JPS6232771B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6232771B2 JPS6232771B2 JP54087206A JP8720679A JPS6232771B2 JP S6232771 B2 JPS6232771 B2 JP S6232771B2 JP 54087206 A JP54087206 A JP 54087206A JP 8720679 A JP8720679 A JP 8720679A JP S6232771 B2 JPS6232771 B2 JP S6232771B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical fiber
- ultrasonic transducer
- light
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光フアイバ自体に光変調機能をもた
せた新規な光変調器に関する。
せた新規な光変調器に関する。
一般に、光を高能率に伝送することができる光
フアイバは光通信システムにおける光通信網とし
て有望視されており、光通信を多様化するために
は光フアイバ自体に光信号を変調させる能動的機
能をもたせることが望まれている。
フアイバは光通信システムにおける光通信網とし
て有望視されており、光通信を多様化するために
は光フアイバ自体に光信号を変調させる能動的機
能をもたせることが望まれている。
従来、光信号を変調させるには音響光学変調
器、電気光学変調器などの専用の光変調器を別途
設けるようにしているが、バルク形の場合、前者
にあつては音響媒体である結晶やガラスなどの光
学研磨、超音波トランスジユーサの接着などに精
密加工を要して高度の製造技術を要し、また後者
にあつては同じく結晶の研磨、電極形成などにお
いて高度の製造技術を要して高価なものになつて
いる。また、屈折率が周囲より高く光ビームを閉
込め導波しうるような薄膜光導波路を変調活性領
域とする光導波路形の光変調器を構成する場合に
も微細加工による電極形成や薄膜光導波路形成に
非常な精密性が要求されるとともに、光フアイバ
との位置合せや接合部の平担度に対する要件が極
めて厳しく、信頼性の高い光結合を行なわせるこ
とは実際上困難なものになつている。その他、光
フアイバの光源として半導体レーザを用いる場合
には、その注入電流を変調することによつて直接
光変調を行なわせる方式などが採用されている
が、これらは何れも光フアイバに別途設けられた
他の構成要素によつて光変調機能を発揮させるよ
うにしたもので、光フアイバは光変調された光信
号の単なる伝送路としての役割しか果たすもので
はない。
器、電気光学変調器などの専用の光変調器を別途
設けるようにしているが、バルク形の場合、前者
にあつては音響媒体である結晶やガラスなどの光
学研磨、超音波トランスジユーサの接着などに精
密加工を要して高度の製造技術を要し、また後者
にあつては同じく結晶の研磨、電極形成などにお
いて高度の製造技術を要して高価なものになつて
いる。また、屈折率が周囲より高く光ビームを閉
込め導波しうるような薄膜光導波路を変調活性領
域とする光導波路形の光変調器を構成する場合に
も微細加工による電極形成や薄膜光導波路形成に
非常な精密性が要求されるとともに、光フアイバ
との位置合せや接合部の平担度に対する要件が極
めて厳しく、信頼性の高い光結合を行なわせるこ
とは実際上困難なものになつている。その他、光
フアイバの光源として半導体レーザを用いる場合
には、その注入電流を変調することによつて直接
光変調を行なわせる方式などが採用されている
が、これらは何れも光フアイバに別途設けられた
他の構成要素によつて光変調機能を発揮させるよ
うにしたもので、光フアイバは光変調された光信
号の単なる伝送路としての役割しか果たすもので
はない。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
従来光の伝送路としての役割しか果たしえなかつ
た光フアイバそのものに光変調機能をもたせた構
造簡単な光変調器を提供するものである。
従来光の伝送路としての役割しか果たしえなかつ
た光フアイバそのものに光変調機能をもたせた構
造簡単な光変調器を提供するものである。
