JPS6250810A - 光走査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、光走査方法に関する。

（従来技術） レーザービームにより走査を行って、画像を記録したり
、画像を読み取ったりする光走査装置が知られている。

このような光走査装置の１種として、光源として半導体
レーザーを用い、この半導体レーザーからの光を、ホロ
スキャナーで偏向させる方式の装置が提案されている（
例えば、特願昭５９−２８（！６６号）。

以下、第２図を参照して、上記方式の光走査装置のあら
ましにつき簡単に説明し、あわせて、本発明により解決
しようとする問題点につきのべる。

第２図は、半導体レーザーからの光をホロスキャナーで
偏向させる方式の光走査装置を用いた画像記録装置を示
している。

第２図において、符号１０は半導体レーザー、符号１２
はコリメートレンズ、符号１４はシリンドリカルレンズ
、符号１６．１８．２２は平面鏡、符号２０はホロスキ
ャナー、符号２４はｆθレンズ、符号２６．２８は平面
鏡、符号３０はシリンドリカルレンズ、符号３２は光導
電性の感光体、゛符号３４は、ビーム位置検出素子を、
それぞれ示している。

ホロスキャナー２０は、ホロディスク２０Ａとモーター
２０Ｂとにより構成されている。ホロディスク２ＯＡは
、円板状であって、モーター２０Ｂの軸に固装されて、
矢印方向へ、モーター２０Ｂによって回転駆動されるよ
うになっている。

ホロディスク２０Ａの透明な円形基板の片面には、同一
形状の複数の回折格子２００が、円環状に配列形成され
ている。

回折格子２００は、直線状回折格子であって、相互に光
学的に等価であり、ホログラムとして形成されている。

ホロディスク、ホロスキャナーという名称は、回折格子
２００がホログラムとして形成されていることに由来す
る。

さて、半導体レーザーｌＯから放射されるレーザー光は
、コリメートレンズ１２により平行光束化され、シリン
ドリカルレンズ１４、平面ｆｉ１６．１８を介してホロ
ディスク２０Ａの回折格子２００に入射する。

これによって１回折ビームが発生する。ホロディスク２
０Ａが回転すると１回折ビームは偏向する。

入射レーザー光に対する回折格子２００の、格子方向が
変化するためである。このように偏向される回折ビーム
を、偏向レーザービームと称する。

回折ビームは、平面１１２２．　ｆθレンズ２４、平面
！２６．２８、シリンドリカルレンズ３ｏを介してベル
ト状の感光体３２上に到り、ｆθレンズ２４、シリンド
リカルレンズ１４．３０の結像作用により、感光体３２
上にスポット状に集束する。ホロディスク２０Ａの回転
に伴い偏向レーザービームによる感光体上のスポットは
、感光体３２上を直線的に変位し、レーザー光の入射す
る回折格子が切換るたびに、同一の変位、すなわち光走
査が繰返される。第２図において、直線３６は、光走査
における上記スポットの軌跡を示し、この直線３６を、
主走査線という。

また、感光体３２上で、主走査線３６と直交する方向を
副走査方向と称する。

感光体３２は回動する。感光体３２の周面は均一に帯電
されたのちに、光走査部に到り、偏向レーザービームに
より光走査される。このとき、記録すべき画像に対応す
る画像信号で、半導体レーザー１０の発光強度を変調す
れば、感光体３２には、上記記録に応する静電潜像が形
成される。従って、この静電潜像を現像し、えられる可
視像を紙等の記録シートに転写・定着すれば、所望の記
録画像を得ることができる。

以上が、光走査のあらましである。なお、ビーム位置検
出素子３４は、本発明の特徴の一端をなすものであるの
で、これについては後はど詳述する。

さて、周知の如く、半導体レーザーから放射されるレー
ザー光は、半導体レーザーの温度が変化すると、それに
伴って変化する。

半導体レーザーからの光をホロスキャナーで偏向する方
式の光走査装置においては、半導体レーザーからのレー
ザー光の波長が変化すると１１回折格子による回折ビー
ムの回折角が変化し、それに伴って、光走査部すなわち
主走査線の位置が副走査方向へ変動し、適正な光走査が
行なえなくなる。

