JPS6247482A - レ−ザｃｖｄのガス導入排気装置 - Google Patents
レ−ザｃｖｄのガス導入排気装置Info
- Publication number
- JPS6247482A JPS6247482A JP60185448A JP18544885A JPS6247482A JP S6247482 A JPS6247482 A JP S6247482A JP 60185448 A JP60185448 A JP 60185448A JP 18544885 A JP18544885 A JP 18544885A JP S6247482 A JPS6247482 A JP S6247482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sample
- laser
- port
- fixed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザ装置、特ニレーザＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）に関し
、そのためのレーザによって反応を起すガスの導入排気
装置に関する。
ｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）に関し
、そのためのレーザによって反応を起すガスの導入排気
装置に関する。
従来の技術
従来のこの種のガス導入排気装置の構造は第２図のよう
になっておシ、外箱１４の上面に透明シールド板１３が
設けられ、これを通してレーザ光８がサンプル１の面上
に照射される。側面にはガス導入口４とガス排気口５が
設けられている。そしてこれらはすべて一体に作られて
いる。
になっておシ、外箱１４の上面に透明シールド板１３が
設けられ、これを通してレーザ光８がサンプル１の面上
に照射される。側面にはガス導入口４とガス排気口５が
設けられている。そしてこれらはすべて一体に作られて
いる。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来のガス導入排気装置は１反応室２にガス導
入口４と排気口５がついておシ、サンプルを載せるホー
ルダ９も固定され、これらの相互の位置関係は可変では
ない。従ってサンプル面上の被加工点を移動させようと
すると、この装置を移動させるか、レーザ発射口３を移
動させるかであるが、この装置を動かすＫはガスの導入
管と排気管までも動かさなけれはならず、それだからと
いってレーザ発射口３を動かすのも厄介である。
入口４と排気口５がついておシ、サンプルを載せるホー
ルダ９も固定され、これらの相互の位置関係は可変では
ない。従ってサンプル面上の被加工点を移動させようと
すると、この装置を移動させるか、レーザ発射口３を移
動させるかであるが、この装置を動かすＫはガスの導入
管と排気管までも動かさなけれはならず、それだからと
いってレーザ発射口３を動かすのも厄介である。
また、加工のためには、レーザ光の当る部分にガスがあ
れば十分で、その他のガスは少くて済む方がよいが、導
入口と排気口は離れたすμ所にあるため、例えは反応室
の隅の方の空間１５にもガスが充満して不経済でおる。
れば十分で、その他のガスは少くて済む方がよいが、導
入口と排気口は離れたすμ所にあるため、例えは反応室
の隅の方の空間１５にもガスが充満して不経済でおる。
問題点を解決するだめの手段
本発明のレーザＣＶＤのガス尋人排気表置は、ｙｃ＆を
固定部と可動部の２つで構成し、固定部にはレーザ光照
射口、ガス導入口、ガス排気口を設け、可動部はサンプ
ル、これを載せるホールダ。
固定部と可動部の２つで構成し、固定部にはレーザ光照
射口、ガス導入口、ガス排気口を設け、可動部はサンプ
ル、これを載せるホールダ。
これを収納する外箱で上、弯成し、反応室の気密を保持
しながら可動部を固定部に対し移動できるようにした。
しながら可動部を固定部に対し移動できるようにした。
かつガスの導入口と排気口は照射口の近くに設け、斜め
にガスを導入、排気するようにした。
にガスを導入、排気するようにした。
作用
被加工点を移動させるためにはサンプルを移動させるが
、サンプルは前記可動部に収納されておシ、この可動部
は導入口と排気口を備えておらず、容易に動かすことが
できる。また導入口と排気口を斜めＫしたことはガスの
流れを円滑にし、加工点近傍のガス密度を高くすること
が容易で、かつ不必要な空間にガスを充満させる不合理
を解消させた。
、サンプルは前記可動部に収納されておシ、この可動部
は導入口と排気口を備えておらず、容易に動かすことが
できる。また導入口と排気口を斜めＫしたことはガスの
流れを円滑にし、加工点近傍のガス密度を高くすること
が容易で、かつ不必要な空間にガスを充満させる不合理
を解消させた。
実施例
第１図は本発明の実施例の縦断面図である。サンプル１
は被加工物であり、ホールダ９を介して外箱１０内に収
納されて可動部１２を傅成し、可動部１２は水平方向に
移動可能である。反応室２はレーザＣＶＤの反応が行わ
れる部分でアシ、反応ガスは主にここに充満している。
は被加工物であり、ホールダ９を介して外箱１０内に収
納されて可動部１２を傅成し、可動部１２は水平方向に
移動可能である。反応室２はレーザＣＶＤの反応が行わ
れる部分でアシ、反応ガスは主にここに充満している。
３はレーザ光の発射口で、レーザ光８は照射ロアの蓋で
ある透明シールド板（ガラス）６を通ってサンプル１の
上面に照射される。固定部１１には前記の照射ロアの外
にガス導入口４とガス排気口５が照射ロア０近くに設け
られている。反応ガスは導入口４から反応室２に入って
排気口５から出る。導入口４および排気口５を図のよう
に斜めにしたので、ガスの流れが円滑になシ、サンプル
１近傍のガスの密度が容易に高くなる。透明シールド板
６はガスを外気に逃がさないようにするとともに、レー
ザ光を通過させる役目を果すものである。
ある透明シールド板（ガラス）６を通ってサンプル１の
上面に照射される。固定部１１には前記の照射ロアの外
にガス導入口４とガス排気口５が照射ロア０近くに設け
られている。反応ガスは導入口４から反応室２に入って
排気口５から出る。導入口４および排気口５を図のよう
に斜めにしたので、ガスの流れが円滑になシ、サンプル
