JPS6237389A - Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 - Google Patents
Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法Info
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- JPS6237389A JPS6237389A JP17731585A JP17731585A JPS6237389A JP S6237389 A JPS6237389 A JP S6237389A JP 17731585 A JP17731585 A JP 17731585A JP 17731585 A JP17731585 A JP 17731585A JP S6237389 A JPS6237389 A JP S6237389A
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- amorphous
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、パルス電解を、用いて高速でＣｒ系超高耐食
性非晶質合金箔を電鋳する方法に関するＯ （従来の技術） 従来、Ｃｒ系超高耐食性非晶質合金箔は、（１）急冷法
、（２）直流極低電流密度電着法等により行なわ扛てか
几。
性非晶質合金箔を電鋳する方法に関するＯ （従来の技術） 従来、Ｃｒ系超高耐食性非晶質合金箔は、（１）急冷法
、（２）直流極低電流密度電着法等により行なわ扛てか
几。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、急冷法による場合には、単ロール法によ
りある程度の広巾非晶質箔の製造が可能であるが、その
場合にも巾１ｏｃｒｌＬ程度が限界である０また、その
厚みも、アモルファス形′成能力にもよるが、１００μ
ｍが限界である〇一方、直流極低電流密度電着法による
場合には、成膜速度が＜０．０１〜０．１μ／ｈｒと遅
いのが問題である。
りある程度の広巾非晶質箔の製造が可能であるが、その
場合にも巾１ｏｃｒｌＬ程度が限界である０また、その
厚みも、アモルファス形′成能力にもよるが、１００μ
ｍが限界である〇一方、直流極低電流密度電着法による
場合には、成膜速度が＜０．０１〜０．１μ／ｈｒと遅
いのが問題である。
（問題点を解決する友めの手段）
上記問題点を解決するために、本発明は、三価クロム塩
およびリン酸塩化合物を主組成塩とする水溶液系浴を用
いて、０．０１〜１００ｍ５のオンタイム−オフタイム
時間を有するパルス電流をｌ ＜ ｉｐ＜ ３０ （Ａ
／ｄｍ’）の電流密度で印加し、剥離し易い材料又は酸
に溶け易い材料から放る基板上にＣｒ系非晶質合金を析
出せしめ、ついで基板より剥離又は基板溶解することを
特徴とするものである。
およびリン酸塩化合物を主組成塩とする水溶液系浴を用
いて、０．０１〜１００ｍ５のオンタイム−オフタイム
時間を有するパルス電流をｌ ＜ ｉｐ＜ ３０ （Ａ
／ｄｍ’）の電流密度で印加し、剥離し易い材料又は酸
に溶け易い材料から放る基板上にＣｒ系非晶質合金を析
出せしめ、ついで基板より剥離又は基板溶解することを
特徴とするものである。
本発明に使用さ几る水溶液系浴には、主組成塩として、
上記の三価クロム塩およびリンの酸素酸又は酸素酸塩に
さらに鉄族塩および／または高融点金属塩を加えたもの
を用いることもできる。
上記の三価クロム塩およびリンの酸素酸又は酸素酸塩に
さらに鉄族塩および／または高融点金属塩を加えたもの
を用いることもできる。
本発明に使用さｎる三価クロム塩としては、たとえばＣ
