JPS6252405A - 光学薄膜の膜厚測定装置 - Google Patents

光学薄膜の膜厚測定装置

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JPS6252405A
JPS6252405A JP19196885A JP19196885A JPS6252405A JP S6252405 A JPS6252405 A JP S6252405A JP 19196885 A JP19196885 A JP 19196885A JP 19196885 A JP19196885 A JP 19196885A JP S6252405 A JPS6252405 A JP S6252405A
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JP
Japan
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film thickness
thin film
light
measuring device
head
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Application number
JP19196885A
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English (en)
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Yoshiki Ueno
上野 祥樹
Tadashi Hattori
正 服部
Minoru Yamamoto
稔 山元
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Soken Inc
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Nippon Soken Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス基板上に成膜された透明な光学薄膜の
膜厚測定装置に関するものである。
〔従来の技術、および発明が解決しようとする問題点〕
ガラス基板上に成膜された透明な光学薄膜の膜厚の測定
法としては、種々の方法が従来より用いられてきたが、
測定に時間がかかったり、測定物に加工が必要だったり
、あるいはまた、大型ガラス基板の測定をするには、大
がかりな装置が必要になったりするなど大型ガラス用と
しては不向きであった。このため、ガラス基板上に成膜
された透明な光学薄膜の薄膜分布を求めることは非常に
困難であった。
また、薄膜の干渉色を見れば、膜厚を推定できることは
従来から知られていたが、異なった膜厚でも同色相を示
こともあり、膜厚を特定することは困難であった。
本発明の目的は前記従来の薄膜測定法の欠点を解消し、
薄膜の干渉色の色度Yxyを測定することにより、膜厚
の測定時間が短く、測定装置が大型化せず、正確に膜厚
を求められ、更に、ガラス基板上の膜厚分布を容易に求
めることができる光学薄膜の膜厚測定装置を提供するこ
とである。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成する本発明の光学薄膜の膜厚測定装置は
、ガラス等の基板上の薄膜の膜厚を測定する光学薄膜の
膜厚測定装置であって、閃光を発する発光手段と、薄膜
からの発光手段の反射光、および、発光手段の直接光を
次段に伝える光ファイバを備えた測定ヘッドと、この測
定ヘッドを測定する基板上の任意の位置に移動させる測
定ヘッド移動機構および移動制御部と、前記測定ヘッド
からの光から膜厚を演算し、かつ前記測定ヘッドの移動
制御部からの測定ヘッドの位置情報により前記基板上の
膜厚分布を求める演算部を有することを特徴としている
〔実施例〕
以下添付図面を用いて本発明の実施例について説明する
第1図囚は本発明の一実施例の装置の主要構成部を示す
図であり、第1図■は第1図囚のB−B線における断面
図である。lは測定しようとする薄膜が成膜されている
ガラス基板、2は膜厚を測定しようとする薄膜、3は薄
膜2が成膜されている側とは反対側のガラス基板上に塗
布された、黒色塗膜である。
10は前記ガラス基板1よりも大きな固定枠で、その内
縁部10aにガラス基板1が動かないように固定されて
いる。20は光源及び光ファイバを内蔵した測定ヘッド
で、この測定ヘッド20は、固定枠10の対向する壁と
壁の間にかけ渡された移動体11に、その長手方向に摺
動自在に取付られている。
この実施例では測定ヘッド20の側面にモータ12が固
着されており、その回転軸に設けられたピニオン12a
が前記移動体11の側面に設けられたう・ツク11aに
かみ合っており、モータ12の回転により測定ヘッド2
0が移動体11の上を動くようになっている。
また、前記移動体11内を貫通軸14が通っており、こ
の貫通軸14の両端部に設けられたピニオン15は、前
記固定枠10の対向する壁にガラス基板1と平行に設け
