JPS6246227A - 光部品の反射点測定方法 - Google Patents
光部品の反射点測定方法Info
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- JPS6246227A JPS6246227A JP18653085A JP18653085A JPS6246227A JP S6246227 A JPS6246227 A JP S6246227A JP 18653085 A JP18653085 A JP 18653085A JP 18653085 A JP18653085 A JP 18653085A JP S6246227 A JPS6246227 A JP S6246227A
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- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/31—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
- G01M11/3172—Reflectometers detecting the back-scattered light in the frequency-domain, e.g. OFDR, FMCW, heterodyne detection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、光部品に光を照射したときのその光が反射す
る反・対照位置の測定方法に関するものであり、特に半
導体レーザに正弦波等で変調をかけ、その周波数を掃引
したときの出力光全被測定光部品に入射させ、その反射
光を半導体レーザンこ入射させることにより牛専体レー
ザの出力光に現われる雑音ピークから、被測定光部品の
反射点泣訴全測定する光部品の反射点測定方法に関する
ものである・ （従来の技術） 従来、光フアイバケーブル等の光部品における障害点や
破断照号の不連続点兼での距離金不める方法として、０
ＴＤＲＥ （０ｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ
Ｒｅｆ嘗ｅｃｔｏｍｅｔｏｒｙ法）が一般的に用いられ
ている。
る反・対照位置の測定方法に関するものであり、特に半
導体レーザに正弦波等で変調をかけ、その周波数を掃引
したときの出力光全被測定光部品に入射させ、その反射
光を半導体レーザンこ入射させることにより牛専体レー
ザの出力光に現われる雑音ピークから、被測定光部品の
反射点泣訴全測定する光部品の反射点測定方法に関する
ものである・ （従来の技術） 従来、光フアイバケーブル等の光部品における障害点や
破断照号の不連続点兼での距離金不める方法として、０
ＴＤＲＥ （０ｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ
Ｒｅｆ嘗ｅｃｔｏｍｅｔｏｒｙ法）が一般的に用いられ
ている。
丁なわち光部品の光フアイバぐケーブルの一端から元パ
ルスを入射し、その反射して返ってさた反射改のレベル
に基づいて元７アイノ９ケーブルの障害点若しくは破断
点等の不連動ヒ点の存否を採索し、不連続点までの距離
を得ている、 （発明が解決しようとする問題点り 光）Ｎルスを用いて光部品、例えば被測定光ファイバケ
ーブルの障誉点若しくは破断点等の不連続点全探索する
場合、光の速度が相当大きいため。
ルスを入射し、その反射して返ってさた反射改のレベル
に基づいて元７アイノ９ケーブルの障害点若しくは破断
点等の不連動ヒ点の存否を採索し、不連続点までの距離
を得ている、 （発明が解決しようとする問題点り 光）Ｎルスを用いて光部品、例えば被測定光ファイバケ
ーブルの障誉点若しくは破断点等の不連続点全探索する
場合、光の速度が相当大きいため。
距離の分解能が低く、さらに光Ａ？ルスを被測定光ファ
イバケーブルに入射させたとき、その入射面で生じるレ
ベルの大きなフレネル反射のため、近距離（数ｍ以内す
に破断点が存在しても、これを検ｆＪｊすることができ
なかった。従って極々近距執タリえは光コネクタ内や光
