JPS62500068A - 規則的排列の細孔を有するセラミツク体 - Google Patents

規則的排列の細孔を有するセラミツク体

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JPS62500068A
JPS62500068A JP61500137A JP50013785A JPS62500068A JP S62500068 A JPS62500068 A JP S62500068A JP 61500137 A JP61500137 A JP 61500137A JP 50013785 A JP50013785 A JP 50013785A JP S62500068 A JPS62500068 A JP S62500068A
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ライス.ロイ・ダブリユ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 規則的排列の細孔を有するセラミック体技術分野 この発明は、複数の規則的排列の細孔を有するセラミック変換器およびかかる変 換器の製造方法に関する。さらに一般的には1本発明は規則的に排列した複数の 細孔を有する化ラミック体および該セラミック体の製造方法に関する。
背景技術 従来の圧電セラミック・ハイドロフォンはチタン酸ジルコン酸鉛(’p Z T  )のような比較的非圧縮性で高密度の材料を使用してきた。かかる装置の水圧 感度はそれらの一軸性感度の一部分に過ぎないので。
その圧縮性、従って水圧感度を高めるために5セラミツク材料に不規則な形状、 大きさ1診よび分布の細孔が提供されてきた。しかしながら、該ハイドロフオン は多くの欠点を示す。細孔の不規則な配列はセラミック構造体を弱体化する傾向 にあって、装置がこわれ易い。さらに、該ハイドロフオンは等方性の圧縮特性を 有し、入力信号源の方向を識別することが困難である。圧電ハイドロフオンは異 方性(又は方向性)゛特性を示すことが極めて望ましい。セラミンク相ネートの に面に形成された不規則な細孔は水を吸収する傾向があるため、さらに別の欠点 が生じ、それによってさらにハイドロフオンの効果を妨げる。
便の圧電装置も異方性の性質から有利である。例えば、扇風機、モータおよび発 電機に使用される圧電形ベンダー装置は特定の内部頭載または方向に高度のコン プライアンス金層して、それらの所望の曲げ操作を行うことができる。しかしな がら、これは組立ておよび整合を困難にする1例えはセラミックと金属が異なる 膨張係数を示し、それによってこの装置の第11点全署しく低下させる。
((1!のセラミック装ηも不規則な気孔率のために困っている。セラミックは 一般に圧縮下よりも張力下において弱い、そしてかかる材料は典型的に応力下で の変形は極めて少ない。従って、セラミック杓料における不規則細孔のような欠 陥はW力集中と応力増加金もたらし、それらがしばしば割れをもたらす。
空気光てん不規則卸1孔を使用して、キルンに使用されるような耐火セラミック に保湿を提供しているけれども、かかる多孔性はセラミック構造体を弱体化する ので、耐火構造物に空気光でX7細孔の使用は限定される。
米l′7′il特rrF第3. g 29.うひ6−号はセラミック層間に(愼 めて大きな平らな空孔含・開示]2ている5、しか1〜ながら、かかるセラミッ ク層間に該空孔の1個のみが設けられており、各空孔は導電性材料で直ちに満た されて、装置が戸ンデンサとして使用できるような内部電極を形成する。
発明の開示 従って1本発明の目的は、所定の排列の細孔を有するセラミック体(又は磁器体 )を提供することである。
さらに5本発明の目的は、従来のセラミック体よりも優れた弾性、性能および強 度金与えるために所定の大きさ、形状、配向および場所を有する細孔を形成した セラミック体を提供することである。
さらに1本発明の目的は、所定の異方的特性を有するセラミック体を提供するこ とである。
さらに、本発明の目的は、コンプライアンス、ポアソン比、導電率、熱伝導率、 導電率および圧電係数のような物理的性質を正確に前もって制御することができ る優れたセラミンク体の製造方法を提供すさらに1本発明の目的は、稠密な耐水 性表面を提供すると共に耐応力集中性であるセンミック体を提供することである 。
