JPS6250386A - 発光材料およびその製造方法 - Google Patents
発光材料およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6250386A JPS6250386A JP61194144A JP19414486A JPS6250386A JP S6250386 A JPS6250386 A JP S6250386A JP 61194144 A JP61194144 A JP 61194144A JP 19414486 A JP19414486 A JP 19414486A JP S6250386 A JPS6250386 A JP S6250386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminescent material
- europium
- concentration
- manufacturing
- terbium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/886—Chalcogenides with rare earth metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、ガーネット構造を有し、１以上のアクチベ
ーターを含有する発光材料およびその製造方法に関する
ものである。
ーターを含有する発光材料およびその製造方法に関する
ものである。
［従来の技術］
そのような発光材料は文献 （ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｌ ｕｔｎｉｎｅｓｃｅｎｃｅ １２／ １３． １９
７８年、 ｐｌ）６８７−８９２ ）記載されている
。
Ｌ ｕｔｎｉｎｅｓｃｅｎｃｅ １２／ １３． １９
７８年、 ｐｌ）６８７−８９２ ）記載されている
。
この発光材料の構造はＹ３ Ｌ １３Ｔｅ２０＋ ２で
与えられる。３価のユーロピウムまたは、特にウラニウ
ムまたはタングステンイオンがアクチベーターとして使
用される。発光材料は紫外線で励起される。前記文献に
は出発材料、アクチベーター濃度および製造方法につい
ての詳細な説明は記載されていない。
与えられる。３価のユーロピウムまたは、特にウラニウ
ムまたはタングステンイオンがアクチベーターとして使
用される。発光材料は紫外線で励起される。前記文献に
は出発材料、アクチベーター濃度および製造方法につい
ての詳細な説明は記載されていない。
雑誌（Ｎ ａＬｕｒｒｏｒｓｃｈｅｒ、 ３９ａ号、
ｐｐ４９０〜４９４ ）には式Ｇｄ３ Ｔｅ２ Ｌ ｉ
３０１２で示される発光材料が記載されている。３価の
ユーロピウム、テルビウムがアクチベーターとして示さ
れている。
ｐｐ４９０〜４９４ ）には式Ｇｄ３ Ｔｅ２ Ｌ ｉ
３０１２で示される発光材料が記載されている。３価の
ユーロピウム、テルビウムがアクチベーターとして示さ
れている。
テルルはタングステンイオンによって置換され、それは
発光に強く影響する。発光材料は紫外線で励起される。
発光に強く影響する。発光材料は紫外線で励起される。
発光材料を製造するために、化学量論的混合物が粉末に
され、３０分それぞれ５００゜６００および７００℃で
、および２〜４回で合計８時間８５０℃で空気にさらさ
れてアニールされ、最後に熱処理時間の間に微粉末にさ
れる。
され、３０分それぞれ５００゜６００および７００℃で
、および２〜４回で合計８時間８５０℃で空気にさらさ
れてアニールされ、最後に熱処理時間の間に微粉末にさ
れる。
［発明の解決すべき問題点］
この発明の目的は、上記のような種類の発光材料であっ
て、さらに電子ビームで励起されたとき高い放射効率を
をし、しかも持続性が調整可能な発光材料を提供するこ
とである。
て、さらに電子ビームで励起されたとき高い放射効率を
をし、しかも持続性が調整可能な発光材料を提供するこ
とである。
この発明の別の目的は、そのような発光材料を製造する
方法を提供することである。
方法を提供することである。
［問題点解決のための手段］
