KR102199913B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 본 발명의 기판처리장치는 처리용기와, 상기 처리용기 내에 배치되고, 상기 처리용기로 제1 및 제2 가스를 제공하기 위한 가스도입부재와, 상기 가스도입부재는 상기 제1 가스를 확산시키기 위한 제1 가스확산영역과, 상기 제1 가스확산영역 하부에 인접구비되어 제2 가스를 확산시키기 위한 제2 가스확산영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 가스확산영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 및 제2 전원유닛이 각각 연결된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus of the present invention comprises a processing vessel, a gas introduction member disposed in the processing vessel and for supplying first and second gases to the processing vessel, and the gas introduction The member includes a first gas diffusion region for diffusing the first gas, and a second gas diffusion region provided adjacent to a lower portion of the first gas diffusion region for diffusing a second gas, and the first and second First and second power units for generating plasma are connected to the gas diffusion region, respectively.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing equipment {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 식각공정처리 후 내부세정이 용이한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that facilitates internal cleaning after an etching process.

반도체 제조공정 중 기판 표면을 식각하기 위한 식각공정에는 다양한 방법이 존재한다. There are various methods for etching a substrate surface during a semiconductor manufacturing process.

다양한 방법들 중 두가지 가스를 혼합하여 기판처리장치의 처리용기 내에서 식각가스혼합물을 형성하고, 기판과 반응시켜 기판을 식각하는 방법이 존재한다. Among various methods, there is a method of forming an etching gas mixture in a processing container of a substrate processing apparatus by mixing two gases, and etching the substrate by reacting with the substrate.

특히, 처리용기 내에 두가지 가스를 혼합하기 위한 구조로서, 각각의 가스를 확산시키기 위한 가스확산공간들이 상하방향으로 적층된 구조가 존재한다. In particular, as a structure for mixing two gases in a processing container, there is a structure in which gas diffusion spaces for diffusing each gas are stacked vertically.

이러한 구조에서는 가스들을 플라즈마화하기 위한 전원유닛은 기판처리장치에 하나가 구비되는 경우에도 식각 공정처리이 가능하다.In this structure, even if one power unit for converting gases into plasma is provided in the substrate processing apparatus, the etching process can be performed.

한편, 기판공정처리 이후 공정처리과정에서 발생되는 파티클을 제거하기 이해, 세정과정이 이루어질 수 있다, 가스확산공간들에 하나의 전원만을 구비한 기판처리장치에서, 상하방향으로 적층된 가스확산공간들 내에 형성된 부산물들 모두가 용이하게 제거되지는 않는다. 즉, 플라즈마 전원이 제공되는 어느 하나의 가스확산공간 내의 부산물들은 제거되지만, 플라즈마 전원이 제공되지 않은 다른 가스확산공간 내의 산 또는 염기에 의해 형성되는 부산물은 용이하게 제거되지 않을 수 있다. 특히, 이에 따라 제거되지 못한 부산물은 이후 공정에서 파티클 문제를 유발할 수 있다. On the other hand, after the substrate processing, it is understood that particles generated in the processing process can be removed, and a cleaning process can be performed. In a substrate processing apparatus having only one power source in the gas diffusion spaces, gas diffusion spaces stacked in the vertical direction Not all of the by-products formed therein are easily removed. That is, although by-products in any one gas diffusion space provided with plasma power are removed, by-products formed by acids or bases in another gas diffusion space in which plasma power is not provided may not be easily removed. In particular, by-products that are not removed accordingly may cause particle problems in a later process.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 공정처리 과정 완료 후 생성된 부산물을 용이하게 제거할 수 있는 기판처리장치를 제공함에 그 목적이 있다. An object of the present invention is to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of easily removing by-products generated after completion of the processing process.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 처리용기; 상기 처리용기 내에 배치되고, 상기 처리용기로 제1 및 제2 가스를 제공하기 위한 가스도입부재; 상기 가스도입부재는 상기 제1 가스를 확산시키기 위한 제1 가스확산영역과, 상기 제1 가스확산영역 하부에 인접구비되어 제2 가스를 확산시키기 위한 제2 가스확산영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 가스확산영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 및 제2 전원유닛이 각각 연결된다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a processing container; A gas introduction member disposed in the processing container and configured to supply first and second gases to the processing container; The gas introduction member includes a first gas diffusion region for diffusing the first gas, and a second gas diffusion region provided adjacent to a lower portion of the first gas diffusion region for diffusing a second gas, and the first And first and second power units for generating plasma in the second gas diffusion region, respectively.