さらに1本発明の目的は、耐火描ン1j、物、荷重支ハ構造物、ポンプおよびベ ンダーに効果的に使用することができるセラミック体を提供することである。
さらに1本発明の目的は、上記の利点を有する優れた電気化学セラミック変換器 全提供することである。
さらに1本発明の目的は、優れた耐応力性、感度および方向性全提供する′電気 化学セラミック変換器を提供することである。
さらに5本発明の目的は、もっばら内部細孔を用いた電気化学セラミック変換器 を提供することである。
さらに1本発明は1本発明の電気化学セラミック変換器を用いて優れたハイドロ フオンを提供スることである。
さらに本発明は、高水圧感度を有する優れたノ・イドロフオンを提供することで ある。
さらに本発明の目的は、上記利点を有するモノリシック・セラミック体の製造法 を提供することである。
本発明は、第1のセラミック部と該第1セラミック部に一体連接された第2のセ ラミック部を含むセラミック体(又は硲器体)を特徴とする。両方の部分は、少 なくとも1つの面の各々に所定の排列、大きさ、形状、配向、および場所の複数 細孔を有する。
電極手段は、本発明に従ったモノリシック電気化学セラミック変換器を提供する だめに本体上の2つの離れた位置に装着される。
望ましい実施態様における細孔ば、異方性セラミック体を提供するために規則的 な排列、寸法、形状。
配向および場所を有する。細孔の少なくともいくつかは少なくとも丸い、および 扁平である。細孔はセラミック体内に配置される。各層は細孔を含まない筒辺領 域を含む。細孔は本体に周期的に配列されると共に相互に分離される。1だ、細 孔を相互連結する手段も含みうる。セラミック体は圧電材料を含みうる。セラミ ック変換器はモノリシック・セラミック・ハイドロフオンまたはセラミック・ポ ンプに使用される。
さらに本発明は、一時的材料を、セラミック材料の少なくとも一階の広い表面に 所定の排列、大きさ。
形状、配向および場所を有する模様に塗布(又は付加)することを含むモノリシ ック・セラミック体の 1製造法を、特徴とする。層間の一時的材料とスタック に第2のセラミ・ツク層が並置される。そして並置された層が積層される。その スタックを第1の温度に加熱して、一時的材料の模様に合致する所定の排列。
大きさ、形状、配向および場所を有する複数の細孔して、細孔を含むモノリシッ ク・セラミック体を形成する。 。
異方性セラミック体を提供する細孔をつくるために、一時的材料の規則的排列、 大きさ、形状、配向および場所を有する模様に付加されることが望ましい。一時 的材料はセラミック層の内表面に付加することができる。それは相互連結された 細孔または個々の細孔を提供するために付加されると共に9周期的模様に付加さ れる。また、一時的材料は少なくとも少し丸い細孔または扁平細孔を提供するた めに付加される。それはPZTのようなセラミックを含む。
第1の温度は少なくとも380℃そして第2の温度は少なくとも1180℃にす る。セラミック体上の2つの離れた位置に電極手段も装着される。モノリシック 電気化学セラミック変換器は電極手段をセラミック層の2つの離れた位置に取り 付けるごとによって作られる。
さらに、本発明の方法たよって製造されたモノリシンク・セラミック体およびモ ノリシック電気化学セラミク変換器を特徴とする。
図面の簡単な説明 本発明の他の目的、特徴および利点は次の望ましい実施態様の説明および添付図 面から生じるであろう。
第1図は、最上層を除く全ての層に一時的材料の規則排列模様を備えた複数の並 置セラミック層の拡大軸投測投影図である; 第2図は、圧縮されて密接に接触しかつ加熱されたセラミック層の軸投測投像略 図である;第5図は1本発明による電気化学セラミック変換器を提供すべく第1 図および第2図に示したように形成されたモノリシック体に付加された電極の軸 投測投像の部分切取図である; 第4図は1本発明による細孔の規則排列模様を有する圧電形ハイドロフオンの簡 易部分切取、軸投測投像図である; 第5図は第4図の線5−5についての横断面略図である; 第6図は細長い細孔を有する別の圧電形ノ・イドロフオンの部分切取軸投測投影 図である;第7図は規則排列の細孔を用いた圧電ポンプの略図である; 