ｒＣｌ３ｇ ・６ＨｚＯ，Ｃｒｔ（ＳＯ４）３”６Ｈｚ
Ｏ等を挙げることができる。
ｒＣｌ３ｇ ・６ＨｚＯ，Ｃｒｔ（ＳＯ４）３”６Ｈｚ
Ｏ等を挙げることができる。
また、リン酸塩化合物としては、リン酸亜リン酸、次亜
リン酸、次亜リン酸ナトリウム等を使用することができ
る。
リン酸、次亜リン酸ナトリウム等を使用することができ
る。
鉄族塩としては、たとえば、ＦｅＳＯ４・６Ｈ２０゜Ｆ
ｅＣ１！２・６Ｈｚ Ｏ等が使用さルる〇高融点金属塩
としては、たとえば、Ｎａ２Ｍｎ０４・２Ｈ２０、Ｎａ
２ ＷＯ４・２Ｈｚ Ｏ等が使用さｎる〇本発明におい
て、こｎらの鉄族塩および／または高融点金属塩が好適
に使用さｎる理由は、析出さｎるＣ ｒ−Ｐ 、 Ｆｅ
−Ｃｒ−Ｐ ＋ Ｎｉ −Ｃｒ−Ｐ 。
ｅＣ１！２・６Ｈｚ Ｏ等が使用さルる〇高融点金属塩
としては、たとえば、Ｎａ２Ｍｎ０４・２Ｈ２０、Ｎａ
２ ＷＯ４・２Ｈｚ Ｏ等が使用さｎる〇本発明におい
て、こｎらの鉄族塩および／または高融点金属塩が好適
に使用さｎる理由は、析出さｎるＣ ｒ−Ｐ 、 Ｆｅ
−Ｃｒ−Ｐ ＋ Ｎｉ −Ｃｒ−Ｐ 。
Ｃｏ −Ｃｒ−Ｐ等の合金は、被膜中に５上以上のＰが
共析すると自己不働態化を生じ、活性溶解は見らｎず、
きわめて高い耐食性を示すからであるＯ 本発明において、パルス周期を１００ ｍｓ以下とした
のは、ｌｏｏｍｓを超えるパルス周期では濃度境界層の
回復効果が不完全なため、リンが被膜中に析出せず通常
の、結晶質Ｃｒメ、キと同様になるからである。また、
パルス周期が０．０１ｍ５未満の場合には、電気二重層
と電極間との容量効果のため、適正なパルス波形を印加
することが事実上不可能となる。
共析すると自己不働態化を生じ、活性溶解は見らｎず、
きわめて高い耐食性を示すからであるＯ 本発明において、パルス周期を１００ ｍｓ以下とした
のは、ｌｏｏｍｓを超えるパルス周期では濃度境界層の
回復効果が不完全なため、リンが被膜中に析出せず通常
の、結晶質Ｃｒメ、キと同様になるからである。また、
パルス周期が０．０１ｍ５未満の場合には、電気二重層
と電極間との容量効果のため、適正なパルス波形を印加
することが事実上不可能となる。
電流密度については、直流低電流密度（１ｐ）５ Ａ
／ ｄ ｍ ）ではリンは入り易いが、高速析出を達成
することはできない。パルス電流印加時、デー−ティ比
Ｔ ｏｎ／ Ｔ ｏｎ＋Ｔ ｏｆｆ （第２図）にも依
存するが、１ ＜ ｉｐ＜ ３００ （Ａ／ ｄ ｍ
）の電流密度の範囲でリンが析出し、非晶質状態となる
Ｏｌｐが高い程高速析出するが、３００ Ａ／ｄｙＦｌ
″以上では、リンの析出が抑えらｎ、非晶質構造が得ら
ｎない。
／ ｄ ｍ ）ではリンは入り易いが、高速析出を達成
することはできない。パルス電流印加時、デー−ティ比
Ｔ ｏｎ／ Ｔ ｏｎ＋Ｔ ｏｆｆ （第２図）にも依
存するが、１ ＜ ｉｐ＜ ３００ （Ａ／ ｄ ｍ
）の電流密度の範囲でリンが析出し、非晶質状態となる
Ｏｌｐが高い程高速析出するが、３００ Ａ／ｄｙＦｌ
″以上では、リンの析出が抑えらｎ、非晶質構造が得ら
ｎない。
本発明に使用さｎる基板としては、ステンレス、チタン
等の不働態化し易いものが使用さｎる０基板表面を平板
状、あるいは凹凸状等とすることにより、そｎに対応し
た平板状、凹凸状等の形状を有するＣｒ系非晶質合金箔
を得ることができる。合金箔の膜厚は電鋳時間等を選ぶ
ことにより自由に制御することができる。また、任意面
積のものを得ることができる。
等の不働態化し易いものが使用さｎる０基板表面を平板
状、あるいは凹凸状等とすることにより、そｎに対応し
た平板状、凹凸状等の形状を有するＣｒ系非晶質合金箔
を得ることができる。合金箔の膜厚は電鋳時間等を選ぶ
ことにより自由に制御することができる。また、任意面
