JPS6243101A - Heating resistor - Google Patents

Heating resistor

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JPS6243101A
JPS6243101A JP60182554A JP18255485A JPS6243101A JP S6243101 A JPS6243101 A JP S6243101A JP 60182554 A JP60182554 A JP 60182554A JP 18255485 A JP18255485 A JP 18255485A JP S6243101 A JPS6243101 A JP S6243101A
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JP
Japan
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heating resistor
resistor
thermal head
film
resistance
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Application number
JP60182554A
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Japanese (ja)
Inventor
仲森 智博
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、サーマルヘッド等の発熱体として用いて好
適な発熱抵抗体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a heating resistor suitable for use as a heating element for a thermal head or the like.

(従来の技術) 従来より、N膜抵抗体に電流を通じて発熱させ、ヒータ
や感熱ヘッド等に用いる、種々の材料からなる発熱抵抗
体が提案されている。
(Prior Art) Heat-generating resistors made of various materials have been proposed, which are used in heaters, thermal heads, etc., by causing the N-film resistor to generate heat by passing an electric current through the resistor.

このような発熱抵抗体の用途として、近年、サーマルヘ
ッドへの応用が注目されている。以下、サーマルヘッド
を・例として、発熱抵抗体につき説明する。
In recent years, the application of such heating resistors to thermal heads has attracted attention. Hereinafter, the heating resistor will be explained using a thermal head as an example.

感熱紙を発色させて感熱紙にドツトのモザイクを作るこ
とにより絵、文字等の印字をするための種々の構造のサ
ーマルヘッドが提案されている。
Thermal heads of various structures have been proposed for printing pictures, characters, etc. by coloring the thermal paper and creating a mosaic of dots on the thermal paper.

このようなサーマルヘッドは、例えば文献(「金属表面
技術J 34 、(8) (1983) P、271〜
277)に開示されている。このような構造の薄膜型サ
ーマルヘッドにおいては、発熱抵抗体として主として窒
化タンタル(Ta2 N)が用いられている0周知のよ
うにTa2Nは、例えばハイブリッドIC等のS膜抵抗
体として用いる場合は、抵抗値の安定性が非常に優れて
いるが、このTa2Nをサーマルヘッドの発熱抵抗体と
して用いる場合には、Ta2Nの耐熱性、特に、その耐
酸化性は充分なものではなかった。このため、Ta2N
を発熱抵抗体として用いる場合は、 ・股に、サーマル
ヘッドの構造を第4図に示すような構造としていた。
Such a thermal head is described, for example, in the literature (Metal Surface Technology J 34, (8) (1983) P, 271-
277). In a thin-film thermal head with such a structure, tantalum nitride (Ta2N) is mainly used as the heating resistor.As is well known, when Ta2N is used as an S-film resistor in a hybrid IC, for example, Although the stability of the resistance value is very good, when this Ta2N is used as a heating resistor of a thermal head, the heat resistance of Ta2N, especially its oxidation resistance, is not sufficient. For this reason, Ta2N
When used as a heating resistor, the structure of the thermal head was as shown in Figure 4.

第4図は従来の薄膜型サーマルヘッドの要部を示す断面
図であり、この場合、絶縁基板ヒに多数設けられた発熱
抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に611して示した断
面図である。第4図において、+1は絶縁基板を示し、
この絶縁基板11hにTa2N薄膜からなる発熱抵抗体
13が設けられている。又、この発熱抵抗体+31の摩
間した位置に給電体15及び17が設けられていて、こ
れら給電体15及び17の間の光熱抵抗体13の部分(
図中、斜線で示す部分)が発熱部19となる。ごらに、
給電体15及び17と発熱i’!’[119とのLには
順次に耐酸化1!J21と耐摩耗膜23とが設けられて
いて、これら一層の膜により発熱抵抗体の保護膜が形成
されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the main parts of a conventional thin-film thermal head. It is. In FIG. 4, +1 indicates an insulating substrate;
A heating resistor 13 made of a Ta2N thin film is provided on this insulating substrate 11h. Further, power feeders 15 and 17 are provided at positions spaced between the heating resistor +31, and the portion of the photothermal resistor 13 between these power feeders 15 and 17 (
In the figure, the shaded part) becomes the heat generating part 19. Look,
Power feeders 15 and 17 and heat generation i'! '[119 and L are sequentially oxidation resistance 1! J21 and a wear-resistant film 23 are provided, and these single-layer films form a protective film for the heating resistor.