또한 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 전원유닛은, 공정처리가 완료된 기판이 배출되면, 상기 제1 및 제2 가스확산영역에 전원을 인가하여 상기 제1 및 제2 가스확산영역 내에 존재하는 부산물을 제거한다. In addition, in an embodiment, the first and second power units are present in the first and second gas diffusion areas by applying power to the first and second gas diffusion areas when the process-processed substrate is discharged. Remove the by-products.

또한 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스확산영역에 각각 가열하기 위한 제1 및 제2 가열유닛을 더 포함한다. In addition, in the embodiment, it further includes first and second heating units for heating the first and second gas diffusion regions, respectively.

또한, 실시예에 있어서, 상기 제1 전원유닛으로부터 공급되는 전원과 상기 제2 전원으로부터 공급되는 전원 간 간섭을 피하기 위해, 상기 제1 가스확산영역과 상기 제2 가스확산영역 사이에 구비되는 제1 절연체를 더 포함한다. In addition, in an embodiment, in order to avoid interference between the power supplied from the first power unit and the power supplied from the second power supply, a first gas diffusion region is provided between the first gas diffusion region and the second gas diffusion region. It further includes an insulator.

상기 제2 전원유닛으로부터 공급되는 전원과 정전척으로부터 제공되는 전원 간의 간섭을 방지하기 위해 상기 제2 가스확산영역 하부면과 상기 하부면을 제외한 상부면 사이에 구비되는 제2 절연체를 더 포함한다.In order to prevent interference between the power supplied from the second power unit and the power supplied from the electrostatic chuck, a second insulator provided between a lower surface of the second gas diffusion region and an upper surface other than the lower surface is further included.

본 발명에 따르면, 상하방향으로 적층된 제1 및 제2 가스확산공간에 각각 제1 및 제2 전원유닛이 연결됨으로써, 제1 및 제2 가스확산공간에 각각 형성된 부산물들을 플라즈마화시켜 제거할 수 있다. 이에 따라 이후 공정에서 발생될 수 있는 파티클 문제를 방지할 수 있다.According to the present invention, by connecting the first and second power units to the first and second gas diffusion spaces stacked in the vertical direction, respectively, by-products formed in the first and second gas diffusion spaces can be removed by plasma. have. Accordingly, it is possible to prevent particle problems that may occur in subsequent processes.

제1 및 제2 가스확산공간에 각각 제1 및 제2 가열유닛을 구비함으로써, 공정처리이후 제1 및 제2 가스확산공간의 내부 세정을 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 이후 공정에서 발생될 수 있는 파티클 문제를 방지할 수 있다. By providing the first and second heating units in the first and second gas diffusion spaces, respectively, it is possible to facilitate internal cleaning of the first and second gas diffusion spaces after the process treatment. Accordingly, it is possible to prevent a particle problem that may occur in a later process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
도 3는 도 2에 도시된 가스도입부재를 위에서 바라본 도면이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a view as viewed from above of the gas introducing member shown in FIG. 2.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

도 1을 참조하여 일 실시예에 따른 기판처리장치에 대해 상세히 설명한다.A substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(10)는 처리용기(100), 기판지지유닛(200), 제1 및 제2 가스확산영역(310, 320)을 구비하는 가스도입부재(300)을 포함한다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a gas introduction member having a processing vessel 100, a substrate support unit 200, and first and second gas diffusion regions 310 and 320 ( 300).

처리용기(100)는 내부에 기판을 처리할 수 있는 공간을 제공한다. 처리용기(100) 하부에는 기판지지유닛(200)이 위치하고, 처리용기(100) 상부에는 가스도입부재(300)가 위치한다. The processing container 100 provides a space in which a substrate can be processed. A substrate support unit 200 is located under the processing container 100, and a gas introduction member 300 is located above the processing container 100.