この目的は、１以上のアクチベーターを含み、ガーネッ
ト構造を有しており、Ｍ、Ｍ”がイツトリウムまたはガ
ドリニウムを表わし、Ａ、Ａ−。
ト構造を有しており、Ｍ、Ｍ”がイツトリウムまたはガ
ドリニウムを表わし、Ａ、Ａ−。
Ａ′がユーロピウムまたはテルビウムを表わし、Ｂがテ
ルルを表わし、Ｃがリチウムを表わすものとして、 ＭＸＭ″ｙ ＡｒＡ３ Ａ＠ Ｂ２ ＣＯｔ ２の構造
を有し、０≦Ｘ、Ｙ≦３であり、Ｘ＋Ｙ−３−（ｒ＋ｓ
＋ｔ）であり、０≦ｒ、ｓ、ｔ≦２であり、Σ）最大−
３、およびｍ−３である発光材料において、ユーロピウ
ムがｒ＝０．０００１乃至１．０の濃度を有する発光材
料によって達成される。
ルルを表わし、Ｃがリチウムを表わすものとして、 ＭＸＭ″ｙ ＡｒＡ３ Ａ＠ Ｂ２ ＣＯｔ ２の構造
を有し、０≦Ｘ、Ｙ≦３であり、Ｘ＋Ｙ−３−（ｒ＋ｓ
＋ｔ）であり、０≦ｒ、ｓ、ｔ≦２であり、Σ）最大−
３、およびｍ−３である発光材料において、ユーロピウ
ムがｒ＝０．０００１乃至１．０の濃度を有する発光材
料によって達成される。
この発明の好ましい実施態様は特許請求の範囲第２項乃
至第４項に記載されている。発光材料の製造方法は特許
請求の範囲第５項に記載されている。この発明の製造方
法の好ましい実施態様は特許請求の範囲第６項乃至第１
１項に記載されている。この発明の発光材料は特に陰極
線管のスクリーンの発光層に使用するのに適している。
至第４項に記載されている。発光材料の製造方法は特許
請求の範囲第５項に記載されている。この発明の製造方
法の好ましい実施態様は特許請求の範囲第６項乃至第１
１項に記載されている。この発明の発光材料は特に陰極
線管のスクリーンの発光層に使用するのに適している。
この発明の発光材料は電子ビームで、特に陰極線管で電
子ビームで励起されたとき赤色光の範囲で高い発光強度
を有する。この発明の発光材料は紫外線で励起すること
も可能であり、スクリーン上の発光層は陰極線管の製造
工程中に検査することができる。持続性はユーロピウム
の濃度を変化させることによって調整することができる
。
子ビームで励起されたとき赤色光の範囲で高い発光強度
を有する。この発明の発光材料は紫外線で励起すること
も可能であり、スクリーン上の発光層は陰極線管の製造
工程中に検査することができる。持続性はユーロピウム
の濃度を変化させることによって調整することができる
。
［実施例］
以下、添附図面を参照にして説明する。
この発明の発光材料は、ガーネット構造を有しており、
１以上のアクチベーターを含み、Ｍ。
１以上のアクチベーターを含み、Ｍ。
Ｍ′がイツトリウムまたはガドリニウムを表わし、Ａ、
Ａ”、Ａ’がユーロピウムまたはテルビウムを表わし、
Ｂがテルルを表わし、Ｃがリチウムを表わすものとして
次の一般式で示される。
Ａ”、Ａ’がユーロピウムまたはテルビウムを表わし、
Ｂがテルルを表わし、Ｃがリチウムを表わすものとして
次の一般式で示される。
ＭＸ Ｍ −ｙ ＡｒＡｓＡｔＢ２ Ｃｍ ０１２ここ
で、０≦Ｘ、Ｙ≦３゜ Ｘ＋Ｙ−３−（ｒ＋ｓ＋ｔ）。
で、０≦Ｘ、Ｙ≦３゜ Ｘ＋Ｙ−３−（ｒ＋ｓ＋ｔ）。
Ｏ≦ｒ、ｓ、ｔ≦２．≦２Σｔｒ最大−３．ｍ−３電子
ビーム特に陰極線で励起可能な赤色発光材料はＭとして
ガドリニウムを、Ａとしてユーロピウムを、Ｂとしてテ
ルルを、Ｃとしてリチウムを使用する場合に得られる。
ビーム特に陰極線で励起可能な赤色発光材料はＭとして
ガドリニウムを、Ａとしてユーロピウムを、Ｂとしてテ
ルルを、Ｃとしてリチウムを使用する場合に得られる。
こ、の化合物において、３価のユーロピウムはｒ＝０．
０００１乃至１．０の濃度を有していなければならず、
ｒ ＝０．１の濃度を有していることが好ましい。この
発光材料は第１図の発光スペクトルによって特徴づけら
れる。第１図において、相対的発光強度Ｉ ｒｃｌは波
長λについて記録されている。もしもテルビウムの形態
の共同アクチベーターが添加されるならば、相対的発光
強度１ ｒａｔは約５０％増加する。共同アクチベータ
ーのテルビウムの量は５乃至５０ ｐｐＩｌｌ、好まし
くは２０ ｐｐｍ存在しなければならない。フェーディ
ング時間 Ｔ（１０％）として特徴づけられる持続性は