この保護膜、特に、耐酸化膜21はサーマルヘッドの寿
命に影響する重要な保!l膜である。
This protective film, especially the oxidation-resistant film 21, plays an important role in protecting the life of the thermal head. It is a l membrane.

又、Ta2Nはその比抵抗が300gΩ・cm以五であ
る。このため、発熱抵抗体が長時間の使用に絶えること
が出来るように抵抗体膜厚をt−分な膜厚とするとその
抵抗値は所望の抵抗値よりも小さくなる。従って印字に
必要な電力を得るためには発熱抵抗体に供給する電流値
を大きくしなければならない。しかし 配線II+1路
及グ撃動方法等の制約から、限られた屯流頭の中で′X
用的な抵抗値をイjするような発?l!抵抗体の形状を
決定しなければならす、このため 第5図(B)に示す
ようなミアンタ型の形状とすることで、発熱抵抗体の抵
抗イ1を1−げる方法が用いられていた。
Further, Ta2N has a specific resistance of 300 gΩ·cm or more. For this reason, if the resistor film thickness is set to t-minutes so that the heating resistor can be used for a long time, its resistance value will be smaller than the desired resistance value. Therefore, in order to obtain the power necessary for printing, it is necessary to increase the current value supplied to the heating resistor. However, due to restrictions such as the wiring II + 1 route and the firing method, 'X
Is there an emission that increases the practical resistance value? l! The shape of the resistor must be determined, and for this reason, a method was used in which the resistance of the heat generating resistor was increased by 1 - by making it a mianta shape as shown in Figure 5 (B). .

(発明が解決しようとする問題つ、) しかしながら、サーマルヘッドに用いられている従来の
発熱抵抗体は、その発熱抵抗体トに保護膜、特に、耐酸
化膜を全く設けない場合又はこの膜の厚みが不充分な厚
さしかない場合には、印字に必要なエネルギーを発熱抵
抗体13に印加すると酸化作用により発熱抵抗体の抵抗
値が増加し1発熱抵抗体は劣化する。このため、極めて
短時間の感熱記録しか行えないという問題+5.があっ
た。
(Problem to be Solved by the Invention) However, conventional heating resistors used in thermal heads do not have a protective film, especially an oxidation-resistant film, on the heating resistor, or If the thickness is insufficient, when the energy necessary for printing is applied to the heating resistor 13, the resistance value of the heating resistor increases due to oxidation, and the heating resistor 1 deteriorates. Therefore, there is a problem that thermal recording can only be performed for an extremely short period of time +5. was there.

又、この保護膜を必要量りに厚く設けると、光熱抵抗体
への供給電流の印加・停止Fに対するサーマルヘッドの
温度ヒ昇争温度ド1IIi(fS応答)が、さくなり、
高速印字が行えないという間8+気があった。
Furthermore, if this protective film is provided as thick as necessary, the temperature rise (fS response) of the thermal head with respect to the application/stopping of the supply current to the photothermal resistor (fS response) will be reduced.
I was worried that high-speed printing would not be possible.

又、近年、サーマルヘッドによる印字はより高精細な印
字が望まれている。従って、ミアンタ型とした発熱抵抗
体の形状を、より高精刑な印字をア現するためざらに微
細な形状とする必要があるが、このことは加I[術りで
限界がある。このため、簡易な形状、例えば第5図(A
)に示すような四角形状の発熱抵抗体で、所望とする抵
抗値が得られるような抵抗体材料が望まれている。この
ような抵抗体材料として、Ta−3i−N、Ta−3i
 −Ofの高抵抗材料が開発されてきてはいるが、これ
らの材料も耐熱性及び#酸化性に乏しく、さらに、その
成膜に関しても、反応性スパッタ法により窒素、MX等
のガスを用いて行うため、S膜の抵抗値の制御が難しい
という問題点があった。
Furthermore, in recent years, there has been a demand for higher definition printing using thermal heads. Therefore, it is necessary to make the shape of the heat-generating resistor of Mianta shape into a rough and fine shape in order to realize more precise printing, but this has a limit depending on the technique. Therefore, a simple shape, for example, Fig. 5 (A
) A resistor material is desired that can provide a desired resistance value in a rectangular heating resistor as shown in FIG. As such resistor materials, Ta-3i-N, Ta-3i
-Of high-resistance materials have been developed, but these materials also have poor heat resistance and #oxidation properties, and their film formation is performed using gases such as nitrogen and MX by reactive sputtering. Therefore, there was a problem in that it was difficult to control the resistance value of the S film.