積のものを得ることができる。
導電性有機樹脂あるいは有機樹脂に導電性コーティング
した材料あるいは酸に溶け易い金属材料を用い、基板を
有機溶剤又は酸で溶解する事により、上記と同様の任意
形状、面積の箔帯が得らｎる０又、発泡スチロール等の
中間空隙をを有する基材を溶解する事により、ポーラ
スな性状を有する金属材料を得る事ができる〇上記のよ
うな条件により、第１図に概念的に示す装置を用いて、
通常の電解法により基板上にＣｒ系非晶質合金（Ｃｒ−
Ｐ、 Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ、 Ｎｉ −Ｃｒ−Ｐ、 Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐ等）が析出せしめらｎる。
した材料あるいは酸に溶け易い金属材料を用い、基板を
有機溶剤又は酸で溶解する事により、上記と同様の任意
形状、面積の箔帯が得らｎる０又、発泡スチロール等の
中間空隙をを有する基材を溶解する事により、ポーラ
スな性状を有する金属材料を得る事ができる〇上記のよ
うな条件により、第１図に概念的に示す装置を用いて、
通常の電解法により基板上にＣｒ系非晶質合金（Ｃｒ−
Ｐ、 Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ、 Ｎｉ −Ｃｒ−Ｐ、 Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐ等）が析出せしめらｎる。
膜３で仕切らｎた一方の室内に白金からなる陽極４が、
他方の室内には基板５が陰極として浸漬さｎる。６はパ
ルス発生器であり、７は電極への印加電流波形を見るた
めのオシロスコープである○ 基板５上に析出したＣｒ系非晶質合金被膜を基板５から
剥離することにより、所望表面形状を有し、所望膜厚お
よび面積のＣｒ系非晶質合金箔を得ることができる。
他方の室内には基板５が陰極として浸漬さｎる。６はパ
ルス発生器であり、７は電極への印加電流波形を見るた
めのオシロスコープである○ 基板５上に析出したＣｒ系非晶質合金被膜を基板５から
剥離することにより、所望表面形状を有し、所望膜厚お
よび面積のＣｒ系非晶質合金箔を得ることができる。
基板５からの剥離を容易にするために、基板５上に剥離
層を設ける等、上記条件のほかは、通常の電鋳技術に従
うことができる。
層を設ける等、上記条件のほかは、通常の電鋳技術に従
うことができる。
電鋳装置の例を第３図および第４図に示す。
第３図に示す装置は、電鋳鋼箔な製造するのに使用する
装置と同様のもので、１〜２ｍ巾のＣｒ系非晶質合金箔
を製造することができる。
装置と同様のもので、１〜２ｍ巾のＣｒ系非晶質合金箔
を製造することができる。
８は基板５から剥離さｎて引き出さｎるＣｒ系非晶質合
金箔に付着している電解液を洗滌するための水洗スプレ
、９は水洗タンク、１０はドライヤである〇 第３図に示す装置は、凹凸のある箔を得るために単板の
凹凸形状を有する陰極６を用い、バッチ方式によシ箔を
製造するものである。
金箔に付着している電解液を洗滌するための水洗スプレ
、９は水洗タンク、１０はドライヤである〇 第３図に示す装置は、凹凸のある箔を得るために単板の
凹凸形状を有する陰極６を用い、バッチ方式によシ箔を
製造するものである。
発泡スチロール上に無電解Ｎｉを付着し、導電性を与え
た基板を用いた例を図９に示す。陽極配置により問題は
あるが、図９の様に配置する事により、ポーラスな金属
材料が得らｎる〇（作用） 本発明では、三価クロム塩およびリンの酸素酸又は酸素
酸塩を主組成塩とする電解液を用い、０．０１〜０．１
ｍｓのパルス周期で高パルス電流を印加する方法によ