られたラック10bにかみ合っている。そして、移動体
11の側面に取付られたモータ13の回転軸に設けられ
たギヤ13aがピニオン15の一方にかみ合っており、
モータ13の回転により移動体11がラック上を動くよ
うになっている。
更に、前記モータ12.13は測定ヘッドの移動制御部
300にそれぞれ接続されており、この移動制御部30
0からの指令により独立して回転することができる。
従って、以上のように構成された測定ヘッドの移動機構
により、測定ヘッド20はガラス基板1上の任意の点に
位置することができる。100は測定ヘッド20に接続
し、測定ヘッド20の光ファイバからの光をスペクトル
三刺激値XYZに分解して測光する測光部であり、この
測光部100および前記移動制御部300は共に演算部
200に接続されている。この演算部200は測光部1
00から三刺激値の情報を、移動制御部300から測定
ヘッド20の位置の座標信号を受は取る。
次に、各ブロックの構成について第4図〜第6図を用い
て説明する。まず、第4図を見ると、測定ヘッド20は
、発光手段であるXeランプ30と、これを点灯させる
Xsクランプ動部40と、光ファイバ50.60.70
とから構成されている。光ファイバ50はまた、光ファ
イバ51.52.53に分岐され、光ファイバー60は
、光ファイバ61.62.63に分岐されている。これ
らは第5図に示すように組立てられている。即ち、ケー
ス21内にXe ランプ30、光ファイバ50.60等
が収められている。22は反射筒で、円錐台形状をして
いる。23は光導入筒で、その入口に光ファイバ50が
挿入されており、その周囲にXeランプ30および遮蔽
板24が設置され、光ファイバが挿入されている口の反
対の端面の周囲には光拡散板25が取り付けられている
。光ファイバ60は、光ファイバ50とは別にケース2
1内に導入されている。今ここで、Xeランプ30が発
光すると、光はケース21の内面で反射を繰り返し、拡
散板25の表から拡散光として外に出る。反射筒22の
開口部Aの面に測定しようとする薄膜形成されたガラス
板が設置されているが、拡散した光はA部のガラス面で
反射し、その一部が光導入筒23の中に入ってくる。そ
の光は光ファイバ50を通じて、次のブロックに送られ
る。すなわち、本測定ヘッドによれば、JIS 872
2に規定する拡散照明−垂直受光の条件が満たされるこ
とになる。光ファイバ60は反射光でなく、Xeランプ
の発光そのもの(直接光)を検出し、ランプの変動を補
正するために用いるものである。
第4図における測光部100は、101〜106のフィ
ルタ、111−116の受光素子、121−126の測
光回路から成っている。フィルタ101〜106は、そ
れぞれ、光ファイバ51〜53.61〜63の一端に設
けられ、反射光及びXeランプの光を受けるようになっ
ている。受光素子111〜116は、フィルタ101〜
106の背後に設けられており、光を検出する。測光回
路121〜126は全て同じ構成をしており、その実施
回路の一例を第7図に示す。130は受光素子111に
直列接続されたバイアス電圧源、131は増幅用オペア
ンプ、132 、133はオペアンプ131に接続され
た抵抗である。このオペアンプ131により、受光素子
111で検出された光は、電圧に変換増幅される。13
4はダイオード、135はダイオード134に直列接続
された抵抗、136は充電用コンデンサ、137は、図
示していないが、後述するCPUからの指令により0N
−OFF して、コンデンサ136の電荷を放電させる
スイッチ、138はオペアンプで、電圧フォロワの役目
を有している。134〜13Bの回路素子により、ピー
クホールドの機能をこの測光回路121は持っている。
フィルタ101〜106の透過特性は3種類ある。
その透過特性は、いわゆるルータ条件を満たす特性を有
している。ルータ条件とは、光源の分光エネルギー分布
をP(λ)、3種類のフィルタの透過特性をTx(λ)
 、 TV(λ) 、 TZ(λ)、受光素子の分光感
度特性をS(λ)、標準の光Cの分光エネルギー分布を
PC(λ)、スペクトル三刺激値をiλ)、NJ)、n
λ) とすると、次式で表わされる。
P(λ)・Tx(λ)・S(λ)=Pc(λ) ・iλ
)P(λ)・TV(λ)・S(λ)=Pc(λ)・Tλ
)P(λ) −TZ(λ)・S(λ)=Pc(λ)ヘホ
λ)以上の条件を満たすフィルタを通り、受光素子で検
出された光の総合感度特性は、第6図に示すようになる
。フィルタ101と104は、第6図中のYで示す感度
特性を有するような透過特性を゛持ち、フィルタ102
 と105は、Tの、フィルタ103 と106は、T
の特性を持っている。なおここでマの特性は2つの山を
持っており、フィルタ特性の実現は困難であるためTの
短波長側の山は、Tの特性と相似的であることを利用し
、Tの特性に係数を掛けて用いても良い。
次に第4図の演算部200の構成について説明する。演
算部200の中心をなすのは、マイクロプロセッサを用
いたCPU210である。その周辺にパスラインを介し
て、メモリ220、バッファメモリ230.240. 