この発明の目的は、耐熱性及び#酸化性に優れ、比抵抗
イ1が大きく、かつ、製造方法の容易な発熱抵抗体を提
供することにあり、以って、より耐久性に優れ、かつ、
高精細化が可能なサーマルヘッド等のχ現を可能とする
ことにある。
An object of the present invention is to provide a heating resistor that has excellent heat resistance and oxidation resistance, has a large specific resistance I1, and is easy to manufacture. ,
The purpose of this invention is to enable high-definition thermal heads and the like.

(問題点を解決するための1段) この目的の達成を図るため、この発明によれば1発熱抵
抗体を白金族元素から選ばれた一種又は〕種以上の元素
を含む導電材料と、炭化珪7艇を含む電気的絶縁材料と
を以って構成したことを特徴とする。
(1st stage for solving the problem) In order to achieve this object, according to the present invention, a heating resistor is made of a conductive material containing one or more elements selected from platinum group elements, and a carbonized It is characterized in that it is constructed of an electrically insulating material containing silica.

この発明のア施に当り、発熱抵抗体中には導′市材料を
3〜4 Q ? 着%含ませるのが好適である。
When applying this invention, three to four conductive materials are used in the heating resistor. It is preferable to include %.

(作用) このような構成によれば、白金族元素及び炭化珪素共に
化学的に安定であるから耐酸化性の優れた発熱抵抗体が
得られる。
(Function) According to such a configuration, since both the platinum group element and silicon carbide are chemically stable, a heating resistor with excellent oxidation resistance can be obtained.

又、発熱抵抗体に含有させる導電材料の含有率により所
望とする比抵抗を有する発熱抵抗体が得られる。さらに
、炭化珪素は、CFa 等のガスを用いたドライエツチ
ングにより容易に加りが行える。従って、所望とする抵
抗値を有した。任仇な形状及び大きさの発熱抵抗体を容
易に作製することが出来る。
Further, a heating resistor having a desired resistivity can be obtained by adjusting the content of the conductive material contained in the heating resistor. Furthermore, silicon carbide can be easily etched by dry etching using a gas such as CFa. Therefore, it had a desired resistance value. A heating resistor of arbitrary shape and size can be easily produced.

(実施例) 以F、この発明の発熱抵抗体をサーマルヘッドに用いた
例により、この発明の一実施例につき説明する。尚、以
下の実施例の説明に用いる第1図〜第3図は、この発明
が理解できる程度に概略的に示しであるにすぎず、各構
成成分の寸法、形状及び配置関係は図示例に駆足される
ものではない。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described using an example in which the heating resistor of the present invention is used in a thermal head. It should be noted that FIGS. 1 to 3 used for explaining the following embodiments are merely schematic representations to the extent that the present invention can be understood, and the dimensions, shapes, and arrangement relationships of each component are not shown in the illustrated examples. It's not something to be driven by.

第1図はこの発明のサーマルへラドの構造を示す要部断
面図であり、第4図と同様、絶縁基板上に多数設けられ
た発熱抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に着目して示し
た断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of the main part showing the structure of the thermal heater of the present invention, and like FIG. FIG.

第1図において、11は絶縁基板を示し、この絶縁基板
11トに、例えば、導電材料を白金(Pt)とし、電気
的絶縁材料を炭化珪素(SiC)として構成した、白金
−炭化珪素(Pt−5iC)抵抗膜からなる発熱抵抗体
31が設けられている。
In FIG. 1, reference numeral 11 indicates an insulating substrate, and the insulating substrate 11 is made of, for example, platinum-silicon carbide (Pt) made of platinum (Pt) as a conductive material and silicon carbide (SiC) as an electrically insulating material. -5iC) A heating resistor 31 made of a resistive film is provided.