第8図は1つの側面に交差する規則排列の細孔を有するセラミック体の横断面平 面図である;第9図は2つの側面に交差する規則排列の細孔を有するセラミック 体の横断面平面図である;第10図は第9図の線10−10についての横断面図 である; 第11A図は規則排列の細孔を上面および下面近くに集中させたモノリシック・ セラミック体の横断面側面図である; 第118図は第11A図の線11B−11Bについての横断面図である; 第12A図は規則排列の細孔を中心近傍に集中させたモノリシック・セラミック 体の横断面側面図である; 第1.28図は第12A図の線12B−12Bについての横断面図である; 第15図は細孔を複数の面間に相互連結させたモノリシック・セラミック体の軸 投測投像の部分切取図である;そして 第11i図は】つの面で内部細孔を相互連結させたモノリシンク・セラミック体 の平面図である。
発明を実施するだめの最良の形態 本発明のセラミック体は、セラミック材料の少なくとも1つの層の広い表面に所 定の排列5大きさ。
形状、配向および場所を有する模様に一時的材料を付加することによって作られ る。典型的に、セラミック材料は5商品名Cerbind(T、M、)A 73 210のような54 %結合剤内のPZTのような圧電セラミツエーハに成形さ れる。かかるテープはスリップ−キャスティングまたはプレスのような多くの周 知方法で製造することができる。次に一時的材料がセラミック材料に付加される 。一時的材料は、高熱下で蒸発または除去される有機物質を含み、かつPZTの ようなセラミックを含むことが望ましい。規則的排列の一時的材料の模様は多く の周知方法1例えば印刷、シルクスクリーニング、デカルコマニア、オフセット 印刷、バット印刷、平版印刷法の1つによってセラミック層に付加される。
セラミック層は隣接層間の一時的材料とスタックに並置される。そしてその層は 積層される1例えば圧縮して密接な接触にする。また、そのスタックはこの積層 中に、例えば45℃以上に加熱される。積層に続いて、スタックは典型的に少な くとも580℃の温度に加熱されて、結合剤と一時的材料を蒸発して一時的材料 の模様と一致する規則的排列模様を有する細孔を提供する。そのスタックは次に 望1しくは1180℃と1500℃の間の高度に加熱されて、変換器を形成する ために電極手段を装着される規則排列細孔を有するモノリシンク・セラミック本 が提供される。
典型的に、一時的材料は、異方性セラミック体を提供する細孔を生成するところ の排列、大きさ、形状、配向および場所全方する模様に付加される。それは相互 連結または個々の細孔を提供するために付加される、そして細孔のいくつかは少 し丸いか、甘たは扁平である。細孔はセラミック体内の全く内部に配置されるこ とがしばしば望ましい。
本発明の方法の別な実施例において、有機溶媒に22%樹脂と、27%微細カー ボンを含む一時的材料が0.05 ta (2ミル)厚さの層のセラミックテー プの広い表面上の模様に配置される。各セラミック層の縁部の周囲は、細孔を含 1ないα075へ・0.5龍幅の周辺ストリップが設けられる。一時的材料は次 に乾燥される。そしてこれら0.05 簡(2ミル)厚さの層の60層が隣接層 対間の一時的材料とスタックに並置される。そのスタックはう分間予熱される、 そしてそれらの層は圧力105 Kg/ od (1500psi)、湿度50 ℃で5分間積層さ扛るそのスタックは次に60℃に再加熱し鋭い刃物で切断して 、所望サイズのセラミック体を提供する。切断された部分の温度は10℃/11 r の割合で700℃に上昇させる。
これが一時的材料を除去して、一時的材料の模様にマツチした所定の排列、サイ ズ、形状、配向および場所を有する複数の細孔を提供する。そのスタックは次に 1200℃で約50分間焼結して細孔を含むモノリシック・セラミック体を形成 する。各層の縁の周囲には細孔を含まない周辺ストリップが提供されたので、規 則的排列の細孔の回りには緻密なシールが形成される。。
焼結後、そのセラミックは銀含有ペイントで電極化し、100℃で乾燥し、15 0℃のシリコーン流体内の5キロポルl−/、、の電場において20分間ポーリ ングした。
第1図には、複数のセラミック層10.12.11!および16が示されている 。図示されていないけnども1層16の下側にはさらに別の層が配置される。