처리용기(100)는 처리용기 내부를 진공으로 유지할 수 있는 압력조절부재(110)가 구비된다. 압력조절부재(110)는 기판(W)을 공정처리 시 처리용기(100)의 내부압력을 진공상태와 유사한 상태가 되도록 제어한다. 예를 들어, 공정처리시 압력은 약 500 mTorr 내지 약 30 Torr 사이에서 유지되도록 제어될 수 있다. The processing vessel 100 is provided with a pressure control member 110 capable of maintaining the interior of the processing vessel in a vacuum. The pressure control member 110 controls the internal pressure of the processing vessel 100 to be in a state similar to a vacuum state when processing the substrate W. For example, the pressure during processing may be controlled to be maintained between about 500 mTorr to about 30 Torr.

기판지지유닛(200)은 기판(W)을 척킹하여 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전척일 수 있다. The substrate support unit 200 supports the substrate W by chucking it. The substrate support unit 200 may be an electrostatic chuck.

기판지지유닛(200)에는 기판(W)의 온도를 조절하는 온도조절부재(210)가 구비될 수 있다. 온도조절부재(210)은 에를 들어 열전달매채 또는 냉각제가 흐르는 유체채널일 수 있다. 온도조절부재(210)는 공정처리 시 기판(W)의 온도를 65도 이하, 바람직하게는 약 15도 내지 50도로 유지한다.The substrate support unit 200 may be provided with a temperature control member 210 for controlling the temperature of the substrate W. The temperature control member 210 may be, for example, a fluid channel through which a heat transfer medium or a coolant flows. The temperature control member 210 maintains the temperature of the substrate W at 65 degrees or less, preferably about 15 degrees to 50 degrees during processing.

가스도입부재(300)은 제1 가스확산영역(310)과 제2 가스확산영역(320)을 포함한다. 제1 가스확산영역(310)은 제2 가스확산영역(320) 상부에 인접하여 배치된다. 즉, 가스도입부재(300)는 상하방향으로 적층된 제1 가스확산영역(310)과 제2 가스확산영역(320)을 포함한다.The gas introduction member 300 includes a first gas diffusion region 310 and a second gas diffusion region 320. The first gas diffusion region 310 is disposed adjacent to the second gas diffusion region 320. That is, the gas introduction member 300 includes a first gas diffusion region 310 and a second gas diffusion region 320 stacked in the vertical direction.

제1 가스확산영역(310)은 상부에 제1 가스공급관(311)과 연통되어 제1 가스공급유닛(319)로부터 제1 가스를 공급받는다. 제1 가스확산영역(310)은 하부에 다수의 제1 가스도입관(312)이 형성되어 처리용기(100)로 제1 가스를 제공한다.The first gas diffusion region 310 communicates with the first gas supply pipe 311 at the upper portion to receive the first gas from the first gas supply unit 319. A plurality of first gas introduction pipes 312 are formed under the first gas diffusion region 310 to provide the first gas to the processing vessel 100.

제2 가스확산영역(320)은 상부에 제2 가스공급관(321)과 연통되어 제2 가스공급유닛(329)으로부터 제2 가스를 공급받는다. 또한 제2 가스확산영역(320)은 하부에 다수의 제2 가스도입관(322)이 형성되어 처리용기(100)로 제2 가스를 제공한다.The second gas diffusion region 320 communicates with the second gas supply pipe 321 at the top to receive the second gas from the second gas supply unit 329. In addition, a plurality of second gas introduction pipes 322 are formed under the second gas diffusion region 320 to provide a second gas to the processing vessel 100.

제2 가스확산영역(320)은 제1 가스확산영역(310)의 하부에 위치한다. 또한, 제2 가스확산영역(320)의 지름크기는 제1 가스확산영역(310)의 지름크기보다 크게 형성될 수 있고, 제1 가스확산영역(310)은 지름크기가 큰 제2 가스확산영역(320) 내 상측에 구비될 수 있다. 이때 제2 가스공급관(321)은 제2 가스확산영역(320)의 상측가장자리부분에 제2 가스를 제공함으로써 제1 가스확산영역(310)과의 간섭을 방지할 수 있다.The second gas diffusion region 320 is located under the first gas diffusion region 310. In addition, the diameter size of the second gas diffusion region 320 may be formed larger than the diameter size of the first gas diffusion region 310, and the first gas diffusion region 310 is a second gas diffusion region having a larger diameter. (320) It may be provided on the inner upper side. In this case, the second gas supply pipe 321 may prevent interference with the first gas diffusion region 310 by providing the second gas to the upper edge of the second gas diffusion region 320.