又、この発熱抵抗体31上の離間した二つの領域には給
電体15及び17が設けられていて、これら給電体15
及び17の間の発熱抵抗体31の部分(図中、斜線で示
す部分)が発熱部18となる。さらに、給電体15及び
17と発熱部18との丘には耐摩耗膜23が設けられて
いる。
Further, power feeders 15 and 17 are provided in two spaced apart areas on the heating resistor 31, and these power feeders 15
The portion of the heating resistor 31 between and 17 (the shaded portion in the figure) becomes the heating portion 18. Further, a wear-resistant film 23 is provided on the hills between the power feeders 15 and 17 and the heat generating portion 18.

以F、この発明の発熱抵抗体の形成方法につきサーマル
ヘッドの製造に従って説明する。
Hereinafter, the method for forming the heating resistor of the present invention will be explained in accordance with the manufacturing of the thermal head.

先ず、絶縁基板11としてのグレーズドアルミナ基板上
に、高周波スパッタ(RFスパッタ)法により発熱抵抗
体としてのPt−5iC抵抗膜を成膜する。このPt 
−5i C膜の成膜は以下の通りに行った。第2図にモ
面図で示すように、SiCターゲッ)33hに一定形状
の微小なPtの小片35をt近し、SiCとptとを同
時に高周波スパッタする。このPt小片の数を増減する
ことによりSiC中に含有されるptの量を増減して、
PL−3iC膜の抵抗値を制御する。この実施例では、
基板温度を200℃とし、アルゴン(Ar)ガス圧を5
X10  jTorrとし、SiCターゲットhのPt
小片の側面積を除いたptの露出表面積とPt小片を1
!置した部分以外のSiCターゲットの露出面積との比
(表面積比と称する)をl:5として、グレーズドアル
ミナ基板11上に膜厚的350OAのPt−3iC抵抗
膜を成膜した。この成膜条件で得たPt−5iC抵抗膜
の表面抵抗は900Ω/口であった。従って、このPt
−3iC抵抗膜を用いれば1発熱抵抗体31の形状をミ
アンダ型の形状とせずに所望の抵抗値が得られる。この
ためこの発明では、第5図(A)に示すような四角形状
の所定のす法にバターニングして発熱抵抗体31を形成
した。その後、この発熱抵抗体31hに給電体15及び
17を形成し、続いて、耐摩耗膜23として8μmの膜
厚のTa205を形成して、この発明の発熱抵抗体を有
するサーマルヘッドを得た。
First, a Pt-5iC resistance film as a heating resistor is formed on a glazed alumina substrate as an insulating substrate 11 by high frequency sputtering (RF sputtering). This Pt
The -5i C film was formed as follows. As shown in a top view in FIG. 2, a small Pt piece 35 of a certain shape is brought close to the SiC target 33h, and SiC and Pt are simultaneously sputtered with high frequency. By increasing or decreasing the number of these Pt pieces, the amount of PT contained in SiC can be increased or decreased,
Control the resistance value of the PL-3iC film. In this example,
The substrate temperature was 200°C, and the argon (Ar) gas pressure was 5°C.
X10 jTorr, Pt of SiC target h
The exposed surface area of PT excluding the side area of the small piece and the Pt small piece are 1
! A Pt-3iC resistive film having a thickness of 350 OA was formed on the glazed alumina substrate 11 with a ratio of 1:5 to the exposed area of the SiC target other than the exposed area (referred to as surface area ratio). The surface resistance of the Pt-5iC resistive film obtained under these film-forming conditions was 900Ω/hole. Therefore, this Pt
If a -3iC resistive film is used, a desired resistance value can be obtained without making the shape of the single heating resistor 31 into a meandering shape. Therefore, in the present invention, the heating resistor 31 is formed by patterning in a predetermined square shape as shown in FIG. 5(A). Thereafter, the power feeders 15 and 17 were formed on the heating resistor 31h, and then Ta205 with a thickness of 8 μm was formed as the wear-resistant film 23 to obtain a thermal head having the heating resistor of the present invention.