一時的材料の扁平ディスク18は1層12.111および16の各々の広い上面 に所定の排列、大きさ。
形状5配向および場所を有する模様に配置される。
最上層10には一時的材料は付加されない。各模様は周期的な4×5の配列で1 2個の扁平ディスクを含む。第1図に示した模様の各々はかかる配列を含むけれ ども、これは本発明の必須の限定ではない。
別の実施態様では12個よりさらに多くのディスクを各層に設けられる。この数 は簡潔さのために示したものである。一時的材料は他の種々の形状およびサイズ に配置されうるし;種々の模様にすることができると共に、模様を変えうる1例 えば層毎に正方形、棒状、スパイラル、十字形にすることができる。
一時的材料を含まない周辺の縁部19が各層12゜24およびI6に設けられる 。
第2図に示すように、セラミック層はプレス2゜加熱される。被積層スタック2 11は次に3gO℃以上の温度に加熱される。これによって一時的材料はセラミ ック層10.12.111および16の間から蒸発または除去される。スタック 2+4は第5図に示すモノリシック・セラミック体を形成するために11g0℃ 以上の温度で焼結される。これは個々の層10.12.14および16をなくし て、それらを結合して単体にさせる。
モノリシック体26は、蒸発した一時的材料の模様に合致する次元の排列、サイ ズ、形状5配向および場所を有する複数の細孔28を含む1例えば5つの面30 .32および3IIがあり、各面は第1図の一時的材料18の模様に合致するサ イズ、形状、配向および場所を有する11×5の配列の細孔を含む。
第1図のセラミック層10の最上部には一時的材料が提供されず、かつ各層12 .11+および16の周囲には細孔を含まない周辺縁部19が提供されるので、 得られた細孔28はセラミック体26の全く内部に含まれて9本体26の外表面 (例えば、上下面1lO142および・側面1114、ll6)に細孔は見えな い。
本体26の成形に続いて、上下のセラミック表面40.42にそれぞれ上下の電 極が付加し、導線54と56を接続してセラミック変換器55を得る。
第4図には1本発明法に従って製造したモノリシック圧電体26を含む圧電ハイ ドロフオン55aを示す。本体26aは厚さ0.025m(lrnil) の圧 電層Boaの120階、または痺さ0.05 m (2mijりの圧電層82  aの60層から形成される。これらの元の階は簡潔さと説明のために破線で示さ れている;笑際に1個々の層は前述のように焼結されてモノリシック体26aと なるときには消滅する。本体26aの最上面には上部電極50aを付加し5本体 26aの下面には下部電極52aが付加される。それぞれの導線51Iaと56 aは電極を適当な回路に接続する。ハイドロフオン55&は図面の右下に示す軸 l。
2およびうの方向に向けられ、電152aから電極50a1例えば軸うに沿って 矢印Pの方向にボー1ハングされる。ハイドロフオン技術において、軸5は常に ポーリング方向に平行に延在し、軸1と2はポーリング方向に垂直である。
ハイドロフオン55aの感度は次の値を測定することによって決定される: に対する生成電荷の比率)。それはd33− d3□−d31から決定される。
ここで’33は軸5に沿って加えられた力に対する電極に集った電荷の比率;d 3□は軸2に沿って加えられた力に対する電極に集った電荷の比率:そしてd3 □は軸1に沿って加えられた力に対する電極に集った電荷の比率である。dhは d33゜d3□およびd31 を測定することによって直接または間接的に測定 される。
(21に3(軸5に沿った誘電率) (1119h(圧電水圧電圧係数)=ε。dh/に3(式中のε。=a&5xl Oファフド/m)。dh値はに3゜dhおよびε。から計算される。
