JPS6240800B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6240800B2
JPS6240800B2 JP51106691A JP10669176A JPS6240800B2 JP S6240800 B2 JPS6240800 B2 JP S6240800B2 JP 51106691 A JP51106691 A JP 51106691A JP 10669176 A JP10669176 A JP 10669176A JP S6240800 B2 JPS6240800 B2 JP S6240800B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pins
memory
address
shared
output
Prior art date
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Expired
Application number
JP51106691A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5332634A (en
Inventor
Kyoo Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10669176A priority Critical patent/JPS5332634A/ja
Publication of JPS5332634A publication Critical patent/JPS5332634A/ja
Publication of JPS6240800B2 publication Critical patent/JPS6240800B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/066Means for reducing external access-lines for a semiconductor memory clip, e.g. by multiplexing at least address and data signals

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はデータ入出力ピンを他の機能をもつピ
ンと共用して、メモリLSIの所要ピン数を減らす
ためのものである。
従来は第1図のように、アドレスA0〜A7ピン
とデータ入出力Di,D0ピンが分離していた。し
かしメモリが大容量になるにつれて、チツプを複
数個に分割してサブチツプにして、これらサブチ
ツプのそれぞれにDi,D0ピンを設けて、D0,Di
を並列処理して、1個のLSIとしてみた場合のテ
スト時間を短縮する必要がある。しかしこのまま
ではD0,Diピンが増大して、LSIを収容するパツ
ケージの所要ピン数も増大し、その結果パツケー
ジの寸法が大になり、ユーザにおける実装密度が
急激に減少するという欠点があつた。
本発明とは全く異なるが、一種の共用という概
念を用いた例として、特開昭48−35736号公報が
ある。当該公報の第354頁に記載の特許請求の範
囲第13項や、Fig.32aに、共通母線に、低位
アドレス、WRITデータ等のデータを順次伝送す
る技術が開示されている。しかしながら当該技術
は、各チツプ間の共通配線であり、共用すること
が当然であり本発明の如く、チツプ内部の端子の
共用という点では、全く関係しない技術である。
又、当然のことながら、テスト時と実使用時とい
う概念も全くないものである。本発明はこのよう
な欠点を除くためのものである。以下実施例で詳
細に説明する。
通常アドレス信号は、そのLSIに外部からクロ
ツク信号を入力して、そのLSIが選択されてか
ら、ある短時間(いわゆるアドレスホールドタイ
ムTAH)しか必要でない。また通常Di,D0の信
号が有効な期間はTAH以降である。したがつてア
ドレスピンと、D0,Diピンを共用して、時間的
にそのピンの役割を変えればよい。第2図はその
ための実施例で、D0,DiをそれぞれA0〜A1で共
用し、一種のクロツク信号φ,φ,φでゲ
ートQ0,Q1を制御した例である。
アドレス信号が有効な期間では、φのみイオン
にし、D0が有効な期間ではφのみオンにし、
またDiが有効な期間ではφのみをオンにすれ
ばよい。通常D1とD0は同時に有効である必要は
ないから、第3図のように、クロツク信号φ
φ,φでゲートQ2,Q3,Q4を制御すること
によりA0,D0,Diで1本のピンを共用すること
もできる。なおφ〜φは外部から印加しなく
てもチツプCHIP内部で発生した信号でもよい。
第4図は1個のLSIから、差動の信号出力D0
が出る場合の実施例である。1個のピンを
D0とA1とで、とA0とで共用すればよい。
第5は、メモリLSIをテストする際にのみ、外
部電源電圧Vcc(通常使用時には5V)を0Vにし
て、アドレスA0と、テスト時にのみ有効なデー
タ出力D′0を共通にできるようにした例である。
ここでDBは周知のプツシユプル型TTLレベル
のD0バツフア回路で、実使用時には常にQ9,Q10
のいずれかがオンになる動作をする。ADSはこ
れまで説明してきたように、MAからデータ出力
D′0とアドレス信号を切り換える回路である。通
常の実使用時にはVcc=5Vであるから、φがオ
ンとなつてもQ11のゲートは低電圧(N−MOSの
例)であるためにQ11はオフとなる。(ここで
は、負論理を採用しており、NANDへの入力が論
理“1”,“1”のときのみ出力が“0”したがつ
て、電位としては、“L”,“L”の入力のときの
み“H”となり、Q11のゲートは、φ,Vccの
電位が低いときにオンとなる。)したがつてADS
は常にA0用の単なる論理ゲートとして働くだけ
である。一方MAからのD′0はDBによつて、正常
なTTLレベルのD0となつて外部に出力する。ま
たメモリ(CHIP)が良品かどうかをテストする