本発明による光変調器は、光フアイバの一端面
に光フアイバに導入させるべき光ビームに対して
透過性をもつた超音波トランスジユーサを設けて
光フアイバ中に超音波信号を伝搬させ、その超音
波信号によつて光フアイバの他端から出力される
光信号を変調させるようにしたものである。
に光フアイバに導入させるべき光ビームに対して
透過性をもつた超音波トランスジユーサを設けて
光フアイバ中に超音波信号を伝搬させ、その超音
波信号によつて光フアイバの他端から出力される
光信号を変調させるようにしたものである。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例に
ついて詳述する。
ついて詳述する。
本発明による光変調器にあつては、まず第1図
に示すように、光フアイバ1の一端面に超音波ト
ランスジユーサ2を設ける。この場合、第2図
a,bにそれぞれ示すように、電極3,4間に
ZnO薄膜5やLiNbO3結晶薄膜6を狭持させたも
のを光フアイバ1の端面にスパツタリングによつ
て形成させるか、または接着によつて取付ける
(第2図b中、7は接着層を示している)。また、
この場合、超音波トランスジユーサ2の中心周波
数が数10MHzになるように設計する必要があ
る。なお、超音波トランスジユーサ2を設けるべ
き光フアイバ1の端面は普通100〜200μm程度の
微小なものであるため、例えば第3図に示すよう
に、光フアイバ1の端部にステンレス等のチユー
ブ8を装着して超音波トランスジユーサの設置を
容易にするとともに、その光フアイバ1の端部を
保護させるなどの補助的手段を講ずることが望ま
しい。また、前記電極3,4としては、その光フ
アイバ1の一端から光ビームを入射させる必要が
あるため、それをAuなどを蒸着させた半透明電
極、あるいはIn2O3、SnO2などの結晶体からなる
透明電極を用いる必要がある。また、LiNbO3結
晶薄膜6を用いる場合には、電気機械結合定数k
の大きなもの、例えば36゜Yカツト板(k=
0.49)を使用するのが望ましく、その厚さを50〜
100μm程度に選定する。さらに、超音波トラン
スジユーサ2の光フアイバ端面への接着手段とし
ては、AuやInによる超音波圧着法が変換効率の
高いものとして一般に採用されるが、その他エポ
キシ樹脂などの接着剤を用いる方法も簡便な手段
として用いることができる。
に示すように、光フアイバ1の一端面に超音波ト
ランスジユーサ2を設ける。この場合、第2図
a,bにそれぞれ示すように、電極3,4間に
ZnO薄膜5やLiNbO3結晶薄膜6を狭持させたも
のを光フアイバ1の端面にスパツタリングによつ
て形成させるか、または接着によつて取付ける
(第2図b中、7は接着層を示している)。また、
この場合、超音波トランスジユーサ2の中心周波
数が数10MHzになるように設計する必要があ
る。なお、超音波トランスジユーサ2を設けるべ
き光フアイバ1の端面は普通100〜200μm程度の
微小なものであるため、例えば第3図に示すよう
に、光フアイバ1の端部にステンレス等のチユー
ブ8を装着して超音波トランスジユーサの設置を
容易にするとともに、その光フアイバ1の端部を
保護させるなどの補助的手段を講ずることが望ま
しい。また、前記電極3,4としては、その光フ
アイバ1の一端から光ビームを入射させる必要が
あるため、それをAuなどを蒸着させた半透明電
極、あるいはIn2O3、SnO2などの結晶体からなる
透明電極を用いる必要がある。また、LiNbO3結
晶薄膜6を用いる場合には、電気機械結合定数k
の大きなもの、例えば36゜Yカツト板(k=
0.49)を使用するのが望ましく、その厚さを50〜
100μm程度に選定する。さらに、超音波トラン
スジユーサ2の光フアイバ端面への接着手段とし
ては、AuやInによる超音波圧着法が変換効率の
高いものとして一般に採用されるが、その他エポ
キシ樹脂などの接着剤を用いる方法も簡便な手段
として用いることができる。
このような構成において、第4図に示すよう
に、超音波トランスジユーサ2を通して外部から
光フアイバ1の一端に入射角θをもつて光信号
(平行レーザビーム)BINを送り込むとともに、
超音波トランスジユーサ2を励起させて超音波信
号を光フアイバ1中へ伝搬させることにより、光
フアイバ1の他端から適宜光変調された光信号B