ユーロピウムの量を変化させることによって変化できる
。 ｒ ＝０．０３乃至０．４の濃度によって１０
ｎ５ｅｃ乃至２００ ｍ５ｅｃのフェーディング時間Ｔ
（１０％）が得られる。
０００１乃至１．０の濃度を有していなければならず、
ｒ ＝０．１の濃度を有していることが好ましい。この
発光材料は第１図の発光スペクトルによって特徴づけら
れる。第１図において、相対的発光強度Ｉ ｒｃｌは波
長λについて記録されている。もしもテルビウムの形態
の共同アクチベーターが添加されるならば、相対的発光
強度１ ｒａｔは約５０％増加する。共同アクチベータ
ーのテルビウムの量は５乃至５０ ｐｐＩｌｌ、好まし
くは２０ ｐｐｍ存在しなければならない。フェーディ
ング時間 Ｔ（１０％）として特徴づけられる持続性は
ユーロピウムの量を変化させることによって変化できる
。 ｒ ＝０．０３乃至０．４の濃度によって１０
ｎ５ｅｃ乃至２００ ｍ５ｅｃのフェーディング時間Ｔ
（１０％）が得られる。
電子ビームで励起可能な別の赤色発光材料はＭとしてイ
ツトリウム、Ａとしてユーロピウム、Ｂとしてテルル、
Ｃとしてリチウムを使用することによって得られる。こ
の発光材料では、３価のユーロピウムの量はｒ＝０．０
００１乃至１．０、好ましくはｒ＝０．１である。共同
アクチベーターを有しない場合の前記第１の発光材料と
比較して、約９％の相対発光強度の増加がある。この発
光材料の電子ビーム励起によって得られた発光スペクト
ルは第１図に示されている前記第１の発光材料と同じで
ある。。テルビウムは前の場合と同様にこの発光材料の
共同アクチベーターとして使用することができ、５乃至
５０ ｐｐｍ 、好ましくは２０ ｐｐｍ存在しなけれ
ばならない。その場合、相対発光強度は約６５％増加す
る 次に、この発明の発光材料の製造方法について説明する
。酸化物、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩が化
学量論的混合物中の材料（ｅｄｕｃｔ ）として使用さ
れる。酸化物および炭酸塩が好ましい。また水酸化物、
シュウ酸塩、クエン酸塩または類似の化合物として共沈
させることによって初期生成物を製造することもできる
。これは特に稀土類に使用される。
ツトリウム、Ａとしてユーロピウム、Ｂとしてテルル、
Ｃとしてリチウムを使用することによって得られる。こ
の発光材料では、３価のユーロピウムの量はｒ＝０．０
００１乃至１．０、好ましくはｒ＝０．１である。共同
アクチベーターを有しない場合の前記第１の発光材料と
比較して、約９％の相対発光強度の増加がある。この発
光材料の電子ビーム励起によって得られた発光スペクト
ルは第１図に示されている前記第１の発光材料と同じで
ある。。テルビウムは前の場合と同様にこの発光材料の
共同アクチベーターとして使用することができ、５乃至
５０ ｐｐｍ 、好ましくは２０ ｐｐｍ存在しなけれ
ばならない。その場合、相対発光強度は約６５％増加す
る 次に、この発明の発光材料の製造方法について説明する
。酸化物、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩が化
学量論的混合物中の材料（ｅｄｕｃｔ ）として使用さ
れる。酸化物および炭酸塩が好ましい。また水酸化物、
シュウ酸塩、クエン酸塩または類似の化合物として共沈
させることによって初期生成物を製造することもできる
。これは特に稀土類に使用される。
発光材料中の粒子の寸法分布は融剤の添加によって制御
することができる。このために特にアルカリまたはアン
モニウム塩かＯ乃至５０％の過剰量で使用されることが
できる。好ましいのはＬｉＣ１，ＬｉＦ、ＮａＣ］、ま
たはＮａＦである。粒子の寸法分布の制御の別の方法は
、上記の化合物の一つとしてではなく、０乃至５０％の
所定部分においてハロゲン化物として化合物の任意の成
分の一部を使用することである。以上説明した二つの方
法はまた組合わせて使用することもできる。
することができる。このために特にアルカリまたはアン
モニウム塩かＯ乃至５０％の過剰量で使用されることが
できる。好ましいのはＬｉＣ１，ＬｉＦ、ＮａＣ］、ま