また、上記回折角の変化は、主走査における走査速度に
も変化を生じる。

半導体レーザーの温度は、光走査装置の、半導体レーザ
ー近傍の雰囲気温度や、半導体レーザーに通ぜられる電
流によるジュール熱等によって変化するので、レーザー
光の波長を安定させるためには、半導体レーザーの温度
を制御する必要があるが、半導体レーザー自体は極めて
微小であるので、これを直接に温度制御することが困難
であるところから、半導体レーザーを保持する保持体を
温度制御することにより半導体レーザーの温度を間接的
に制御することが行なわれている。

さて、半導体レーザーは、一般に２０〜５０℃＜らいの
温度範囲で使用されるが、この程度の温度範囲内では、
温度とレーザー光の波長との関係は、第３図に示す如く
、一般に階段状の線であられされる。このような階段状
の線３−１を、温度と波長の関係をあられす特性線と呼
ぶことにする。特性腺の形状自体は１個々の半導体レー
ザーに応じて定まり、半導体レーザーごとに異なるが、
特性線における階段状の形状は一般的である。第３図に
おいて、かかる特性線における、領域Ａ、Ｂ。

Ｃ等、温度変化に応じて波長がゆるやかに変化する頭側
を、棚状部、棚状部間の、波長がジャンプする部分を段
差部と呼ぶことにする。現実には、棚状部にも、多少の
凹凸はあるが、それらは、実際上光走査に支障をきたす
ような問題とならないので、第３図では無視されている
。棚状部の幅すなわち、ひとつの段差部と、これに隣接
する段差部との間は１通常数度の温度幅である。そこで
。

仮に、棚状部Ｂの温度幅、すなわち、温度差（Ｔｕ−Ｔ
Ｌ）が５度あったとすると、その中間の温度Ｔ０を設定
温度とし、半導体レーザーを保持する保持体の温度を、
設定温度Ｔ０の近傍、域えばＴＩ。

±１℃の範囲に制御すれば、実際上、半導体レーザーか
らのレーザー光の波長はほぼ一定に制御される。

なお、半導体レーザーの温度がＴＬがらＴｕまで変化し
たとしても、レーザー光の波長の層化はλＵ−λしてあ
って、この変化は小さく、換言すれば、半導体レーザー
の温度が同じ棚状部上で変動している限りは、前述の主
走査線の変動は実用上問題とならない。

しかし、半導体レーザーの温度ＴｕまたはＴ１を越える
と、レーザー光の波長は、（λ２−λＵ）あるいは（λ
、−λ、）だけ不連続に大きく変化し、このような大き
な波長変化が生ずると、適正な光走査は困廻となる。

さて１本発明により、解決しようとする問題点とは、以
下の如きものである。

上述の例でいえば、半導体レーザーを保持する保持体の
温度を、設定温度Ｔ。の近傍に制御していれば、実際上
、半導体レーザーの温度変化による光走査上の不都合は
生じない。しかしながら、これは、特性線が時間的に不
変であることを前提としている。

ところで、特性線は、実際には、時間的に不変ではなく
、半導体レーザーの疲労とともに経時的に変化する。こ
の経時的な変化には２つのパターンがある。すなわち、
その第１は、第４図（１）に示すように、棚状部上をす
べるようにして、特性線全体が、破線で示すように低温
度側へずれる場合であり、第２は、第４図（ＩＩ）に示
すように、Ｉ状部上をすべるようにして、特性線全体が
、破線で示すように、高温度側へずれる場合である。

特性線の経時的変化は個々の半導体レーザーごとに異な
り、特性線が一方的に高温度側又は低温度側へずれるも
のもあるし、特性線のずれの方向が時間的に変化するも
のもある。

このように、特性線が時間的に変化するところからの以
下の如き問題が生ずる。

すなわち、第４図（１）において、温度制御上の設定温
度がＴ。である場合、半導体の疲労がない場合（特性線
が実線の如き場合）は問題ないが、特性線が経時的に変
化して破線４−１に示す如きものとなると、半導体レー
ザーの温度がＴｏであっても、放射されるレーザー光の
波長は大きく変化してしまう。第４図（■）において、
特性線が経時的変化により破線４−２の如きものとなっ
た場合も同様である。

