JPS624313A - 二重イオンビ−ム折出高密度フイルム - Google Patents
二重イオンビ−ム折出高密度フイルムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
イオンビームスパック−リングによる薄膜析出技術は、
十分に確立されている。
十分に確立されている。
特徴的な方法では、比較的重いイオンのイオンビームが
ターゲットに向けられ、原子粒子の放出を引き起こす。
ターゲットに向けられ、原子粒子の放出を引き起こす。
これらの粒子は基体上に集められフィルムを形成する。
該技術のいくつの変形においては、2つのイオンビーム
源が用いられる。通常一方のスパッターリングビームが
ターゲットに向けられ、かツモウ一方のビームが析出し
ているフィルムに向けられる。これらの技術に関する一
般的記載については、ワイスマンテル等(Weissm
antel、 etal)のイオンビーム法による硬質
コーティングの製造、63スインフイルムソリツド(6
3Th1n FilmSolids)、315−325
(1979)を参照のこと。
源が用いられる。通常一方のスパッターリングビームが
ターゲットに向けられ、かツモウ一方のビームが析出し
ているフィルムに向けられる。これらの技術に関する一
般的記載については、ワイスマンテル等(Weissm
antel、 etal)のイオンビーム法による硬質
コーティングの製造、63スインフイルムソリツド(6
3Th1n FilmSolids)、315−325
(1979)を参照のこと。
いくつかの方法においては、2つの比較的高いエネルギ
ーのイオンビーム(一方は貴ガスイオンを含みかつ他方
は別型のイオンを含む)がターゲットに向けられる。次
に、そのスパッターされた生産物は基体上に集められる
。ドイツ民主共和国特許第149.549号参照。
ーのイオンビーム(一方は貴ガスイオンを含みかつ他方
は別型のイオンを含む)がターゲットに向けられる。次
に、そのスパッターされた生産物は基体上に集められる
。ドイツ民主共和国特許第149.549号参照。
二重ビームにより薄膜を析出させる改良技術が最近工夫
されている。この技術では、スパッターリングイオンか
ら構成されるイオンビームはターゲットに向けられ、か
つ水素あるいはハロゲンイオンから構成される第2のイ
オンビームは析出しているフィルムに向けられるよりむ
しろターゲットに向けられる。
されている。この技術では、スパッターリングイオンか
ら構成されるイオンビームはターゲットに向けられ、か
つ水素あるいはハロゲンイオンから構成される第2のイ
オンビームは析出しているフィルムに向けられるよりむ
しろターゲットに向けられる。
ターゲットがケイ素で、しかも第2ビームが水素イオン
の場合は、改良された水素化アモルファスケイ素フィル
ムが製造される。1986年4月9日公開の欧州特許出
願第旧77115号を参照。
の場合は、改良された水素化アモルファスケイ素フィル
ムが製造される。1986年4月9日公開の欧州特許出
願第旧77115号を参照。
参照技術は、電気的特性のある半導体フィルムを提供で
きるが、集積回路工業において拡散マスクとして使用す
るためにおよび金属への耐腐食性かつ摩耗性のコーティ
ングとして使用するために高密度フィルムを析出させる
のが、同様に望ましい。そのような応用のために許容で
きる密度のアモルファスフィルムは通常高温後析出処理
によってのみ得ることができる。
きるが、集積回路工業において拡散マスクとして使用す
るためにおよび金属への耐腐食性かつ摩耗性のコーティ
ングとして使用するために高密度フィルムを析出させる
のが、同様に望ましい。そのような応用のために許容で
きる密度のアモルファスフィルムは通常高温後析出処理
によってのみ得ることができる。
特に、その基体が集積回路ならば、フィルム密度を改良
するため必要な温度はその基体に有害な影響を与える。
するため必要な温度はその基体に有害な影響を与える。
よって、高密度のアモルファスフィルムを析出させるた
めには、低温技術が必要となる。
めには、低温技術が必要となる。
本発明において、新規な二重イオンビーム法は20℃〜
400℃の間の温度に保持された基体上に析出物質のバ
ルク(bulk)値に非常に近い密度を有する、例えば
、アモルファス水素化ケイ素、酸化ケイ素、窒化物およ
びその他の混合物等の薄膜を生成する。該新規な方法に
おいては、比較的重いスパッターリングイオンビーム、
例えハ、アルゴンイオン等がターゲットに向けられる。
400℃の間の温度に保持された基体上に析出物質のバ
ルク(bulk)値に非常に近い密度を有する、例えば
、アモルファス水素化ケイ素、酸化ケイ素、窒化物およ
びその他の混合物等の薄膜を生成する。該新規な方法に
おいては、比較的重いスパッターリングイオンビーム、
例えハ、アルゴンイオン等がターゲットに向けられる。
比較的低いエネルギーの第2ビームイオンが同様にター
ゲットに向けられる。これらの低エネルギーイオンは、
水素、酸素、窒素、その他のイオン等であることができ
、かつ特徴的には、約20エレクトロンボルト以下、約
4エレクトロンボルト以上のエネルギーを有するもので
ある。
ゲットに向けられる。これらの低エネルギーイオンは、
水素、酸素、窒素、その他のイオン等であることができ
、かつ特徴的には、約20エレクトロンボルト以下、約