たはＮａＦである。粒子の寸法分布の制御の別の方法は
、上記の化合物の一つとしてではなく、０乃至５０％の
所定部分においてハロゲン化物として化合物の任意の成
分の一部を使用することである。以上説明した二つの方
法はまた組合わせて使用することもできる。
材料を含むバッチは乾式または湿式のボールミル処理さ
れる。ボールミルはＡｌ２Ｏ３゜５ｉ０２またはＺｎＯ
２から作られ、その容量はバッチの容器と整合しなけれ
ばならない。無極性の有機溶剤例えばハロゲン炭化水素
ハロゲン化物、脂肪族炭化水素または芳香族炭化水素が
研磨液体として使用される。ボールミル中の研磨体の数
および大きさと、研磨液体の種類および量はバッチの容
量および研磨容器の容量に依存する。
れる。ボールミルはＡｌ２Ｏ３゜５ｉ０２またはＺｎＯ
２から作られ、その容量はバッチの容器と整合しなけれ
ばならない。無極性の有機溶剤例えばハロゲン炭化水素
ハロゲン化物、脂肪族炭化水素または芳香族炭化水素が
研磨液体として使用される。ボールミル中の研磨体の数
および大きさと、研磨液体の種類および量はバッチの容
量および研磨容器の容量に依存する。
所望の粒子寸法分布のための最良の条件を得るために、
研磨時間はバッチの容量に適応され、一般に８乃至２４
時間である。
研磨時間はバッチの容量に適応され、一般に８乃至２４
時間である。
これに続いてディツシュ中でアニール工程が行われ、そ
の容器の大きさはバッチの容量により定められ、ディツ
シュはＡｌ２Ｏ３または５ｉ０２で作られる。バッチを
横切ってあまり大きな温度傾斜か生じるのを避けるよう
注意が必要である。
の容器の大きさはバッチの容量により定められ、ディツ
シュはＡｌ２Ｏ３または５ｉ０２で作られる。バッチを
横切ってあまり大きな温度傾斜か生じるのを避けるよう
注意が必要である。
すなわち、バッチの中心と端との間に大きな温度差があ
ってはならない。アニールは大気中、酸素中またはこれ
ら二つガスの混合雰囲気中で行われる。アニール工程の
温度は次の例のいずれによって選択することもできる。
ってはならない。アニールは大気中、酸素中またはこれ
ら二つガスの混合雰囲気中で行われる。アニール工程の
温度は次の例のいずれによって選択することもできる。
ａ）８５０℃において１０乃至１５時間アニールし、そ
れに続いて冷却する。
れに続いて冷却する。
ｂ）５００℃乃至８５０℃において２乃至３時間加熱し
、８５０°Ｃにおいて１０乃至１５時間アニールし、そ
れに続いて冷却する。
、８５０°Ｃにおいて１０乃至１５時間アニールし、そ
れに続いて冷却する。
ｃ）６００℃において１．５乃至２．５時間アニールし
、温度を８５０℃に上昇させ、その温度において５乃至
１０時間アニールし、それに続いて冷却する。
、温度を８５０℃に上昇させ、その温度において５乃至
１０時間アニールし、それに続いて冷却する。
後続する処理のためにアニールされたバッチは破られ、
適当な数の粉砕体を使用する適当な大きさの粉砕容器中
で乾式または湿式でボールミル処理をされる。粉砕容器
はＡｌ２Ｏ３または５ＩＯ２で作られる。充分な量の水
または弱酸性水溶液が研磨液体として使用されることが
好ましい。原則として、粉砕時間は０．５乃至１．５時
間であり、所望の粒子寸法分布による。このようにして
生成された発光材料は周知の方法によって陰極線管のス
クリーン上に蛍光層として付着されることができる。
適当な数の粉砕体を使用する適当な大きさの粉砕容器中
で乾式または湿式でボールミル処理をされる。粉砕容器
はＡｌ２Ｏ３または５ＩＯ２で作られる。充分な量の水
または弱酸性水溶液が研磨液体として使用されることが
好ましい。原則として、粉砕時間は０．５乃至１．５時
間であり、所望の粒子寸法分布による。このようにして
生成された発光材料は周知の方法によって陰極線管のス
クリーン上に蛍光層として付着されることができる。
以下、上記の方法による発光材料の製造に使用された材
料およびその量のいくつかの例を説明する。
料およびその量のいくつかの例を説明する。
例１ 例２
Ｙ２０３ １．２７７ｇ Ｙ２０３ １．３１
０ｇＹＦ３ ０．０４２ｇ Ｅｕ２Ｏ＋ ０
．０７０ｇＥｕ２Ｏ３０，０７０ｇ ＴｅＯ２１