OUTが出射されることになる。なお、図中9は高
周波発振器10の発振出力をパルス変調信号mに
よつて変調するミキサ、11は増巾器をそれぞれ
示している。
に、超音波トランスジユーサ2を通して外部から
光フアイバ1の一端に入射角θをもつて光信号
(平行レーザビーム)BINを送り込むとともに、
超音波トランスジユーサ2を励起させて超音波信
号を光フアイバ1中へ伝搬させることにより、光
フアイバ1の他端から適宜光変調された光信号B
OUTが出射されることになる。なお、図中9は高
周波発振器10の発振出力をパルス変調信号mに
よつて変調するミキサ、11は増巾器をそれぞれ
示している。
いま、第4図に示すように、光フアイバ1の他
端に対向させてホトセンサ12を設けて光フアイ
バ1から出射される光信号BOUTを検知させ、光
信号BINの入射角θを種々に変化させたときの超
音波信号による光強度変化を観測すると、第5図
に示すような結果が得られる。なお、この場合、
光フアイバ1の長さを22.5cm、超音波トランスジ
ユーサ2から光フアイバ1中に送り込まれる超音
波信号としては、高周波発振器10の出力周波数
を32.5MHz、超音波トランスジユーサ2の励磁
電圧を16.5Vpp、パルス変調信号mのパルス幅を
200μS、その周期を20mSという条件下で設定
されている。また、縦軸の光強度変化は、第6図
に示すような出射光出力の超音波信号による変化
分、すなわち光強度変化(%)=a/b×100で定
義されている。また、超音波信号の印加に際して
光出力が増加する方向をプラス側、それが減少す
る方向をマイナス側としている。
端に対向させてホトセンサ12を設けて光フアイ
バ1から出射される光信号BOUTを検知させ、光
信号BINの入射角θを種々に変化させたときの超
音波信号による光強度変化を観測すると、第5図
に示すような結果が得られる。なお、この場合、
光フアイバ1の長さを22.5cm、超音波トランスジ
ユーサ2から光フアイバ1中に送り込まれる超音
波信号としては、高周波発振器10の出力周波数
を32.5MHz、超音波トランスジユーサ2の励磁
電圧を16.5Vpp、パルス変調信号mのパルス幅を
200μS、その周期を20mSという条件下で設定
されている。また、縦軸の光強度変化は、第6図
に示すような出射光出力の超音波信号による変化
分、すなわち光強度変化(%)=a/b×100で定
義されている。また、超音波信号の印加に際して
光出力が増加する方向をプラス側、それが減少す
る方向をマイナス側としている。
第5図から明らかなように、光信号BINの入射
角θが0゜のときには出射光BOUTの光強度が−
24%変化し、その入射角θが変化するにしたがつ
て光強度が周期的にプラス側、マイナス側に変動
している。したがつて、入射角θをその光強度変
化の大きい点に設定すれば、良好な光変調を行な
うことができることになる。
角θが0゜のときには出射光BOUTの光強度が−
24%変化し、その入射角θが変化するにしたがつ
て光強度が周期的にプラス側、マイナス側に変動
している。したがつて、入射角θをその光強度変
化の大きい点に設定すれば、良好な光変調を行な
うことができることになる。
また、入力超音波パワーと出射光BOUTの光強
度変化の関係は、例えば入射角θが6゜10′、7
゜40′に対してそれぞれ第7図、第8図に示すよ
うになり、1ワツト以下のパワー入力で±20%の
光強度変化を得ることができるようになる。な
お、これらの結果は、超音波トランスジユーサ2
として厚さ100μmの36゜YカツトLiNbO3薄板、
電極面積1mm2のものを用い、それをエポキシ樹脂
で光フアイバ1の端面に接着させ、また光フアイ
バ1としてはコア経100μm、フアイバ経150μm
のステツプインデツクス型の石英多モードフアイ
バを用いたときの測定結果を示している。
度変化の関係は、例えば入射角θが6゜10′、7
゜40′に対してそれぞれ第7図、第8図に示すよ
うになり、1ワツト以下のパワー入力で±20%の
光強度変化を得ることができるようになる。な
お、これらの結果は、超音波トランスジユーサ2
として厚さ100μmの36゜YカツトLiNbO3薄板、
電極面積1mm2のものを用い、それをエポキシ樹脂
で光フアイバ1の端面に接着させ、また光フアイ
バ1としてはコア経100μm、フアイバ経150μm