り電鋳を行なっているので、所望形状、任意面積、任意
膜厚のＣｒ系超高耐食性非晶質合金箔を高速で形成する
ことができるＯ （実施例） 第１図に示す装置を用い、第１表に示す基本浴組成の電
解浴を使用して電解コーティングを行なった。三価クロ
ムの酸化を防ぐため電解セルは密閉容器とし、窒素ガス
でパージを行なった。対極には、陽極からの不純物イオ
ン溶出を防ぐ几め白金板を使用し７’ｉＣｏ基板には、
５ｄの冷間圧延炭素鋼を使用した０ 第 １ 表 Ａ、Ｂ両塔に種々のリン酸塩化合物を添加し、電流設定
条件を変化させて行なった実験結果を第２表に示す。リ
ンがＣｒ−Ｐの状態図上の共晶組成（８，５４）近傍ま
で共析すると、そのＸ線回析はブロードニングを起し、
非晶質状態にあると判定出来る。又ｉｐを変化させた実
験より、同一パルス周期では、ｉｐが大きい程ＰＯ共析
量は減少するが（第５図）、Ｔ ｏｆｆを長くとる事に
よりｉｐを大きくする事ができる。
た基板を用いた例を図９に示す。陽極配置により問題は
あるが、図９の様に配置する事により、ポーラスな金属
材料が得らｎる〇（作用） 本発明では、三価クロム塩およびリンの酸素酸又は酸素
酸塩を主組成塩とする電解液を用い、０．０１〜０．１
ｍｓのパルス周期で高パルス電流を印加する方法によ
り電鋳を行なっているので、所望形状、任意面積、任意
膜厚のＣｒ系超高耐食性非晶質合金箔を高速で形成する
ことができるＯ （実施例） 第１図に示す装置を用い、第１表に示す基本浴組成の電
解浴を使用して電解コーティングを行なった。三価クロ
ムの酸化を防ぐため電解セルは密閉容器とし、窒素ガス
でパージを行なった。対極には、陽極からの不純物イオ
ン溶出を防ぐ几め白金板を使用し７’ｉＣｏ基板には、
５ｄの冷間圧延炭素鋼を使用した０ 第 １ 表 Ａ、Ｂ両塔に種々のリン酸塩化合物を添加し、電流設定
条件を変化させて行なった実験結果を第２表に示す。リ
ンがＣｒ−Ｐの状態図上の共晶組成（８，５４）近傍ま
で共析すると、そのＸ線回析はブロードニングを起し、
非晶質状態にあると判定出来る。又ｉｐを変化させた実
験より、同一パルス周期では、ｉｐが大きい程ＰＯ共析
量は減少するが（第５図）、Ｔ ｏｆｆを長くとる事に
よりｉｐを大きくする事ができる。
第 ２ 表
ＰＣ係）
υ′酸塩 ｏｎ（ｍｓｅｃ） Ｔｏｆｆ（ｍｓｅｃ
） ｉｐ（Ａ７ｄｍ” Ｂ浴Ｘ線回析化合物種
−−
−−１００５８０２３結晶 亜リン酸
−−−１０５８０５４結晶 （３０（みり） １ ５８０９１０ 非晶質 １００ ５ ８００２ 結晶質次亜リン酸 １０ ５８０”４ 結晶質 （３５ＣＥＩ／ｌ ） １ ５８０３４ 結晶質 、１□ヤ １００ ５ ８０ ２ ４ 結晶質
次にＡ浴に硫酸鉄、ニッケル、コバルトヲ、又Ｂ浴に塩
化鉄、ニッケル、コバルトを添加し几結果を第３表に示
す。
） ｉｐ（Ａ７ｄｍ” Ｂ浴Ｘ線回析化合物種
−−
−−１００５８０２３結晶 亜リン酸
−−−１０５８０５４結晶 （３０（みり） １ ５８０９１０ 非晶質 １００ ５ ８００２ 結晶質次亜リン酸 １０ ５８０”４ 結晶質 （３５ＣＥＩ／ｌ ） １ ５８０３４ 結晶質 、１□ヤ １００ ５ ８０ ２ ４ 結晶質
次にＡ浴に硫酸鉄、ニッケル、コバルトヲ、又Ｂ浴に塩
化鉄、ニッケル、コバルトを添加し几結果を第３表に示
す。
壷１）非：非晶質
＊２）結：結晶質
通常クロムメッキ（サージェント浴等）では、電着応力
との関係で被膜にミクロクラックが入り易い。しかし、
Ｃｒ−Ｐ系の電着物め場合、被膜中にリンが２（＠以上
共析すると、クラックフリーの平滑性の良い均一な析出
物となった（第６図参照）０ 冷延鋼板上にコーティングを施した後の耐食性試験結果
を次に示す。アノード分極測定の結果、被膜中にＰが５
（幡程度以上共析すると、ＣｒＰ＋ Ｆｅ Ｃｒ