，２７７ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ
Ｌ ｉ ２ Ｃ０３０，３９９ｇＬ ｉ
２ Ｃ０３０，４４３ｇ Ｌ ｉ Ｆ
０．０３１ｇ例３ 例４ Ｙ２０３ Ｌ、２Ｌ９ｇ Ｙ２０３ Ｑ、
Ｇ５５ｇＥｕ２Ｏ３０，２１１ｇ Ｅｕ２０３０．
０３５ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ Ｔ ｅ
０２ ０．６３８ｇＬ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇ
Ｌ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇＬ ｉ Ｆ
０．１５６ｇ ＮＨａ Ｆ ０．０３７ｇ
例５ 例６ Ｙ２Ｏ２１，１２９ｇ Ｇｄ２Ｏ３０，９７９ｇＥ
Ｌ１２０３ ０．３５２ｇ Ｅ ｕｚ ０３ ０
．１０６ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ Ｔ ｅ
０２ ０．６３８ｇＬ ｉ ２ ＣＯ３０，４３２
ｇ Ｌ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇＬ ｉ Ｆ
０．００８ｇ 例７ 例８ Ｇｄ２０：＋ ０．４１７ｇ Ｇｄ２Ｏ：＋
１．０５１ｇＥｕ２Ｏ３０，１２３ｇ Ｐｒ２０３
５０．０３３ｇＴ ６０２ ０．３１９ｇ Ｔ
ｅ ０２ ０．６３８ｇＬ １２ＣＯ３０，ｌｌＬｇ
Ｌ ｔ２ ＣＯ３０，２２２ｇ例９
例１０ Ｙ２Ｏ２１，３５０ｇＧｄ２０３０．５４４ｇＰ ｒ２
０３ ｓ ０．００７ｇ Ｔｂ２０３５０．５［ｉ
ｌｇＴ ｅ ０２ １．２３７ｇＴ ｅ ０２ ０
．Ｉ３３８ｇＬ １２ＣＯ３０，４４３ｇ Ｌ ｉ
ｚ ＣＯ３０，２２２ｇ例１１ Ｙ２０３ １．１２９ｇ Ｔ ｂ ２０３５０．３７４ｇ Ｔ ｅ Ｏ２１，，２７７ｇ Ｌ ｉ ２ Ｃ０３０，４４３ｇ 例１乃至７の発光スペクトルは第１図に示され、例８お
よび９の発光スペクトルは第２図に示され、例１０およ
び１１の発光スペクトルは第３図に示されている。
０ｇＹＦ３ ０．０４２ｇ Ｅｕ２Ｏ＋ ０
．０７０ｇＥｕ２Ｏ３０，０７０ｇ ＴｅＯ２１
，２７７ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ
Ｌ ｉ ２ Ｃ０３０，３９９ｇＬ ｉ
２ Ｃ０３０，４４３ｇ Ｌ ｉ Ｆ
０．０３１ｇ例３ 例４ Ｙ２０３ Ｌ、２Ｌ９ｇ Ｙ２０３ Ｑ、
Ｇ５５ｇＥｕ２Ｏ３０，２１１ｇ Ｅｕ２０３０．
０３５ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ Ｔ ｅ
０２ ０．６３８ｇＬ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇ
Ｌ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇＬ ｉ Ｆ
０．１５６ｇ ＮＨａ Ｆ ０．０３７ｇ
例５ 例６ Ｙ２Ｏ２１，１２９ｇ Ｇｄ２Ｏ３０，９７９ｇＥ
Ｌ１２０３ ０．３５２ｇ Ｅ ｕｚ ０３ ０
．１０６ｇＴ ｅ ０２ １．２７７ｇ Ｔ ｅ
０２ ０．６３８ｇＬ ｉ ２ ＣＯ３０，４３２
ｇ Ｌ ｉ ２ ＣＯ３０，２２２ｇＬ ｉ Ｆ
０．００８ｇ 例７ 例８ Ｇｄ２０：＋ ０．４１７ｇ Ｇｄ２Ｏ：＋
１．０５１ｇＥｕ２Ｏ３０，１２３ｇ Ｐｒ２０３
５０．０３３ｇＴ ６０２ ０．３１９ｇ Ｔ
ｅ ０２ ０．６３８ｇＬ １２ＣＯ３０，ｌｌＬｇ
Ｌ ｔ２ ＣＯ３０，２２２ｇ例９
例１０ Ｙ２Ｏ２１，３５０ｇＧｄ２０３０．５４４ｇＰ ｒ２
０３ ｓ ０．００７ｇ Ｔｂ２０３５０．５［ｉ
ｌｇＴ ｅ ０２ １．２３７ｇＴ ｅ ０２ ０
．Ｉ３３８ｇＬ １２ＣＯ３０，４４３ｇ Ｌ ｉ
ｚ ＣＯ３０，２２２ｇ例１１ Ｙ２０３ １．１２９ｇ Ｔ ｂ ２０３５０．３７４ｇ Ｔ ｅ Ｏ２１，，２７７ｇ Ｌ ｉ ２ Ｃ０３０，４４３ｇ 例１乃至７の発光スペクトルは第１図に示され、例８お
よび９の発光スペクトルは第２図に示され、例１０およ
び１１の発光スペクトルは第３図に示されている。