スィッチ、光減衰器内での反射点は当然のことながら０
ＴＤＲ法では検出できない。また上記のＯＴ Ｉ）Ｒ法
で、たとえ入射面で生じるフレネル反射をおさえるため
、做弱な光を入射させて使用したとしても、電気信号処
理が可能なレベルの反射光を受光できない。このフレネ
ル反射だけを除去する方法も考えられるが、高速の元シ
ャッタが得られず、その実′ａが不可能で。
イバケーブルに入射させたとき、その入射面で生じるレ
ベルの大きなフレネル反射のため、近距離（数ｍ以内す
に破断点が存在しても、これを検ｆＪｊすることができ
なかった。従って極々近距執タリえは光コネクタ内や光
スィッチ、光減衰器内での反射点は当然のことながら０
ＴＤＲ法では検出できない。また上記のＯＴ Ｉ）Ｒ法
で、たとえ入射面で生じるフレネル反射をおさえるため
、做弱な光を入射させて使用したとしても、電気信号処
理が可能なレベルの反射光を受光できない。このフレネ
ル反射だけを除去する方法も考えられるが、高速の元シ
ャッタが得られず、その実′ａが不可能で。
いずれにしても０ＴＤＲ法によっては極く近距雁の反射
点全検出できない欠点があった。
点全検出できない欠点があった。
本発明は上６ピの欠点を解決することを目的としておシ
、半導レーザに、例えば正弦波で変調をかけ、その周波
数を掃引したときの出力九全抜測点九部品に入射させ、
その反射光全半導体レーザを′こ入射きせることにより
半導体レーザの出力光に埃われる雑音のピークの周波数
間隔７つ）ら、ｈ＜近距離の彼ｔｉｌｌ足元部品内の反
射点位置を検出する０ＦＤＲ法 （０ｐｔｉｃａｌ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃ
ｔｏｍｅｔｏｒｙ法ジによる光部品の反射点曲］定万云
と提供すること？目的としている。
、半導レーザに、例えば正弦波で変調をかけ、その周波
数を掃引したときの出力九全抜測点九部品に入射させ、
その反射光全半導体レーザを′こ入射きせることにより
半導体レーザの出力光に埃われる雑音のピークの周波数
間隔７つ）ら、ｈ＜近距離の彼ｔｉｌｌ足元部品内の反
射点位置を検出する０ＦＤＲ法 （０ｐｔｉｃａｌ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃ
ｔｏｍｅｔｏｒｙ法ジによる光部品の反射点曲］定万云
と提供すること？目的としている。
（問題点を＞イ決する之めの手段す
上記の目的と達成するため、本発明の光部品の反射点１
Ｉｉｌｌ定方法は半導体レーザに交流電流を印加してｇ
、調音かけるとともに、その変調周阪敢？掃引させるか
、若しくは半導体し−ザリしきい値電流値近傍の直流′
直流を印加して侍られる出力光と被測定光部品の端面に
入射し、入射さｎた光が該″４１１１＋１１矩九部品の
不連続面で反射して返ってくる反射光全削記半４体レー
ザに人射さゼ１半タメ体レーザの出力光ｖｃｙｔわれる
雑音のピークの周波数ｒｉ」Ｊ ｋから被測定光部品の
反射点位置を指示させるようにしたことを特徴としてい
る。以下図面を参照しながら本発明を説明する。
Ｉｉｌｌ定方法は半導体レーザに交流電流を印加してｇ
、調音かけるとともに、その変調周阪敢？掃引させるか
、若しくは半導体し−ザリしきい値電流値近傍の直流′
直流を印加して侍られる出力光と被測定光部品の端面に
入射し、入射さｎた光が該″４１１１＋１１矩九部品の
不連続面で反射して返ってくる反射光全削記半４体レー
ザに人射さゼ１半タメ体レーザの出力光ｖｃｙｔわれる
雑音のピークの周波数ｒｉ」Ｊ ｋから被測定光部品の
反射点位置を指示させるようにしたことを特徴としてい
る。以下図面を参照しながら本発明を説明する。
（実施例〕
第１図は本発明に係る光部品の反射点測定方法を示す図
、第２図は半導体レーザに印加される電流の周波数と反
射ｅｖｃよる雑音出力レベルとの関係を示す図、第３図
は本発明に係る光部品の反射点測定方法の一実施例構成
である。
、第２図は半導体レーザに印加される電流の周波数と反
射ｅｖｃよる雑音出力レベルとの関係を示す図、第３図
は本発明に係る光部品の反射点測定方法の一実施例構成
である。