4エレクトロンボルト以上のエネルギーを有するもので
ある。
その低エネルギーイオンが、そのターゲット原子あるい
はターゲットからスパッターされた原子と結合し、基体
上に集められる原子あるいは分子として析出種を形成す
る。該析出種は、他の方法でのスパッターによる析出に
おいて観察されるよりはるかに高い密度のフィルムを析
出しつつ比較的低いエネルギーで基体に衝突する。
はターゲットからスパッターされた原子と結合し、基体
上に集められる原子あるいは分子として析出種を形成す
る。該析出種は、他の方法でのスパッターによる析出に
おいて観察されるよりはるかに高い密度のフィルムを析
出しつつ比較的低いエネルギーで基体に衝突する。
公知の二重イオンビームとは対象的に、該新規な方法で
は、析出種の低い到達エネルギーは、より高密度を生成
する析出フィルムにおける構造的な不規則あるいは欠陥
の形成を低減する。
は、析出種の低い到達エネルギーは、より高密度を生成
する析出フィルムにおける構造的な不規則あるいは欠陥
の形成を低減する。
得られた薄膜は、通常析出物質のバルクサンプルとして
のみ測定される値おるいはそれにきわめて近い値、の密
度および誘電率を示す。該方法にしたがって析出された
水素化アモルファスケイ素フィルムは、既知の二重イオ
ンビーム技術によって析出された最も類イ以したフィル
ムよりもほぼ強度の順にあるいはそれ以上に光電導度の
増加を示す。
のみ測定される値おるいはそれにきわめて近い値、の密
度および誘電率を示す。該方法にしたがって析出された
水素化アモルファスケイ素フィルムは、既知の二重イオ
ンビーム技術によって析出された最も類イ以したフィル
ムよりもほぼ強度の順にあるいはそれ以上に光電導度の
増加を示す。
該新規な方法を実行するため装置の配置は第1図に示し
である。スパッターリング法において徐々に消耗する、
スパッターターゲット1は、該方法の過程で生成する析
出種が集められその上でフィルムを形成する向い側の基
体3に集められる。
である。スパッターリング法において徐々に消耗する、
スパッターターゲット1は、該方法の過程で生成する析
出種が集められその上でフィルムを形成する向い側の基
体3に集められる。
比較的重いスパッターリングイオンのビーム5は、従来
的なイオン銃(明示せず)からターゲット1に向けられ
る。該イオン銃は、イオンが交差電磁界中で形成される
カウフマン型であることができる。
的なイオン銃(明示せず)からターゲット1に向けられ
る。該イオン銃は、イオンが交差電磁界中で形成される
カウフマン型であることができる。
中心陰極から放出される電子は磁場を通して、うず巻経
路を周辺の陽極へ向って進んで行く。該電子は陰極と陽
極間で銃中に導入されたガス状原子のイオンを形成する
。形成されたイオンは、電気的に電荷を帯びた加速グリ
ッドによって銃の外へ加速される。加速グリッドから銃
の内側は、イオン衝突から加速グリッドを保護するため
、加速グリッドと比較してわずかに異ったポテンシャル
に維持された遮壁グリッドである。特徴的には、スパッ
ターリングイオンはアルゴンガスとしてビーム源に供給
され、るアルゴンイオンである。
路を周辺の陽極へ向って進んで行く。該電子は陰極と陽
極間で銃中に導入されたガス状原子のイオンを形成する
。形成されたイオンは、電気的に電荷を帯びた加速グリ
ッドによって銃の外へ加速される。加速グリッドから銃
の内側は、イオン衝突から加速グリッドを保護するため
、加速グリッドと比較してわずかに異ったポテンシャル
に維持された遮壁グリッドである。特徴的には、スパッ
ターリングイオンはアルゴンガスとしてビーム源に供給
され、るアルゴンイオンである。
その他の貴ガスも同様にイオン源として使用することが
できる。スパッターリングビーム源においてイオンに印
加される電圧は、750■〜1500Vの範囲である。
できる。スパッターリングビーム源においてイオンに印
加される電圧は、750■〜1500Vの範囲である。
低エネルギーイオンの第2ビーム7は異った方向からタ
ーゲット1に向けられる。最良の結果を得るため、低エ
ネルギーイオンが約20エレクトロンボルト以下かつ約
3〜4エレクトロンボルト以上のエネルギーを有するこ
とが好ましい。従来のカウフマンイオン源は、望ましい
ビーム流を維持するが、このような低エネルギーイオン
を生成することはできない。それゆえ、許容ビーム流で
望ましいエネルギーを有するイオンを生成するためには
、カウフマンイオン源を2.5 cffIに修正する必
要があることを見い出した。低電圧でビーム流を増加す
るため、スクリーングリッドを移動する。
ーゲット1に向けられる。最良の結果を得るため、低エ
ネルギーイオンが約20エレクトロンボルト以下かつ約
3〜4エレクトロンボルト以上のエネルギーを有するこ
とが好ましい。従来のカウフマンイオン源は、望ましい
ビーム流を維持するが、このような低エネルギーイオン
を生成することはできない。それゆえ、許容ビーム流で
望ましいエネルギーを有するイオンを生成するためには
、カウフマンイオン源を2.5 cffIに修正する必
要があることを見い出した。低電圧でビーム流を増加す
るため、スクリーングリッドを移動する。
結果として、カウフマン銃内でのプラズマ中の暗空間の
広さがビーム流を決定する。陰極の電圧は、3〜20エ
レクトロンボルトのエネルギーを生じさせるために減少