Ｐ＋ ＮｉＣｒ Ｐｒ Ｃｏ Ｃｒ Ｐ共に自己
不働態化を超し、活性溶解は見らｎず極めて高い耐食性
を示した（第７図）０また裏面を完全マスクし友状態で
、得らｎた非晶質合金箔について３０ （０Ｃ）、Ｉ
ＣＮ）ＨＣｌ水溶液中で測定した腐食速度を第８図に示
す。リン含有率が６（（イ）をこえろとほとんど酸にお
かさｎなかった。
との関係で被膜にミクロクラックが入り易い。しかし、
Ｃｒ−Ｐ系の電着物め場合、被膜中にリンが２（＠以上
共析すると、クラックフリーの平滑性の良い均一な析出
物となった（第６図参照）０ 冷延鋼板上にコーティングを施した後の耐食性試験結果
を次に示す。アノード分極測定の結果、被膜中にＰが５
（幡程度以上共析すると、ＣｒＰ＋ Ｆｅ Ｃｒ
Ｐ＋ ＮｉＣｒ Ｐｒ Ｃｏ Ｃｒ Ｐ共に自己
不働態化を超し、活性溶解は見らｎず極めて高い耐食性
を示した（第７図）０また裏面を完全マスクし友状態で
、得らｎた非晶質合金箔について３０ （０Ｃ）、Ｉ
ＣＮ）ＨＣｌ水溶液中で測定した腐食速度を第８図に示
す。リン含有率が６（（イ）をこえろとほとんど酸にお
かさｎなかった。
（発明の効果）
上記したように、本発明によ１ば、Ｃｒ系超高耐食性非
晶質合金を作業性よくかつ高速でコーティングすること
ができる。
晶質合金を作業性よくかつ高速でコーティングすること
ができる。
第１図は本発明法に使用さｎる電解装置の概念図、第２
図はパルス周期と電流密度とを示す図、第３図、第４図
および第９図は電鋳装置の例を示す図、第５図は電流密
度とリンの共析量との関係を示す図、第６図はリン含有
率とクラック発生密度との関係を示す図、第７図はアノ
ード分極曲線を示す図、第８図は１（Ｎ）ＨＣｌ水溶液
中の腐食速度を示す図である。 １・・電解セル ２・・電解浴 ３・・隔膜４・・
陽極 ５・・基板 ６・・パルス発生器７・・オシ
ロスコープ ８・・水洗スプレ９・・水洗タンク
１０・・ドライヤ鬼 １区 范５図 Ｐ含有率 電位（Ｖ、Ｓ、５ＥＣ）第８
図 Ｐ會伺率（％） 手糸売ネ市正書 昭和８１年４月 ８［１ 昭和６０年 特許願 第１７７３１５号２ 発明の名称 Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 氏名 （２１１）住友金属工業株式会社４ 代理人
〒１０１ 氏名 （８２８４） 弁理士 永 井 義
久５ 補正命令の日付 自発補正 ６ 補正の対象 明細書、発明の詳細な説明の欄゛ｉ＾び図面７ 補正の
内容 （１）明細書、発明の詳細な説明の欄、３頁１４行目か
ら１５行目の「リン耐亜リン酸、」を「リン酸、亜リン
酸、」と訂正する。 （２）図面第９図を別紙のとおり補充する。 第９図
図はパルス周期と電流密度とを示す図、第３図、第４図
および第９図は電鋳装置の例を示す図、第５図は電流密
度とリンの共析量との関係を示す図、第６図はリン含有
率とクラック発生密度との関係を示す図、第７図はアノ
ード分極曲線を示す図、第８図は１（Ｎ）ＨＣｌ水溶液
中の腐食速度を示す図である。 １・・電解セル ２・・電解浴 ３・・隔膜４・・
陽極 ５・・基板 ６・・パルス発生器７・・オシ
ロスコープ ８・・水洗スプレ９・・水洗タンク
１０・・ドライヤ鬼 １区 范５図 Ｐ含有率 電位（Ｖ、Ｓ、５ＥＣ）第８
図 Ｐ會伺率（％） 手糸売ネ市正書 昭和８１年４月 ８［１ 昭和６０年 特許願 第１７７３１５号２ 発明の名称 Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 氏名 （２１１）住友金属工業株式会社４ 代理人
〒１０１ 氏名 （８２８４） 弁理士 永 井 義
久５ 補正命令の日付 自発補正 ６ 補正の対象 明細書、発明の詳細な説明の欄゛ｉ＾び図面７ 補正の