第１図において、１は半導体レーザ、２は変調用電気１
ゴ号発生装置ａ１３は受Ｘ素子、４は増幅器、５ｉ″ｆ
：周波！２蹄引付レベル測足装−二、６は破伸ｊ定元部
品である。
ゴ号発生装置ａ１３は受Ｘ素子、４は増幅器、５ｉ″ｆ
：周波！２蹄引付レベル測足装−二、６は破伸ｊ定元部
品である。
一般に、半導体レーザｌの出力光が、被測定光部品６、
例えば光フアイバケーブル端等から反射してその反射光
が再び半導体レーザ１の活性層に戻ると、自己結合成敗
によす動ｆＩ”％性が変化し。
例えば光フアイバケーブル端等から反射してその反射光
が再び半導体レーザ１の活性層に戻ると、自己結合成敗
によす動ｆＩ”％性が変化し。
雑音が発生することが知られている。例えば半導体レー
ザ１の原理的な雑音発主磯構は、注入キャリアと光子の
粒子性に基づく蓋子ショット雑音（ｑｕａｎｔｕｍ ５
ｈｏｔ ｎｏｉｓｅ、）にある、すなわち全くランダム
に自然放出や６導放出及び吸収が発生するために、光出
力のゆらき゛（雑音）が生じる。この雑音は閾値でピー
クともつ。そして閾値近傍では利得の大きくなった状態
で、ランダムに発生する自然放出及び紡専放出が増幅さ
れて多縦モートンこ寄与するから、光出力の大きなゆら
ぎとなる。
ザ１の原理的な雑音発主磯構は、注入キャリアと光子の
粒子性に基づく蓋子ショット雑音（ｑｕａｎｔｕｍ ５
ｈｏｔ ｎｏｉｓｅ、）にある、すなわち全くランダム
に自然放出や６導放出及び吸収が発生するために、光出
力のゆらき゛（雑音）が生じる。この雑音は閾値でピー
クともつ。そして閾値近傍では利得の大きくなった状態
で、ランダムに発生する自然放出及び紡専放出が増幅さ
れて多縦モートンこ寄与するから、光出力の大きなゆら
ぎとなる。
半導体レーザｌと被測定光部品６の光フアイバケーブル
とを結合し、半導体レーザ１に例えば直流バイアス金印
３口する。そして半導体レーザＩＴこ閾値近東置床ぼ流
又は又ぴＬ電流を流してやると、上記／ヨツト雑音が反
射光によう増大する現象が見られる。これはコネタタ部
やスズライス部などの不連続面からの反射光が半導体レ
ーザ１（′ζ入射し、咳牛４体レーザ１の発振状態が変
化することにより生ずるこ８３１Ｊ述した通りである。
とを結合し、半導体レーザ１に例えば直流バイアス金印
３口する。そして半導体レーザＩＴこ閾値近東置床ぼ流
又は又ぴＬ電流を流してやると、上記／ヨツト雑音が反
射光によう増大する現象が見られる。これはコネタタ部
やスズライス部などの不連続面からの反射光が半導体レ
ーザ１（′ζ入射し、咳牛４体レーザ１の発振状態が変
化することにより生ずるこ８３１Ｊ述した通りである。
半導体レーザ１から出た光は、″４街１」足元部品６に
入射されると、 ■ 半導体レーザ１へのキャリア江入電ムコンこよって
錦起される光 ■ 反射点から戻ってくる光 によるモード同期が起る。レーザ発振状態は上記■、■
の外部注入信号によって一定周波数間隔で雑音ピークが
生じる。この＃音ピークをスペクトラムアナライザ等の
測定器で測定する。この周波数間隔は被測定光部品６、
すなわち九ファイバケーブル長に起因している。
入射されると、 ■ 半導体レーザ１へのキャリア江入電ムコンこよって
錦起される光 ■ 反射点から戻ってくる光 によるモード同期が起る。レーザ発振状態は上記■、■
の外部注入信号によって一定周波数間隔で雑音ピークが
生じる。この＃音ピークをスペクトラムアナライザ等の
測定器で測定する。この周波数間隔は被測定光部品６、
すなわち九ファイバケーブル長に起因している。
次に本願発明の一天流側企第１図に示されたような系の
もとに説明する、 半導体レーザｌに度胸用電気信号装置２からの正弦波電
流を印力口して変Ｗ場をかけ、例えば周敦数掃引付レベ
ル測定装置５力・らの掃引信号に基づいて上記正弦波−
流の周波数を掃引させた場合、半導体レーザｌからの後
方光を受光索子３で電気佃゛号に変俣し、増幅器４で逸
宜増幅した後モニタしてその出力鼓形を同彼数帰引付レ
ベル測定装置５、例えばスペクトラムアナライザや周波
数が掃引でさる沼沢レベル計等で観計ｊすると、第２図
に示きｎた如ぐ、外部共振話等の長さでさする周彼数間
崗Δｆで雑音ピークが現われる。そして被測定光部品６