のステツプインデツクス型の石英多モードフアイ
バを用いたときの測定結果を示している。
このように、光フアイバ1中に入射される光信
号BINを重畳させてその光フアイバ1中に超音波
信号を送り込むことにより光変調を行なうことが
できる理由としては、超音波信号によつて光フア
イバ1のコア部を伝搬するコアモードの光がクラ
ツド部を伝搬するクラツドモードの光と結合し、
クラツドモードに移行した光の損失が非常に大き
いためにそれが途中で減衰してしまい、その結果
光フアイバの出射端では伝搬モードの光の超音波
による変化があらわれ、光強度が変化するものと
考えられる。
号BINを重畳させてその光フアイバ1中に超音波
信号を送り込むことにより光変調を行なうことが
できる理由としては、超音波信号によつて光フア
イバ1のコア部を伝搬するコアモードの光がクラ
ツド部を伝搬するクラツドモードの光と結合し、
クラツドモードに移行した光の損失が非常に大き
いためにそれが途中で減衰してしまい、その結果
光フアイバの出射端では伝搬モードの光の超音波
による変化があらわれ、光強度が変化するものと
考えられる。
なお、本発明による光変調器では、第9図に示
すように、超音波トランスジユーサ2とは反対側
の光フアイバ1の端面から光信号BINを入射させ
るようにしても前述と同様の光変調を行なうこと
ができるが、第4図に示す超音波トランスジユー
サ2から光信号BINを入射させる場合と異なり、
この場合には特に超音波トランスジユーサ2を通
して出射される光信号BOUTによるパターンPの
位置によつてその光強度が複雑に変化してしま
い、その位置に応じてプラス側またはマイナス側
の光信号BOUTが得られることになる。また、こ
の場合における出射光BOUTの光強度変化はレー
ザの発射条件に何ら依存されることがない。しか
し、このような超音波トランスジユーサ2の反対
側から光信号BINを入射させる方式では、変調さ
れた光信号BOUTを伝送させるという使用目的に
は適するものではなくなる。
すように、超音波トランスジユーサ2とは反対側
の光フアイバ1の端面から光信号BINを入射させ
るようにしても前述と同様の光変調を行なうこと
ができるが、第4図に示す超音波トランスジユー
サ2から光信号BINを入射させる場合と異なり、
この場合には特に超音波トランスジユーサ2を通
して出射される光信号BOUTによるパターンPの
位置によつてその光強度が複雑に変化してしま
い、その位置に応じてプラス側またはマイナス側
の光信号BOUTが得られることになる。また、こ
の場合における出射光BOUTの光強度変化はレー
ザの発射条件に何ら依存されることがない。しか
し、このような超音波トランスジユーサ2の反対
側から光信号BINを入射させる方式では、変調さ
れた光信号BOUTを伝送させるという使用目的に
は適するものではなくなる。
以上、本発明による光変調器にあつては、光フ
アイバの一端面に光フアイバ中に導入させる光ビ
ームに対して透過性をもつた超音波トランスジユ
ーサを設け、その光フアイバ中に一定の入射角で
導入された光ビームに重畳させて超音波信号を伝
搬させることによりその光ビームの強度を適宜変
化させるようにしたもので、従来光の伝送路とし
ての役割しか果たしえなかつた光フアイバそのも
のに光変調機能をもたせることができ、光変調器
を簡単な構造でかつ容易な製造技術によつて提供
することができ、光通信、その他光フアイバ応用
の分野で広く適用されるという優れた利点を有し
ている。
アイバの一端面に光フアイバ中に導入させる光ビ
ームに対して透過性をもつた超音波トランスジユ
ーサを設け、その光フアイバ中に一定の入射角で
導入された光ビームに重畳させて超音波信号を伝
搬させることによりその光ビームの強度を適宜変
化させるようにしたもので、従来光の伝送路とし
ての役割しか果たしえなかつた光フアイバそのも
のに光変調機能をもたせることができ、光変調器
を簡単な構造でかつ容易な製造技術によつて提供
することができ、光通信、その他光フアイバ応用
の分野で広く適用されるという優れた利点を有し
ている。
第1図は本発明の一実施例における光フアイバ
の一端面に超音波トランスジユーサを設けた状態
を示す斜視図、第2図a,bはその超音波トラン
スジユーサの取付状態をそれぞれ示す各正断面