内容 （１）明細書、発明の詳細な説明の欄、３頁１４行目か
ら１５行目の「リン耐亜リン酸、」を「リン酸、亜リン
酸、」と訂正する。 （２）図面第９図を別紙のとおり補充する。 第９図
Claims (2)
- （１）三価クロム塩およびリンの酸素酸又は酸素酸塩を
主組成塩とする水溶液系浴を用いて、０．０１〜１００
ｍｓのオンタイム−オフタイム時間を有するパルス電流
ｉｐを１＜ｉｐ＜３０（Ａ／ｄｍ＾２）の電流密度で印
加し、易不働態化材料又は導電性有機樹脂あるいは有機
樹脂上の導電あるいは酸に溶け易い金属コーティング材
から成る基板上にＣｒ系非晶質合金を析出せしめ、つい
で基板より剥離又は基板溶解することを特徴とする高耐
食性Ｃｒ系非晶質合金の電鋳方法。 - （２）主組成塩として、さらに鉄属塩および／または高
融点金属塩を含む上記請求の範囲第１項に記載のＣｒ系
非晶質合金の電鋳方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17731585A JPS6237389A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17731585A JPS6237389A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237389A true JPS6237389A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16028832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17731585A Pending JPS6237389A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | Ｃｒ系非晶質合金の高速電鋳方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237389A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977068B1 (ko) * | 2010-01-25 | 2010-08-19 | 한용순 | 비정질 3가크롬합금도금층을 형성하기 위한 도금장치 및 그 3가크롬합금도금액 |
| JP2018508648A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-03-29 | ポスコＰｏｓｃｏ | Ｆｅ−Ｐ−Ｃｒ合金薄板およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17731585A patent/JPS6237389A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977068B1 (ko) * | 2010-01-25 | 2010-08-19 | 한용순 | 비정질 3가크롬합금도금층을 형성하기 위한 도금장치 및 그 3가크롬합금도금액 |
| JP2018508648A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-03-29 | ポスコＰｏｓｃｏ | Ｆｅ−Ｐ−Ｃｒ合金薄板およびその製造方法 |
| US10563316B2 (en) | 2014-12-24 | 2020-02-18 | Posco | Fe—P—Cr alloy thin plate and method for manufacturing same |
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