の反射点までの距離及びその＃屈折率をり。
もとに説明する、 半導体レーザｌに度胸用電気信号装置２からの正弦波電
流を印力口して変Ｗ場をかけ、例えば周敦数掃引付レベ
ル測定装置５力・らの掃引信号に基づいて上記正弦波−
流の周波数を掃引させた場合、半導体レーザｌからの後
方光を受光索子３で電気佃゛号に変俣し、増幅器４で逸
宜増幅した後モニタしてその出力鼓形を同彼数帰引付レ
ベル測定装置５、例えばスペクトラムアナライザや周波
数が掃引でさる沼沢レベル計等で観計ｊすると、第２図
に示きｎた如ぐ、外部共振話等の長さでさする周彼数間
崗Δｆで雑音ピークが現われる。そして被測定光部品６
の反射点までの距離及びその＃屈折率をり。
ｎ、光速ｆ ｃ （ｃ ＝ ３ Ｘ １０’ ｍ／５ｅ
ｃ）、としたとき。
ｃ）、としたとき。
上記４１１丁なわち観測波形の雑音ピークの周波数間隔
との間には Δｆ＝□・・・・・・（１） Ｌｎ が成立する。
との間には Δｆ＝□・・・・・・（１） Ｌｎ が成立する。
従って式（１）は
Ｌ＝□・・・・・・（２）
２Δｆｎ
となシ、ｃ、ｎは定数で、Δｆは周彼数帰引付レベル測
定装置５から測定できるので、被測定光部品６の反射点
位ｍまでの距離りを求めることができる。
定装置５から測定できるので、被測定光部品６の反射点
位ｍまでの距離りを求めることができる。
第３図は本発明に係る光部品の反射点測定方法の一犬流
側楕成を示しており、７は半導体レーザ。
側楕成を示しており、７は半導体レーザ。
８はアバランシェフォトダイオード、９はネットワーク
アナライザ、１０は光フアイバケーブルであるＯ ネットワークアナライザ９の出力端子から周波数が掃引
された交流電力が出力され、半導体レーザ７に直接変調
をかける・促って半纏俸レーザ７から＾調された光が出
力される。この出力光は光フアイバケーブルｌＯの一端
から入射され１元ファイバケーブルｌＯ内を伝送するが
、該元ファイバケーブル１０内の軒端或いは破断点で反
射された反射光が元ファイバケーブル１０の入射点に戻
ってくるっそして該反射光は半導体レーザ７に入射する
。
アナライザ、１０は光フアイバケーブルであるＯ ネットワークアナライザ９の出力端子から周波数が掃引
された交流電力が出力され、半導体レーザ７に直接変調
をかける・促って半纏俸レーザ７から＾調された光が出
力される。この出力光は光フアイバケーブルｌＯの一端
から入射され１元ファイバケーブルｌＯ内を伝送するが
、該元ファイバケーブル１０内の軒端或いは破断点で反
射された反射光が元ファイバケーブル１０の入射点に戻
ってくるっそして該反射光は半導体レーザ７に入射する
。
半導体レーザ７はｏｉＪ ’５ピ説明の即く該反射光の
入射によって発振状態が変１シシ１ 光強度雑音が元止
する。半導体レーザ７からの俊万ｎｊ力九と受光してい
るアバランシェフォトダイオード８で変侠された奄気旧
号には、上記光強度雑音が仮言されておｐ１増幅姦１１
で増幅てれ、アバラン／エアオドダイオード８が受光し
、元框笈侠された電気信号はネットワークアナライザ９
のＴ入力端子に入力される。−力不ットワークアナライ
ザ９の出力端子から出力された周波数の掃引された父流
′嘔力が、Ｒ端子に入力ちれているので、上記光強度雑
音が第２図図示の如く測定されてネットワークアナライ
ザ９の表示装置に表示される。ネットワークアナライザ
９の表示装置に表示された雑音ピーク間の間隔筒′波数
Δｆを読みと９、式（２）を適用することにより、九フ
ァイノ々ケーブルｌＯ内で反射して返ってくる反射光の
反射点位置までの距離Ｌ′ｆ：求めることができる。
入射によって発振状態が変１シシ１ 光強度雑音が元止
する。半導体レーザ７からの俊万ｎｊ力九と受光してい
るアバランシェフォトダイオード８で変侠された奄気旧
号には、上記光強度雑音が仮言されておｐ１増幅姦１１
で増幅てれ、アバラン／エアオドダイオード８が受光し
、元框笈侠された電気信号はネットワークアナライザ９
のＴ入力端子に入力される。−力不ットワークアナライ
ザ９の出力端子から出力された周波数の掃引された父流
′嘔力が、Ｒ端子に入力ちれているので、上記光強度雑
音が第２図図示の如く測定されてネットワークアナライ