させられるにもかかわらず、ビーム流を好ましい水準に
維持されることを可能にしつつ、暗空間の広さは、陰極
電圧の絶対値によって複雑に変化する。第2ビーム中の
イオンは、同様に水素、酸素、もしくは窒素のような元
素又はシランおよびゲルマンのような化合物であること
ができるガスから誘厚される。
広さがビーム流を決定する。陰極の電圧は、3〜20エ
レクトロンボルトのエネルギーを生じさせるために減少
させられるにもかかわらず、ビーム流を好ましい水準に
維持されることを可能にしつつ、暗空間の広さは、陰極
電圧の絶対値によって複雑に変化する。第2ビーム中の
イオンは、同様に水素、酸素、もしくは窒素のような元
素又はシランおよびゲルマンのような化合物であること
ができるガスから誘厚される。
第1図の配置において、例えば、基体ホルダーを通して
流れる電流によっであるいは熱ランプによって基体1を
熱して析出過程を促進することができる。特徴的には、
該新規な方法で使用される基体温度の範囲は20〜40
0℃である。該基体は例えばガラス、石英、ケイ素、金
属、あるいは金属合金であることができる。特徴的には
、該方法を実行する真空度は約0.13〜1.33 X
10−”パスカルに維持する。
流れる電流によっであるいは熱ランプによって基体1を
熱して析出過程を促進することができる。特徴的には、
該新規な方法で使用される基体温度の範囲は20〜40
0℃である。該基体は例えばガラス、石英、ケイ素、金
属、あるいは金属合金であることができる。特徴的には
、該方法を実行する真空度は約0.13〜1.33 X
10−”パスカルに維持する。
第1図の配置において、ターゲットはケイ素、ゲルマニ
ウム、モリブデン、ニッケル等であることができる。低
エネルギービーム中のイオンは水素、酸素、窒素、フッ
素等であることができる。
ウム、モリブデン、ニッケル等であることができる。低
エネルギービーム中のイオンは水素、酸素、窒素、フッ
素等であることができる。
これらの典型的なリストから適当な組合わせを選ぶこと
によって、酸化ケイ素、水素化ケイ素、窒化物、ゲルマ
ニウム−ケイ素合金、さらに他の混合物および合金のフ
ィルムを生産することができる。
によって、酸化ケイ素、水素化ケイ素、窒化物、ゲルマ
ニウム−ケイ素合金、さらに他の混合物および合金のフ
ィルムを生産することができる。
スパッターリングビームとしてアルゴンガス、ケイ素タ
ーゲットおよび低エネルギー酸素イオンビームを用いる
該新規な方法によって室温で、酸化ケイ素の多くのフィ
ルムを析出させた。それらの酸化フィルムは、分光・偏
光分析法によって分析され、そのフィルムが非常に薄い
ときでさえ大きな(bulk)酸化ケイ素と同じ誘電率
を示す。その同様の技術がフィルムの密度を測定するた
め使用され、かつ該フィルムが2ナノメーターの厚さの
ときのみ最大密度に達していたことが示された。
ーゲットおよび低エネルギー酸素イオンビームを用いる
該新規な方法によって室温で、酸化ケイ素の多くのフィ
ルムを析出させた。それらの酸化フィルムは、分光・偏
光分析法によって分析され、そのフィルムが非常に薄い
ときでさえ大きな(bulk)酸化ケイ素と同じ誘電率
を示す。その同様の技術がフィルムの密度を測定するた
め使用され、かつ該フィルムが2ナノメーターの厚さの
ときのみ最大密度に達していたことが示された。
X線分析技術を使用することによって、フィルムはS
LOxの構造式(x=2)を有すると決定された。
LOxの構造式(x=2)を有すると決定された。
多くの水素化アモルファスケイ素フィルムが、アルゴン
ビームケイ素ターゲットおよび低エネルギー水素ビーム
を使用する酸析しい方法によって析出された。これらの
フィルムは他の二重イオンビームでスパッタされた水素
化ケイ素フィルムよりも高い密度を存するのみならず、
実質的に改良された光電場を示す。
ビームケイ素ターゲットおよび低エネルギー水素ビーム
を使用する酸析しい方法によって析出された。これらの
フィルムは他の二重イオンビームでスパッタされた水素
化ケイ素フィルムよりも高い密度を存するのみならず、
実質的に改良された光電場を示す。
第2図において、該新規な方法に従って析出されたフィ
ルムおよび両方のビームが源に向けられる公知の二重ビ
ーム法によって析出されたフィルムについて測定された
暗電導(破線)と光電場(実線)がプロットされている
。後者の方法は、1986年4月9日公開された欧州特
許出願筒0177115に開示されている。その出願で
は、使用された水素ビーム電圧は100.150あるい
は200ボルトであり、かつ析出フィルムは150Vの
ビーム電圧で最適の特性を示した。それらのフィルムは
それぞれ−11および−6,8の最大対数暗電導度およ
び光電導度を示した。
ルムおよび両方のビームが源に向けられる公知の二重ビ
ーム法によって析出されたフィルムについて測定された
暗電導(破線)と光電場(実線)がプロットされている
。後者の方法は、1986年4月9日公開された欧州特
許出願筒0177115に開示されている。その出願で
は、使用された水素ビーム電圧は100.150あるい
は200ボルトであり、かつ析出フィルムは150Vの
ビーム電圧で最適の特性を示した。それらのフィルムは
それぞれ−11および−6,8の最大対数暗電導度およ
び光電導度を示した。
先に開示された方法で製造されたフィルムは約100v