제1 가스도입관(312)은 제1 가스확산영역(310)의 하부로부터 형성되어 제2 가스확산영역(320)을 관통한다. 제1 가스는 제1 가스도입관(312)으로부터 처리용기(100) 내로 제공되며, 제1 가스는 제2 가스확산영역 내로 확산되지 않을 수 있다. The first gas introduction pipe 312 is formed from the lower portion of the first gas diffusion region 310 and passes through the second gas diffusion region 320. The first gas is provided into the processing vessel 100 from the first gas introduction pipe 312, and the first gas may not diffuse into the second gas diffusion region.

제2 가스도입관(322)은 제2 가스확산영역(320)의 하부에 형성되며, 제1 가스도입관(312)과 간섭되지 않는 위치에 구비되어 처리용기(100) 내로 제2 가스를 제공한다. The second gas introduction pipe 322 is formed under the second gas diffusion region 320 and is provided at a position that does not interfere with the first gas introduction pipe 312 to provide the second gas into the processing vessel 100 do.

제1 전원유닛(313)은 제1 가스확산영역(310)에 전원을 제공한다. 공정처리과정에서 제1 가스는 제1 전원유닛(313)으로부터 제공되는 전원에 의해 플라즈마화 된다. 공정처리과정에서 플라즈마화된 제1 가스는 제1 가스도입관(312)을 통해 처리용기(100) 내로 제공된다. The first power unit 313 provides power to the first gas diffusion region 310. In the process of processing, the first gas is converted into plasma by power supplied from the first power unit 313. The plasma-generated first gas during the processing process is provided into the processing vessel 100 through the first gas introduction pipe 312.

제1 가열유닛(314)은 제1 가스확산영역(310)에 열을 공급하여 제1 가스확산영역(310)을 가열하여 플라즈마화를 용이하게 하고, 공정처리 이후 부산물에 열을 가하여 제거에 용이한 상태로 만들 수 있다.The first heating unit 314 supplies heat to the first gas diffusion region 310 to heat the first gas diffusion region 310 to facilitate plasmaization, and to apply heat to by-products after processing to facilitate removal. Can be made in one state.

제2 전원유닛(323)은 제2 가스확산영역(320)에 전원을 제공한다. 제2 전원유닛(323)은 공정처리과정이 완료된 후 제2 가스확산영역(320) 내부를 세정하기 위한 용도로서, 제2 전원유닛(323)은 전원을 공급하여 내부 부산물을 플라즈마화한다.The second power unit 323 provides power to the second gas diffusion region 320. The second power unit 323 is for cleaning the inside of the second gas diffusion region 320 after the processing process is completed, and the second power unit 323 supplies power to convert internal by-products into plasma.

제2 가열유닛(324)은 제2 가스확산영역(320)을 가열하여 플라즈마화를 용이하게 하며, 공정처리 이후 부산물에 열을 가하여 제거에 용이한 상태로 만들 수 있다.The second heating unit 324 heats the second gas diffusion region 320 to facilitate plasmaization, and may apply heat to by-products after processing to make it easy to remove.

제1 전원유닛(313)으로부터 공급되는 전원과 제2 전원유닛(323)으로부터 공급되는 전원 간 간섭을 피하기 위해, 제1 가스확산영역(310)과 제2 가스확산영역(320) 사이에는 제1 절연체(315)가 구비될 수 있다. In order to avoid interference between the power supplied from the first power unit 313 and the power supplied from the second power unit 323, the first gas diffusion region 310 and the second gas diffusion region 320 An insulator 315 may be provided.

또한 제2 전원유닛(323)으로부터 공급되는 전원과 정전척에서 사용되는 전원 간의 간섭을 피하기 위해 제2 가스확산영역(320)의 하부면과 하부면을 제외한 나머지 상부면 사이에 제2 절연체(325)가 구비될 수 있다. In addition, in order to avoid interference between the power supplied from the second power unit 323 and the power used in the electrostatic chuck, a second insulator 325 is provided between the upper surface of the second gas diffusion region 320 except for the lower surface and the lower surface. ) May be provided.

