JPS6246995A - 液体窒素シユラウド - Google Patents
液体窒素シユラウドInfo
- Publication number
- JPS6246995A JPS6246995A JP18775385A JP18775385A JPS6246995A JP S6246995 A JPS6246995 A JP S6246995A JP 18775385 A JP18775385 A JP 18775385A JP 18775385 A JP18775385 A JP 18775385A JP S6246995 A JPS6246995 A JP S6246995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shroud
- liquid nitrogen
- heater
- vacuum
- nitrogen shroud
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば分子線エピタキシー装置等の真空装
置に用いられる液体窒素シュラウドに関する。
置に用いられる液体窒素シュラウドに関する。
従来から、分子線エピタキシー装置等の真空装置におい
て、液体窒素冷却によって不純物の吸着除去等を行う液
体窒素シュラウドが真空容器内に設けられている。
て、液体窒素冷却によって不純物の吸着除去等を行う液
体窒素シュラウドが真空容器内に設けられている。
ところが従来の液体窒素シュラウドにおいては次のよう
な問題がある。
な問題がある。
■装置（例えば分子線エピタキシー装置）の真空立上げ
時に、真空容器等のベーキングのために外部からヒータ
で真空容器の壁温を上げても、液体窒素シュラウドは真
空中にありその温度がなかなか上がらな′い。つまり液
体窒素シュラウドのベーキングが不十分となり、ベーキ
ングに長時間を要すると共に、アウトガスによって装置
の真空度がなかなか上がらないという問題がある。
時に、真空容器等のベーキングのために外部からヒータ
で真空容器の壁温を上げても、液体窒素シュラウドは真
空中にありその温度がなかなか上がらな′い。つまり液
体窒素シュラウドのベーキングが不十分となり、ベーキ
ングに長時間を要すると共に、アウトガスによって装置
の真空度がなかなか上がらないという問題がある。
■また、何かの事情で真空を破る場合、シュラウド内に
液体窒素が残留していると、シュラウド壁面に水分が付
着し、その水滴が装置内に垂れ落ち、これが次の真空立
上げに大きな妨げとなるという問題もある。
液体窒素が残留していると、シュラウド壁面に水分が付
着し、その水滴が装置内に垂れ落ち、これが次の真空立
上げに大きな妨げとなるという問題もある。
そこでこの発明は、上記のような問題点を解決すること
ができる液体窒素シュラウドを一提供することを目的と
する。
ができる液体窒素シュラウドを一提供することを目的と
する。
この発明の液体窒素シュラウドは、内部および外壁の少
くとも一方にヒータを備えることを特徴とする。
くとも一方にヒータを備えることを特徴とする。
ヒータによって、当該液体窒素シュラウド自身のベーキ
ングが行われる。また、上記ヒータによる加熱によって
、液体窒素シュラウド内に残留している液体窒素が速や
かに排出されると共にシュラウド壁面への水分付着が防
止される。
ングが行われる。また、上記ヒータによる加熱によって
、液体窒素シュラウド内に残留している液体窒素が速や
かに排出されると共にシュラウド壁面への水分付着が防
止される。
〔実施例］
図面は、この発明の一実施例に係る液体窒素シュラウド
を用いた分子線エピタキシー装置を示す断面図である。
を用いた分子線エピタキシー装置を示す断面図である。
エピタキシャル成長用の真空容器２内に、マニピュレー
タ４に取り付けられた基板６が設けられており、当該基
板６に対して分子線源８から分子線を照射してエピタキ
シャル成長させるようにしている。基板６の周囲はミ内
部に液体窒素１２が溜められる筒状の液体窒素シュラウ
ドｌＯで覆われており、当該液体窒素シュラウド１０に
よって不純物の吸着除去が行わ、れる。
タ４に取り付けられた基板６が設けられており、当該基
板６に対して分子線源８から分子線を照射してエピタキ
シャル成長させるようにしている。基板６の周囲はミ内
部に液体窒素１２が溜められる筒状の液体窒素シュラウ
ドｌＯで覆われており、当該液体窒素シュラウド１０に
よって不純物の吸着除去が行わ、れる。
上記液体窒素シュラウド１０の内部にはヒータ、例えば
棒状ヒータ１４がその底面付近まで挿入されており、か
つこの実施例では液体窒素シュラウド１０の外壁にもヒ
ータ、例えばシースヒータ１６がコイル状にほぼ均一に
巻かれている。更にこの実施例では、液体窒素シュラウ
ド１０にその壁温を測定するための温度センサ１８が数
個取り付けられており、これからの信号に基づいて、温
度調節器２０において、温度指示、温度調節等が行われ
るようになっている。尚、２２は真空容器２のベーキン
グ用のマントルヒータである。
棒状ヒータ１４がその底面付近まで挿入されており、か
つこの実施例では液体窒素シュラウド１０の外壁にもヒ
ータ、例えばシースヒータ１６がコイル状にほぼ均一に
巻かれている。更にこの実施例では、液体窒素シュラウ
ド１０にその壁温を測定するための温度センサ１８が数
個取り付けられており、これからの信号に基づいて、温
度調節器２０において、温度指示、温度調節等が行われ
るようになっている。尚、２２は真空容器２のベーキン
グ用のマントルヒータである。
装置の真空立上げの際には、真空容器２の外側からマン
トルヒータ２２によってベーキングが行われると共に、
液体窒素シュラウド１０自身も、シースヒータ１６及び
棒状ヒータ１４の両方、またはいずれか一方によって昇
温、即ちベーキングが行われる。これによって、短時間
の内により完全に装置のベーキングが行われるので、迅
速に装置の真空度を上げることが可能になる。