１近傍のガスの密度が容易に高くなる。透明シールド板
６はガスを外気に逃がさないようにするとともに、レー
ザ光を通過させる役目を果すものである。
発明の効果
以上に眩明し１とように、本発明によれば、ガスの導入
口と排気口を１対にし、照射口の近くに設けて固定部と
し、サンプルを収容する外箱内に反応室を設け、これを
可鼓部としたので、ガスの導入口および排気口の配管を
移動させる必要かなくなシ、また不必要な見間にガスを
充満させる必要がなく、反応部分り与にガスを県中でさ
る効果ｐ。
口と排気口を１対にし、照射口の近くに設けて固定部と
し、サンプルを収容する外箱内に反応室を設け、これを
可鼓部としたので、ガスの導入口および排気口の配管を
移動させる必要かなくなシ、また不必要な見間にガスを
充満させる必要がなく、反応部分り与にガスを県中でさ
る効果ｐ。
ある。
第１図１よ本発明の力゛ス尋入排気装置の実施シ；１の
縦断面図、第２図は従来の装鮎の一例の紅断面図である
。 １・・・・・・サンプル、２・・・・・・反応室％ ３
・・・・・・レーザ発射口、４・・・・・・ガス導入口
、５・・・・・・ガス排気口、６・・・・・・透明シー
ルド板、７・・・・・・レーザ照射口、８・・・・・・
レーザ光、９・・・・・・ホールダ、１０・・・・・・
９１４’ａ、１１・・・・・・固定部、１２・・・・・
・可動部、１３・・・・・・透明シールド板、１４・・
・・・・外箱、１５・・・・・・反応室の隅の方の空間
。 Ｅｌｊ ご−゛Ｊ−
縦断面図、第２図は従来の装鮎の一例の紅断面図である
。 １・・・・・・サンプル、２・・・・・・反応室％ ３
・・・・・・レーザ発射口、４・・・・・・ガス導入口
、５・・・・・・ガス排気口、６・・・・・・透明シー
ルド板、７・・・・・・レーザ照射口、８・・・・・・
レーザ光、９・・・・・・ホールダ、１０・・・・・・
９１４’ａ、１１・・・・・・固定部、１２・・・・・
・可動部、１３・・・・・・透明シールド板、１４・・
・・・・外箱、１５・・・・・・反応室の隅の方の空間
。 Ｅｌｊ ご−゛Ｊ−
Claims (1)
- 反応ガスを流しながらレーザ光を照射しサンプルに加工
するレーザＣＶＤにおいて、透明シールド板で蓋をされ
たレーザ光照射口と、この照射口の近傍に反応ガスが斜
めにそれぞれ導入および排気されるように配設された導
入口および排気口とを有する固定部と、サンプルを収容
する可動部とで構成され、前記の固定部と可動部とで反
応室を形成し、この反応室の気密を保持しながら前記の
可動部を固定部に対し移動するように構成したガス導入
排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185448A JPS6247482A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | レ−ザｃｖｄのガス導入排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185448A JPS6247482A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | レ−ザｃｖｄのガス導入排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247482A true JPS6247482A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16170970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185448A Pending JPS6247482A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | レ−ザｃｖｄのガス導入排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247482A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6479374A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Nec Corp | Laser beam cvd device |
| JPH01273687A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 分解除去装置 |
| GB2395526B (en) * | 2002-09-13 | 2007-05-16 | Bissell Homecare Inc | Manual spray cleaner |
| US7270724B2 (en) * | 2000-12-13 | 2007-09-18 | Uvtech Systems, Inc. | Scanning plasma reactor |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60185448A patent/JPS6247482A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6479374A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Nec Corp | Laser beam cvd device |
| JPH0678586B2 (ja) * | 1987-09-22 | 1994-10-05 | 日本電気株式会社 | レーザｃｖｄ装置 |
| JPH01273687A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 分解除去装置 |
| US7270724B2 (en) * | 2000-12-13 | 2007-09-18 | Uvtech Systems, Inc. | Scanning plasma reactor |
| GB2395526B (en) * | 2002-09-13 | 2007-05-16 | Bissell Homecare Inc | Manual spray cleaner |
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