제1 가스확산영역(310)은 지름크기가 큰 제2 가스확산영역(320) 내 상측에 구비되는 경우를 예로 들어 설명하면 다음과 같다. 제2 가스확산영역(320)의 측면상부와 측면중앙부에는 각각 제1 전원유닛(313)과 제2 전원유닛(323)이 연결된다. 제2 가스확산영역(320)의 측면상부는 제1 가스확산영역(310)과 전기적으로 연결되어 있으므로 제1 전원유닛(313)으로부터의 전원은 제1 가스확산영역(310)에 제공된다. 이때 제1 절연체(315)가 제2 가스확산영역(320)의 측면상부와 측면중앙부 사이에 구비되는바, 제1 전원유닛(313)으로부터의 전원은 제2 가스확산영역(320)의 제2 가스에 영향을 주지 않는다. 제2 전원유닛(323)은 제2 가스확산영역(320)의 측면중앙부에 연결되어 전원을 제공할 수 있다. 한편 제2 가스확산영역(320)의 측면중앙부와 측면하부 사이에는 제2 절연체(325)가 구비되어 정전척으로부터 제공되는 전원간의 간섭을 방지할 수 있다. A case where the first gas diffusion region 310 is provided above the second gas diffusion region 320 having a large diameter will be described as follows. A first power unit 313 and a second power unit 323 are connected to the upper side and the central side of the second gas diffusion region 320, respectively. Since the upper side portion of the second gas diffusion region 320 is electrically connected to the first gas diffusion region 310, power from the first power unit 313 is provided to the first gas diffusion region 310. At this time, the first insulator 315 is provided between the upper side of the second gas diffusion region 320 and the center of the side, and the power from the first power unit 313 is applied to the second gas diffusion region 320. Does not affect gas. The second power unit 323 may be connected to the central side of the second gas diffusion region 320 to provide power. Meanwhile, a second insulator 325 is provided between the side central portion and the lower side portion of the second gas diffusion region 320 to prevent interference between power sources provided from the electrostatic chuck.

기판의 공정처리과정이 완료되어 기판이 처리용기(100)로부터 배출된 경우, 기판처리장치(10)는 차후 공정처리시 파티클 문제를 방지하기 위해 세정이 필요하다. When the processing process of the substrate is completed and the substrate is discharged from the processing container 100, the substrate processing apparatus 10 needs to be cleaned to prevent particle problems during subsequent processing.

된 부산물들은 제2 전원유닛(323)으로부터 제공되는 전원과, 제2 가열유닛(324)에 일반적으로 상하방향으로 적층된 제1 및 제2 가스확산영역(310, 320)에 공정처리시 가스의 플라즈마화를 위한 하나의 전원만이 구비될 수 있다. 기판처리장치는 하나의 전원만을 가지고 있더라도 공정처리에 문제가 없을 수 있다. 하지만 기판처리 이후 기판처리장치의 세정에 있어서는, 하나의 전원만으로는 제1 및 제2 가스확산영역(310, 320)각각에 형성된 부산물들을 모두 제거되기 어렵다. 특히 전원이 제공되지 가스확산영역에 형성되는 부산물은 가열유닛에 의한 가열로도 제거되기 용이하지 않다. The generated by-products are converted to power provided from the second power unit 323 and the first and second gas diffusion regions 310 and 320 generally stacked vertically on the second heating unit 324 during process processing. Only one power source for plasmaization may be provided. Even if the substrate processing apparatus has only one power source, there may be no problem in processing. However, in the cleaning of the substrate processing apparatus after substrate processing, it is difficult to remove all by-products formed in each of the first and second gas diffusion regions 310 and 320 with only one power source. In particular, by-products formed in the gas diffusion region where power is not provided are not easily removed even by heating by a heating unit.

본 발명의 기판처리장치는 기판의 공정처리 이후 기판처리장치의 세정을 위해 제1 및 제2 가스확산영역(310, 320)에 각각 연결되는 제1 및 제2 전원유닛(313, 323)을 포함함으로써, 제1 가스확산영역(310) 및 제2 가스확산영역(320)에 형성된 부산물들을 플라즈마화시켜 용이하게 제거할 수 있다. The substrate processing apparatus of the present invention includes first and second power units 313 and 323 respectively connected to the first and second gas diffusion regions 310 and 320 for cleaning of the substrate processing apparatus after processing of the substrate. Accordingly, by-products formed in the first gas diffusion region 310 and the second gas diffusion region 320 can be converted into plasma and easily removed.