一方、比較サンプルとして、発熱抵抗体の形状及び保護
膜の厚さ等はこの発明の発熱抵抗体を有するサーマルヘ
ッドと同一であるが、発熱抵抗体をTa−5t−N膜で
構成し、その膜厚を320OAとして表面抵抗的IKΩ
10の発熱抵抗体を有するサーマルヘッドを作製した。
On the other hand, as a comparative sample, the shape of the heating resistor and the thickness of the protective film were the same as those of the thermal head having the heating resistor of the present invention, but the heating resistor was constructed of a Ta-5t-N film, and Surface resistance IKΩ with film thickness of 320OA
A thermal head having 10 heating resistors was manufactured.

この二種類のサーマルへラドを用いて寿命試験を行った
。この寿命試験条件はパルス幅を0.8m5ecとし、
繰り返し時間を3ms e cとして、発熱抵抗体に連
続的にパルス印加を行い、発熱抵抗体の抵抗イ1変化を
測定した。この試験結果を、縦軸に発熱抵抗体の抵抗変
化率をとり、横軸にパルス印加数をとり、第3図に示し
た。尚、図中、■で示す特性曲線はこの発明のPt−3
iC発熱抵抗体先有するサーマルヘッドの特性を示し、
■で示す特性曲線はTa−5t−N発熱抵抗体を有する
サーマルヘッドの特性を示す。
A lifespan test was conducted using these two types of thermal spars. The life test conditions are a pulse width of 0.8m5ec,
Pulses were continuously applied to the heating resistor at a repetition time of 3 msec, and changes in resistance I1 of the heating resistor were measured. The test results are shown in FIG. 3, with the rate of change in resistance of the heating resistor plotted on the vertical axis and the number of pulses applied on the horizontal axis. In addition, the characteristic curve indicated by ■ in the figure is the Pt-3 of this invention.
Showing the characteristics of a thermal head with an iC heating resistor tip,
The characteristic curve indicated by (2) shows the characteristics of a thermal head having a Ta-5t-N heating resistor.

第3図からも明らかなように、この発明の発熱抵抗体を
有するサーマルヘッドは、Ta−5t−N発熱抵抗体を
有するサーマルヘッドよりも、連続的なパルス印加に対
する発熱抵抗体の抵抗率変化は極めて少ない、従って、
サーマルへラドの寿命は著しく改善される。この理由は
、Ta−3i−N発熱抵抗体を有するサーマルヘッドで
は、先ず、発熱抵抗体の結晶化により抵抗値は減少し、
続いて、発熱抵抗体の酸化により抵抗値が急激に増加し
たと推定される。一方、この発明のpt−SiC発熱抵
抗体を有するサーマルヘッドでは、ごく部分的なPtの
結晶化のみしか起こらないため、抵抗値は穏やかに減少
すると推定される。
As is clear from FIG. 3, the thermal head having the heating resistor of the present invention has a higher resistance to change in resistivity of the heating resistor with respect to continuous pulse application than the thermal head having the Ta-5t-N heating resistor. There are very few, therefore,
The lifespan of the thermal helmet is significantly improved. The reason for this is that in a thermal head with a Ta-3i-N heating resistor, the resistance value first decreases due to crystallization of the heating resistor.
Subsequently, it is presumed that the resistance value rapidly increased due to oxidation of the heating resistor. On the other hand, in the thermal head having the pt-SiC heating resistor of the present invention, only partial crystallization of Pt occurs, so it is estimated that the resistance value decreases moderately.

F述したPt−SiC発熱抵抗体を作製したと同様に、
導電材料をロジウム(Rh)としたRh−SiC発熱抵
抗体を有するサーマルヘッドを作製して、前述したと同
様な寿命試験を行ったところ、Rh−SiC発熱抵抗体
を有するサーマルヘッドもPt−SiC発熱抵抗体を有
するサーマルヘッドと同様な、良好な耐久特性が得られ
た。
In the same way as the Pt-SiC heating resistor described in F was prepared,
A thermal head having a Rh-SiC heating resistor using rhodium (Rh) as the conductive material was fabricated and a life test similar to that described above was conducted. Good durability characteristics similar to those of a thermal head with a heating resistor were obtained.