以上の水素イオンビーム電圧について第2図に示された
。水素ビーム電圧は横座標にプロットされている。
以上の水素イオンビーム電圧について第2図に示された
。水素ビーム電圧は横座標にプロットされている。
新規な方法にしたがって製造された水素化アモルファス
ケイ素フィルムは、約40Vより小さい水素ビーム電圧
に相当するプロットされたデータ点を第2図に示してい
る。(測定された暗電導度の対数値である破線は、右座
標に適するように調整してあり、測定された光電導度の
対数値である実線は、左座標に適するように調整しであ
る。)グラフから明らかなように、暗流と光電場1度の
両方ともが水素化ビーム電圧が約20V以下に減少した
とき、つまり、イオンエネルギーが20エレクトロンボ
ルト以下のとき、強度の順以上に劇的に上昇する。
ケイ素フィルムは、約40Vより小さい水素ビーム電圧
に相当するプロットされたデータ点を第2図に示してい
る。(測定された暗電導度の対数値である破線は、右座
標に適するように調整してあり、測定された光電導度の
対数値である実線は、左座標に適するように調整しであ
る。)グラフから明らかなように、暗流と光電場1度の
両方ともが水素化ビーム電圧が約20V以下に減少した
とき、つまり、イオンエネルギーが20エレクトロンボ
ルト以下のとき、強度の順以上に劇的に上昇する。
第2図にプロットされた結果は、150℃の温度と10
0OV、30mA電流のアルゴンイオンのスパッターリ
ングビームと10mAの水素ビーム電流で基体上に析出
されたフィルムから測定した。
0OV、30mA電流のアルゴンイオンのスパッターリ
ングビームと10mAの水素ビーム電流で基体上に析出
されたフィルムから測定した。
フィルムに取り込まれた水素量は水素ビーム電圧が新規
な方法の範囲に減少するとき、急激に減少する。第3図
参照のこと。
な方法の範囲に減少するとき、急激に減少する。第3図
参照のこと。
第2図に示された改良結果を最適化するため、析出した
フィルムが重金属によって汚染されることをさけること
が重要であることが明らかである。
フィルムが重金属によって汚染されることをさけること
が重要であることが明らかである。
第1図の装置は、スパッターとターゲットのみに衝突し
ている低エネルギーイオンビームを示しているが、実際
はビーム中のイオンのいくつかが、ターゲットをはずれ
、析出の生じる真空チャンバーの壁に衝突する。典型的
な真空チャンバーは、金属壁あるいは基板を有するので
、ターゲットをはずれたイオンはチャンバー内および基
体上に重金属イオンをスパッターできる。この汚染源を
避けるため、ターゲットと基体との間の空間を包うため
、高純度ケイ素ウェハーカーテンを使用することが好ま
しい。
ている低エネルギーイオンビームを示しているが、実際
はビーム中のイオンのいくつかが、ターゲットをはずれ
、析出の生じる真空チャンバーの壁に衝突する。典型的
な真空チャンバーは、金属壁あるいは基板を有するので
、ターゲットをはずれたイオンはチャンバー内および基
体上に重金属イオンをスパッターできる。この汚染源を
避けるため、ターゲットと基体との間の空間を包うため
、高純度ケイ素ウェハーカーテンを使用することが好ま
しい。
水素化ケイ素−ゲルマニウム合金フィルムはケイ素ター
ゲットとゲルマンガスから形成されるイオンの低エネル
ギービームを使用することによって析出することができ
る。
ゲットとゲルマンガスから形成されるイオンの低エネル
ギービームを使用することによって析出することができ
る。
高密度アモルファスフィルムの析出の正確なメカニズム
は知られていない。典型的なスパッター法によって育成
したフィルムは、スパッターされた原子あるいはかなり
高エネルギーの電子で常に攻撃される。これらの原子は
、析出フィルムにスパッターリングあるいは空隙の形成
のような構造的損傷をよく引き起すことがあり、密度を
減少させる。加えて、スパッターガス原子のいくつかは
析出しているフィルムに取り込まれることがある。
は知られていない。典型的なスパッター法によって育成
したフィルムは、スパッターされた原子あるいはかなり
高エネルギーの電子で常に攻撃される。これらの原子は
、析出フィルムにスパッターリングあるいは空隙の形成
のような構造的損傷をよく引き起すことがあり、密度を
減少させる。加えて、スパッターガス原子のいくつかは
析出しているフィルムに取り込まれることがある。
新規な方法では、低エネルギーイオンはターゲットおよ
び/またはターゲットからスパッターされた原子と相互
に作用し合い、析出種を形成する。
び/またはターゲットからスパッターされた原子と相互
に作用し合い、析出種を形成する。
基体はフィルムを損傷することがあるエネルギーを有す
る原子種とは衝突することはない。加えて、新規な方法
にしたがって製造されたフィルムに取り込まれたスパッ
ターリングガスイオンの数はきわめて少ない。
る原子種とは衝突することはない。加えて、新規な方法
にしたがって製造されたフィルムに取り込まれたスパッ
ターリングガスイオンの数はきわめて少ない。
本発明にしたがって析出されたフィルムの典型的な第2
イオンの質量分析(SIMS)値は水素化アモルファス
ケイ素フィルム中のアルゴンの約10−3%を示す。
イオンの質量分析(SIMS)値は水素化アモルファス
ケイ素フィルム中のアルゴンの約10−3%を示す。