ザ９の表示装置に表示される。ネットワークアナライザ
９の表示装置に表示された雑音ピーク間の間隔筒′波数
Δｆを読みと９、式（２）を適用することにより、九フ
ァイノ々ケーブルｌＯ内で反射して返ってくる反射光の
反射点位置までの距離Ｌ′ｆ：求めることができる。
ここで、ネットワークアナライザ９の測定可能な雑音ピ
ーク間隔周波数Δｆを例えば５００ ＭＨｚとすると、
最短の反射点１での距離りは、光ファイバケーブル１０
０群屈折率ｎを１．５としたときとなる。
ーク間隔周波数Δｆを例えば５００ ＭＨｚとすると、
最短の反射点１での距離りは、光ファイバケーブル１０
０群屈折率ｎを１．５としたときとなる。
このように本発明に係る反射点６１１ｊ点法によれば。
元７アイパケーブル１０の不連続点を求めることができ
る。そして特に近距庵の反射点の測定時に威力を発揮す
る・ ７ｉ−′Ｊ？反射点−よでの距離りに対する分解Ｈ目は
式（２）から明らかな様に雑音ピークの尚反数間隔Δｆ
’ｌ）Ｆぎ度に依存する。従ってネットワークアナライ
ザ９の分解能、すなわち一般に周波畝帰引付レベル測定
ｆ：ｔ５の分解能の優れ念測定蕗を使用すれば。
る。そして特に近距庵の反射点の測定時に威力を発揮す
る・ ７ｉ−′Ｊ？反射点−よでの距離りに対する分解Ｈ目は
式（２）から明らかな様に雑音ピークの尚反数間隔Δｆ
’ｌ）Ｆぎ度に依存する。従ってネットワークアナライ
ザ９の分解能、すなわち一般に周波畝帰引付レベル測定
ｆ：ｔ５の分解能の優れ念測定蕗を使用すれば。
近点の反射点測定にも充分に使用することができること
を意味している。このことから光フアイバケーブルｌＯ
に換え、他の光部品１例えば光コネクタ、光分岐器、元
スイッチ、光減良器等元回路構成部品の近距離の反射点
位置を測定することができ、光回路の障害点金谷易に検
出することができる。
を意味している。このことから光フアイバケーブルｌＯ
に換え、他の光部品１例えば光コネクタ、光分岐器、元
スイッチ、光減良器等元回路構成部品の近距離の反射点
位置を測定することができ、光回路の障害点金谷易に検
出することができる。
上記説明は交流１！流を半導体レーザに印刀口した実施
例を生に説明したが、前述の直流電流を印加した場合も
同様である。
例を生に説明したが、前述の直流電流を印加した場合も
同様である。
しかも使用する周波数掃引付レベル測定装置の絖み取少
精度の高い測定器を使用すれば、分解能が高くなシ、不
連続点位＆までの距離の精反が上る。
精度の高い測定器を使用すれば、分解能が高くなシ、不
連続点位＆までの距離の精反が上る。
（発明の効果）
以上説明した如く１本発明によれば１周波数ドメインで
反射点を検出するので″ｉ部品の近距離の不連続点位置
を容易に検出することができる。また光回路における各
党部品の障害位置を高精度で検出することができる。ま
た近距離の不連続点全検出できることから１元スイッチ
の動作ｆｃ調べることが極めて容易に行える。
反射点を検出するので″ｉ部品の近距離の不連続点位置
を容易に検出することができる。また光回路における各
党部品の障害位置を高精度で検出することができる。ま
た近距離の不連続点全検出できることから１元スイッチ
の動作ｆｃ調べることが極めて容易に行える。
第１図は本発明に係る光部品の反射点測定方法を説明す
るための図、第２図は半導体レーザに印力口される電流
の周波数と反射波による雑音出力レベルとの関係を示す
図、第３図は本発明に係る光部品の反射点測定方法の一
実施例構成である。 図中、ｌは半導体レーザ、２は変調用電気１５号発主装
置、３は受光素子、４は増幅器、５は周波数理引付レベ
ル測定装置、６は被測定光部品、７は半導体レーザ、８
はアバランシェフォトダイオード、９はネットワークア
ナライザ、１０は光フアイバケーブルである。 轡吐出順人 安立電気株式安社 第１図 第２図 第３図
るための図、第２図は半導体レーザに印力口される電流
の周波数と反射波による雑音出力レベルとの関係を示す
図、第３図は本発明に係る光部品の反射点測定方法の一
実施例構成である。 図中、ｌは半導体レーザ、２は変調用電気１５号発主装
置、３は受光素子、４は増幅器、５は周波数理引付レベ