は、Ijhの値を増加させる。そして変換器の電圧感度の増加を示す。ハイドロ ゛フォン55aにおける本発明の排列細孔使用の効果は次の実施例によって示ハ イドロフオン55aが細孔を備えないと、そのコンプライアンスまたは圧縮性は 軸1.2および)方向に関してほぼ同一であって1例えば装置は等方的挙動をす る。次のパラメーターはかかるハイドロフオンによって示される: ハイドロフオンの感度を上げるために、75FI定のサイズ、配向および場所を 有する第4図に示す扁平細孔28aの規則的配列模様を設ける。この模様はPZ T粉末を含有しない一時的材料を第5の厚さ0.05■の°層82 a毎に付加 することによって形成される。焼結および一時的材料の蒸発に続いて1面92a 、91ia、96aおよびその他(図示せず)の面に細孔の面間隔0.0099 0m(0,0059in)で細孔模様90aを設ける。それらの細孔は水平直径 が0.0610ffl(0,0211in)で中心間隔が0.076crn(0 ,031n)である。
との規則的排列の細孔模様のために、ハイドロフオン55aは異方性の圧縮特性 を゛示す。例えば、第5図に示すように、隣接面1例えば細孔28aの面29a と9IIa間の間隔101aは扁平細孔の厚さTの6倍以上である。各水平面に おける細孔間の全体の面積、例えば92aの全体の面積は該面の細孔面積の2倍 に過ぎない。その結果、間隔101 a内の圧電材料の水平列は間隔]、 O′ )a内の鉛直列の分別面積のう倍を有する。その上、細孔2 g aは面92  a、9l−Laに対して90においてこれらの面に対して平行よりも著し−<圧 縮性である。その結果5本体26aはより圧縮性であって、軸1方向よりも軸う 方向により圧縮性である。
高い水圧感度は、前記細孔模様音用いたハイドロフオンに対[7て決定された次 の測定値によってさらに立証される: d33 gl、= J、 & 5 x 10−3vol t−mecer/newt;o n従って5層92a、91iaおよび96aに模様90aを用いたハイドロフオ ンは、規則的排列の細規則的排列の細孔構造の異方性効果は、主細孔面92a、 9’+a−,等に平行な方向に支えることによって、例えば破線で示した電極4 7.147を側面1↓6aと1146a(第5凹径月)に沿って付加することに よってさらに立証される。この方向における被測定誘電率は81↓0であり、こ の(Fは主細孔面に垂直な方向における上記ft& K 3よりも細孔を全く含 捷ない圧′五セラミックの値に極めて近い、同様に。
の(ioは、細孔面に垂直、すなわち電極52aから50aの方向((おける0 、 26と比較して057である。これは、細孔面92a、91ia、等に垂直 な方向における。l:りもこれらの面に平行な方向において著しく低いコンプラ イアンスおよび感度を示す。
実施例 5 第4図に示す規則的排列の細孔模様90aを厚さ0.025w(1mi/) の 圧電層80 a間に設ける。
例えば、PZTの粉末を含イ了する一時的相料を厚さα025mの各層間に配置 する。従って面92δ。
97a、98a、998.100a、等に細孔28aが生成さ、れる。
第5図に破線で示すように、規則的排列の細孔の連続面92a、97a、98a −99a、1ooaおよび9 ll a 1141の間隔は前記実施例における よりも狭い。これは軟質細孔のより多くの層を提供し、従おいてさらに犬である 。次の測定値が得られる:電佃および?)i正係数がより大きく、従って感度が さ第6図に示す工うに5ハ・fドロアオン55bは前述のような卿さ00250 の層120目たは〃さQ、 05 Wの層60層からなるセラミンク体26 b を含む。セラミック層の間に、一時的材料が、焼結後に卸3孔2gbと該細孔2 &bに対して1シ角に延在する細孔213bbが交互の隣接面110L+、11 2 bに提供されるように規則的排列の細長模様に配列される。
従って、各面の細長い細孔はその上下の面の細孔に対して90に配向される。電 に= 50 bと52bけセラミック体261〕の」二下面に付加される。
このハイドロフオンの測定値は次の通りである一K =120 さらに、本体2G+)は異方的圧縮特性全示す。軸1方向の評価コンプライアン スは規則的排列の細孔を含まないブロックの軸1方向の値の約110%である。
しかしながら、軸う方向の評価コンプライアンスは該ブロックの同一軸方向のコ ンプライアンスのgoo〜1200%である。
全く平行な細孔28bの層を用いた本体は軸5、軸1および軸2に沿って異方性 の圧縮特性を示す。
第4図〜第6図の実施態様の各々において0周辺の無細孔鎖酸19a、19bは それぞれの細孔を囲んでハイドロフオン55a、55bの耐水性外表面を形成す る。