第1図は、本発明を実行するためのターゲット、基体お
よびイオンビーム直射の配置の図式である。 第2図は、既知の二重イオンビーム法および本発明にし
たがって析出された水素化アモルファスケイ素フィルム
の光電導度および暗電流を測定したグラフである。 第3図は、既知な二重イオンビームおよび本発明にした
がって析出された水素化アモルファスケイ素フィルムに
結合した水素を測定したグラフである。 鳴 0
よびイオンビーム直射の配置の図式である。 第2図は、既知の二重イオンビーム法および本発明にし
たがって析出された水素化アモルファスケイ素フィルム
の光電導度および暗電流を測定したグラフである。 第3図は、既知な二重イオンビームおよび本発明にした
がって析出された水素化アモルファスケイ素フィルムに
結合した水素を測定したグラフである。 鳴 0
Claims (9)
- (1)基体上に少なくとも第1および第2元素から構成
されているフィルムを析出させる方法であつて、スパッ
ターに有効なイオンの第1ビームと前記第2元素のイオ
ンを含む第2イオンビームとを前記第1元素を含むター
ゲットに対して同時に向け、前記第2元素の前記イオン
が20エレクトロンボルトを超えないエネルギーを有し
、かつ前記ビームの生成物を上記基体上に集めることを
含む上記方法。 - (2)前記第2元素の前記イオンが少なくとも3エレク
トロンボルトのエネルギーを有する特許請求の範囲第1
項記載の方法。 - (3)前記第1元素が本質的にケイ素、ゲルマニウム、
モリブデン、ニッケルおよびそれらの混合物からなる群
から選ばれる特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (4)前記第2元素が本質的に水素、酸素、窒素、フッ
素、ゲルマニウム、ケイ素およびそれらの混合物からな
る群から選ばれる特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (5)スパッターに有効な前記イオンがアルゴンイオン
を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (6)前記第1元素がケイ素からなり、かつ前記第2元
素がゲルマニウムからなる特許請求の範囲第1項記載の
方法。 - (7)前記析出工程中、前記基体を20℃〜400℃の
間の温度に維持することを含む特許請求の範囲第1項記
載の方法。 - (8)前記基体が本質的にガラス、石英、ケイ素、金属
元素および金属合金からなる群から選ばれる特許請求の
範囲第1項記載の方法。 - (9)前記析出方法中、0.13〜1.3×10^−^
3パスカル間に周囲圧力を維持することを含む特許請求
の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US749833 | 1985-06-28 | ||
US06/749,833 US4673475A (en) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | Dual ion beam deposition of dense films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS624313A true JPS624313A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=25015402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61149342A Pending JPS624313A (ja) | 1985-06-28 | 1986-06-25 | 二重イオンビ−ム折出高密度フイルム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4673475A (ja) |
EP (1) | EP0207646A1 (ja) |
JP (1) | JPS624313A (ja) |
IL (1) | IL78921A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140477A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | シリコン薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5514885A (en) * | 1986-10-09 | 1996-05-07 | Myrick; James J. | SOI methods and apparatus |
US4776925A (en) * | 1987-04-30 | 1988-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment |
JP2713481B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | イオンビームスパッタによる多元系薄膜形成方法および多元系薄膜形成装置 |
US5246885A (en) * | 1989-12-13 | 1993-09-21 | International Business Machines Corporation | Deposition method for high aspect ratio features using photoablation |