尚、この発明の発熱抵抗体を構成する導電材料及び電気
的絶縁材料は、1述した叉施例に限定されるものではな
い、導電材料は白金族元素であるPt、Rh、パラジウ
ム(Pd)、イリジウム(Ir)、オスミウム(O3)
及びルテニウム(Ru)から選ばれた一種又は二以上り
の元素でも良く、さらに、白金族元素から選ばれた一種
又は二種以上の元素を主成分とした、白金族以外の物質
を含む導電材料でも良い、又、電気的絶縁材料はSiC
をL成分とした電気的絶縁材料でも良い。
The conductive material and the electrically insulating material constituting the heating resistor of the present invention are not limited to the above-mentioned examples. , iridium (Ir), osmium (O3)
A conductive material containing a substance other than the platinum group, which may be one or more elements selected from ruthenium (Ru) and ruthenium (Ru), and further contains one or more elements selected from the platinum group elements as a main component. Also, the electrically insulating material is SiC.
An electrically insulating material having L component may also be used.

又、発熱抵抗体に含有させるPt等の金属元素の含有率
を、3〜40%(虫酸%)とした理由は、発熱抵抗体と
して用いるに実用的な10”〜10/gΩ・cmの範囲
の比抵抗を有する抵抗体薄膜を得るためである。
Also, the reason why the content of metal elements such as Pt to be included in the heating resistor is set to 3 to 40% (insect acid%) is that it is in the practical range of 10" to 10/gΩ・cm for use as a heating resistor. This is to obtain a resistor thin film having a specific resistance of .

又、τ施例では、SiCターゲットLにPt又はRhの
小片を戴置し、これら金属とSiCとを同時にスパッタ
して各発熱抵抗体を形成したが。
Further, in the τ embodiment, a small piece of Pt or Rh was placed on the SiC target L, and these metals and SiC were sputtered simultaneously to form each heating resistor.

理想的には、金属及びSiCを各々粉末とし、それらを
混合した後、ホットプレスで焼結させて得た専用のター
ゲットを用いると良い。
Ideally, it is preferable to use a special target obtained by powdering metal and SiC, mixing them, and then sintering them using a hot press.

又、i4M抵抗体の形成は高周波スパッタ法以外に、N
fビーム蒸着法により行える。
In addition to the high frequency sputtering method, the i4M resistor can be formed using N
This can be done by f-beam evaporation method.

以Eに、この発明の発熱抵抗体をサーマルへットに用い
た例により、この発明の説明を行ったが、この発明の発
熱抵抗体は他の電気部品例えば、発熱部品1に用いても
好適である。
Hereinafter, the present invention has been explained using an example in which the heat generating resistor of the present invention is used in a thermal head, but the heat generating resistor of the present invention may also be used in other electrical components such as heat generating component 1. suitable.

(発明の効果) ト述した説明からも明らかなように、この発明によれば
、発熱抵抗体を、白金族元素から選ばれた−・種又は二
種以上の元素を含む導電材料と、炭化珪素を含む電気的
絶縁材料とを以って構成しである。従って、白金族元素
及び炭化珪素共に化学的に安定であるから耐酸化性の優
れた発熱抵抗体が得られる。このため、例えばサーマル
ヘッドにこの発明の発熱抵抗体を用いた場合は、従来の
ように発熱抵抗体りに耐酸化膜及び耐摩耗膜の二層の保
護膜を設けずに、耐摩耗膜のみを設ければ良い、従って
、熱応答に優れたサーマルヘッドが得られる。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the present invention, a heating resistor is made of a conductive material containing one or more elements selected from platinum group elements and a carbonized The structure is made of an electrically insulating material containing silicon. Therefore, since both the platinum group element and silicon carbide are chemically stable, a heating resistor with excellent oxidation resistance can be obtained. For this reason, when the heating resistor of the present invention is used in a thermal head, for example, instead of providing a two-layer protective film of an oxidation-resistant film and an abrasion-resistant film on the heat-generating resistor as in the conventional case, only the wear-resistant film is used. Therefore, a thermal head with excellent thermal response can be obtained.

さらに、導電材料及び電気的絶縁材料共に酸素元素を含
まない材料が選択出来る。従って、発熱抵抗体内部での
酸素の授受が起こらないから、より耐酸化性に優れた発
熱抵抗体の実現が期待出来る。
Furthermore, materials that do not contain oxygen element can be selected for both the conductive material and the electrically insulating material. Therefore, since no exchange of oxygen occurs inside the heating resistor, it is expected that a heating resistor with better oxidation resistance will be realized.