細長い管状の規則的排列細孔28hi用いた低容積ポンプ210を第7図に示す 。圧電モノリシック体26hは本発明の方法に従って形成され、その上下の表面 110h、142bK電極対212.214゜216および218のストリップ を備える(下部電極は図示せず)。電極は細孔211thに垂直に配列される。
そして上下電極の各対はそれぞれの導体220゜2211.226および22g によってマイクロプロセッサ−制御回路250へ接続される。電圧は電極対21 2〜218の各りに順次印加される。これは。
細孔を通して流体をボンピングするために狭窄部Cが細孔28hに沿って矢印2 311の方向に移行するように圧電材料を収縮される。
本発明による規則排列細孔の使用は、またセラミック変換器およびセラミック荷 重支持および耐火構造物の強度を高める。第8図に示すように1幅02160m  (0,085i n ) f有する圧電体26dは間隔が0、033 cmで 直径が0.025cmの細孔28dの60層を有する。細孔は、それらが本体2 6dの側面と交差することを除いて第2図に示すものと形状が類イ以する。それ ぞれの表面41d、411dの強度を測定するためにう点曲げ試験を行なう。最 初に表面111dを要素200.202へ支えそして表面114(]へ圧縮力1 30i加えることによって1表面Llldへ引張力129を加える。表面++1 dの測定曲げ強さは70メガパスカル(MPa )である。本体26dと同一の 構成であるが規則的排列の細孔を備えないものと曲げ強さは僅か45 M P  aである。本体26dを逆方向に曲げた場合1例えば破線で示す要素200゜2 02を表面tiledへ配置し、圧縮力111Oを表面1aidへ加え、合成引 張力1111を表面IIl+dへ加えた場合、表面114dの曲げ強さは117 MPaであるが、細孔のない同一表面は僅か51MPaの曲げ強さを示すに過ぎ ない。
はその細長い両側面1jleと1Jlleと交差する規則的排列の細孔28eを 備える。該細孔の直径は0.025儂である。表面LLleを矢印1112の方 向に曲げた場合1曲げ強さは121 MPaであるが、規則的排列の細孔を有さ ないこの表面の曲げ強さは僅か61MPaである。第10図に示すように、底面 IJ2eを矢印1118の方向に曲げた場合、111J MPaの曲げ強さを示 すが、規則的排列の細孔を備えない本体におけるこの表面の曲げ強さは僅か79  MPaである。規則的排列細孔の提供は圧電体の曲げ強さを著しく高める。
種々の規則的排列模様に細孔を排列することによって、所望の強度特性が得られ る。例えば、第11A図と第11B図に示すように、細孔281をセラミック体 261の上下面500、′502に集中させ。
内r@50 u、506により小さい密度で設ける。そて中心領域で比較的硬い 。
また、第12.A図および第12B図に示すように。
細孔28には内部面IJO1i、1106で密に配列そして面1100.140 2においてより希薄に配列される。
そして表面近くの領域1i08.1410は細孔を含まで比較的硬く、その中心 で比較的しなやかである。
他の種々の細孔模様(それらはコンピュータなどによって生成することができる )を設けて、ベンダーのような変換器およびセラミック荷重支持構造物に所望の 強さおよびコンプライアンス特性を得ることができる。規則的排列の細孔によっ て提供される高強度はキルンのような耐火セラミック構造物においても特に有益 である。空気を充てんした規則的排列の細孔はセラミックの強さを保ちながら優 れた断熱性全提供する。本発明のセラミック体は電子信号処理用1例えば処理回 路の部品としても使用しうる。
規則的排列の細孔は相互に連結することができる。
例えば第13図に示すように1本体26fの全く異なる面上の細孔2Bfと21 !ffは横断細孔2819によって相互に連結される。また、第111図に示す ように、単一面190hにおける隣接細孔28h、 21!hhおよび28hh h は相互に連結される。
以上記載した実施態様に示した寸法、サイズ、形状、配向および場所は説明のた めのみに提供されたものである。細孔の排列は、セラミック変換器に所望の物理 的および異方性の特性を提供するために調節することができる。
本発明の特定の特徴をある図面に示し他の図面に示してないけれども、これは、 それぞれの特徴は本発明に従った他の特徴のいずれか、または全てと組み合せう るから1便宜上からだけである。