그리고 기판처리장치는 제1 및 제2 가스확산영역(310, 320)에 각각 연결되는 제1 및 제2 가열유닛(314, 324)을 구비함으로써, 공정처리에서 플라즈마화를 용이하게 할 뿐 아니라, 부산물들을 녹여서 제거할 수 있도록 한다.In addition, the substrate processing apparatus includes first and second heating units 314 and 324 respectively connected to the first and second gas diffusion regions 310 and 320, thereby facilitating plasmaization in process processing, Dissolve the by-products so they can be removed.

본 발명에 따르면, 제제1 가스확산영역과 제2 가스확산영역 각각에 연결되는 제1 및 제2 전원유닛을 구비함으로써, 공정처리이후 제1 및 제2 가스확산공간의 내부 세정을 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 이후 공정처리과정에서 발생될 수 있는 파티클 문제를 방지할 수 있다. According to the present invention, by providing the first and second power units connected to each of the formulation 1 gas diffusion region and the second gas diffusion region, it is possible to facilitate internal cleaning of the first and second gas diffusion spaces after processing. have. Accordingly, it is possible to prevent a particle problem that may occur during subsequent processing.

본 발명에 따르면, 제1 가스확산영역와 제2 가스확산영역을 서로 절연시킴으로써, 제1 및 제2 전원유닛으로부터 전원이 공급될 때, 제1 전원유닛으로부터의 전원과 제2 전원유닛으로부터의 전원 간에 영향을 최소화할 수 있다.According to the present invention, by insulating the first gas diffusion region and the second gas diffusion region from each other, when power is supplied from the first and second power units, between the power from the first power unit and the power from the second power unit The impact can be minimized.

도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이고, 도 3은 도 3에 도시된 제2 가스공급관을 위에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view viewed from above of the second gas supply pipe shown in FIG. 3.

도 2를 참조하면, 다른 실시예에 따른 기판처리장치(10)는 처리용기(100)와 기판을 지지하기 위한 기판지지유닛(200)과, 처리용기(100) 내에 배치되고, 처리용기로 제1 및 제2 가스를 제공하기 위한 가스도입부재(300)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a substrate processing apparatus 10 according to another embodiment includes a processing container 100 and a substrate supporting unit 200 for supporting a substrate, and is disposed in the processing container 100 and manufactured as a processing container. It includes a gas introduction member 300 for providing the first and second gases.

가스도입부재(300)은 제1 가스확산영역(310)과 제2 가스확산영역(320)을 포함한다. 제1 가스확산영역(310)은 제2 가스확산영역(320) 상부에 인접하여 배치된다. 즉, 가스도입부재(300)는 상하방향으로 적층된 제1 가스확산영역(310)과 제2 가스확산영역(320)을 포함한다.The gas introduction member 300 includes a first gas diffusion region 310 and a second gas diffusion region 320. The first gas diffusion region 310 is disposed adjacent to the second gas diffusion region 320. That is, the gas introduction member 300 includes a first gas diffusion region 310 and a second gas diffusion region 320 stacked in the vertical direction.

그리고 제1 가스확산공간(310)과 제2 가스확산공간(320)은 제1 및 제2 전원유닛(313, 323)에 각각 연결되어 있다.In addition, the first gas diffusion space 310 and the second gas diffusion space 320 are connected to the first and second power units 313 and 323, respectively.

제2 실시예는, 제1 전원유닛(313)으로부터 공급되는 전원과 제2 전원유닛(323)에 의해 공급되는 전원 간에 영향을 최소화하기 위한 구성을 갖는다.The second embodiment has a configuration for minimizing the influence between the power supplied from the first power unit 313 and the power supplied by the second power unit 323.

도 3을 참조하면, 제2 가스공급관(321)은 가스도입부재(300)과 이격배치됨으로써 제2 가스화간공간(320)에 연결된 제2 전원유닛(323)에 의해 제공되는 전원과 제1 가스확산공간(310)에 연결된 제1 전원유닛(313)에 의해 제공되는 전원 간 간섭을 회피할 수 있다. 또는 제2 가스도입관(321)은 가스도입부재(300)을 관통할 때, 가스도입부재(300)와 접촉하는 부분에 절연체가 구비될 수도 있다.Referring to FIG. 3, the second gas supply pipe 321 is spaced apart from the gas introduction member 300 to provide power and the first gas provided by the second power unit 323 connected to the second gasification space 320. Interference between power sources provided by the first power unit 313 connected to the diffusion space 310 may be avoided. Alternatively, when the second gas introduction pipe 321 passes through the gas introduction member 300, an insulator may be provided at a portion in contact with the gas introduction member 300.