又、発熱抵抗体に含有させる導電材料の含有率により所
望とする比抵抗を有する発熱抵抗体用の薄膜抵抗が得ら
れる。
Further, a thin film resistor for the heating resistor having a desired specific resistance can be obtained by adjusting the content of the conductive material contained in the heating resistor.

さらに、炭化珪素は、CF1′vのカスを用いたドライ
エツチングにより容易に加りが行える。従って、例えば
四角形状で、かつ、小型の発熱抵抗体を容易に得ること
が出来るから、例えば、耐久性に慎れ、かつ、高精細化
の可能なサーマルヘッドが得られる。
Furthermore, silicon carbide can be easily added by dry etching using CF1'v residue. Therefore, it is possible to easily obtain a small heating resistor having a rectangular shape, for example, so that a thermal head with low durability and high definition can be obtained.

これがため、耐熱性及び#酸化性に優れ、比抵抗イ1が
大きく、かつ、製造方法の容易な発熱抵抗体を提供する
ことが出来る。
Therefore, it is possible to provide a heating resistor that has excellent heat resistance and oxidation resistance, has a large specific resistance I1, and is easy to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド
の要部をしめず断面図、 第2図はこの発明の発熱抵抗体を製造するための説明図
、 第3図は従来及びこの発明の発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドの寿命試験結果を示す特性曲線図、 第4図は従来の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッドの要
部断面図、 第5図は従来及びこの発明の説明に供する線図である。 II・・・絶縁基板、     15.17・・・給電
体13・・・発熱部、     23・・・耐摩耗膜3
1・・・発熱抵抗体、   33・・・電気的絶縁材料
35・・・導電材料。 特許出願人    沖電気工業株式会社q /f 緒縛慕租   23耐厚托膿 15.17’?’4i4+    3f: 登ナーヘー
右さくJう144(1(/  発熱部 この是6月の発熱者\使イ杢8団い「こサーマルへ・・
ドの断面圓第1図 二の発日月f)疲茫B月bO 第2図 寸−マルヘッドのh@;gK、験IPI佐胆第3図 従来のq!貧1き抗イ本を用11T;グーマルヘー・ド
のCIが幻第4図
Fig. 1 is a cross-sectional view of a thermal head using the heat generating resistor of the present invention without showing the main parts, Fig. 2 is an explanatory diagram for manufacturing the heat generating resistor of the present invention, and Fig. 3 is a conventional and this invention. A characteristic curve diagram showing the life test results of a thermal head using a conventional heating resistor; Fig. 4 is a sectional view of a main part of a thermal head using a conventional heating resistor; Fig. 5 is a description of the conventional and present invention. FIG. II... Insulating substrate, 15.17... Power feeder 13... Heat generating part, 23... Wear-resistant film 3
1... Heat generating resistor, 33... Electrical insulating material 35... Conductive material. Patent applicant: Oki Electric Industry Co., Ltd. q/f Obaku Mouse 23 Resistance Thickness 15.17'? '4i4+ 3f: Climb to the right side J 144 (1 (/ Fever section This is June's fever \ envoy heather 8 group ``This thermal...
Cross-section circle of D Fig. 1 Date and month f) Exhaustion B Month bO Fig. 2 Dimensions - Mar head h@;gK, Experimental IPI Sword Fig. 3 Conventional q! 11T using the book against poverty 1; Gumarhe Do's CI is an illusion Figure 4

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)白金族元素から選ばれた一種又は二種以上の元素
を含む導電材料と、炭化珪素を含む電気的絶縁材料とを
以って構成したことを特徴とする発熱抵抗体。
(1) A heating resistor characterized in that it is constructed of a conductive material containing one or more elements selected from platinum group elements and an electrically insulating material containing silicon carbide.
(2)導電材料を3〜40重量%含ませたことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の発熱抵抗体。
(2) The heating resistor according to claim 1, which contains 3 to 40% by weight of a conductive material.
JP60182554A 1985-08-20 1985-08-20 Heating resistor Pending JPS6243101A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007332927A (en) * 2006-06-19 2007-12-27 Kiyoshi Ogawa Power plant and power generating device using the power plant

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