I 10250,260 、A/D変換器270、マル
チプレクサ280、入力部290、表示部300 、X
eランプ制御部310、発光ダイオード320などが接
続されている。
そこで次に、本発明の装置を用いて膜厚を測定する方法
について、第1図〜第4図を参照し、第8図のフローチ
ャートを用いて説明する。
第4図の入力部290から測定開始のスタート信号を入
れると(ステップの)、まず、測定ヘッド移動制御部3
00のモータ駆動部340がl10300を介して働き
、モータ12.13を駆動して測定ヘッド20を測定原
点、例えば第1図囚のガラス基板1の左上隅に移動させ
る(ステップ■)。この位置はリミットスイッチあるい
はポテンショメータなどを固定枠10、移動体11上に
設けておくことで容易に実現できる。測定ヘッド20を
原点に移動すると測定ヘッド移動制御部300はその位
置、すなわち座標(0,O)を演算部200に送り、以
後測定ヘッド20をガラス基板1上で移動させた時は、
この原点(0,0)からの座標で測定ヘッド20の位置
を表し、その情報を演算部200に送ることになる(ス
テップ■)。
次に、メモリ220に入れておいたプログラムに沿って
、CP U210からl / O250,260を介し
てXeランプ制御部310に信号が行き、発光ダイオー
ド320が発光する。この光は光ファイバー70により
、Xeランプ駆動部40に伝えられ、Xeランプ30を
発光させる(ステップ■)。この光はガラス基板1と薄
膜2の表面で反射してくる。この反射光は、薄膜の光干
渉により、波長により反射強度が異なっており、色づい
ている。なお、ガラス基板1の裏面の黒色塗膜3は、X
eランプ30の光が、ガラス基板1の裏面で極力反射し
ないようにするためのものである。
反射光は光ファイバー50より導光され、光ファイバ5
1.52.53により等分割されて、それぞれ、フィル
タ101、.102.103の方に導びかれる。一方、
光ファイバ60は、Xeランプ30の直接光を導光し、
光ファイバ61.62.63で分割して、フィルタ10
4゜105、106の方に導く。この光ファイバ60に
より導かれた直接光は、Xeランプ30、即ち光源のモ
ニタ光であり、電圧変動や経時変化によるXeランプ3
0の光量変化を、後述する演算時に補正するためのもの
である。光フィルタ101〜106を通った反射光およ
びモニタ光は、受光素子111〜116で検出され、測
光回路121〜126で増幅されてピークホールドされ
る(ステップ■、■)。このピークホールドされた値は
、光ファイバ50を通ってきた光の場合は、反射光がそ
れぞれの測光回路により色の三刺激値XYzに分解され
たものとなる。
モニター光の場合も同様である。上記のピークホールド
された電圧は、マルチプレクサ280により順次A/D
変換器270に送られ(ステップ■)、ディジタル値に
変換された後(ステップ■)、バッファメモリ230に
一時格納される。CP U210は、上記反射光の三刺
激値と、モニタ光の三刺激値から光源の発光変動を補正
して、基の反射光の三刺激値XYZを得る(ステップ■
)。
次に、前記xyzから色度座標xyを、CPU210は
計算する。XYZと、xyの関係は次のようである。
x=X/ (X+Y+Z) )’−Y/ (X+Y+Z) これにより、反射光の色度座標Yxyは求められたこと
になる(ステップ[相])。
次にYxyから膜厚を求める方法について説明する。ま
ず、ガラス基板1上に薄膜2がある場合の反射光の色度
がどうなるかをあらかじめ計算しておく。この計算方法
は、通常の、単層膜の光の干渉理論により求められるの
で詳述を避け、結果を第2図に示す。第2図は薄膜2が
TiO□で、その屈折率は光の波長が500nmの時〜
2,68で、600n…の時2.59であるような波長
分散性を持つ場合について計算しである。図中・印は、
Ti0zの膜厚が4nm毎の値を示しX印は20nm毎
の値であり、数字はTiO□の膜厚である。このxyO
値と膜厚の関係を(X4 、y= 、膜厚)の形でメモ
リ220に格納しておく。そこで、測定されたxyO値
から、膜厚を求める方法は、測定値x、yと、メモリ値
xi+  YiO間でもっとも近い値を捜すことである
。すなわちθ=j x−x、 + y−yiが最小にな
るようなXi+  yiを捜し出し、その時の膜厚が求
める値となるわけである(ステップ0)。この時、膜厚
の値は、前述したようなdnm毎でなく、もっと細く、
たとえばlnm毎にとっておけばそれだけ精度は向上す
る。あるいはまた、隣りあったデータで、θが最も小さ