このような特性線の経時変化が生ずると、従来行なわれ
ている温度制御は、もはや、役に立たなくなってしまい
、適正な光走査は行なわれなくなる。

（目　　的） 本発明は、上述の如き問題に着目してなされたものであ
って、半導体レーザーの温度と、放射レーザー光との間
の特性線の経時変化をも考慮した新規な、光走査方法の
提供を目的としている。

゛（構　　成） 以下、本発明を説明する。

本発明においても、半導体レーザーは、これを保持する
保持体を介して間接的に温度制御される。

すなわち、保持体の温度は感温素子により検出され、こ
の感温素子の出力に応じて、ペルチェ素子が、保持体を
加熱あるいは冷却して、保持体の温度を所定の設定温度
にもとづいて、設定温度近傍に制御する。

一方、偏向レーザービームによる走査領域外に。

ビーム位置検出素子が配備される。ここに走査領域外と
は、偏向レーザービームを受光できて、なおかっ、光走
査の妨げとならないような位置をいう。

このビーム位置検出素子により偏向レーザービームの位
置、すなわち、ビーム位置検出素子の受光面を通過する
位置が検出される。このようにして、検出されるビーム
位置が、所定の設定領域外となるとき、上述の温度制御
のための設定温度を。

所定の温度だけずらして、新たに設定しなおすのである
。なお、ビーム位置の検出は、非本走査時に行なわれ。

。非本走査時とは、半導体レーザーが発光し、ホロディ
スクが回転しており、なおかつ光走査が行なわれていな
い時をいう。

また、情報記録のための画素周波数が可変設定可能とさ
れる。画素周波数は、１画素の書込みもしくは読取りに
関する時間を、τとするとき、−τ で与えられる周波数であり、この画素周波数を変化させ
て、設定しうるようにするのである。

そして、上記の如くして、温度制御のための設定温度が
再設定されたら、新たに設定された設定温度に応じて、
画素周波数の方も、新たな値に設定しなおすのである。

このように１画素周波数を、設定温度の切換に応じて再
設定するのは、後述する倍率誤差を除去するためである
。

半導体レーザーの発光波長と温度との関係を示す特性線
は、予め、個々の半導体レーザーごとに知ることができ
る。従って、例えば、この特性線が、第３図の如きもの
であって、初期、すなわち、疲労のない状態における温
度制御の設定値を、棚状部Ｂの中央に対応する温度Ｔ。

に定めるとすれば、特性線３−１に関して、ＴＬも、Ｔ
ｕも知ることができるし、λ２−λＵ＝ΔλＵ、λ、−
λ、＝ΔλＬも予め知ることができる。

しかし、先にも述べたように、特性線３−１の経時的変
化が、第４図（Ｉ）に示す如く生ずるか、あるいは第４
図（ｎ）に示す如く生ずるか、あるいは特性線のずれの
方向が時間的に変化するか、換言すれば、特性線３−１
が、時間とともに、低温度側へずれるか、高温度側へず
れるかさらには、高温度側、低温度側へふらふらとずれ
るのかは、予め知ることは困難である。従って、温度制
御に、特性線の経時的変化を考慮するにあたっては、特
性線が高温度側へずれる場合と、低温度側へずれる場合
とを、いずれも考慮する必要がある。

光走査に乱れが生ずるのは、特性線の段差部における、
波長の不連続で大きな変化が生ずる場合であるから、特
性線の経時的変化を考慮して、温度制御を行う場合には
、第４図（１）にあっては、段差部４−３を検知する必
要があり、第４図（ｎ）では、段差部４−４を検知する
必要がある。

ところで、特性線３−１において、温度Ｔ０に対応する
波長がλ。であるとすれば、第４図（１）において、特
性線が、破線４−１のごときものとなると、発光波長は
え。＋ΔλＵとなるから、この波長変化によって段差部
４−３を検知できるし、第４図（■）において、特性線
が波長４−２の如きものとなると、波長は、λ。＋Δλ
、となるから、この波長変化によって１段差部４−４を
検知することができる。

ここで、再び、第２図にもどると、ビーム位置検出素子
３４は、走査領域外に配備され、偏向レーザービームを
受光しうるようになっている。

ビーム位置検出素子としては、半導体装置検出素子とし
て知られているものを用いることができる。半導体装置
検出素子は種々の型のものが知られ、例えば、第５図（
ｒ）に示す如く、単一の受光面を有するものや、第５図
（ｎ）に示す如く、２個の受光面５−２．５−３を有す
るものや、第５図゛（■）に示す如く、４個の受光面５
−４．５−５゜５−６．５−７を有するもの等がある。