第１図、第２図および第３図は発光材料の発光スペクト
ル特性を示している。
ル特性を示している。
Claims (12)
- （１）１以上のアクチベーターを含み、ガーネツト構造
を有しており、Ｍ，Ｍ′がイットリウムまたはガドリニ
ウムを表わし、Ａ，Ａ′，Ａ″がユーロピウムまたはテ
ルビウムを表わし、Ｂがテルルを表わし、Ｃがリチウム
を表わすものとして、Ｍ＿ｘＭ′＿ｙＡｒＡｓＡｔＢ＿
２Ｃ＿ｍＯ＿ｌ＿２の構造を有し、 ここで０≦Ｘ，Ｙ≦３， Ｘ＋Ｙ＝３−（ｒ＋ｓ＋ｔ） ０≦ｒ，ｓ，ｔ≦２ Σ＾ｔ＿ｒ最大＝３、およびｍ＝３である発光材料にお
いて、 ユーロピウムがｒ＝０．０００１乃至１．０の濃度を有
することを特徴とする発光材料。 - （２）ユーロピウムがｒ＝０．１の濃度を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光材料。 - （３）Ａ″が共同アクチベーターとしてのテルビウムを
表わし、その含有量が５乃至５０ｐｐｍであることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の発光材料。 - （４）テルビウムの含有量が２０ｐｐｍであることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の発光材料。 - （５）１以上のアクチベーターを含み、ガーネツト構造
を有しており、Ｍ，Ｍ′がイットリウムまたはガドリニ
ウムを表わし、Ａ，Ａ′，Ａ″がユーロピウムまたはテ
ルビウムを表わし、Ｂがテルルを表わし、Ｃがリチウム
を表わすものとして、 Ｍ＿ｘＭ′＿ｙＡｒＡｓＡｔＢ＿２Ｃ＿ｍＯ＿ｌ＿２の
構造を有し、 ここで０≦Ｘ，Ｙ≦３， Ｘ＋Ｙ＝３−（ｒ＋ｓ＋ｔ） ０≦ｒ，ｓ，ｔ≦２ Σ＾ｔ＿ｒ最大＝３、およびｍ＝３であり、ユーロピウ
ムがＲ＝０．０００１乃至１．０の濃度を有する発光材
料の製造方法であつて、材料が水酸塩、硝酸塩、シュウ
酸塩、または酸化物および炭酸塩の化学量論的混合物と
して与えられ、混合され、次いで１乃至２４時間の間８
００乃至１１００℃に加熱され、最後に粉砕されること
を特徴とする発光材料の製造方法。 - （６）融剤が前記一般式の他の成分のアルカリまたはア
ンモニウム塩または化合物の形態で添加されることを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の製造方法。 - （７）融剤としてＬｉ＿２ＳＯ＿４，ＮＨ＿４Ｆ，Ｌｉ
Ｆ，ＬｉＣｌ，ＹＦ＿３，ＧｄＦ＿３，ＮａＣｌ，また
はＮａＦが使用されることを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の製造方法。 - （８）ＬｉＦが０乃至５０％の濃度で使用されることを
特徴とする特許請求の範囲第７項記載の製造方法。 - （９）ＬｉＦが２．５％の濃度で使用されることを特徴
とする特許請求の範囲第８項記載の製造方法。 - （１０）ＹＦ＿３が０乃至５０％の濃度で使用されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の製造方法。 - （１１）ＹＦ＿３が２．５％の濃度で使用されることを
特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の製造方法。 - （１２）１以上のアクチベーターを含み、ガーネツト横
造を有しており、Ｍ，Ｍ′がイットリウムまたはガドリ
ニウムを表わし、Ａ，Ａ′，Ａ″がユーロピウムまたは
テルビウムを表わし、Ｂがテルルを表わし、Ｃがリチウ
ムを表わすものとして、 Ｍ＿ｘＭ′＿ＹＡ＿ｒＡ＿ｓＡ＿ｔＢ＿２Ｃ＿ｍＯ＿１
＿２の構造を有し、 ここで０≦Ｘ，Ｙ≦３， Ｘ＋Ｙ＝３−（ｒ＋ｓ＋ｔ） ０≦ｒ，ｓ，ｔ≦２ Σ＾ｔ＿ｒ最大＝３、およびｍ＝３である発光材料であ
つて、 ユーロピウムがｒ＝０．０００１乃至１．０の濃度を有
し、陰極線管のスクリーン上の発光層として構成されて
いることを特徴とする発光材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3530180.5 | 1985-08-23 | ||