くなるような2点から補間法で、膜厚を求めても良い。
そこでたとえば、測定したXtyが第2図に示す○印の
点P (x =0.33 、 )’ =0.22)であ
ったとする。前述した方法により、膜厚は、96.5n
mか、195r++wであるとわかる。次に、このいず
れの膜厚値が真の値であるかを決めなければならない。
そのためには、Yの値を用いる。第3図はYの値と膜厚
の関係を表わしたもので、この関係も(Yi 、膜厚)
の形でメモリ220の中に格納しておく。測定したY値
、ここでは、X −0,33、7−0,22、Y −1
0%とすると、膜厚は96.5n−の方であることがわ
かる(ステップ@)。得られた結果は測定ヘッド2oの
位置座標のデータと共にメモリ220に保管される(ス
テップ0)。
一点の膜厚測定を終了すると、ステップ[相]で膜厚測
定が終了したか否かの判定を行う。膜厚の測定点が設定
数に達していない時は、このステップ[相]でNOとな
り、CP U210はメモリ220のプログラムに従っ
て測定ヘッド移動制御部300に指令を出し、予め定め
られた量だけ測定ヘッド20を移動させ(ステップ[相
])、その後ステップ■に戻って膜厚測定をくり返す。
ガラス基板1の上の定められた測定点の膜厚測定を全て
終了すると、ステップ[相]でYESとなってステップ
[相]に移行する。ステップ[相]ではCPU210は
これまでの測定値を全てメモリ220から呼出し、ガラ
ス基板1の大きさに対応して膜厚分布図を作成し、これ
を表示部400により表示するので、測定者はこの表示
によって膜厚の分布を知ることができる(ステップO)
以上の方法により、薄膜の膜厚を求めることができるわ
けであるが、上述したのは、屈折率がわかっている薄膜
の場合であった。しかしながら、同じTie、薄膜でも
、成膜方法により屈折率は若干具なるわけで、その場合
、前述した方法では、求める膜厚に多少の誤差が生じる
場合がある。そこで、そういう場合は、予め屈折率を種
々の値にふらせて、第2図、第3図に示すようなデータ
を計算しておく。即ち、(YL、に= 、)’i 、屈
折率、膜厚)の形で、メモリ220に格納しておく。
そこで、 θ ”7    X−Xt     十  Y    
’/a     +  Y    Yiが最小となるよ
うな、屈折率、膜厚の組合せデータを選び出せば、その
値が真価となるわけである。
この手法はまた、吸収のある膜、即ち、屈折率nがn=
n’−ikの複素屈折率となる場合にも適用できる。な
お、以上に述べたのは単層膜の場合であったが多層膜の
場合も本発明は適用できる。
例えば2層膜の場合は、ガラス基板上にTiO□膜が成
膜されており、その上に5iO1膜が成膜されている場
合、TtOzの屈折率、膜厚が予めわかっていれば、S
i島膜の屈折率、膜厚を種々変えて、第2図のごときデ
ータを計算して、メモリ220に入れておけば良いわけ
である。
次にガラス裏面からの反射を抑えるため用いた黒色塗膜
3のことについて述べる。ガラス面と空気との境界での
反射は約4%あるため、この黒色塗膜3は、測定精度向
上のため必要である。ところが測定のたびに黒色塗膜3
を塗布することはたいへんである。我々の実験では、黒
色塗膜3の代わりに、黒色の粘着テープを使用した。
なお、上述した中で基板としてガラス基板1を用いて説
明してきたが、本発明による装置ではガラス基板だけで
なく、樹脂も用いることができるし、そういった基板上
に金属膜が形成されており、その上に薄膜が成膜されて
いても予め、金属膜の複素屈折率を、他の方法、たとえ
ばエリプソメータなどにより求めて、やはり第2図のよ
うなデータを計算しメモリ220内に格納しておけば良
い。
〔発明の効果〕
以上述べてきた装置によれば、薄膜の干渉による反射光
の色を分析することにより、ガラス等の基板上の薄膜の
膜厚を多点に渡って測定し、その分布を求めることがで
きるので、従来から薄膜の膜厚測定法として用いられて
きた、分光法、エリプソメトリ−法、段差針法などと比
べ、次のような利点があり、非常に有用である。
1、回折格子を用いた分光法に比べ、本装置は小型の発
光手段、光ファイバ、フィルタを用いているため、装置
が小型となり、波長スキャンの必要がないため、一点の
測定時間は不活性ガスランプの発光時間0.5 m5e
cと、計算時間のごくわずかな時間ですむので、基板上
の膜厚分布を短時間で求めることができる。
2、装置が小型になるので、大型ガラスの膜厚分布の測