本発明の実施上、ビーム位置検出素子としては、上記種
々の半導体装置検出素子を適宜用いることができる。

以下では、第５図（１）に示す、単一の受光面５−１を
有するものを例にとって説明する。すなわち、第２図に
示すビーム位置検出素子３４は、第５図（１）に示す如
き、単一の受光面を有する。

さて、第６図において、ビーム位置検出素子３４の受光
面の受光する偏向レーザービームのスポットを、スポッ
トＳＰとすると、このスポットＳＰの光強度工は、第６
図左方の図の如く、つり鎧型の分布を有する。今、スポ
ットｓｐが、Ｘ方向へ、受光面５−１を横切るものとす
ると、ビーム位置検出素子３４の出力は、ビームのスポ
ットＳＰの中心部がＹ軸を横切る位置に応じてことなり
、従って、ビーム位置検出素子の出力によ漬て、スポッ
トＳＰが横切るＹ軸方向の位置を検出できる。

さて、前述したように、半導体レーザーの発光波長が変
化すると、ホロディスクにおける回折ビームの回折角が
変動し、偏向レーザービームは主走査方向に直交する方
向、すなわち副走査方向に対応する方向に変動する。

そそこで、ビーム位置検出素子３４の受光面５−１（第
６図）のＸ方向を、偏向レーザービームによる主走査方
向に対応するようにすると、受光面５−１のＹ方向は、
副走査方向に対応することになる。このようにすると、
偏向レーザービームのスポットが受光面５−１を横切る
Ｙ軸方向の位置は、レーザー光の波長に応じて変動する
。

ここで、再び第３図、第４図を参照し、今、半導体レー
ザーの特性線が疲労のない状態で、′特性線３−１の如
きものであったとする。そして、温度制御における、初
期の設定温度をＴｏとし、このとき、偏向レーザービー
ムのスポットＳＰが、受光面５−１（第６図参照）の、
Ｙ軸の０点を横切るようにする。このようにすると、レ
ーザー光の波長が大きくなるにつれて、ビーム位置検出
素子３４が検出するビーム位置は、第６図において、Ｙ
軸方向の例えば上方へずれ、逆に波長が小さくなると、
Ｙ軸方向の下方へずれる。すると、波長がλ。＋ΔλＵ
となるときの、偏向レーザービームの位置が、例えば、
第６図のＹ□として、又、波長がλ。−ΔλＬとなると
きの位置がＹ２として、それぞれ定まる。

このとき、位置Ｙ１とＹ２との間の位置領域を、設定領
域と称する。

さて、半導体レーザーの温度（±、保持体の温度を設定
温度Ｔ。の近傍、例えばＴ。＋０．５℃の範囲に制御す
ることによって１間接的に制御される。

このとき、半導体レーザーからのレーザー光の波長は、
λ。の近傍にあって、偏向レーザービームの受光面５−
１（第６図）上の位置は、Ｙ軸上の０点近傍にある。

しかるに、特性線が経時的に変化して、第４図（ｒ）の
特性ＬＡ４−１の如くなると、あるいは、第４図の（Ｉ
Ｉ）の特性線４−２の如くなると、ビーム位置検出素子
３４により検出される、ビーム位置は。

上述の設定領域からずれ、設定領域外となる。こうなる
と、設定温度Ｔ。は、もはや、温度制御上適正な値でな
くなってしまう。そこで、このようになったときには、
設定温度をＴｏから所定の温度でけずらした温度に再設
定するのである。

すなわち、ビーム位置によって、第４図ＣＩ）の特性線
４−１の段差部４−３が検出されたとき、換言すれば、
ビーム位置が、第６図でＹユを上方へ越えたときは、設
定温度Ｔ。から、低温度側へ所定温度ずれたＴ　Ｚ　（
第４図（■））に再設定する。

このような新たな設定温度にもとづいて温度制御を行な
えば、再び、半導体レーザーの発光波長は、初期の設定
値λ。の近傍の値に安定する。棚状部の有する傾きのた
め、新たな設定温度Ｔ□あるいはＴ２での、発光波長は
λ。と正確に等しくはならないが、それでもλ。に近い
値となり、主走査線の位置は、初期位置と実質的に同一
位置となる。