場合にはVccを0にし、D0は無効端子とし、その
代わりにADS内のQ11はφを負論理の“1”に
することによつて導通するから、ADSはMAから
の出力D′0とMAに入力するアドレスA0を、切り
換える働きをする。
この実施例の考え方は、たとえば第6図のよう
に、チツプ内を4個のサブメモリアレーMA0
MA3に分けて、各メモリアレーMA0〜MA3から
の出力D′p0〜D′p3を並列処理して、テスト時間を
短縮する場合に有効である。すなわち、通常使用
する場合には、4個の出力D′0〜D′3の中で、2個
のアドレス信号を用いたデコード機能をもつDS
で選択された1個のデータ出力D0を利用する。
一方LSIをテストする場合にはVccを0Vにして、
アドレスピンと共用した4個のデータ出力D′0
D′3を利用する。
尚、本来のメモリへの供給源となる電源電圧
Vccは、第1図〜第4図と同様に省略されてい
る。
以上からデータ入出力信号と、アドレスピンを
共用することによつて所要ピン数が減少でき、
LSIパツケージの所要ピン数も減少する結果、ユ
ーザにおける実装密度が向上することは自明であ
る。なお、データ信号をアドレス信号以外の他信
号とで共用できることも自明である。また第4,
5,6図ではアドレス信号とD0のみを共用した
が、第3図からも明らかなように、アドレス信号
とDi、あるいはアドレス信号とDiとD0を共用で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例、第2〜第6図はデータ入出力
を他の機能のピンと共用した本発明の実施例。 CHIP;チツプ、SA;センスアンプ、MA,
MA0〜MA3;メモリアレー、V;電源電圧、
DS;サブアレーからのデータ出力D00〜D03の中
から1個のデータだけを、アドレス信号を用いて
選択的に出力する回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも2つに分割されたメモリアレー
    と、上記分割されたメモリアレーからの複数の出
    力データをアドレス信号により選択する手段とを
    少なくとも有するメモリにおいて、 当該メモリの実使用時とテスト時とを切換える
    手段と、 上記分割されたメモリアレー夫々からの出力デ
    ータを出力する手段とを有し、上記出力する手段
    は上記切換手段によつて制御されることを特徴と
    するメモリ。
JP10669176A 1976-09-08 1976-09-08 Memory Granted JPS5332634A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10669176A JPS5332634A (en) 1976-09-08 1976-09-08 Memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10669176A JPS5332634A (en) 1976-09-08 1976-09-08 Memory

Related Child Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60164120A Division JPS6150281A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリ
JP60164123A Division JPS6150299A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリ
JP60164122A Division JPS6150298A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリ及びその使用方法
JP60164119A Division JPS6150280A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリ
JP60164121A Division JPS6150297A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリの使用方法
JP60164124A Division JPS6150300A (ja) 1985-07-26 1985-07-26 メモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5332634A JPS5332634A (en) 1978-03-28
JPS6240800B2 true JPS6240800B2 (ja) 1987-08-31

Family

ID=14440054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10669176A Granted JPS5332634A (en) 1976-09-08 1976-09-08 Memory

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Country Link
JP (1) JPS5332634A (ja)

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JPS55138328U (ja) * 1979-03-22 1980-10-02
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JPS51147924A (en) * 1975-06-13 1976-12-18 Fujitsu Ltd Memory unit

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JPS5332634A (en) 1978-03-28

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