請求の範囲内の他の実施態様も当業者には想到されるであろう。
FIG //A F/θ〃B FIG /2A FIG、 /213 FI6.8 FIG 9

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.異方性セラミツク体を提供すべく、少なくとも1つの面の各々に所定の排列 、サイズ、形状、配向および場所に配置された複数の細孔を有するモノリシツク ・セラミツク体;および該セラミツク体上の2つの離れた位置に装着された電極 手段からなることを特徴とするモノリシツク・セラミツク・ハイドロフオン。
  2. 2.前記細孔が少なくとも部分的に丸いことを特徴とする請求の範囲第1項に記 載のハイドロフオン。
  3. 3.前記細孔が扁平であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のハイドロ フオン。
  4. 4.前記細孔が前記セラミツク体の全く内部に配置されていることを特徴とする 請求の範囲第1項に記載のハイドロフオン。
  5. 5.前記細孔が前記セラミツク体内に周期的に配列されることを特徴とする請求 の範囲第1項に記載のハイドロフオン。
  6. 6.前記細孔が互に分離していることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のハ イドロフオン。
  7. 7.前記セラミツク体が圧電材料を含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記 載のハイドロフオン。
  8. 8.少なくとも1つの面の所定の排列、サイズ、形状、配向および場所に複数の 細長い細孔を有して、流体を該細孔を通して送るモノリシツク・セラミツク体; 該セラミツク体上の2つの離れた位置に装着された電極;および 前記細孔をくびれさせ、流体を該細孔を通して流動させるべく、電圧を前記電極 手段に印加させる手段からなることを特徴とするモノリシツク・セラミツク・ポ ンプ。
  9. 9.少なくとも1つの面の所定の排列、サイズ、形状、配向および場所に複数の 細孔を有するモノリシツク・セラミツク体;および 前記セラミツク体上の2つの離れた位置に装着された電極手段、からなることを 特徴とするモノリシツク電気化学セラミツク変換器。
  10. 10.前記細孔が規則的に排列され、寸法、形状、配向および場所を有して異方 性セラミツク体を提供することを特徴とする請求の範囲第9項に記載のモノリシ ツク電気化学セラミツク変換器。
  11. 11.前記細孔の少なくともいくつかが少なくとも部分的に丸いことを特徴とす る請求の範囲第9項に記載の変換器。
  12. 12.前記細孔の少なくともいくつかが偏平であることを特徴とする請求の範囲 第9項に記載の変換器。
  13. 13.前記細孔は前記セラミツク体の全く内部に配置されることを特徴とする請 求の範囲第9項に記載の変換器。
  14. 14.各面が前記細孔を含まない周辺領域を含むことを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の変換器。
  15. 15.前記細孔を相互に連結させる手段をさらに含むことを特徴とする請求の範 囲第9項に記載の変換器。
  16. 16.前記細孔が前記セラミツク体に周期的に配列されることを特徴とする請求 の範囲第9項に記載の変換器。
  17. 17.前記細孔が相互に分離されていることを特徴とする請求の範囲第9項に記 載の変換器。
  18. 18.前記セラミツク体が圧電材料を含むことを特徴とする請求の範囲第9項に 記載の変換器。
  19. 19.第1のセラミツク部と;該第1のセラミツク部に一体に連接された第2の セラミツク部からなり、前記第1および第2のセラミツク部の各々が少なくとも 1つの面の所定の排列、サイズ、形状、配向および場所に複数の細孔を有するこ とを特徴とするセラミツク体。
  20. 20.前記細孔が規則的に排列され、所定の寸法、形状、配向および場所を有し て異方性セラミツク体を提供することを特徴とする請求の範囲第19項に記載の セラミツク体。
