JPS6238772A - ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ - Google Patents

ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ

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Publication number
JPS6238772A
JPS6238772A JP60176879A JP17687985A JPS6238772A JP S6238772 A JPS6238772 A JP S6238772A JP 60176879 A JP60176879 A JP 60176879A JP 17687985 A JP17687985 A JP 17687985A JP S6238772 A JPS6238772 A JP S6238772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic body
weight
nozzle
welding torch
arc welding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60176879A
Other languages
English (en)
Inventor
Eihachirou Matsunaga
松永 栄八郎
Seishi Furushima
清史 古島
Shinichi Ueno
植野 伸一
Kazuyoshi Harafuji
原藤 和敬
Tomohito Inoue
井上 倫人
Michio Kitsuta
橘田 道雄
Noriaki Nakada
中田 徳明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd, Nissan Motor Co Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP60176879A priority Critical patent/JPS6238772A/ja
Publication of JPS6238772A publication Critical patent/JPS6238772A/ja
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  • Arc Welding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1゜ 産業上の利用分野                 
 1・本発明は、002等のガスによりシールドする 
    i□アーク溶接用トーチに関し、特に改善され
たノズルを有するガスシールドアーク溶接用トーチに関
     □するものである。
従来の技術 第3図に示すように、ガスシールドアーク溶接用トーチ
はコンタクトチップ1と円筒状のノズル2とを有する。
コンタクトチップ1は円筒状のガスディフューザ3に螺
合されており、ガスデイフ・ユーザ3は支持部材4の内
面に螺合されている。     、・一方、ノズル2は
支持部材4の外側に螺合されており、コンタクトチップ
1との間に間隙5を形成ゾる。コンタクトチップ1の中
心部には、軸方向の穴6が貫通しており、溶接用ワイヤ
7はガスディフューザ3の中空部及びコンタクトデツプ
1の穴6を貫通してトーチの先端から突出する。また、
ガスディフューザ3には複数の小孔38が形成されてお
り、ガス供給装置く図示せず)から供給されたC O2
等のガスは、ガスディフューザ3の中空部、小孔3a、
間隙5を通過してトーチの先端から矢印Aの方向に噴出
する。コンタクトチップ1にはガスディフューザ3を介
して200〜300Aの電流が供給され、溶接用ワイヤ
7に通電されている。そして、溶接ワイヤ7の先G7a
は被溶接部材8に近接しているのでアークが発生し、溶
接が行われる。
発明が解決しようと覆る問題点 上述のような使用状況において、ノズル2と被溶接部材
8が近接しているため、スパッタと称する小さな溶融金
属粒の飛まつがノズル先端部2aやコンタクトチップ先
端部6bに付着する。そしてこれが次第に堆積するとコ
ンタクトチップ1とノズルの間隙5の断面積が小さくな
りCO2ガスの流れを阻害する。その結果、シール効果
が不十分となり、溶着金属の中に空気が入り、ブローホ
ール等の溶接欠陥につながる。また、絶縁されているべ
きコンタクトデツプ1とノズル2がスパッタ付着によっ
て短絡し、溶接作業ができなくなることもある。
これらの現象は、ある使用時間の経過の後に発生するも
のであるが、トラブル発生の前に比較的短時間内で溶接
作業を中断し、スパッタ除去作業もしくは、トーチ取替
作業を余儀なくされているのが現状である。
このような問題は、完全自動化によって稼働率を上げよ
うとする生産ラインにおいては障害となっており、解決
すべき大きな問題である。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、常温お
よび高温を通じて、耐スパッタ付着性(スパッタの剥離
性)に優れたセラミック体、すなわち溶融した溶接ワイ
ヤ材に対する濡れ性が劣る窒化硅素系のセラミック体を
ノズルの先端部に種々の方法によって装着することによ
り、ノズル先端部へのスパッタの付着を抑制することが
できることを発見し、本発明を完成した。
実施例 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお
、実施例の図面において、第3図のものと対応する各部
には、第3図と同一の番号で示しである。
第1図の実施例は、ノズル2の先端部分にセラミック体