| DE19853530180 DE3530180A1 (de) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | Leuchtstoff und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6250386A true JPS6250386A (ja) | 1987-03-05 |
| JPS6327392B2 JPS6327392B2 (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=6279210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194144A Granted JPS6250386A (ja) | 1985-08-23 | 1986-08-21 | 発光材料およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0213502B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6250386A (ja) |
| DE (2) | DE3530180A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100354389C (zh) * | 2003-10-09 | 2007-12-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018217A (en) * | 1988-09-26 | 1991-05-21 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Data converting apparatus having means for changing ornamental stroke end data of character outline |
| US5391876A (en) * | 1990-06-29 | 1995-02-21 | General Electric Company | Hole-trap-compensated scintillator material and computed tomography machine containing the same |
| CA2042147A1 (en) * | 1990-06-29 | 1991-12-30 | Veneta G. Tsoukala | Hole-trap-compensated scintillator material |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL181063C (nl) * | 1976-05-13 | 1987-06-01 | Philips Nv | Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal. |
-
1985
- 1985-08-23 DE DE19853530180 patent/DE3530180A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-08-14 EP EP86111250A patent/EP0213502B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-14 DE DE8686111250T patent/DE3675608D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-21 JP JP61194144A patent/JPS6250386A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100354389C (zh) * | 2003-10-09 | 2007-12-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0213502B1 (de) | 1990-11-14 |