ル測定装置、６は被測定光部品、７は半導体レーザ、８
はアバランシェフォトダイオード、９はネットワークア
ナライザ、１０は光フアイバケーブルである。 轡吐出順人 安立電気株式安社 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）半導体レーザに電気信号を印加して得られる出力
光を被測定光部品の端面へ入射し、入射された光が該被
測定光部品の不連続面で反射して返ってくる反射光を前
記半導体レーザに入射させ、該反射光により半導体レー
ザの出力光に現われる雑音ピークの周波数間隔を測定し
、該周波数間隔から被測定光部品の反射点位置を得るよ
うにしたことを特徴とする光部品の反射点測定方法。 - （２）前記半導体レーザに印加する電気信号は、掃引さ
れた周波数の交流電流であることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の光部品の反射点測定方法。 - （３）前記半導体レーザに印加する電気信号は、該半導
体レーザのしきい電流値近傍の直流電流であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光部品の反射
点測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653085A JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653085A JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246227A true JPS6246227A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0362212B2 JPH0362212B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16190105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18653085A Granted JPS6246227A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 光部品の反射点測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013190348A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光線路監視装置 |
| JP2013231657A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光線路監視装置 |
| JP2013257296A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光線路監視装置およびその制御方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5183546A (ja) * | 1974-12-07 | 1976-07-22 | Licentia Gmbh | |
| JPS6086438A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバの試験方法および装置 |
-
1985
- 1985-08-24 JP JP18653085A patent/JPS6246227A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5183546A (ja) * | 1974-12-07 | 1976-07-22 | Licentia Gmbh | |
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362212B2 (ja) | 1991-09-25 |
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