9を装着したもので、セラミック体9とノズル2の両方
に円筒状のはめあい部10を設け、上記はめあい部10
を耐熱用接着剤、拡散接合等により接合する。また、は
めあい部10は、外部から中心に向って止めねじにより
締結してもよい。
また、使用中の温度上昇によるはめあい部10のゆるみ
を考慮した締め代を設定し、焼ばめもしくは常温での圧
入等の手段によって装着してもよい。
セラミック体9には前述の耐スパッタ付着性の理由によ
り窒化硅素系のセラミックを用いる。すなわち、α相を
65重1%以上含むSi 3 N470重量%以上と、
周期律表ma俗元素の参加物のなかの1種以上20重量
%以下と、A120320重伍%以下と1A1固溶体<
AIN  Si 3N4・AJ2203系)もしくはA
lN  15重重伍以下とからなる混合物を焼結して得
られるセラミックを用いる。なお、AINは固溶体とし
て添加するほかに、AIN単体として添加してもほぼ同
等の作用効果が得られる。この組成において、Si 3
N4は主組成であるが、α相を65@f%以上含んでい
ないと焼結性が悪くなって結果的にこのセラミックが必
要とする諸特性(強度等)が得られなくなる。好ましい
α相の蚤としては80重世%以上である。そして、SL
 3 N4は少なくとも70重量%以上含まないと、常
温及び高温を通じての耐摩耗性と強度並びに耐熱性に優
れているこのセラミックの特徴が得られなくなる。好ま
・しい5t3N4の組成比は他の組成の最とも関連する
が80〜95重量%である。[[a族元素の酸化物は、
セラミックの焼結性を向上させるために添加するが、2
0重量%を越えると耐熱性が低下する。その好ましい組
成比は、例えばY2O3を用いた場合は2〜10重量%
である。A1203はこのセラミックを構成する他の組
成であると共に焼結性を向上させる助剤として作用する
ものである。しかし、20重量%を超えると強度が低下
する。その好ましい組成比は、2〜10重量%である。
AINはさらに強度を向上させるために最高15mm%
までを添加するが、好ましい組成比は1〜14重量%で
ある。
また、セラミック体9としては別の窒化硅素系のセラミ
ックを用いることもできる。すなわち、α相を651昂
%以上を含むSi 3N4 70重量%以上と、周期律
表IIIa族元素の酸化物の中の1種以上20重伝%以
下と、A1120320重量%以下とからなる混合物を
焼結して得られるセラミックを用いる。このセラミック
は上述のセラミックに比べてAuNが添加されていない
のでやや強度が劣るが、このセラミックも本用途に対し
ては十分耐用できるものである。
さらに、はめあい部10をテーパー状にして締結した実
施例を第2図に示すが、この実施例のセラミック体も、
第1図の実施例で述べたものと同じセラミックを用いる
。また、セラミック体9は、スパッタの剥離を良くする
ため、少くともその内面および先端面の表面粗さがRm
ax 6.38以下に研摩されたものである。
発明の効果 以上述べた通り、本発明のガスシールドアーク溶接用ト
ーチは先端にスパッタの剥離性に優れたセラミック体を
装着したノズルを有し、さらに、セラミック体の表面粗
さがRmax6.3S以下に研摩されているので、スパ
ッタの付着が軽微で、たとえ堆積しても容易に剥離する
ため、ノズルの連続使用時間は従来品(第3図)の10
倍以上であった。これにより、自動溶接ラインの稼働率
の向上が達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるセラミック体を装着したノズル
の断面図、第2図は、他の実施例によるノズルの断面図
、第3図は、従来のガスシールドアーク溶接用トτチの
断面図である。 1・・・コンタクトチップ、2・・・ノズル、3・・・
ガスディフューザ、7・・・溶接用ワイヤ、8・・・被
溶接部材、9・・・セラミック体。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガスシールドアーク溶接用トーチのノズルの先端
    部分に耐スパッタ付着性の優れたセラミック体を装着し
    たことを特徴とするガスシールドアーク溶接用トーチ。
  2. (2)前記セラミック体はα相を65重量%以上含むS
    i_3N_470重量%以上と、周期律表IIIa族元素
    の酸化物のなかの1種以上20重量%以下と、Al_2
    O_320重量%以下と、AlN固溶体(AlN−Si
    _3N_4・Al_2O_3系)もしくはAlN15重
    量%以下とからなる混合物を焼結したものであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガスシールドア
    ーク溶接用トーチ。
  3. (3)前記セラミック体はα相を65重量%以上含むS
    i_3N_470重量%以上と、周期律表IIIa族元素
    の酸化物のなかの1種以上20重量%以下と、Al_2
    O_320重量%以下とからなる混合物を焼結したもの
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガ
    スシールドアーク溶接用トーチ。
  4. (4)前記セラミック体は少くとも内面および先端面の
    表面粗さがRmax6.3S以下に研摩されてなる特許
    請求の範囲第1項〜第3項記載のガスシールドアーク溶
    接用トーチ。
JP60176879A 1985-08-13 1985-08-13 ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ Pending JPS6238772A (ja)

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