  21. 21.前記細孔の少なくともいくつかが少なくとも部分的に丸いことを特徴とす る請求の範囲第19項に記載のセラミツク体。
  22. 22.前記細孔の少なくともいくつかが扁平であることを特徴とする請求の範囲 第19項に記載のセラミツク体。
  23. 23.前記細孔が前記セラミツク体の全く内部に配置されていることを特徴とす る請求の範囲第19項に記載のセラミツク体。
  24. 24.各面が、前記細孔を含まない周辺領域を含むことを特徴とする請求の範囲 第19項に記載のセラミツク体。
  25. 25.前記細孔を相互に連結する手段をさらに含むことを特徴とする請求の範囲 第19項に記載のセラミツク体。
  26. 26.前記細孔が前記セラミツク体内に周期的に配列されることを特徴とする請 求の範囲第19項に記載のセラミツク体。
  27. 27.前記細孔が相互に分離していることを特徴とする請求の範囲第19項に記 載のセラミツク体。
  28. 28.セラミツク材料の少なくとも1つの層の広い表面に所定の排列、サイズ、 形状、配向および場所を有する模様に一時的材料を付加する;前記一時的材料を 有する前記第1の層とスタツクに第2のセラミツク層を並置する; 前記スタツクを第1の温度に加熱して、前記一時的材料を除去し、前記一時的材 料の模様に合致する所定の排列、サイズ、形状、配向および場所を有する複数の 細孔を提供する;および前記スタツクを第2の温度に加熱して、前記細孔を有す るモノリシツク・セラミツク体を形成する、ことからなることを特徴とするモノ リシツク・セラミツク体の製造方法。
  29. 29.前記一時的材料が、異方性セラミツク体を提供する細孔を生成するために 所定の排列、サイズ、形状、配向および場所を有する模様に付加されることを特 徴とする請求の範囲第28項に記載の方法。
  30. 30.前記一時的材料が全く前記セラミツク層の内表面に付加されることを特徴 とする請求の範囲第28項に記載の方法。
  31. 31.前記一時的材料が少なくとも少し丸い細孔を提供するために付加されるこ とを特徴とする請求の範囲第28項に記載の方法。
  32. 32.前記一時的材料が扁平な細孔を提供するために付加されることを特徴とす る請求の範囲第28項に記載の方法。
  33. 33.前記一時的材料が分離された細孔を提供するために付加されることを特徴 とする請求の範囲第28項に記載の方法。
  34. 34.前記一時的材料が相互連結された細孔を提供するために付加されることを 特徴とする請求の範囲第28項に記載の方法。
  35. 35.前記一時的材料が周期的模様に付加されることを特徴とする請求の範囲第 28項に記載の方法。
  36. 36.前記第1の温度が少なくとも380℃であることを特徴とする請求の範囲 第28項に記載の方法。
  37. 37.前記第2の温度が少なくとも1180℃であることを特徴とする請求の範 囲第28項に記載の方法。
  38. 38.前記一時的材料がセラミツクを含有することを特徴とする請求の範囲第2 8項に記載の方法。
  39. 39.前記一時的材料がPZTを含むことを特徴とする請求の範囲第28項に記 載の方法。
  40. 40.請求の範囲第28項の方法に従つて製造したモノリシツク・セラミツク体 。
  41. 41.セラミツク材料の少なくとも1つの層の広い表面に所定の排列、サイズ、 形状、配向および場所を有する模様に一時的材料を付加する;前記一時的材料を 有する前記第1の層とスタツクに第2のセラミツク層を並置する; 前記並置層を圧縮して相互に十分に接触させる;前記スタツクを第1の温度に加 熱して、前記一時的材料を除去し、前記一時的材料の模様と合致する所定の排列 、サイズ、形状、配向および場所を有する複数の細孔を提供する; 前記スタツクを第2の温度に加熱して、前記細孔を含むモノリシツク・セラミツ ク体を形成する;および 前記セラミツク体上の2つの離れた位置に電極手段を装着すること、 からなることを特徴とするモノリシツク電気化学セラミツク変換器の製造方法。
  42. 42.請求の範囲第41項の方法に従つて製造したモノリシツク電気化学セラミ ツク変換器。 発明の詳細な説■
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