なお、Ｔ、、Ｔよ、Ｔ２等は１個々の半導体レーザーご
とに、特性線に応じて予め定めうるがら、上記の如き、
設定温度の再設定を含む温度制御はマイクロコンピュー
タ−を用いて簡単に行なうことができる。

ここで、前述の倍率誤差につき説明する。

すでにのべたように、半導体レーザーがらの光の波長の
変化は、ホロスキャナーの回折格子における回折角の変
化をもたらし、この回折角の変化は、主走査における走
査速度の変化をもたらす。

例えば、設定温度Ｔ。において、正常な状態において、
走査速度がＶ。であったとする。そこで、次に、仮に、
新たな設定温度として温度Ｔ２を設定したとすると、こ
のときの波長は、当初のλ。

から若干ずれるから、走査速度自体も若干ずれる。

このようにずれた速度をＶ。＋ΔＶとする。

さて１画素周波素子を、当初ｆ０であってとすると、１
画素の書込みもしくは読み取りに関する時間で。は、τ
。＝−である。主走査の１ラインあたりにねりあてられ
た画素数をＮとすると、半導体レーザーの特性線に疲労
のない状態では、主走査の１ラインの長さＬは、 Ｌ＝Ｎτ。ｖ０＝Ｎ・−・ｖ。

ｆＩ。

である。しかるに、設定温度をＴｏからＴ２に切換える
ことにより、走査速度が、ｖｏからｖ０＋ΔＶに変化す
ると、上記長さは、Ｌから、Ｌ＋ΔＬに変化する。Ｌ＋
ΔＬは。

Ｌ＋ΔＬ＝−・（Ｖ、＋ΔＶ） である。

従って、設定温度の切換えにより、主走査の１ラインの
長さが、ΔＬだけ変化することになり、例えば情報の書
込みを行った場合、主走査方向の画像幅が、設定温度切
換前に比してΔＬだけ変化することになる。これを、倍
率誤差と称する。このような倍率誤差は、ΔＬ自体、さ
ほど大きなものでないから、実用的見地からすれば、放
置しておいても、さほど問題はないが、ぞれでも、倍率
誤差を除去できるならば、それにこしたことはない。

そこで、本発明では、設定温度の切換に応じて画素周波
数を変化させて、上記倍率誤差を除去するのである。例
えば、前述の設定温度をＴｏからＴ２に切換る場合には
、それに応じて１画素周波数をｆｏから。

たけずらして再設定すればよい。もちろん、実際には、
この関係は、ある程度の精度をもって満足されればよい
。

画素周波数を可変設定可能にするには１例えば、。

発振器から得られる基準クロックを分周して１画素周波
数とするようにし、上記分周の分周率を可変にし、例え
ばアップダウンカウンター等により分周必を切換るよう
にすればよい。設定温度の切歯 換に応じて、温素周波数をどの程度変化させるべきかは
、あらかじめ、実験的に、定数として定めうる。従って
、画素周波数の可変設定制御も、前述の温度制御ととも
に、マイクロコンピュータ−で容易に実現できる。

第１図に１本発明を実施する際の回路構成の１例をブロ
ック図により示す、第１図において、符号ｌＯは半導体
レーザー、符号５０は、半導体レーザー１０を保持する
保持体、符号５２は感温素子たるサーミスタ、符号５４
はベルチェ素子を、それぞれ示す。第２図ないし第６図
で説明した場合を例にと”ると、ビーム位置検出素子３
４の出力は比較器５６に送られる。この比較器５６にお
いて、検出されたビーム位置が、設定領域の上・下限値
ＹＬ、　Ｙ、と比較される。ビーム位［Ｙが、Ｙよ＞ｙ
＜ｙ２であるときは、温度設定器５８は、設定温度ＴＩ
、を維持し、この設定温度Ｔ。を、比較器６０のレファ
レンス温度とする。この状態で、サーミスタ５２からの
出力は、比較器６０に送られ、この比較器において、保
持体５０の温度Ｔ）ｌが、上記設定温度Ｔ０と比較され
る。比較器６０の出力は制御回路６２へ送られ、制御回
路６２は、Ｔ、−ＴＨ＝ΔＴＨの大きさ、および正負に
応じて、ベルチェ素子５４に、加熱用、あるいは冷却用
の電流を通じこれによって、保持体５０が加熱もしくは
冷却され、保持体５０の温度は、設定温度Ｔ０の近傍に
保持される。