JPH03202461A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | 高絶縁酸化ケイ素薄膜の形成方法 |
CA2073802C (en) * | 1991-08-16 | 2003-04-01 | John Shimmick | Method and apparatus for combined cylindrical and spherical eye corrections |
US5418182A (en) * | 1993-03-26 | 1995-05-23 | Honeywell Inc. | Method of fabricating diode lasers using ion beam deposition |
US5601654A (en) * | 1996-05-31 | 1997-02-11 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Flow-through ion beam source |
GB2321063A (en) * | 1997-01-08 | 1998-07-15 | Oxford Plasma Technology Ltd | Reactive particle beam sputtering |
US6461982B2 (en) * | 1997-02-27 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a dielectric film |
US6728429B1 (en) | 2000-02-16 | 2004-04-27 | Biotell, Inc. | Optical detection |
GB0127251D0 (en) * | 2001-11-13 | 2002-01-02 | Nordiko Ltd | Apparatus |
US20050118533A1 (en) * | 2002-03-01 | 2005-06-02 | Mirkarimi Paul B. | Planarization of substrate pits and scratches |
CN100355089C (zh) * | 2003-07-04 | 2007-12-12 | 云南大学 | 改性红外探测材料-非晶SiGe薄膜的制备方法 |
WO2005063646A1 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
JP2008505842A (ja) | 2004-07-12 | 2008-02-28 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティング |
US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
WO2007124291A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
JP4162094B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2008-10-08 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置 |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
WO2009036263A2 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coating technology |
US8541792B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-09-24 | Guardian Industries Corp. | Method of treating the surface of a soda lime silica glass substrate, surface-treated glass substrate, and device incorporating the same |
US9347127B2 (en) * | 2012-07-16 | 2016-05-24 | Veeco Instruments, Inc. | Film deposition assisted by angular selective etch on a surface |
US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
RU174338U1 (ru) * | 2017-01-24 | 2017-10-11 | Акционерное общество "Ритм" Тверское производство тормозной аппаратуры (АО "Ритм" ТПТА) | Шаровой кран воздушной магистрали железнодорожного подвижного состава |