定も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図囚は本発明の主要構成を示す概略図、第1図■は
第1図囚のB−B線における断面図、第2図はガラス基
板上に薄膜がある場合の反射光の色度を示す線図、第3
図は薄膜厚と三刺激値の一つであるYとの関係を示す線
図、第4図は本発明の光学薄膜の膜厚測定装置の一実施
例の構成を詳細に示す構成図、第5図は本発明の測定ヘ
ッドの一例の構成を拡大して示す断面図、第6図はルー
タ条件を満たすフィルタを通り受光素子で検出された光
の一総合感度特性を示す線図、第7図は第4図の測光回
路の回路構成を示す回路図、第8図は本発明の光学薄膜
の膜厚測定装置の制御手順を示すフローチャート図であ
る。 1・・・ガラス基板、  2・・・薄膜、3・・・黒色
塗装、  10・・・固定枠、11・・・移動体、 10b、 lla・・・ラック、 12、13・・・モータ、 12a、 15・・・ピニオン、 14・・・貫通軸、   20・・・測定ヘッド、21
・・・ケース、   22・・・反射筒、23・・・光
導入筒、  24・・・遮蔽板、25・・・光拡散板、
  30・・・Xeランプ、50〜53・・・光ファイ
バ、  − 60〜63.70・・・光ファイバ、 100・・・測光部、 101〜106・・・フィルタ、 111〜116・・・受光素子、 130・・・バイアス電圧源、 131、138・・・オペアンプ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ガラス等の基板上の薄膜の膜厚を測定する光学薄膜
    の膜厚測定装置であって、閃光を発する発光手段と、薄
    膜からの発光手段の反射光、および、発光手段の直接光
    を次段に伝える光ファイバを備えた測定ヘッドと、この
    測定ヘッドを測定する基板上の任意の位置に移動させる
    測定ヘッド移動機構および移動制御部と、前記測定ヘッ
    ドからの光から膜厚を演算し、かつ前記測定ヘッドの移
    動制御部からの測定ヘッドの位置情報により前記基板上
    の膜厚分布を求める演算部を有することを特徴とする光
    学薄膜の膜厚測定装置。 2、該演算部が光ファイバからの光をスペクトル三刺激
    値XYZに分解して測光する測光部を備え、この三刺激
    値XYZから色度Yxyを演算して薄膜の膜厚を求める
    演算部を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 3、該演算部が(Y_i、x_i、y_i、膜厚)のデ
    ータを格納したメモリを有し、測定および演算により得
    られた色度(Y、x、y)と比較して、最も近い組合せ
    のデータの膜厚を測定値とする特許請求の範囲第2項記
    載の光学薄膜の膜厚測定装置。 4、該演算部が(Y_i、x_i、y_i、屈折率、膜
    厚)のデータを格納したメモリを有し、測定および演算
    により得られた色度(Y、x、y)と比較して、最も近
    い組合せのデータの屈折率と膜厚を測定値とする特許請
    求の範囲第2項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 5、該ガラス等の基板の裏面には、反射防止処理が施さ
    れている特許請求の範囲第1項記載の光学薄膜の膜厚測
    定装置。 6、該反射防止処理が黒色塗膜である特許請求の範囲第
    5項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 7、該反射防止処理が黒色粘着テープなどの貼着である
    特許請求の範囲第5項記載の光学薄膜の膜厚測定装置。 8、該反射防止処理がガラス等基板の裏面への黒色樹脂
    フィルムの真空吸着である特許請求の範囲第5項記載の
    光学薄膜の膜厚測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396036A (en) * 1992-09-11 1995-03-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Roller contact device
JP2011021886A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Kagawa Univ 光学的計測装置

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