トルヒータ２２によってベーキングが行われると共に、
液体窒素シュラウド１０自身も、シースヒータ１６及び
棒状ヒータ１４の両方、またはいずれか一方によって昇
温、即ちベーキングが行われる。これによって、短時間
の内により完全に装置のベーキングが行われるので、迅
速に装置の真空度を上げることが可能になる。
また液体窒素シュラウド１０内に液体窒素１２が入って
いるときに装置の真空を破らなければならないような場
合、液体窒素シュラウド１０内の液体窒素１２を窒素ガ
スで圧力をかけて追い出すだけでな（、棒状ヒータ１４
及びシースヒータ１６の両方、またはいずれか一方で加
熱して追い出す（排出する）こともでき、更にその後当
ｇ亥ヒータで液体窒素シュラウドＩＯの壁面の温度を結
露温度以上にすることにより、当該液体窒素シュラウド
１０への水分の付着を防止することができるため、短時
間の内に装置の真空を破ることが可能になる。
いるときに装置の真空を破らなければならないような場
合、液体窒素シュラウド１０内の液体窒素１２を窒素ガ
スで圧力をかけて追い出すだけでな（、棒状ヒータ１４
及びシースヒータ１６の両方、またはいずれか一方で加
熱して追い出す（排出する）こともでき、更にその後当
ｇ亥ヒータで液体窒素シュラウドＩＯの壁面の温度を結
露温度以上にすることにより、当該液体窒素シュラウド
１０への水分の付着を防止することができるため、短時
間の内に装置の真空を破ることが可能になる。
尚、液体窒素シュラウド１０の形状やそれに設けるヒー
タの形状・構造・配置等は上述のものに限定されない。
タの形状・構造・配置等は上述のものに限定されない。
特に、上記においては好ましい例として、液体窒素シュ
ラウド１０の内部および外壁の両方にヒータを設けた例
を説明したけれども、いずれか一方のヒータだけによっ
ても所期の目的を達成することは可能であり、従ってい
ずれか一方のヒータを省略しても良い。また、上におい
ては分子線エピタキシー装置を例にこの発明を説明した
けれども、この発明はそれに限定されるものではなく、
それ以外の真空Ｗｆｆにも広く適用できることは勿論で
ある。
ラウド１０の内部および外壁の両方にヒータを設けた例
を説明したけれども、いずれか一方のヒータだけによっ
ても所期の目的を達成することは可能であり、従ってい
ずれか一方のヒータを省略しても良い。また、上におい
ては分子線エピタキシー装置を例にこの発明を説明した
けれども、この発明はそれに限定されるものではなく、
それ以外の真空Ｗｆｆにも広く適用できることは勿論で
ある。
以上のようにこの発明においては、ヒータによって当該
液体窒素シュラウド自身のベーキングを行うことができ
るので、真空装置のベーキング時間を短縮することがで
きると共に真空度の迅速な立上げも可能になる。またヒ
ータによって、シュラウド内部に残留している液体窒素
を速やかに排出することができると共にシュラウド壁面
への水分付着を防止することができるので、短時間の内
に真空装置の真空を破ることも可能になる。
液体窒素シュラウド自身のベーキングを行うことができ
るので、真空装置のベーキング時間を短縮することがで
きると共に真空度の迅速な立上げも可能になる。またヒ
ータによって、シュラウド内部に残留している液体窒素
を速やかに排出することができると共にシュラウド壁面
への水分付着を防止することができるので、短時間の内
に真空装置の真空を破ることも可能になる。
図面は、この発明の一実施例に係る液体窒素シュラウド
を用いた分子線エピタキシー装置を示す断面図である。 ２・・・真空容器、１０・・・液体窒素シュラウド、１
２・・・液体窒素、１４・・・棒状ヒータ、１６・。 ・シースヒータ
を用いた分子線エピタキシー装置を示す断面図である。 ２・・・真空容器、１０・・・液体窒素シュラウド、１
２・・・液体窒素、１４・・・棒状ヒータ、１６・。 ・シースヒータ
Claims (1)
- （１）内部および外壁の少くとも一方にヒータを備える
ことを特徴とする液体窒素シュラウド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18775385A JPS6246995A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液体窒素シユラウド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18775385A JPS6246995A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液体窒素シユラウド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246995A true JPS6246995A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16211598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18775385A Pending JPS6246995A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液体窒素シユラウド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237719A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18775385A patent/JPS6246995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237719A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
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