図、第3図は超音波トランスジユーサの他の設置
手段を示す正断面図、第4図は本発明の一実施例
による光変調器の概略構成図、第5図は入射光の
角度に対する出射光強度の一特性図、第6図は出
射光出力の超音波信号による変化の状態を説明す
るための図、第7図および第8図はそれぞれ特定
の入射角に対する出射光の光強度変化の特性を
各々示す図、第9図は本発明による光変調器の他
の使用状態を示す図である。 1……光フアイバ、2……超音波トランスジユ
ーサ、3,4……電極、5……ZnO薄膜、6……
LiNbO3結晶薄膜、7……接着層、8……ステン
レスチユーブ(保護管)、9……ミキサ、12…
…ホトセンサ。
の一端面に超音波トランスジユーサを設けた状態
を示す斜視図、第2図a,bはその超音波トラン
スジユーサの取付状態をそれぞれ示す各正断面
図、第3図は超音波トランスジユーサの他の設置
手段を示す正断面図、第4図は本発明の一実施例
による光変調器の概略構成図、第5図は入射光の
角度に対する出射光強度の一特性図、第6図は出
射光出力の超音波信号による変化の状態を説明す
るための図、第7図および第8図はそれぞれ特定
の入射角に対する出射光の光強度変化の特性を
各々示す図、第9図は本発明による光変調器の他
の使用状態を示す図である。 1……光フアイバ、2……超音波トランスジユ
ーサ、3,4……電極、5……ZnO薄膜、6……
LiNbO3結晶薄膜、7……接着層、8……ステン
レスチユーブ(保護管)、9……ミキサ、12…
…ホトセンサ。
Claims (1)
- 1 光フアイバの一端面に、光フアイバ中に導入
させる光ビームに対して透過性をもつた超音波ト
ランスジユーサを設け、その光フアイバ中に一定
の入射角で導入された光ビームに重畳させて超音
波信号をその中に光ビームの伝搬方向と平行に伝
搬させることにより、光ビームの変調を行なわせ
るようにした光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8720679A JPS5611433A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8720679A JPS5611433A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Light modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5611433A JPS5611433A (en) | 1981-02-04 |
| JPS6232771B2 true JPS6232771B2 (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=13908478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8720679A Granted JPS5611433A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Light modulator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5611433A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2751300B2 (ja) * | 1989-01-31 | 1998-05-18 | 株式会社明電舎 | 真空インタラプタ用磁気駆動型電極 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5390950A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-10 | Nec Corp | Variable light attenuator |
-
1979
- 1979-07-10 JP JP8720679A patent/JPS5611433A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5611433A (en) | 1981-02-04 |
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