ビーム位［ＹがＹ４より大きいときは、比較器５６の出
力により、温度設定器５８は、設定温度Ｔ□を設定して
、これを比較器６０のレファレンス値とする。これによ
って、保持体５０の温度は、Ｔ□の近傍に制御される。

また、ビーム位置ＹがＹ２より小さいときは、設定温度
Ｔ２が、温度設定器５８により設定され、保持体５０の
温度は、Ｔ２の近傍に制御される。

一方、温度設定器５８により設定された温度は。

画素周波数設定器８０へ印加され、同設定器８０により
、新設定温度Ｔ１またはＴ２に応じた画素周波数ｆ′が
設定される。

この説明に対応するフロー図を、第７図に示す。

なお、非本走査時については、先に、半導体レーザーが
発光し、ホロディスクが回転しており。

かつ光走査が行なわれていない時であると定理したが、
具体的には例えば、画像記録と画像記録の間、あるいは
、画像読取と画像読取の間、あるいは、光走査装置の始
動後の待期時等である。

（効　　果） 以上、本発明によれば、新規な光走査方法を提供できる
。この光走査方法は、上記の如く構成されているので、
半導体レーザーにおける特性線の経時的変化にかかわら
ず１倍率誤差のない安定した光走査が可能である。

なお、前述したように、特性線の棚状部の傾きのため、
再設定された新たな設定温度に対応する発光波長λは、
それ以前の設定波長λ。かられずかながらずれ、そのた
め、新たな発光波長に対する、ビーム位置は、それ以前
のビーム位置設定領域（第６図のＹ、、Ｙ、）に対し、
一方の側へずれる。そこで、よりきめこまかい制御を行
うため、上記設定領域の上限値、下限値を、新たな設定
温度に応じて設定しなおすようにしてもよく、これには
、第１図に、符号７０で示す、位置設定器°を用い、比
較器５６の出力を利用して、この新たな位置設定を行う
ようにすればない。また、ビーム位置検出素子の配備位
置を光走査の同期検出用の位置に定め、ビーム位置検出
素子を、同期検出用に兼用してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施のための回路構成の１例を示す
ブロック図、第２図は、本発明を実施し゛た光走査装置
を用いる画像記録装置を要部のみ示す説明図的斜視図、
第３図および第４図は、半導体レーザーの特性線と、そ
の経時的変化を説明するための図、第５図はビーム位置
検出素子を説明するための図、第６図は、本発明を説明
するための図、第７図は、本発明の詳細な説明するフロ
ー図である。 １０・・・半導体レーザー、２０・・・ホロスキャナー
。 ３４・・・ビーム位置検出素子、５ｏ・・・保持体、５
２・・・感温素子としてのサーミスタ、５４・・・ペル
チェ素子、５−１・・・ビーム位置検出素子の受光面、
ＳＰ・・・ビーム位置検出素子に受光される偏向レーザ
ービームのスポット、Ｙｌ、Ｙ、・・・ビーム位置の設
定領域の限界値。 ’ｉ４　尺 （Ｉ）　　　　　　　　　　　　　　（１）最Ｄ　口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体レーザーからの光をホロスキャナーで偏向させて
   光走査に供する光走査方式において、半導体レーザーを
   保持する保持体の温度を感温素子で検知し、感温素子出
   力に応じて上記保持体をペルチエ素子により加熱・冷却
   して、保持体の温度を所定の設定温度の近傍に制御する
   ことにより、半導体レーザーの温度を間接的に制御する
   ようにするとともに、情報記録のための画素周波数を可
   変設定可能とし、 偏向レーザービームによる走査領域に、ビーム位置検出
   素子を配備し、非本走査時に、上記ビーム位置検出素子
   により、偏向レーザービームの位置を検出し、ビーム位
   置が、所定の設定領域外となるとき、温度制御のための
   設定温度を所定温度だけずらして再設定し、 かつ、上記画像周波数を、上記の如く再設定された設定
   温度に応じた周波数に再設定することを特徴とする、光
   走査方式。