CN112481586A (zh) * | 2019-09-12 | 2021-03-12 | 中国科学院物理研究所 | 超导组合薄膜的制备方法,及其产品和应用 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3491015A (en) * | 1967-04-04 | 1970-01-20 | Automatic Fire Control Inc | Method of depositing elemental material from a low pressure electrical discharge |
US3915765A (en) * | 1973-06-25 | 1975-10-28 | Bell Telephone Labor Inc | MBE technique for fabricating semiconductor devices having low series resistance |
GB1528192A (en) * | 1975-03-10 | 1978-10-11 | Secr Defence | Surface treatment of iii-v compound crystals |
JPS5372A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-05 | Agency Of Ind Science & Technol | Selective doping crystal growing method |
JPS53123659A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Method of producing compound semiconductor wafer |
US4108751A (en) * | 1977-06-06 | 1978-08-22 | King William J | Ion beam implantation-sputtering |
US4255208A (en) * | 1979-05-25 | 1981-03-10 | Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. | Method of producing monocrystalline semiconductor films utilizing an intermediate water dissolvable salt layer |
DD149549A1 (de) * | 1980-03-24 | 1981-07-15 | Hinneberg Hans Juergen | Verfahren zur herstellung amorpher halbleiterschichten mittels ionenstrahlzerstaeubung |
US4376688A (en) * | 1981-04-03 | 1983-03-15 | Xerox Corporation | Method for producing semiconductor films |
US4495044A (en) * | 1983-05-17 | 1985-01-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Diamondlike flakes |
US4522844A (en) * | 1983-09-30 | 1985-06-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Corrosion resistant coating |
AU566986B2 (en) * | 1984-09-04 | 1987-11-05 | Standard Oil Company, The | Deposition of passivated amorphous semi-conductor films by sputtering |
-
1985
- 1985-06-28 US US06/749,833 patent/US4673475A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-05-26 IL IL78921A patent/IL78921A/xx unknown
- 1986-06-05 EP EP86304304A patent/EP0207646A1/en not_active Ceased
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140477A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | シリコン薄膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL78921A0 (en) | 1986-09-30 |
EP0207646A1 (en) | 1987-01-07 |
US4673475A (en) | 1987-06-16 |
IL78921A (en) | 1989-12-15 |
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