blowing section 5b communicates with the circular first gas blowing section 5a in a ring shape.
is formed around.
また、2つのガス供給管6 a w 8 bには、それ
ぞれ、ガスの供給孔7 a + 7 bに供給するガス
の供給圧を調整し、その流;11を調節するための流;
11調節装置9 a t 9 bが設けられている。Further, the two gas supply pipes 6 aw 8 b each have a flow for adjusting the supply pressure of the gas supplied to the gas supply holes 7 a + 7 b, and adjusting the flow;
11 adjustment devices 9 a t 9 b are provided.
このように構成したドライエツチング装置lは、電極5
の中央部分に形成された複数の吹出し孔4aから吹出す
ガスのMr、Litが流量調節装置9aで調節され、電
極5の周辺部分に形成された複数の吹出し孔4bから吹
出すガスの流1誹が流:d調節装置9bで調節される。The dry etching apparatus l configured in this way has an electrode 5
Mr and Lit of the gas blown out from the plurality of blow-off holes 4a formed in the central part of the electrode 5 are adjusted by the flow rate adjustment device 9a, and the flow 1 of the gas blown out from the plurality of blow-off holes 4b formed in the peripheral part of the electrode 5 is adjusted. The flow rate is adjusted by the adjustment device 9b.
そして、ウェハ2の表面のガスの分布状況に応じて、例
えば、ウェハ2の中央部分のガスの分布密度が低く、ウ
ェハ2の周辺部分のガスの分布密度が高い場合には、流
量調節装置9aで電極5の中央部分に形成された複数の
吹出し孔4aから吹出すガスの流量を、電極5の周辺部
分に形成された複数の吹出し孔4bから吹111すガス
の流mよりも多くする。Then, depending on the gas distribution situation on the surface of the wafer 2, for example, if the gas distribution density in the central part of the wafer 2 is low and the gas distribution density in the peripheral part of the wafer 2 is high, the flow rate adjustment device 9a The flow rate of the gas blown out from the plurality of blow-off holes 4a formed in the central part of the electrode 5 is made larger than the flow rate m of the gas blown out from the plurality of blow-off holes 4b formed in the peripheral part of the electrode 5.
このようにして、流量調節装置9 a + 9 bで、
電極5の中央部分に形成された複数の吹出し孔4aから
吹出すガスの流filと、電極5の周辺部分に形成され
た複数の吹出し孔4bから吹litすガスの流14を相
対的に異なるものとすることによりウェハ2の表面にお
けるガス分布を均等にする。In this way, the flow rate regulators 9a + 9b,
The gas flow fil blown out from the plurality of blow-off holes 4a formed in the central part of the electrode 5 and the gas flow 14 blown out from the plurality of blow-off holes 4b formed in the peripheral part of the electrode 5 are relatively different. By doing so, the gas distribution on the surface of the wafer 2 is made uniform.
以1−1実施例について説明したが、第1.第2のガス
吹出し部の配置位置は、必ずしも第2の電極の中央部分
及び周辺部分である必要はない。第2の電極の形状、ガ
スの供給管の配置位置等に応じて変更することができる
ものである。Although the 1-1 embodiment has been described above, 1. The arrangement position of the second gas blowing part does not necessarily have to be the central part and the peripheral part of the second electrode. It can be changed depending on the shape of the second electrode, the arrangement position of the gas supply pipe, etc.
[発明の効!!]
以I−の説明から明らかなように、この発明におけるド
ライエツチング装置は、ウェハが載置される第1の電極
と、この第1の電極の上方に設た第2の電極と、この第
2の電極にガスを供給する供給管とを備え、前記第2の
電極は、複数のガス吹出し孔を有する第1.第2のガス
吹出し部を具えるので、ウェハの表面におけるガス分布
が均等になり安定したエツチング処理が行えて、製品の
歩留りを向1−することができ、大きさの異なるウェハ
にも対応することができる。[Efficacy of invention! ! ] As is clear from the explanation in I- below, the dry etching apparatus of the present invention includes a first electrode on which a wafer is placed, a second electrode provided above the first electrode, and a second electrode provided above the first electrode. and a supply pipe for supplying gas to the second electrode, the second electrode having a plurality of gas blowing holes. Equipped with a second gas blowing section, the gas distribution on the wafer surface becomes uniform and stable etching processing can be performed, improving product yield and making it possible to handle wafers of different sizes. be able to.
第1図は、この発明におけるドライエツチング装置の一
実施例を71<シた概略説明図、第2図は、第2の電極
の平面図、第3図は、従来のドライエツチング装置をノ
1クシた ・部所面図。
i ・・・・ドライエツチング装置、2−・・・ウェハ
、4a・・・・第1のガス吹出し部のガス吹出し孔、4
b−・・・第2のガス吹出し部のガス吹出し孔、5−・
・・第2の電極、5 a ・−第1のガス吹出し部、5
b−・・・第2のガス吹出し部、8a、6b−ガス供
給管、9a、9b・・・・流j、l調節装置。FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing an embodiment of the dry etching apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the second electrode, and FIG. Kushita - Parts plan. i... Dry etching device, 2-... Wafer, 4a... Gas blowing hole of the first gas blowing part, 4
b-... Gas blowing hole of the second gas blowing part, 5-...
・・Second electrode, 5 a ・−First gas blowing part, 5
b--Second gas blowing section, 8a, 6b-Gas supply pipe, 9a, 9b...Flow j, l adjustment device.
Claims (2)
極の上方に設た第2の電極と、この第2の電極にガスを
供給する供給管とを備え、前記第2の電極は、複数のガ
ス吹出し孔を有する第1、第2のガス吹出し部を具える
ことを特徴とするドライエッチング装置。(1) The second electrode includes a first electrode on which a wafer is placed, a second electrode provided above the first electrode, and a supply pipe that supplies gas to the second electrode. A dry etching apparatus characterized in that the electrode includes first and second gas blowing portions having a plurality of gas blowing holes.
れぞれ設けられ、各供給管はガスの流量を調節する流量
調節装置を備え、第1のガス吹出し部は第2の電極の中
央部分に配置され、第2のガス吹出し部は第1のガス吹
出し部の両側周辺部分に配置される特許請求の範囲第1
項記載のドライエッチング装置。(2) Supply pipes are provided corresponding to the first and second gas blowing parts, each supply pipe is equipped with a flow rate adjustment device that adjusts the flow rate of gas, and the first gas blowing part is connected to the second electrode. Claim 1, wherein the second gas blowing section is arranged in the central part of the first gas blowing section, and the second gas blowing section is arranged on both sides of the first gas blowing section.
Dry etching equipment described in Section 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19466685A JPS6254442A (en) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | Dry etching process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19466685A JPS6254442A (en) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | Dry etching process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6254442A true JPS6254442A (en) | 1987-03-10 |
Family
ID=16328285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19466685A Pending JPS6254442A (en) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | Dry etching process |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6254442A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100230983B1 (en) * | 1996-06-05 | 1999-11-15 | 김광호 | Gas distribution plate of dry etching apparatus for semiconductor |
JP2008226922A (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | Method and apparatus of manufacturing magnetic device |
CN104022006A (en) * | 2014-05-23 | 2014-09-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Dry etching equipment and method thereof |
US8906193B2 (en) | 2004-12-09 | 2014-12-09 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus and supply gas setting method |
JP2017028220A (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | Electrode plate for plasma processing apparatus |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP19466685A patent/JPS6254442A/en active Pending
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US9441791B2 (en) | 2004-12-09 | 2016-09-13 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus and supply gas setting method |
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