| EP0213502A3 (en) | 1988-01-13 |
| DE3675608D1 (de) | 1990-12-20 |
| DE3530180A1 (de) | 1987-02-26 |
| EP0213502A2 (de) | 1987-03-11 |
| JPS6327392B2 (ja) | 1988-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4216408A (en) | Luminescent material and discharge lamp and cathode ray tube containing the same | |
| US5028509A (en) | Method for converting radiographic image, radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer and alkali halide phosphor | |
| US4093890A (en) | Terbium-activated luminescent garnet material and mercury vapor discharge lamp containing the same | |
| US4314910A (en) | Luminiscent materials | |
| JPH0625356B2 (ja) | 発光スクリ−ン及びこれを設けた低圧水銀蒸気放電灯 | |
| JP2000192034A (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
| JPS6250386A (ja) | 発光材料およびその製造方法 | |
| CN106957651A (zh) | 稀土掺杂发光材料 | |
| CA1139545A (en) | Luminescent aluminate | |
| JPS5943508B2 (ja) | 螢光体 | |
| US4089799A (en) | Luminescent fluoride | |
| Ozawa et al. | Luminescence of Pr+ 3 Activated Y 2 O 2 S | |
| JPS6173786A (ja) | 放射線画像変換方法 | |
| JPS5945707B2 (ja) | 螢光体 | |
| JPH0152432B2 (ja) | ||
| US6361714B1 (en) | Method of preparing barium fluorohalide phosphor | |
| US3487025A (en) | Rare earth tellurate phosphors | |
| JPS6173787A (ja) | 放射線画像変換方法 | |
| US4007394A (en) | Alkali metal alkaline earth metal sulfate phosphor activated with cerium and terbium and lamp containing same | |
| JP3538781B2 (ja) | アルカリハライド蛍光体、その蛍光体を用いた放射線画像変換パネルおよびその放射線画像変換パネルを用いた放射線画像変換方法 | |
| KR100263152B1 (ko) | 능동 발광형 액정표시 소자용 녹색 형광체 | |
| US3265628A (en) | Uranium and lanthanide activated alkaline earth molybdate and tungstate phosphors | |
| JPS60101179A (ja) | 螢光体の製造法 | |
| Boulon et al. | Luminescence processes in Bi 3+ centers | |
| JPH0527674B2 (ja) |