이상에서와 같이, 본 출원의 바람직한 실시예 들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to the preferred embodiments of the present application, those skilled in the art will variously modify the present application within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. And it will be appreciated that it can be changed.

10: 기판처리장치 100: 처리용기
200: 기판지지유닛 300: 가스도입부재
310: 제1 가스확산영역 311: 제1 가스공급관
312: 제1 가스도입관 313: 제1 전원유닛
314: 제1 가열유닛 315: 제1 절연체
316, 326: 측벽상부 317, 237: 측벽하부
319: 제1 가스공급유닛 320: 제2 가스확산영역
321: 제2 가스공급관 322: 제2 가스도입관
323: 제2 전원유닛 324: 제2 가열유닛
325: 제2 절연체 10: substrate processing apparatus 100: processing container
200: substrate support unit 300: gas introduction member
310: first gas diffusion region 311: first gas supply pipe
312: first gas introduction pipe 313: first power unit
314: first heating unit 315: first insulator
316, 326: upper side wall 317, 237: lower side wall
319: first gas supply unit 320: second gas diffusion region
321: second gas supply pipe 322: second gas introduction pipe
323: second power unit 324: second heating unit
325: second insulator

Claims (5)

처리용기;
상기 처리용기 내에 배치되고, 상기 처리용기로 제1 및 제2 가스를 제공하기 위한 가스도입부재;
상기 가스도입부재는 상기 제1 가스를 확산시키기 위한 제1 가스확산영역과, 상기 제1 가스확산영역 하부에 인접구비되어 제2 가스를 확산시키기 위한 제2 가스확산영역을 포함하고,
상기 제1 및 제2 가스확산영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 제1 및 제2 전원유닛이 각각 연결되고,
상기 제1 및 제2 전원유닛은,
공정처리가 완료된 기판이 배출되면, 상기 제1 및 제2 가스확산영역에 각각 전원을 인가하여 상기 제1 및 제2 가스확산영역 내에 존재하는 부산물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Processing container;
A gas introduction member disposed in the processing container and configured to supply first and second gases to the processing container;
The gas introduction member includes a first gas diffusion region for diffusing the first gas, and a second gas diffusion region provided adjacent to a lower portion of the first gas diffusion region to diffuse a second gas,
First and second power units for generating plasma are respectively connected to the first and second gas diffusion regions,
The first and second power units,
When the substrate on which the processing has been completed is discharged, power is applied to the first and second gas diffusion regions, respectively, to remove by-products present in the first and second gas diffusion regions. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 가스확산영역에는 상기 제1 및 제2 가스확산영역 각각을 가열하기 위한 제1 및 제2 가열유닛이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And first and second heating units for heating the first and second gas diffusion regions, respectively, in the first and second gas diffusion regions. 제1항에 있어서,
상기 제1 전원유닛으로부터 공급되는 전원과 상기 제2 전원으로부터 공급되는 전원 간 간섭을 피하기 위해, 상기 제1 가스확산영역과 상기 제2 가스확산영역 사이에 구비되는 제1 절연체를 더 포함하는 기판처리장치.The method of claim 1,
Substrate processing further comprising a first insulator provided between the first gas diffusion region and the second gas diffusion region to avoid interference between the power supplied from the first power unit and the power supplied from the second power supply Device. 제1항에 있어서,
상기 제2 전원유닛으로부터 공급되는 전원과 정전척으로부터 제공되는 전원 간의 간섭을 방지하기 위해 상기 제2 가스확산영역 하부면과 상기 하부면을 제외한 상부면 사이에 구비되는 제2 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
In order to prevent interference between the power supplied from the second power unit and the power supplied from the electrostatic chuck, further comprising a second insulator provided between a lower surface of the second gas diffusion region and an upper surface other than the lower surface. A substrate processing apparatus characterized in that.
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